「insulating pad」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A stress-relaxing film 9 constituted of a polyimide film is interposed between the interlayer insulating film 3 on the MOS transistor 4 and the electrode pad 2.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ４上の層間絶縁膜３と電極パッド２との間にポリイミド膜から成る応力緩和膜９が介在している。 - 特許庁

On the semiconductor device, many open regions 5 to 8 are formed at an insulating film on a pad electrode 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、パッド電極３上の絶縁膜に複数の開口領域５〜８が形成されている。 - 特許庁

The wiring structure includes a first contact pad 126, a first contact plug 150, spacers 140, and interlayer insulating film patterns 120 and 130.例文帳に追加

配線構造物は、第１コンタクトパッド１２６、第１コンタクトプラグ１５０、スペーサー１４０、及び層間絶縁膜パターン１２０、１３０を含む。 - 特許庁

Fuse elements 2a, 2b of a damascene structure and a bonding pad 2c are formed within an interlayer insulating film 1.例文帳に追加

層間絶縁膜１内にダマシン構造のヒューズ素子２ａ、２ｂ及びボンディングパッド２ｃが形成されている。 - 特許庁

To lower the relative permittivity of an insulating film in a region where wiring is formed without reducing the mechanical strength in a region where a bonding pad is formed.例文帳に追加

ボンディングパッド形成領域下の機械的な強度を損なわずに、配線が形成される領域の絶縁膜を低誘電率化する。 - 特許庁

The sealing resin layer 8 is formed all over the insulating resin layer 5 so that it may cover the circuit element 6 and the aperture 5a of the pad electrode.例文帳に追加

封止樹脂層８は絶縁樹脂層５の上に形成され、回路素子６およびパッド電極の開口部５ａを覆うように全面に形成される。 - 特許庁

The pad 6NB of a gate electrode 6N is formed on an element isolation insulating film 9 in the element isolation region of the SOI substrate 1.例文帳に追加

また、ゲート電極６Ｎのパッド部６ＮＢは、ＳＯＩ基板１の素子分離領域において、素子分離絶縁膜９上に形成されている。 - 特許庁

The first and second insulating films 3, 9 at the bottom of the opening are removed selectively for exposing the pad electrode 4 partially.例文帳に追加

次に、開口部の底部の第１及び第２の絶縁膜３，９を選択的に除去し、パッド電極４を一部露出させる。 - 特許庁

The insulating resin layer 5 is formed to cover the wiring layer 3 so that it may have an aperture 5a in the formation region of the pad electrode.例文帳に追加

絶縁樹脂層５は、配線層３を覆うように、パッド電極の形成領域に開口部５ａを有するように形成される。 - 特許庁

An insulating film 2, a CrSi thin film 3, an electrode pad 4 and an interlayer dielectric 5 are formed on a semiconductor substrate 1, and an aluminum electrode 6 is formed.例文帳に追加

半導体基板１に絶縁膜２、ＣｒＳｉ薄膜３、電極パッド４、層間絶縁膜５を形成し、アルミニウム電極６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a pad of excellent adhesion with an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermal pad 9 composed of the same metallic material as that of the island 6 is formed on the other surface 5B of the insulating substrate 5.例文帳に追加

一方、絶縁性基板５の他方面５Ｂには、アイランド６と同じ金属材料からなるサーマルパッド９が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, in the region where contacts are formed, pad-shaped insulating layers 13 to 15 and 16 to 18 are formed under the gate electrodes 22 and 23.例文帳に追加

さらに、コンタクト部が形成された領域において、ゲート電極２２，２３の下にパッド状絶縁層１３〜１５，１６〜１８が形成されている。 - 特許庁

(2) A surface protection insulating film is formed excepting a part of the circuit pattern and the connection pad portion formed in the process (1).例文帳に追加

（２）前記工程（１）で形成された回路パターンおよび接続パッド部の一部を除き表面保護絶縁膜を形成する。 - 特許庁

(5) A surface protection insulating film having an opening at a required position is formed on the outer layer circuit pattern including the connection pad portion.例文帳に追加

（５）前記接続パッド部を含む前記外層回路パターンに、所要の位置に開口を有する表面保護絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Preferably, interconnection of the circuits between the blades is made possible, by forming the discs out of an insulating base material with a conductive pad thereon.例文帳に追加

好ましくは、上に導電性パッドを有する絶縁基板材料でディスクを形成して、ブレード間の回路の相互接続を可能にする。 - 特許庁

Moreover, a pad electrode 13 is formed so as to cover the electrode 12 and extended on the insulating film 11 on the outside portion of the notches 9, 12.例文帳に追加

また、電極１２を覆い、かつ溝９、１２の外側の部分の上方の絶縁膜１１上に延在してパッド電極１３を形成する。 - 特許庁

On the outside of the substrate junction electrode, a heat-transfer pad 36 is provided with an inter-electrode insulating part 34 in between.例文帳に追加

基板中継電極の外側に、電極間絶縁部３４を介在させて、伝熱パッド３６が設けられている。 - 特許庁

An adhesion layer 60 and a seed layer 70 are provided among the conductive layer 80, and the electrode pad 30 and the first insulating film 50.例文帳に追加

導電層８０と電極パッド３０および第１の絶縁膜５０との間に密着層６０およびシード層７０が設けられている。 - 特許庁

A heat sink 18 is arranged on a surface of the die pad 12 opposite to the semiconductor chip 13 side through an insulating resin sheet 19.例文帳に追加

ダイパッド１２の半導体チップ１３側とは反対側の面に絶縁性樹脂シート１９を介してヒートシンク１８が配置されている。 - 特許庁

The area of the pad electrode 32 is limited to not more than 60% of the upper surface of an insulating layer 26 with the mesa post 38 embedded.例文帳に追加

パッド電極３２は、メサポスト３８を埋め込む絶縁層２６の上面の面積の６０％以下に抑える。 - 特許庁

A coarse surface structure 111a is formed on the surface part of the insulating film 111 of a part positioned on the end of the electrode pad 102.例文帳に追加

電極パッド１０２の端部上に位置する部分の絶縁膜１１１の表面部に粗面構造１１１ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability while being provided with a pad consisting of an electrode protruding from an insulating layer.例文帳に追加

絶縁層から突出する電極からなるパッドを備えながら、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the present invention, the plane shape of the electrode pad 25 is made smaller than the opened part of the inter-layer insulating film 23.例文帳に追加

ここで、本発明では、層間絶縁膜２３の開口部分よりも、電極パッド２５の平面形状を小さくしている。 - 特許庁

The pad structure being connected with a conductive region in a semiconductor integrated circuit (not shown) is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加

図示しない半導体集積回路内部の導電領域と接続されるパッド構造は、層間絶縁膜１０上に形成される。 - 特許庁

In the forming region of a single crystal Si thin film transistor 11, a relay pad 33 is formed at a predetermined place in the insulating layer thereof.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１１の形成領域において、その絶縁層中の所定箇所に中継パッド３３を形成する。 - 特許庁

Etching is then performed by using it as a mask, thus making a recess for forming a pad electrode in the insulating film.例文帳に追加

これをマスクとしてエッチングすることにより絶縁膜にパッド電極形成用の凹部を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film patterns 120 and 130 have an opening that accommodates the contact pad 126 and the spacers 140.例文帳に追加

層間絶縁膜パターン１２０，１３０は、コンタクトパッド１２６とスペーサー１４０を収容する開口を有する。 - 特許庁

In the electronic component 14, a terminal portion of the electronic component body 20 and a pad of an insulating substrate 22 are connected by a bonding wire 30a.例文帳に追加

電子部品１４は、電子部品本体２０の端子部と絶縁基板２２のパッドとがボンディングワイヤ３０ａによって接続してある。 - 特許庁

Then, a second wiring pattern 70 electrically connected with the second pad 54 is formed to pass the area on the second insulating part 60.例文帳に追加

その後、第２のパッド５４と電気的に接続された第２の配線パターン７０を、第２の絶縁部６０上を通るように形成する。 - 特許庁

A part of the insulating film is removed to form opening portions 435a, 435b including a plurality of openings exposing a part of the pad.例文帳に追加

前記絶縁膜の一部を除去して前記パッドの一部を露出させる複数の開口を含む開口部４３５ａ，４３５ｂを形成する。 - 特許庁

To prevent a diffusion of water from an electrode pad and to cope with thinning of film and lowering of dielectric constant of an insulating film.例文帳に追加

電極パッドからの水分の拡散を防止できると共に、絶縁膜の薄膜化及び低誘電率化に対応できるようにする。 - 特許庁

In a region of the transparent electrode 42 on the light translucent insulating layer 30, an electrode pad 43 is formed.例文帳に追加

透明電極４２における透光性絶縁層３０上の領域において、電極パッド４３が形成される。 - 特許庁

The circuit board 10 is formed by burying a line part 9 and a pad part 8 as an electrical circuit in an insulating substrate 1 to be exposed.例文帳に追加

絶縁基材１に電気回路としてライン部９及びパッド部８を露出するように埋設して形成された回路基板１０に関する。 - 特許庁

The second pad 17B is formed with a metal which has a lower diffusivity in the first insulating film 15A than that in the second wiring conductor 19B.例文帳に追加

第２パッド１７Ｂは、第２配線導体１９Ｂよりも第１絶縁膜１５Ａに対する拡散性が低い金属により形成されている。 - 特許庁

A part of the heat sink 12, the insulating sheet 10, the die pad 14 and the power semiconductor element 16 are sealed by a mold resin 26.例文帳に追加

ヒートシンク１２の一部、絶縁シート１０、ダイパッド１４、及び電力用半導体素子１６がモールド樹脂２６により封止されている。 - 特許庁

To provide a method of flattening and burying metal in an insulating film with a slurry without using a polishing pad nor an abrasive grain.例文帳に追加

研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。 - 特許庁

The height from the surface of the pad 30 to the surface of the conductive film 20 is 0.31 mm or less in a position avoiding the insulating layer 24.例文帳に追加

絶縁層２４を避けた位置においてパッド３０の表面から導電膜２０の表面までの高さが０．３１ｍｍ以下である。 - 特許庁

Also, on the lower side of the pad 1, the first interlayer insulating film 3 is not provided with wiring for electrically connecting the first wiring 12 with each other.例文帳に追加

また、パッド１の下側において、第１の層間絶縁膜３には、第１の配線１２同士を電気的に接続する配線は設けられていない。 - 特許庁

For example, by pulling the insulating film 17 off from the I/O pad 15, the solder bump 14 can be eliminated.例文帳に追加

例えば入出力パッド１５から絶縁性フィルム１７が引き離されると、半田バンプ１４は除去されることができる。 - 特許庁

The second hole 11 is formed from the bottom of the first hole 7 to reach the pad 3 through the interlayer insulating film 2.例文帳に追加

そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。 - 特許庁

An arithmetical mean roughness of the bottom surface of an insulating substrate 1 is made about from 0.1 μm to 0.4 μm to prevent the peripheral portion of an electrode pad 6 from bleeding out.例文帳に追加

絶縁基板１下面の算術平均粗さを０．１μｍ〜０．４μｍ程度とすることで、電極パッド６の周縁部の滲みをなくした。 - 特許庁

To solve the problem that a crack is generated in an insulating layer surrounding the periphery of an electrode pad by a thermal stress.例文帳に追加

本発明は熱応力により電極パッドの周囲を囲む絶縁層にクラックが発生することを課題とする。 - 特許庁

When the extension part 14e is pulled from the pad 16, the cut end 14f never touches the insulating film 24.例文帳に追加

延長部分１４ｅをパッド１６から引っ張る際に、切断端１４ｆが絶縁膜２４と接することがない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, provided with a pad 30A which is superior in adhesion to an interlayer insulating layer, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間絶縁層との密着性が優れたパッド部を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁