「interface migration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A limited portion such as circumference of the interface between a via and the wiring is denatured by depositing the materials resisting the migration.例文帳に追加

ビア／配線の界面の周辺のような限られた部分をマイグレーションを受けにくい材料で堆積し変性することもできる。 - 特許庁

RUNNING STATE MIGRATION OF PLATFORM SPECIFIC GRAPHICAL USER INTERFACE WIDGETS BETWEEN HETEROGENEOUS DEVICE PLATFORMS例文帳に追加

異種装置プラットフォーム間におけるプラットフォーム特定型のグラフィカルユーザインターフェイスの実行状態のマイグレーション - 特許庁

In the compound layer 2, a barrier layer is formed by Cu6Sn5 phase deposition on or migration to a surface of the Ni plating, whereby an interface reaction is suppressed.例文帳に追加

化合物層２はＣｕ６Ｓｎ５相がＮｉめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 - 特許庁

A manager is enabled to set a migration policy using attribute information which can be acquired through a standard file access interface possessed by a file server program, and when setting the attribute information of a migration destination file, the tier of the file which is to be created is determined and the migration destination file is created on the basis of the attribute information and the migration policy.例文帳に追加

ファイルサーバプログラムが有する標準的なファイルアクセスインタフェースで取得可能な属性情報を用いて管理者に移行ポリシを設定させ、移行先ファイルの属性情報を設定する際に、その属性情報と移行ポリシに基づいてファイルの作成先の階層を決定し、移行先ファイルを作成する。 - 特許庁

The solute 8 is polarized by the electric field thereof and subjected to dielectric migration by the electric field gradient to be enhanced in its concentration at the interface 10 and the extraction speed at the interface 10 is increased.例文帳に追加

溶質８はその電場により分極され、電場勾配によって誘電泳動して界面１０での溶質８の濃度が高まり、界面１０で抽出速度が高まる。 - 特許庁

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain.例文帳に追加

銅の双晶においては、通常｛１１１｝面の１つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する２つの結晶粒は、実質的に１つの大きな結晶粒とみなすことができる。 - 特許庁

Accordingly, not only migration from the reflection electrode layer 22 comprising the silver alloy is inhibited, but also blackening on at interface with the light-transmitting electrode layer 21 comprising ITO as a lower layer can be prevented, thus the efficiency of light extraction is improved.例文帳に追加

これにより、銀合金から成る反射電極層２２からのマイグレーションを抑制した上、下層のＩＴＯから成る透光性電極層２１との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

To prevent a continuity failure caused by stress migration at an interface between a plug connected to an embedded wires at a bottom and the embedded wires in a semiconductor integrated circuit device having a plurality of the embedded wires.例文帳に追加

複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。 - 特許庁

An interactive user interface 90 receives input of decision material in terms of system related to the migration of the individual system from a developer of the business system, and receives input of decision material in terms of business related to the migration of the individual system from a responsible person of a company receiving the business system.例文帳に追加

対話型ユーザインタフェース９０は、個別システムの移行に関してシステム観点から見た判断材料の入力を当該業務システムの開発者から受けつけ、個別システムの移行に関してビジネス観点から見た判断材料の入力を当該業務システムの納入先の担当者から受け付ける。 - 特許庁

To form an adhesion improved layer made of oxide at the interface between a Cu wire and a cap layer in a multilayer wiring structure of a semiconductor device, and to improve reliability of the Cu wire to migration without increasing resistance of the Cu wire.例文帳に追加

半導体装置の多層配線構造において、Ｃｕ配線とキャップ層との界面に酸化物からなる密着改善層を形成し、Ｃｕ配線の抵抗を上昇させることなく、Ｃｕ配線のマイグレーションに対する信頼性を向上させる。 - 特許庁

To improve an electro-migration resistance of a copper wiring by preventing copper atoms in the copper wiring from diffusing into an insulating film during heat treatment so that occurrence of a leakage current between wirings is prevented, and preventing occurrence of voids at the interface between the copper wiring and the insulating film through improvement is tight-adhesion between the copper wiring and the insulating film.例文帳に追加

熱処理時における銅配線中の銅原子の絶縁膜中への拡散を阻止することにより、配線間におけるリーク電流の発生を防止すると共に、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させて銅配線と絶縁膜との界面にボイドが発生する事態を防止することにより、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

To improve problems such as warpage, interface peel off at mounting and the complexity of manufacturing processes concerning insulation materials of buildup multilayer printed wiring boards, problems of storage stability of thermosetting resistances for buildup multilayers, and glass cloth-containing type migration and to produce a buildup insulation material and a buildup multilayer printed wiring board which exerts little load on the environment.例文帳に追加

ビルドアップ多層プリント配線基板の絶縁材料に関係する反り、実装時の界面剥離、製造工程の煩雑さという問題やビルドアップ多層用熱硬化性材料の保存安定性の問題、およびガラスクロス含有タイプのマイグレーションという問題を改善すると共に、環境に対する負荷が少ないビルドアップ用絶縁材料およびビルドアップ多層プリント配線基板とすることである。 - 特許庁

To prevent migration of copper in a copper wiring from an interface between a barrier metal layer and a nitride layer to an interlayer insulating film and thus to prevent the occurrence of a leak current and a short circuit between neighboring wirings, by simply covering the upper surface of the copper wiring formed in a wiring trench via a barrier metal layer with a nitride film.例文帳に追加

配線溝の内部にバリアメタル層を介して形成した銅配線の上面に窒化膜を単に被覆した構成では、バリアメタル層と窒化膜との界面より層間絶縁膜方向に移動しようとする銅配線中の銅の移動を阻止し、リーク電流を発生および隣接する銅配線との短絡を防止する。 - 特許庁

To provide, with respect to a developing device including a toner carrier for conveying a toner to a developing region for a latent image carrier while allowing the toner to hop on a circumferential face thereof, a developing device and a toner carrier in which leakage between electrodes provided in the toner carrier through an interface or the toner may be avoided and leakage between electrode members due to ion migration may be never caused over time.例文帳に追加

トナーを外周面上でホッピングさせて潜像担持体の現像領域へ搬送するトナー担持体を備えた現像装置であって、そのトナー担持体に設けられた電極間で界面やトナーを通じたリークが生じることがなく、さらに、経時においても、電極部材間でのイオンマイグレーションによるリークが生じることのない現像剤担持体、現像装置を提供する。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor for use in a photocatalytic oxidation/reduction reaction is characterized by comprising a base layer and a surface layer overlaid thereon each having mutually different semiconductor characteristics forming an interface contacting the base layer and the surface layer, whereby at least the surface layer is made to have a function of accelerating carrier migration.例文帳に追加

III −Ｖ族窒化物半導体は、光触媒酸化還元反応用のIII −Ｖ族窒化物半導体であって、互いに半導体特性の異なる基層およびこの基層に積層された表層を有し、前記基層と前記表層とが接触する界面が形成されることにより、少なくとも表層がキャリア移動促進作用を有することを特徴とする。 - 特許庁