「interface region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

On the interface, a plurality of adjustment mechanisms are provided in a predetermined region of the interface.例文帳に追加

上記界面上には、該界面の所定の領域に複数の調整機構が備えられる。 - 特許庁

The integrated circuit device includes a first to an Nth circuit block, a first interface region 12, and a second interface region 14.例文帳に追加

集積回路装置は、第１〜第Ｎの回路ブロックと第１のインターフェース領域１２と第２のインターフェース領域１４を含む。 - 特許庁

A first interface region adjacent to the marking is calculated, and a computer function is related with this first interface region.例文帳に追加

マーキングに隣接する第１のインタフェース領域が計算され、コンピュータ機能がこの第１のインタフェース領域と関連付けられる。 - 特許庁

A tunnel insulating film is provided on a surface of the interface region.例文帳に追加

前記界面領域の表面にはトンネル絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

An interface region 114 is formed on the top surface of the conductive line, and the interface region 114 contains a metallic components of the cap layer.例文帳に追加

界面領域１１４は、導電線の上表面上に形成され、界面領域１１４は、キャップ層の金属成分を含む。 - 特許庁

A p^+ low resistance region 41 is provided at the interface among the p body region 4, the n^+ emitter region 5 and p^+ contact region 6, within the p body region 4.例文帳に追加

ｐボディ領域４内の、ｐボディ領域４領域と、ｎ^+エミッタ領域５およびｐ^+コンタクト領域６との界面には、ｐ^+低抵抗領域４１が設けられている。 - 特許庁

The distance from a first interface 6 at which the anode region 4 and the high resistance region 8 are in contact with each other through a second interface 12 at which the cathode region 15 and the high resistance region 8 are in contact with each other is 50 μm or greater.例文帳に追加

アノード領域４と高抵抗領域８が接する第１界面６からカソード領域１５と高抵抗領域８が接する第２界面１２までの距離は５０μｍ以上である。 - 特許庁

The interface (22) between the region and each of the lenses has been roughened.例文帳に追加

そして、この領域とレンズとの境界面（２２）が粗面化されている。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR MASKING DYNAMIC REGION IN USER INTERFACE TO ENABLE TESTING OF USER INTERFACE CONSISTENCY例文帳に追加

ユーザインタフェース中の動的な領域をマスキングしてユーザインタフェースの整合性のテストを可能にする方法およびシステム - 特許庁

The TSO interface program is run as a problem program in the TSO user region 例文帳に追加

TSOインタフェースプログラムは,TSOユーザ領域で「問題プログラム」としてランする(実行される) - コンピューター用語辞典

A photodiode chip 1B has a first p-n junction region, formed at an interface between a region 13 and an epitaxial layer 12, and a second p-n junction region formed at an interface between a region 17 and an epitaxial layer 12.例文帳に追加

フォトダイオードチップ１Ｂは、領域１３とエピタキシャル層１２との界面に形成される第１のｐｎ接合領域と、領域１７とエピタキシャル層１２との界面に形成される第２のｐｎ接合領域とを有する。 - 特許庁

A panel 55 is provided to shut off an atmosphere in one region, where a thermal treatment oven 20 and an interface section are arranged, from an atmosphere in the other region.例文帳に追加

熱処理炉２０とインターフェイス部４が配置されている領域の内外の雰囲気をパネル５５で遮断する。 - 特許庁

The print data storing region 17a and a printing buffer region 17b are integrated to be a printing buffer region 17b' at the interface mode.例文帳に追加

そして、印刷データ記憶領域１７ａであった領域と印刷バッファ領域１７ｂとを統合してインターフェイスモード時の印刷バッファ領域１７ｂ’とする。 - 特許庁

The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer.例文帳に追加

第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。 - 特許庁

Because the porous region (31) and the dense region (32) are integrally formed, the interface is prevented from being formed at the boundary of the porous region (31) and the dense region (32).例文帳に追加

多孔質領域（３１）と緻密領域（３２）とが一体的に形成されていることから、多孔質領域（３１）と緻密領域（３２）との境界に界面が形成されることが防止される。 - 特許庁

The protection diode includes: a p-type semiconductor region; an n-type semiconductor region; and the pn-junction interface on which the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region abut each other, wherein recesses and protrusions of the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region are alternatively arranged along the extending direction of the pn-junction interface.例文帳に追加

保護ダイオードは、ｐ型半導体領域と、ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域が当接するｐｎ接合面とを有し、ｐ型半導体領域およびｎ型半導体領域はそれぞれ、ｐｎ接合面の延在方向に沿って凹部と凸部が交互に配置される。 - 特許庁

BEARING COMPRISING AT LEAST ONE ELASTIC DEFORMATION REGION, INTERFACE, AND BRAKE ASSEMBLY例文帳に追加

少なくとも１つの弾性変形領域から成るベアリングとインターフェイス、及びブレーキアセンブリ - 特許庁

An interface region with a mirocell MC2 including a user logic is provided along a side SD3.例文帳に追加

ユーザロジックを含むマクロセルＭＣ２とのインターフェース領域を辺ＳＤ３に沿って設ける。 - 特許庁

The active region 34 has an adequate roundness at the interface with the isolating oxide film 32.例文帳に追加

活性領域３４は、分離酸化膜３２との境界部に、適切な丸みを有する。 - 特許庁

Further, a mixed region is provided on an interface between the oxide semiconductor layer and the silicon oxide layer.例文帳に追加

また、酸化物半導体層と酸化シリコン層の界面に混合領域を設ける。 - 特許庁

A body diode is formed on the interface between the region 6 and the layer 2.例文帳に追加

ｐ型ボディー領域６とｎ型エピタキシャル層２との界面でボディーダイオードが形成される。 - 特許庁

Further, an impurity concentration interface between the p^+-type region 5 and a p^++-type region 4 has been so structured as not to agree with an interface at a signal charge readout side of an n-type impurity region 3 that forms the photodiode.例文帳に追加

また、ｐ^+型領域５とｐ^++型領域４との不純物濃度の境界面が、フォトダイオード部を形成するｎ型不純物領域３の信号電荷読出し部側の境界面と一致しない構造を採用した。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

A frangible region exists in the donor substrate at a designated depth, and a thin layer is prepared between the frangible region and a joint interface.例文帳に追加

脆弱領域がドナー基板の所定深さに在り、脆弱領域と結合界面との間に薄い層が設けられる。 - 特許庁

A p^+-type embedded impurity region 4 is formed in an interface of the embedded impurity region 3 and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

埋め込み不純物領域３と半導体層２との界面にはｐ^+型の埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

A gate insulator is provided at an interface part between an active region and the gate groove part, and also, at an interface part between the active region and each plate-like part.例文帳に追加

ゲート絶縁体は、能動領域と上記ゲート用溝部との間の界面部、および、上記能動領域と上記の各プレート状部との間の界面部において設けられる。 - 特許庁

Since the interface region between the pad film 12 and the anode side region 13 as a p-n junction interface, hardly causes a large electric field encounter etching damages, a high breakdown voltage characteristic can be obtained.例文帳に追加

大電界が生じるｐｎ接合界面であるパッド膜１２とアノード側領域１３との界面領域には、ほとんどエッチングダメージがないので、高耐圧特性が得られる。 - 特許庁

A slit part 11 is disposed within a surface of a peripheral part black matrix 3 of a region on the side of an interface region IFR out of a region corresponding to a panel peripheral region PR of a color filter substrate 1.例文帳に追加

カラーフィルタ基板１のパネル周辺部ＰＲに対応する領域のうち、インターフェース領域ＩＦＲ側となる領域の周辺部ブラックマトリクス３の表面内に、スリット部１１が配設されている。 - 特許庁

To eliminate a pattern dependence by suppressing a leakage current of an interface between an element region and an element isolation region by completely flattening a step between the element region and the element isolation region at a gate wiring forming time.例文帳に追加

ゲート配線形成時の素子領域と素子分離領域の段差を完全に平坦化して素子領域と素子分離領域界面のリーク電流を抑え、そのパターン依存性を無くす。 - 特許庁

Due to presence of this charge accumulation region 30, the field concentration is relieved in the interface between the channel region 12c and the drain region 12d and leakage current is reduced.例文帳に追加

この電荷蓄積領域３０の存在により、チャネル領域１２ｃとドレイン領域１２ｄとの界面での電界集中が緩和されリーク電流が低減される。 - 特許庁

The average pore diameter of a first region 2a of the heat-resistant resin film 2 including the interface with the porous film 1 is larger than the average pore diameter of a second region 2b of the heat-resistant resin film 2 farther from the interface than the first region.例文帳に追加

耐熱樹脂膜２における多孔質フィルム１との界面を含む第一領域２ａの平均細孔径は、耐熱樹脂膜２における第一領域よりも界面から離れた第二領域２ｂの平均細孔径よりも大きい。 - 特許庁

The carriers are detected in a detection region (44/47 interface), and the presence of data is detected.例文帳に追加

キャリアは、検出領域（４４/４７境界部）で検出され、データの存在が検知される。 - 特許庁

The three-dimensional relative direction is graphically expressed at the display region of the user interface section.例文帳に追加

相対的な３次元的な方向は、ユーザインターフェース部の表示領域に図形的に表現される。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INTERFACE REGION BETWEEN TWO SEMICONDUCTOR MATERIAL REGIONS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体材料の２つの領域間に界面領域を形成する方法および半導体装置 - 特許庁

The insulating layer includes regions 8 containing fixed charge, which adjoin the silicon substrate 1 and the source region 10 and also adjoin the silicon substrate 1 and the drain region 11 in such a fashion as to straddle an interface between the silicon substrate 1 and the source region 10 and an interface between the silicon substrate 1 and the drain region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

The members 50, 52 are joined together so that the interface surfaces thereof form a joint interface 44 located within a pad region 46 that has an axial thickness that is greater than a contiguous region 38.例文帳に追加

部材５０，５２は、接合部表面が隣接領域３８よりも大きい軸方向厚さを有するパッド領域４６内に位置したジョイント接合部４４を形成するように共に接合される。 - 特許庁

At least one stator or rotor surface in an interface region of the stator/rotor assembly 21 including at least one interface region 92 between a stator 18 and a rotor 22 includes a pattern of recesses.例文帳に追加

ステータ１８とロータ２２との間に少なくとも１つの界面領域９２を含むステータ−ロータ組立体２１の、界面領域内の少なくとも１つのステータ又はロータ表面は、陥凹部のパターンを含む。 - 特許庁

The maximum value of nitrogen atom concentration in a region within 10 nm from an interface between the semiconductor layer and the insulating film (interface between a channel region and the oxide film 8) is 1×10^21 cm^-3 or over.例文帳に追加

半導体層と絶縁膜との界面（チャネル領域と酸化膜８との界面）から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値が１×１０^21ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

The interface device 20 includes a housing having a mock body region of interest to facilitate insertion of a mock instrument 22, such as an endoscope tube, into the interface device.例文帳に追加

インタフェース装置２０は、内視鏡チューブのような模擬の器械２２をインタフェース装置に挿入し易くするために模擬の身体患部を有するハウジングを含む。 - 特許庁

A boron photodiode region 135 is formed in a region selected in a semiconductor substrate 100, and an As photodiode region 145 is formed beneath the boron photodiode region 135 so as to come into contact with an interface of the boron photodiode region 135.例文帳に追加

半導体基板１００の選択された領域にボロンフォトダイオード領域１３５が形成され、このボロンフォトダイオード領域１３５の界面と接するようにボロンフォトダイオード領域１３５の下部にＡｓフォトダイオード領域１４５が形成される。 - 特許庁

Moreover, an active region is formed on a silicon region with no residual catalyst element to manufacture a semiconductor device, wherein impurities do not exist in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

また、残留触媒元素の無いシリコン領域に活性領域を形成して不純物の無い半導体装置を作成する。 - 特許庁

An air flow region 34 is arranged at an interface portion between a storing chamber and a cooling device chamber, wherein a fan device 40 is fixed to this region.例文帳に追加

貯蔵室と冷却器室の境界部分には空気流通領域３４が設けられ、ここにファンユニット４０が取り付けられている。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The luminescent layer 5 may be formed by laminating a first region 51 that does not include the particles 8 and a second region 52 that includes the particles 8 at an interface with the first region 51.例文帳に追加

発光層５は、粒子８を含まない第１領域５１と、粒子８を第１領域５１との界面に含む第２領域５２とが積層されて形成されていてもよい。 - 特許庁