「interface resistance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

VARIABLE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY ELEMENT EQUIPPED WITH N+ INTERFACE LAYER例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子 - 特許庁

METHOD OF MEASURING INTERFACE CONTACT RESISTANCE, SEMICONDUCTOR DEVICE FOR MEASURING INTERFACE CONTACT RESISTANCE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

界面接触抵抗の測定方法、界面接触抵抗の測定のための半導体デバイス、及びその製造方法 - 特許庁

The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced.例文帳に追加

ポリシリコン／シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。 - 特許庁

CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MEASURING INTERFACE RESISTANCE USING THE SAME例文帳に追加

回路基板およびそれを用いた界面抵抗測定方法 - 特許庁

The interface 5 of the anode 3 has the Ip of 6.0 eV and a resistance of 300 Ω.例文帳に追加

陽極３の界面部５のＩ_p は6.0eV 、抵抗は300 Ωとなった。 - 特許庁

To provide a resistance circuit capable of efficiently adjusting a resistance value, an interface circuit and the like.例文帳に追加

抵抗値の調整を効率良く実現できる抵抗回路、インターフェース回路等の提供。 - 特許庁

To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁

As a result of this, increase in the resistance in the neighborhood of the regrowth interface is prevented, and the regrowth interface is prevented from becoming rough.例文帳に追加

その結果、再成長界面付近の抵抗値の増大が防止され、再成長界面の荒れが防止される。 - 特許庁

Further, an electronic transition is smoothly conducted at an interface between the resistance layer and an electrode.例文帳に追加

また、抵抗層と電極との界面では、電子移動がスムーズに行われる。 - 特許庁

To provide an interface or a surface treatment agent composition having salt tolerance or acid resistance.例文帳に追加

耐塩性や耐酸性能を有する界面又は表面処理剤を提供する。 - 特許庁

To prevent the operating speed from falling by reducing interface resistance on the polysilicon/metal interface of a polysilicon/metal laminated electrode structure.例文帳に追加

ポリシリコン／メタル積層電極構造のポリシリコン／メタル界面における界面抵抗を低減し、動作速度の低下を防止する。 - 特許庁

Although a value of source-side interface resistance of a spin MOSFET is essentially different from a value of drain-side interface resistance, these values are made to approximately coincide with each other by adjusting the thickness of a tunnel barrier layer in the interface.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面におけるトンネル障壁層の厚みを調整することにより、これらを略一致させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrode body which can reduce interface resistance.例文帳に追加

界面抵抗を低減することが可能な電極体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress an increase in interface resistance at a terminal part of an electrooptical device.例文帳に追加

電気光学装置の端子部において界面抵抗の増加を抑制することである。 - 特許庁

To improve resistance to a communication error in provision of a user interface via a network.例文帳に追加

ネットワークを介したユーザインタフェースの提供における通信エラーへの耐性を高めること。 - 特許庁

Thereby, an electron transfer is smoothly performed in an interface of the resistance layer and an electrode.例文帳に追加

これにより、抵抗層と電極との界面では、電子移動がスムーズに行われる。 - 特許庁

Therefore, the heat resistance decreases in the interface of the undersurface of the circuit board 11 and the sealing resin 14.例文帳に追加

従って、回路基板１１の下面と封止樹脂１４との界面の熱抵抗が減少する。 - 特許庁

The interface circuit includes a first resistance group R1-R3, a second resistance group R1-R3 and a first comparison circuit 1.例文帳に追加

インターフェース回路は、第１の抵抗群Ｒ１〜Ｒ３と、第２の抵抗群Ｒ１〜Ｒ３と、第１の比較回路１とを具備している。 - 特許庁

The distance from a first interface 6 at which the anode region 4 and the high resistance region 8 are in contact with each other through a second interface 12 at which the cathode region 15 and the high resistance region 8 are in contact with each other is 50 μm or greater.例文帳に追加

アノード領域４と高抵抗領域８が接する第１界面６からカソード領域１５と高抵抗領域８が接する第２界面１２までの距離は５０μｍ以上である。 - 特許庁

Interface resistance on the source side of a spin MOSFET and interface resistance on the drain side are originally different in value, but impurities are added on the interfaces to nearly equalize them to each other.例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴにおけるソース側の界面抵抗とドレイン側の界面抵抗の値は本来異なっているが、この界面において不純物を添加することにより、これらを略一致させる。 - 特許庁

A dielectric layer is provided at an interface between two silicons by the use of nitrogen, by which each wafer can be controlled in electric resistance at an interface.例文帳に追加

２つのシリコン界面に、窒素を利用して誘電体層を設けることにより、ウェハ毎に、界面での電気抵抗を制御することが可能となる。 - 特許庁

To provide a photosensor, in which interface recombination is reduced, while increase in the resistance on an interface section is inhibited and which has superior characteristics.例文帳に追加

界面再結合を低減すると共に、界面部分での高抵抗化を抑制し、特性の良好な光起電力装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a battery with little resistance of a cathode/electrolyte interface and having proper conductivity and charging characteristics.例文帳に追加

正極／電解質界面の抵抗が少なく、伝導性、充電特性が良好な電池を提供する。 - 特許庁

To provide a chromate treated article having both of high adhesion at an interface and corrosion resistance.例文帳に追加

界面高密着性および耐食性の双方を実現することのできるクロメート処理品を提供する。 - 特許庁

The peripheral device is provided with a resistance connecting portion 11, a voltage discriminating portion 12, and an interface discriminating portion 13.例文帳に追加

周辺機器は、抵抗接続部１１、電圧判定部１２及びインターフェイス判別部１３を具備する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device which reduces contact resistance of the interface between an electrode and a semiconductor substrate.例文帳に追加

電極と半導体基板との界面のコンタクト抵抗を低減した半導体装置を実現する。 - 特許庁

To reduce a leakage current and parasitic resistance by suppressing diffusion of metallic elements from a silicide layer while keeping interface resistance between the silicide layer and a silicon low.例文帳に追加

シリサイド層とシリコンの界面抵抗を低く保ちつつ、シリサイド層からの金属元素の拡散を抑制し、リーク電流および寄生抵抗を小さくする。 - 特許庁

In a resistance variation memory thus configured, an interface of the amorphous region 18a and the microcrystal 18b exists in the resistance variation film 18.例文帳に追加

このように構成された抵抗変化メモリでは、抵抗変化膜１８中にアモルファス領域１８ａと微結晶１８ｂとの界面が存在する。 - 特許庁

To balance securement of a three-phase interface and reduction of electric resistance in an electrode to improve performance of a cell.例文帳に追加

電極における三相界面の確保と電気抵抗の低減とを両立し、電池性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a current collector capable of reducing electric resistance at a jointing interface and its manufacturing method.例文帳に追加

接合界面の電気抵抗を低減することが可能な集電体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

THIN FILM THERMOPHYSICAL PROPERTY MEASURING INSTRUMENT AND METHOD OF MEASURING THERMAL CONDUCTIVITY AND INTERFACE THERMAL RESISTANCE USING THIS MEASURING INSTRUMENT例文帳に追加

薄膜の熱物性測定装置とこの測定装置を用いた熱伝導率と界面熱抵抗の測定方法 - 特許庁

To provide a memory interface control circuit that relaxes the arrangement limitation of a RAM and is excellent in glitch noise resistance.例文帳に追加

ＲＡＭの配置制限を緩和し、グリッジノイズ耐性にすぐれた、メモリインターフェース制御回路を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS transistor including a Schottky-S/D structure having small interface resistance Rc.例文帳に追加

界面抵抗Ｒｃが小さいＳｃｈｏｔｔｋｙ−Ｓ／Ｄ構造を含むＭＯＳトランジスタを提供すること。 - 特許庁

To prevent increase in the on-state resistance, due to interface level generated between a gate insulated film and a channel layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜とチャネル層との間に発生する界面準位に起因したオン抵抗の増加を防止する。 - 特許庁

To manufacture a membrane electrode assembly low in proton conductivity resistance at an interface between an electrolyte membrane and a catalyst layer.例文帳に追加

電解質膜と触媒層との界面におけるプロトン伝導抵抗が低い膜電極接合体を製造する。 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

To lower the interface resistance between a silicon-containing film and a high melting point metal film constituting an electrode structure.例文帳に追加

電極構造体を構成するシリコン含有膜と高融点金属膜との間の界面抵抗を低くする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, which reduces interface resistance of a metal semiconductor compound electrode.例文帳に追加

金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material in which interface resistance to electrolyte is reduced.例文帳に追加

本発明は、電解質との界面抵抗を低減した正極活物質を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To improve resistance to electromigration, improve adhesion and reduce contact resistance, wiring resistance and the like by increasing the adhesion at an interface between copper wirings and connection plugs formed on them.例文帳に追加

銅配線とその上部に形成される接続プラグとの間の界面の密着性を高め、エレクトロマイグレーション耐性の向上、密着性の向上、およびコンタクト抵抗や配線抵抗の低減を図ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of preventing dispersion and fluctuation of the resistance of a resistive element on account of wiring potential in a wiring layer, charges or interface levels in an insulating film, even if a wiring layer runs above the resistance layer, much charges exist in the isolation film coating over the resistance layer, and many interface levels exist in the interface between the isolation film and the resistance layer.例文帳に追加

抵抗層上方を配線層が走り、抵抗層上方を被覆する絶縁膜中に多くの電荷が存在し、絶縁膜と抵抗層との界面に多くの界面準位が存在しても、これら配線層の配線電位や絶縁膜中の電荷や界面準位による抵抗素子の抵抗値のばらつきや変動を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this case, the thermal stress generated at the interface is relaxed to some degree by the deformation of the copper plate, so satisfactory heat cycle resistance and thermal shock resistance can be obtained.例文帳に追加

この場合、界面で発生した熱応力は銅板の変形によってある程度緩和されるため、良好な耐熱サイクル性及び耐熱衝撃性が得られる。 - 特許庁

By destroying the oxide film and the passive film generated at the interface causing the electric resistance, an electrode body with reduced electric resistance can be manufactured.例文帳に追加

電気抵抗の要因となる界面に生じた酸化膜や不動態膜を破壊することによって、電気抵抗を低減した電極体を製造することができる。 - 特許庁

To provide a sulfide solid electrolyte material which achieves both the suppression of increase in interface resistance and the suppression of increase in bulk resistance.例文帳に追加

本発明は、界面抵抗の増加の抑制と、バルク抵抗の増加の抑制とを両立させた硫化物固体電解質材料を提供することを主目的とする。 - 特許庁

To provide a circularly polarized light controlling optical element having no optical interface, further having high heat resistance and a wide wavelength region of reflection.例文帳に追加

光学的な界面がなく、且つ耐熱性が高く、反射波長領域が広い円偏光制御光学素子。 - 特許庁