「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

The interlayer insulating film 131 is formed of a BPSG (BoroPhosphoSilicate Glass) film, with, for instance, a thin oxide film (SiO_2) in-between.例文帳に追加

層間絶縁膜１３１は、例えば薄い酸化膜（ＳｉＯ_２）を介してＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリケートガラス）膜が形成されている。 - 特許庁

Because this interlayer dielectric has the low dielectric constant, using it in the semiconductor device is useful for high integration and high speed.例文帳に追加

この層間絶縁膜は、低誘電率であるから、半導体装置に用いると高集積化及び高速化に有益である。 - 特許庁

A LOCOS oxide film 3 is formed on a silicon substrate 1, and furthermore a gate-metal interlayer film 5 is formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板１上にＬＯＣＯＳ酸化膜３が形成され、さらにその上にゲート−メタル層間膜５が形成されている。 - 特許庁

The thickness of each interlayer having the solar screening property is 0.3-0.4 mm.例文帳に追加

日射遮蔽性能をもった中間膜の厚さが１枚当り０．３ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の厚さである合わせガラスである。 - 特許庁

The low-dielectric-constant film is formed in an interlayer insulating film 1Li2 formed on the principal surface of a semiconductor wafer 1W.例文帳に追加

半導体ウエハ１Ｗの主面上に形成された層間絶縁膜１Ｌｉ２には低誘電率膜が形成されている。 - 特許庁

To bury an interlayer insulating film sufficiently between semiconductor elements and between interconnect lines in a microfabricated semiconductor device.例文帳に追加

微細化された半導体装置において、半導体素子相互間及び配線相互間に層間絶縁膜が十分に埋め込む。 - 特許庁

Then, the barrier metal film 23, the nickel film 24, and the tungsten film 25 on the interlayer dielectric 21 are removed by the CMP method.例文帳に追加

そして、ＣＭＰ法により層間絶縁膜２１上のバリアメタル膜２３、ニッケル膜２４及びタングステン膜２５を除去する。 - 特許庁

A TiN film 30 is interposed between the aluminum wiring layer 14 and the interlayer insulating film 16 constituting a barrier layer.例文帳に追加

アルミニウム配線層１４と層間絶縁膜１６との間には、バリア層を構成するＴｉＮ膜３０が介在されている。 - 特許庁

In a groove formed on the interlayer insulating film 14 on the contact plug 13, a wiring layer 15 containing copper is formed.例文帳に追加

コンタクトプラグ１３上の層間絶縁膜１４に形成された溝内には、銅を含む配線層１５が形成されている。 - 特許庁

Then, at least the part of the interlayer 3 in the edge face 4 of the laminated glass 1 is covered with a moisture permeation prevention member 5.例文帳に追加

そして、合わせガラス１の端面４のうち、少なくとも中間膜３の部分が透湿防止部材５により覆われている。 - 特許庁

Thus, the resist film 5 can be removed, and fluorine and water taken in the interlayer insulating film 3 can be also removed.例文帳に追加

これにより、レジスト膜５の除去とともに、層間絶縁膜３中に取り込まれたフッ素および水を除去することができる。 - 特許庁

To remove an influence of interlayer crosstalk due to unnecessary light in a multilayer optical recording medium having at least three recording layers.例文帳に追加

３層以上の記録層を有する多層光記録媒体において、不要光による層間クロストークの影響を除去する。 - 特許庁

At first, an organic resist material is applied onto the entire surface of the first interlayer insulation film 140 using an ink jet device.例文帳に追加

まず、有機材料からなるレジスト材をインクジェット装置などを用いて第１層間絶縁膜１４０の上に全面塗布する。 - 特許庁

At least a first aluminum wiring 171 is formed on an interlayer insulating film 16 covering a capacitor element C1.例文帳に追加

キャパシタ素子Ｃ１を覆う層間絶縁膜１６上には少なくとも第１層アルミニウム配線１７１が形成されている。 - 特許庁

Second and third low permittivity interlayer insulating films 7 and 9 are etched to simultaneously form the wiring channel and connection hole.例文帳に追加

そして、第２および第３の低誘電率層間絶縁膜７，９をエッチングして配線溝と接続孔とを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a thermochromic film, interlayer for laminated glass, laminated glass and pasting film, having excellent thermochromic performance.例文帳に追加

優れたサーモクロミック性を有するサーモクロミック性フィルム、合わせガラス用中間膜、合わせガラス及び貼り付け用フィルムを提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film covering an electrode made of ITO formed on an organic passivation film from being separated.例文帳に追加

有機パッシベーション膜の上に形成されたＩＴＯによる電極を覆う層間絶縁膜が剥離する現象を防止する。 - 特許庁

A wiring layer 5 is formed so that upper surface is positioned below a silicon nitride film 6 formed on the surface of an interlayer dielectric 4.例文帳に追加

層間絶縁膜４の面に形成されたシリコン窒化膜６よりも上面が下方に位置するよう配線層５を形成する。 - 特許庁

A gate is formed of a polysilicon layer in a trench, and an interlayer insulating film covering the surface of the polysilicon layer is also formed in the trench.例文帳に追加

ゲートをトレンチ内にポリシリコン層によって形成し、その表面を覆う層間絶縁膜もそのトレンチ内に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device of high speed with less propagation delay is obtd. using the film as an interlayer insulation film of the semiconductor device.例文帳に追加

これを半導体装置の層間絶縁膜に用いることにより、伝搬遅延の少ない高速の半導体装置が得られる。 - 特許庁

The semiconductor device DV has a semiconductor substrate SB, the Cu wiring WR, the interlayer insulating film IL, and the barrier layer BR.例文帳に追加

半導体装置ＤＶは、半導体基板ＳＢと、Ｃｕ配線ＷＲと、層間絶縁膜ＩＬと、バリア層ＢＲとを有する。 - 特許庁

The short-included region 164 including the interlayer short 163 is irradiated with laser light LB having a pulse width of 10 picoseconds or less.例文帳に追加

層間短絡１６３を含む短絡包含領域１６４に、パルス幅が１０ピコ秒以下のレーザ光ＬＢを照射する。 - 特許庁

A third insulation film is formed as an interlayer insulation film on the second wiring, and a pixel electrode is formed thereon.例文帳に追加

第２の配線の上層には、層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成し、その上に画素電極を形成する。 - 特許庁

A pixel electrode 28 electrically connected to the drain electrode 16 through the opening is formed on the interlayer insulating layer 24.例文帳に追加

層間絶縁層２４上に、開口部を介してドレイン電極１６と電気的に接続する画素電極２８を形成する。 - 特許庁

The interlayer 3 is provided with a bottom 3a of an almost rectangular shape and belt-shaped sections 3b, 3b formed together integrally.例文帳に追加

中敷３は略長方形の形状の底部３ａとともに帯状部３ｂ，３ｂを一体的に形成したものとする。 - 特許庁

To provide a practical manufacturing technology for effectively reducing interlayer coupling in a magnetoresistive multilayer film structure.例文帳に追加

磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。 - 特許庁

Inspecting wiring patterns of n layers corresponding to the multilayer interconnection of the semiconductor integrated circuit are formed via interlayer insulating films.例文帳に追加

半導体集積回路の多層配線に対応させ、層間絶縁膜を介してｎ層の検査用配線パターンを形成する。 - 特許庁

A groove part is formed via a gap between adjacent pixel electrodes 115 made of metal material in the interlayer insulating film 114.例文帳に追加

隣接する金属材料でなる画素電極１１５の隙間において、層間絶縁膜１１４には溝部が形成されている。 - 特許庁

Firstly, a conductive hole is provided in a first multilayer substrate constituted by laminating a metal foil or a core substrate and prepreg for interlayer connection.例文帳に追加

まず、金属箔又はコア基板と、層間接続用のプリプレグとが積層されて成る第１の多層基板に導通孔を設ける。 - 特許庁

A barrier metal layer AL is formed which covers sidewalls of a plurality of groove portions of an interlayer dielectric IL1 containing oxygen.例文帳に追加

酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。 - 特許庁

The interlayer dielectric film 2 and the interline dielectric film 3 are composed of SiO2 as a main component and contain phosphorus and hydrocarbon.例文帳に追加

この層間絶縁膜２と線間絶縁膜３とは、ＳｉＯ_2を主成分とすると共に、リンと炭化水素を含有している。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11 is formed with a thermosetting resin between each conductive wiring layer 12, forming a multilayer structure.例文帳に追加

多層に形成される各導電配線層１２の間に設けられる層間絶縁膜１１を熱硬化性樹脂で形成する。 - 特許庁

THROW-AWAY CUTTING TIP MADE OF SURFACE COATED TUNGSTEN CARBIDE-BASE CEMENTED CARBIDE HAVING GOOD INTERLAYER ADHESIVENESS OF HARD COAT LAYER例文帳に追加

硬質被覆層がすぐれた層間密着性を有する表面被覆炭化タングステン基超硬合金製スローアウエイ切削チップ - 特許庁

Lower interconnections are formed on a semiconductor underlying layer and an interlayer insulation film is formed to cover the lower interconnections and the semiconductor underlying layer.例文帳に追加

半導体下地層に下部配線を形成し、下部配線および半導体下地層を覆って層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Since the shapes of the interlayer insulation films 2 and 3 are improved by the isotropic etching, the metal interconnection layer can be formed with a good step coverage.例文帳に追加

等方性エッチングにより層間絶縁膜２，３の形状が改善され、金属配線層がステップカバレージ良く成膜される。 - 特許庁

MULTILAYER WIRING BOARD, SUBSTRATE THEREFOR, MANUFACTURING METHOD OF THEM, AND VIA STRUCTURE FOR INTERLAYER CONDUCTION OF SUBSTRATE THEREFOR例文帳に追加

多層配線板、多層配線板用基材およびそれら製造方法、および多層配線板用基材の層間導通用ビア構造 - 特許庁

This multilayer printed board has at least one from among base substance containing aromatic resin containing fluorine, an interlayer insulating layer and a surface-protecting film.例文帳に追加

含フッ素芳香族樹脂を含む基材、層間絶縁層及び表面保護膜の少なくとも一を有する多層プリント基板。 - 特許庁

A porous interlayer insulation film 16 comprising a porous insulating material having many voids 16A is formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、多数の空隙１６Ａを有する多孔質絶縁材料からなる多孔質層間絶縁膜１６が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulating film 108 is formed on the first gate electrode by thermal oxidation and a second gate electrode is formed.例文帳に追加

そして、熱酸化によって第１ゲート電極上に層間絶縁膜１０８を形成した後、第２ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 36 is formed on the zap diode and a metallic film 39 is formed on the insulating film 36.例文帳に追加

そのザップダイオード上に層間絶縁膜３６を形成し、その層間絶縁膜３６の上に金属膜３９を積層する。 - 特許庁

Ink jet printing of a second organic material is then selectively performed on the interlayer insulating film 13, including the wiring layer 18.例文帳に追加

次に、配線層１８上を含む層間絶縁膜１３上に、第２の有機材料を選択的にインクジェット印刷する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a contact hole 3 reaching the semiconductor substrate 1 is formed.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成した後、半導体基板１に到達するコンタクトホール３を形成する。 - 特許庁

The contact holes are formed and scattering structure having the irregularity on a surface of the interlayer film is obtained by one sheet of the photo mask in this manner.例文帳に追加

これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor device with an interlayer dielectric (ILD) etch stop layer for use in a subsequent contact hole process.例文帳に追加

後続するコンタクト・ホール工程で使用される層間絶縁（ILD）エッチング停止層を有する高電圧用トランジスタ・デバイスを提供する。 - 特許庁

At this moment, a surface 31S of the interlayer insulating layer 31 is set at an equal height to a top 41T of the plug 41.例文帳に追加

この際、層間絶縁層３１の表面３１Ｓをプラグ４１の頂部４１Ｔと同程度の高さレベルに設定する。 - 特許庁