「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目)

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interlayerを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6425件

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例文

In this manufacturing method, while a material gas for an interlayer insulation film is supplied, particles which do not react with the material gas are sprayed over the surface of semiconductor substrate 21 and 22, so that an interlayer insulation film 23, on which particles 24 are dispersed, is formed by the CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜の原料ガスを供給しながら半導体基板２１、２２の表面に原料ガスとは反応しない粒子を吹きかけることにより、粒子２４が分散した層間絶縁膜２３をＣＶＤ法により形成する。 - 特許庁

Further, the interlayer resin insulation layer 60 is hardly peeled off (delaminated) because adhesion between the plane layer 53 and the upper layer of the interlayer resin insulation layer 60 is increased for the recess 50a of the via hole 50A formed at the plane layer 53 serves as an anchor.例文帳に追加

更に、プレーン層５３に形成されるバイアホール５０Ａの窪み５０ａがアンカーとなってプレーン層５３と上層の層間樹脂絶縁層６０との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層６０に剥離（デラネーション）が生じ難い。 - 特許庁

Thereafter, recesses 104 are formed in the insulating barrier film 103 and the first interlayer insulating film 101 which are interposed between the lower-layer wirings 102, and a second interlayer insulating film 105 is so deposited on the insulating barrier film 103 as to fill the recesses 104 with the film 105.例文帳に追加

その後、下層配線間の絶縁性バリア膜１０３及び第１の層間絶縁膜１０１に溝１０８を形成し、絶縁性バリア膜１０３の上に溝１０８を埋めるように第２の層間絶縁膜１０５を堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer printed wiring board, in which the so-called 'via fog' is not generated, when an opening for a via hole is formed in an interlayer resin insulating layer and in which a roughened face can be formed easily on the interlayer resin insulating layer.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口を形成する際、いわゆるビアかぶりが発生せず、しかも、層間樹脂絶縁層に粗化面を容易に形成することができる多層プリント配線板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

例文

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step (a) of forming a barrier metal film on the wiring groove formed on an interlayer dielectric on a semiconductor substrate and the whole surface of the interlayer dielectric; and a step (b) of depositing a metal film on the barrier metal film after the step (a).例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に形成された配線溝及び層間絶縁膜全面にバリアメタル膜を形成する工程（ａ）と、この工程（ａ）の後に、前記バリアメタル膜上に金属膜を堆積する工程（ｂ）とを有している。 - 特許庁

例文

After a wiring trench 7 corresponding to the contact hole 6 is formed in the third interlayer insulation film 11, a second barrier metal film 8 is formed on the third interlayer insulation film 11 to cover the inner surface of the contact hole 6 and the wiring trench 7.例文帳に追加

また、第３の層間絶縁膜１１に接続孔６に対応する配線溝７を形成した後、接続孔６および配線溝７の内面を被覆するようにして、第３の層間絶縁膜１１の上に第２のバリアメタル膜８を形成する。 - 特許庁

This semiconductor device includes a first wiring 3, an interlayer insulating film 2 disposed on the first wiring 3 while having a recessed part at a location corresponding to the first wiring 3, and a second wiring 4 disposed in the recessed part of the interlayer insulating film 2.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、第１の配線３と、第１の配線３上に配置され、第１の配線３に対応する場所に凹部を有する層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の凹部に配置された第２の配線４と、を有する。 - 特許庁

An element dielectric film part 5a is formed in a horse-shoe shape on an inside periphery of the first interlayer insulating film 3, and a second electrode (an upper electrode) 6a is formed in the concave part by leveling the first interlayer insulating film 3 by the chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

その後第１層間絶縁膜３を化学機械研磨法で平坦化することにより、第１層間絶縁膜３の内周に素子誘電体膜部５ａをＵ字形状に形成し、その凹部に第２電極（上部電極）６ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method by which the fall of a resist selection ratio can be prevented and, in addition, no damage is given to a low-dielectric constant interlayer insulating film covered with a resist mask and composed of an SiOCH- or SiOC-based material in dry-etching the interlayer insulating film.例文帳に追加

レジストマスクで覆われたＳｉＯＣＨ或いはＳｉＯＣ系材料の低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、対レジスト選択比が低下することが防止でき、その上、層間絶縁膜にダメージを与えることがないようにする。 - 特許庁

例文

The interlayer insulation film 13 has material characteristics selected for the insulator such that the lower end on the surface of the interlayer insulation film constituting the circumferential surface of the via hole touches the insulator at a contact angle not larger than a specified value.例文帳に追加

層間絶縁膜１３は、ヴィアホールの周面を構成している層間絶縁膜表面の下端が所定値以下の接触角で前記絶縁体に接触するように、前記絶縁体に対して選択された材料特性を有する。 - 特許庁

例文

Further, by regulating an electron emission part with the second interlayer insulation layer 15, defects unevenly existing at a boundary between an electron accelerating layer (a tunnel insulation film 12) and a first interlayer insulation layer 14 are covered, so that, temporary dielectric breakdown defects are restrained.例文帳に追加

さらに、電子放出部を第二層間絶縁膜１５で制限することにより、電子加速層（トンネル絶縁膜１２）と第一層間絶縁層１４の境界に偏在する欠陥を被覆して、経時的な絶縁破壊不良を抑止する。 - 特許庁

To prevent rear-burning even when board thickness is thin, about 0.2-0.6 mm, in a laminated board with interlayer circuit formed by combining forming material of an interlayer circuit and a prepreg for heat-molding.例文帳に追加

内層回路形成材とプリプレグを組み合わせ、加熱成形してなる内層回路入り積層板であって、板厚が０．２ｍｍ〜０．６ｍｍ程度に薄い場合でも裏焼けを防止できる内層回路入り積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, a third insulation film for an interlayer insulation film is formed after forming a second insulating film which is an amorphous compound consisting of fluorine and carbon working as an etching stopper during etching of an interlayer insulation film, on the semiconductor element.例文帳に追加

次に、前記半導体素子上に層間絶縁膜のエッチング時にエッチングストッパーとして働く、フッ素と炭素から成るアモルファス状の化合物である第２の絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜として第３の絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a panel installing metal fitting capable of further enhancing safety to interlayer displacement at an earthquake, inexpensively manufacturable without increasing a cost, capable of stabilizing movement regulation at interlayer displacement time and having sufficient strength.例文帳に追加

地震時等における層間変位に対して一層安全性を高めることができると共に、コストアップを伴うことなく安価に製作でき、しかも層間変位時の移動規制を安定化でき、かつ十分な強度を有するパネル取り付け金具を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable multilayer wiring board for which a conductor layer is reliably interlayer-connected through a conductor for interlayer connection formed using conductive paste, and which is superior in connection stability in the stage of a product as well, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電性ペーストを用いてなる層間接続用導体を介して導体層が確実に層間接続され、製品の段階における接続安定性にも優れた、信頼性の高い多層配線基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hardenable resin film and an electrically insulative material capable of simultaneously filling through-holes bored on the film and forming interlayer insulation layers and of producing built-up multi-layer printed-circuit boards by using the interlayer insulating layer in no need of grinding step.例文帳に追加

スルーホールの穴埋め及び層間絶縁層を同時に形成することができ、さらにこれを用いて、研磨工程が不必要となり、ビルドアップ多層プリント配線板を製造することができる硬化性樹脂フィルムと絶縁材料を提供すること。 - 特許庁

Then a resist film 25, which has an opening of a wiring groove pattern 33, is formed on the embedded film 22 and used as a mask to etch the embedded film 24 and interlayer insulating film 22, thereby forming a wiring groove 34 in the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

その後、埋込膜２２上に配線溝パターン３３の開口を有するレジスト膜２５を形成し、このレジスト膜２５をマスクとして埋込膜２４及び層間絶縁膜２２をエッチングして層間絶縁膜２２に配線溝３４を形成する。 - 特許庁

To provide a composition which satisfies various performances required as an interlayer insulating film, such as adhesion, surface hardness, transparency, heat-, light- and solvent resistances and is used for forming an interlayer insulating film by a low-cost ink jet system.例文帳に追加

密着性、表面硬度、透明性、耐熱性、耐光性、耐溶剤性などの層間絶縁膜として要求される諸性能を満たすとともに、低コストのインクジェット方式により層間絶縁膜を形成するための組成物を提供すること。 - 特許庁

B atoms are introduced in the molecular skeleton of the network structure of the SiOB film, and F atoms prevent the generation of an Si-OH bond and the like in the SiOB film, to reduce the water vapor absorption of the interlayer insulating film and at the same time, the interlayer insulating film can obtain about 3.0 of specific inductive capacity.例文帳に追加

Ｂ原子はＳｉＯＢ膜のネットワーク構造の分子骨格中に導入され，Ｆ原子はＳｉ−ＯＨ結合等の発生を防止して吸湿性を低下させると共に，約３．０の比誘電率を得ることができる。 - 特許庁

To make a composite having high bonding strength at surfaces where a PPS resin and an interlayer metal are in direct contact without imparting damage caused by heat or impact even on the interlayer metal or a precision component incorporated in a hollow composite.例文帳に追加

ＰＰＳ樹脂とインサート金属と直接的に接した面での高い接合強度を有し、且つインサート金属や中空複合体に内包される精密部品に対しても熱や衝撃による損傷を与えることなく複合化することを課題とする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 16 and the resist film 17 are anisotropically etched until the residual film thickness (w) of the resist film 17 becomes smaller than the residual film thickness (t) of the interlayer insulating film on the wiring pattern 12 and the dummy pattern 13.例文帳に追加

少なくともレジスト膜１７の残り幅ｗが配線パターン１２及びダミーパターン１３上における層間絶縁膜１６の残り膜厚ｔよりも小さくなるまで、層間絶縁膜１６とレジスト膜１７とを異方性エッチングする。 - 特許庁

The interlayer insulating film 15 on the metallic layer 6 can be set equal in thickness to the interlayer insulating film on a wiring pattern inside an LSI, and a length measuring contact hole can be formed with qualifications near to those of a contact hole located on an actual wiring pattern.例文帳に追加

そして、金属層６上の層間絶縁膜１５の膜圧をＬＳＩ内部の配線パターン上の層間絶縁膜と同等にすることができ、実際の配線パターン上のコンタクトホールと近い条件の測長用コンタクトホールが形成される。 - 特許庁

In addition, the layer 14 intervenes between a wiring layer 16 or an interlayer dielectric 15 and the layer 12, to block off the wiring potential in the wiring layer 16 and an electric field effect with the charge in the interlayer dielectric 15.例文帳に追加

また、このショットキー接触金属層１４が、配線層１６や層間絶縁膜１５とｎ型ＧａＡｓ抵抗層１２との間に介在して、配線層１６の配線電位や層間絶縁膜１５中の電荷による電界効果を遮蔽している。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a transistor having a source-drain region selectively formed in the semiconductor substrate; an interlayer film covering the semiconductor substrate, a capacitor formed on the interlayer film and having a bottom electrode; and a contact plug including a metal in contact with the source-drain region of the transistor and the bottom electrode of the capacitor in the interlayer film.例文帳に追加

半導体基板中に選択的に形成されたソース・ドレイン領域を有するトランジスタと、前記半導体基板を覆う層間膜と、前記層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタと、前記層間膜中に前記トランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグとを有する半導体装置。 - 特許庁

To provide a light shielding water soluble resin composition which can be effectively used as a light shielding protection film arranged between an organic semiconductor film and an interlayer insulating film to prevent crystallity from being reduced and the organic semiconductor film from being optically oxidized when the interlayer insulating film is irradiated with light in the case of forming the organic semiconductor film of an organic electric element so as to contact with the interlayer insulating film.例文帳に追加

有機電気素子の有機半導体膜が層間絶縁膜と接して形成される場合に、結晶性が低下し層間絶縁膜に対する光照射時に光酸化されることを防止するために、有機半導体膜と層間絶縁膜の間に位置する遮光性保護膜として有用に使用することができる遮光型水溶性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

To provide a positive radiation-sensitive composition that has good radiation sensitivity, and from which high light transmittance, voltage retention, and good developability and pattern forming property capable of reacting on changes in cured film formation condition are provided to an interlayer dielectric film obtained, the interlayer dielectric film formed from the composition and a method for forming the interlayer dielectric film.例文帳に追加

優れた放射線感度を有し、得られる層間絶縁膜が高い光線透過率及び電圧保持率を備えつつ、硬化膜形成条件の変化にも対応できる優れた現像性及びパターン形成性を備えるポジ型感放射線性組成物、その組成物から形成された層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The printed wiring board includes: first wiring 12 arranged on a surface of an insulating layer, an interlayer insulating layer 16 provided on the first wiring 12 and made of a foamed resin including an urethane resin; second wiring 22 arranged on a surface of the interlayer insulating layer 16; and a via conductor 24 provided to penetrate the interlayer insulating layer 16 and connect the first wiring 12 and second wiring 22 to each other.例文帳に追加

絶縁層の表面に配置された第１配線１２と、第１配線１２の上に設けられ、ウレタン樹脂を含む発泡樹脂からなる層間絶縁層１６と、層間絶縁層１６の表面に配置された第２配線２２と、層間絶縁層１６を貫通して設けられ、第１及び第２配線１２、２２を接続するビア導体２４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device 8 contains a lower layer metal wiring 2 formed on a base film 1, an organic interlayer film 4 composed of an insulating material formed on the base film 1 and on the lower layer metal wiring 2, an upper layer metal wiring 7 formed on the organic interlayer film 4, contact metal members 12 that are connected to the lower layer metal wiring 2 piercing the organic interlayer film 4.例文帳に追加

半導体装置８は下地膜１の上に形成された下層金属配線２と、下地膜１および下層金属配線２の上に形成された絶縁材料から成る有機層間膜４と、有機層間膜４の上に形成された上層金属配線７と、有機層間膜４を貫通して下層金属配線２に接続するコンタクトメタル１２を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulation film 2 formed on a silicon substrate 1, gas/liquid separation films 3 and 5 made of an SiOC film through which liquid hardly passes but gas passes easily, formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially, and a wiring layer 7 formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成され、液体を透過しにくいとともに、気体を透過しやすいＳｉＯＣ膜からなる気液分離膜３および５と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成された配線層７とを備えている。 - 特許庁

In a semiconductor device including a contact layer, a metal interconnection and an interlayer insulating film on a semiconductor substrate having a gate electrode formed thereon, the interlayer insulating film is formed on the metal interconnection by bias-applied plasma CVD using source gas containing hydrogen atoms, and a silicon oxynitride film is provided in the underlayer of the metal interconnection and the interlayer insulating film.例文帳に追加

ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

Thus, the region of the interlayer insulation film 16 with the uneven surface formed on the memory cell region Rmem has a larger polishing rate in CMP than that of a region of the interlayer insulation film 16 with a flat surface formed on a logic region Rlog, thereby alleviating the global level difference as a result, and forming the substantially flattened interlayer insulation film 16.例文帳に追加

これにより、ロジック領域Ｒlogに形成されている表面が平坦な層間絶縁膜１６の領域よりもメモリセル領域Ｒmemに形成されている表面が凹凸な層間絶縁膜１６の領域の方がＣＭＰにおける研磨レートが大きくなり、結果的にグローバル段差が緩和され、実質的に平坦化された層間絶縁膜１６を形成することができる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high radiation sensitivity and a sufficient margin for development, capable of easily forming a patterned thin film excellent in adhesion and suitable for forming an interlayer insulating film and microlenses, to provide a use of the composition for an interlayer insulating film and microlenses and to provide an interlayer insulating film and microlenses formed from the composition.例文帳に追加

高い感放射線感度と十分な現像マージンを有し、しかも、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜やマイクロレンズの形成に適する感放射線性樹脂組成物、その組成物の層間絶縁膜およびマイクロレンズ形成への使用、およびその組成物から形成された層間絶縁膜およびマイクロレンズを提供すること。 - 特許庁

This allows the hardening treatment of the interlayer insulating film to be performed in a shorter time, thereby shortening the total treating time of the wafer W.例文帳に追加