interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
The self-alignment contact is formed by etching the interlayer insulating film 530 and a dielectric layer 310 using the caps as masks.例文帳に追加
前記キャップをマスクとして、前記層間絶縁膜530と誘電体層310をエッチングして自己整合コンタクトを形成する。 - 特許庁
To obtain formation method of a low-dielectric constant interlayer insulating film, and a semiconductor device which is manufactured using the method.例文帳に追加
低誘電率の層間絶縁膜の形成方法、及びその方法を用いて作製される半導体装置を提供すること。 - 特許庁
Further, a PZT films S1b, S2b which serves as barrier layers are formed in the interlayer insulating films S1, S2 of the FeRAM memory cell.例文帳に追加
また、FeRAMメモリセルの層間絶縁膜S1、S2中に、バリア層となるPZT膜S1b、S2bを形成する。 - 特許庁
To improve adhesiveness between a low dielectric constant film and the other film without raising a dielectric constant of an interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜の誘電率上昇をもたらすことなく、低誘電率膜と他の膜との間の密着性を向上させる。 - 特許庁
A liner layer 12 is formed as, for instance, a silicon nitride film, having an etching selection ratio different from a silicon oxide film of an interlayer insulating film 13.例文帳に追加
ライナー層12は、層間絶縁膜13のシリコン酸化膜とエッチング選択比が異なる例えばシリコン窒化膜とする。 - 特許庁
A trench 9 is formed on a first interlayer insulating film 107, and a part of an n^+ impurity diffused region 5A is exposed.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜107にトレンチ9を形成して、n^+不純物拡散領域5Aの一部を露出させる。 - 特許庁
The thicknesses tO_1, tO_2 and tN_3 of the interlayer insulating films 503, 504 and 202 satisfy relations of tO_1<tN_2, tO_2>tO_1 and tN_2<tO_2.例文帳に追加
層間絶縁膜503,504,202のそれぞれの厚さt_O1,t_O2,t_N2の間には、t_O1<t__N2,t_O2>t_O1,t_N2<t_O2の関係がある。 - 特許庁
The upper surface of a portion formed at least on the lower-layer wiring 7 in the second interlayer insulating film 8 is flat.例文帳に追加
そして、第2層間絶縁膜8における少なくとも下層配線7上に形成された部分の上面は、平坦である。 - 特許庁
The first interlayer insulating film 12 is thicker than the gate insulating film 16 and is lower in a specific dielectric constant than the gate insulating film 16.例文帳に追加
第1の層間絶縁膜12は、ゲート絶縁膜16よりも厚く、且つ、ゲート絶縁膜16よりも比誘電率が低い。 - 特許庁
To obtain a multilayer printed wiring board in which separation between an Sn (tin) layer and an interlayer resin insulating layer is avoided and which has the excellent connectability of a via-hole part.例文帳に追加
Sn層と層間樹脂絶縁層とが剥離せず、バイアホール部の接続性に優れた多層プリント配線板を得る。 - 特許庁
To provide a carbon fiber-reinforced plastic molded body and a method of producing the carbon fiber-reinforced plastic molded body, capable of improving an interlayer toughness.例文帳に追加
層間靭性の向上を図ることができる炭素繊維強化プラスチック成形体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Plasma treatment is applied on a surface of an interlayer insulation film IL3 having a line L3 and a digit line DL.例文帳に追加
配線L3およびデジット配線DLを形成した層間絶縁膜IL3の表面に対してプラズマ処理を実施する。 - 特許庁
After transistors T1 and T2 are formed on a semiconductor substrate 110, a stopper layer 120 and an interlayer dielectric film 121 are formed.例文帳に追加
半導体基板110にトランジスタT1、T2を形成した後、ストッパ層120及び層間絶縁膜121を形成する。 - 特許庁
To provide an interlayer connecting structure that has sufficient conductivity and can be manufactured with high productivity and, at the same time, to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加
十分な導電性と生産性とを両立した層間接続構造を,その製造方法とともに提供すること。 - 特許庁
The electronic parts have the above heat-resistant coating film or a heat-resistant insulating pattern as a surface protective layer or an interlayer insulating layer.例文帳に追加
前記の耐熱性塗膜または耐熱性絶縁パターンを表面保護層または層間絶縁層として有する電子部品。 - 特許庁
Thereby, a second via hole for another interlayer connection can be directly connected on the conducive layer with high reliability.例文帳に追加
その結果、その導体層の上に直接、別の層間接続のための第2のビアホールを信頼性良く接続できるようになる。 - 特許庁
A conductive layer 3 made of mainly a Cu-plated film is formed and flattened in a stepped recess of an interlayer insulating film 2.例文帳に追加
層間絶縁膜2の段差を有した窪みに主にCuメッキ膜でなる導電層3が形成され平坦化されている。 - 特許庁
On the interlayer dielectric 26, local internal wiring 29 electrically connecting the plug 27 and plug 28 is formed.例文帳に追加
層間絶縁膜26上には、プラグ27とプラグ28とを電気的に接続する局所内部配線29が形成されている。 - 特許庁
By interposing the interlayer retention member, doping and undoping of lithium ions to and from the vanadium oxide are smoothly conducted.例文帳に追加
かかる層間確保部材を介在させることで、その後のバナジウム酸化物へのリチウムイオンのドープ、脱ドープが円滑に行われる。 - 特許庁
When the ratio B/A is a threshold α or more, the interlayer separation characteristics of the optical pickup device are evaluated to be appropriate.例文帳に追加
そして、この比率B/Aが閾値α以上の場合に、光ピックアップ装置の層間分離特性が適正であると評価する。 - 特許庁
A part 30 of a collector contact opening is formed by etching halfway the interlayer dielectric 23 of an upper part of the trench.例文帳に追加
トレンチの上部の層間絶縁膜23を途中までエッチングすることにより、コレクタコンタクト用開口の一部30を形成する。 - 特許庁
The bankbook or the like 1 is formed by binding a plurality of interlayer sheets 2 and a transparent film 5 between two covers 3 and 4.例文帳に追加
通帳類1は、2枚の表紙3、4の間に複数枚の中紙2および透明フィルム5を綴じて形成される。 - 特許庁
A reformed layer which has resistance to N_2/H_2 plasma, is formed at an exposed part of the interlayer insulating film by using N_2 plasma (process 1).例文帳に追加
層間絶縁膜の露出部分に、N_2/H_2プラズマに耐え得る改質層をN_2プラズマを用いて形成する(工程1)。 - 特許庁
CONTACT HOLE/INTERLAYER INSULATING FILM, FORMING METHOD THEREOF, DISPLAY DEVICE, DISPLAY UNIT, SEMICONDUCTOR OPERATIONAL DEVICE AND COMPUTER例文帳に追加
コンタクトホール/層間絶縁膜の形成方法、コンタクトホール/層間絶縁膜、表示素子、表示装置、半導体演算素子およびコンピュータ - 特許庁
To put it concretely, a projecting part 43a is formed as the part extended to the region R in the third interlayer insulating film 43.例文帳に追加
より具体的には、第3層間絶縁膜43のうち領域Rに延びる部分として凸部43aが形成されている。 - 特許庁
The wiring 5 whose wiring width being ≤0.4 μm and consisting of a metal material is formed on the first interlayer dielectric 3.例文帳に追加
第1層間絶縁膜3上には、金属材料からなり、配線幅が0.4μm以下の配線5が形成されている。 - 特許庁
The middle layer 23 is constituted of a ruthenium film, and a pair of adjacent soft magnetic sandwiching the middle layer are coupled interlayer antiferromagnetically.例文帳に追加
中間層23はルテニウム膜で形成され、それを挟んで隣接する一対の軟磁性膜を層間反強磁性結合させる。 - 特許庁
A liner layer 9 of SiN film or the like is not provided between the side of a side wall spacer 6 and an interlayer insulating film 12.例文帳に追加
SiN膜等からなるライナー層9を、サイドウォールスぺーサ6の側面と層間絶縁膜12との間には形成しない。 - 特許庁
On the 2nd capacitance electrode layer 54, a 3rd capacitance layer 70 is extendedly arranged via an interlayer insulating electrode film 15.例文帳に追加
第2の容量電極層54上には、層間絶縁膜15を介して、第3の容量電極層70が延設されている。 - 特許庁
To provide a method for evaluating a recording system using a multilayer optical recording medium by which influence of interlayer cross-talk is accurately measured.例文帳に追加
層間クロストークの影響を正確に測定できるようにした多層光記録媒体を用いた記録システムの評価方法。 - 特許庁
To form an interlayer dielectric planarized by a CMP method on a semiconductor element where high-accuracy electrical characteristics are required.例文帳に追加
高い精度の電気特性が要求される半導体素子上にCMP法で平坦化した層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
RESIN COMPOSITION FOR PRINTED CIRCUIT BOARD, PREPREG FOR PRINTED CIRCUIT BOARD, PRINTED CIRCUIT BOARD AND INTERLAYER INSULATION FILM FOR BUILDUP BOARD例文帳に追加
プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板用プリプレグ、プリント配線基板、およびビルドアップ基板用層間絶縁膜 - 特許庁
SPUTTERING TARGET, INTERLAYER FILM FOR PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
スパッタリングターゲット、それを用いた相変化光記録媒体用界面層膜とその製造方法、および相変化光記録媒体 - 特許庁
On the basis of the DC sensitivity of the actuator and the drive voltages F_CS_L0 and F_CS_L1, an interlayer distance L_D between the L0 layer and L1 layer is obtained.例文帳に追加
アクチュエータのDC感度と、駆動電圧F_CS_L0及びF_CS_L1とに基づき、L0層及びL1層の層間距離L_Dが得られる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that achieves a cost reduction by suppressing an increase in chip area caused by interlayer connection.例文帳に追加
層間接続により生ずるチップ面積の増大を抑制し、コスト削減を実現する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
The resin layer 5 is provided at an edge of the semiconductor chip 50 so as to touch the interlayer insulating film 4 on the silicon substrate 1.例文帳に追加
樹脂層5は、シリコン基板1上に層間絶縁膜4と接するように半導体チップ50の端部に設けられる。 - 特許庁
The membrane part 51 is protected from etching solution by a bottom surface protection layer 94, an interlayer film 95 and an upper surface protection layer 96.例文帳に追加
メンブレン部51は底面保護層94、層間膜95、上面保護層96によってエッチング溶液から保護されている。 - 特許庁
To provide a forming method for the interlayer insulating film which offers the copper ion diffusion prevention capability as well as superior thermal stability and mechanical strength.例文帳に追加
銅イオンの拡散防止機能、熱安定性、及び機械的強度に優れた層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁
After forming an interlayer insulation film 11, an electrode layer 4 is formed and connected with the low resistance region 3b through a contact hole 12.例文帳に追加
層間絶縁膜11を形成後、電極層4を形成し、コンタクトホール12を介して低抵抗領域3bと接続する。 - 特許庁
A lower metal layer 2B is provided on a lower interlayer dielectric 1 in an MIM capacitance element forming region 2000.例文帳に追加
MIM容量素子形成領域2000の下層層間絶縁膜1の上には、下層金属層2Bが設けられている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of simplifying manufacturing processes and easily flattening an interlayer insulating film.例文帳に追加
工程を簡略化することができ、層間絶縁膜を容易に平坦化できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable interlayer insulations of amorphous materials, and the prevention of scattering their flakes, by easily automated techniques, in an amorphous-core transformer.例文帳に追加
アモルファス鉄心変圧器において、アモルファス材の層間絶縁と破片の飛散防止とを自動化し易い技術で可能にする。 - 特許庁
The second hole 11 is formed from the bottom of the first hole 7 to reach the pad 3 through the interlayer insulating film 2.例文帳に追加
そして、第1孔7の底部から層間絶縁膜2を貫通してパッド3に達する第2孔11が形成されている。 - 特許庁
To achieve the increase of the density of wirings, by reducing the positioning manhours of the wirings when forming the wirings of the interlayer electrodes of a piezoelectric element.例文帳に追加
積層圧電体の層間電極の配線を形成する際の位置決め工数を減らして、高密度化を達成する。 - 特許庁
To eliminate cracking of an interlayer film due to physical damage at an electrode pad part at the time of bonding, burn-in and probe inspection of a semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子のボンディング、バーンイン及びプローブ検査時の電極パッド部の物理的ダメージによる層間膜クラックをなくす。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass, in which the deterioration in appearance characteristic and transparency caused by the permeation of moisture or water is suppressed.例文帳に追加
湿気ないし水の透過による外観特性や透明度の低下が抑制された合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring board in which reinforcement effect of an interlayer conduction portion is improved and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
層間導通部の補強効果を向上した多層配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide an interlayer film for laminated glass, wherein a colorant is highly dispersed so as to suppress color unevenness and flow marks.例文帳に追加
着色剤が高分散されることにより、色ムラやフローマークの発生が抑制された合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
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