interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
To provide a prepreg which improves reliability on interlayer connection to a printed wiring board when it is manufactured by processing a hole for interlayer connection thereto and filling the hole with a conductive paste, followed by molding thereof.例文帳に追加
プリプレグに層間接続用の孔加工と、この層間接続用の孔への導電性ペーストの充填とを行った後に、成形加工を施すことによりプリント配線板を得るにあたり、層間接続信頼性を向上することができるプリプレグを提供する。 - 特許庁
The semiconductor memory device comprises a first interlayer insulating film (8) formed on a semiconductor substrate, a capacitor (18), a second interlayer insulating film (21), a first contact plug (9a, 9b, or 9c), and a second contact plug (22a, 22b, or 22c) formed so as to contact with the first contact plug.例文帳に追加
半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された第1の層間絶縁膜(8)と、キャパシタ(18)と、第2の層間絶縁膜(21)と、第1のコンタクトプラグ(9a、9b、又は9c)と、第1のコンタクトプラグと接続するように形成された第2のコンタクトプラグ(22a、22b、又は22c)とを備える。 - 特許庁
The slant wall member 51 is provided between a first interlayer insulating film 13 and a second interlayer insulating film 15, and the opening width of the contact hole 21 is set so that the opening width (W3) of the contact hole 21 at its lower end is narrower than the opening width of the hole 21 at its upper end.例文帳に追加
この傾斜壁部材51は、第1層間絶縁膜13と第2層間絶縁膜15との間に設けられ、コンタクトホール21の開口幅は、上端部の開口幅(W2)よりも、下端部の開口幅(W3)の方が狭く設けられている。 - 特許庁
Therefore, only by forming the first interlayer film (41) on the second light-shielding film (11), a part of the first interlayer film (41) overlapping the second light-shielding film (11) becomes the first protruding part 41a having a shape corresponding to the shape of the second light-shielding film (11).例文帳に追加
したがって、第2遮光膜(11)上に第1層間膜(41)が形成されるだけで、第1層間膜(41)のうち第2遮光膜11に重なる部分が第2遮光膜(11)の形状に対応した形状を有する第1突状部41aになる。 - 特許庁
The method further includes the steps of forming second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) at an upper side of the second layer wiring 11 on the substrate 1, and removing by etching an unnecessary position including a pad forming region in the second interlayer insulation films (films 13, 14 and 15) by using a mask 16.例文帳に追加
基板1上での第2層目の配線11の上側に第2層目の層間絶縁膜(膜13,14,15)を形成し、マスク16を用いて第2層目の層間絶縁膜(膜13,14,15)におけるパッド形成領域を含む不要箇所をエッチング除去する。 - 特許庁
The selective transistor comprises a gate electrode structure composed of the gate insulating film 2 of the cell part, the first conductive layer 3, the conductive interlayer insulating film 4, and the second conductive layer 7 which is electrically connected to the first conductive layer 3 at an opening of the conductive interlayer insulating film 4.例文帳に追加
選択トランジスタは、セル部ゲート絶縁膜2、第一導電層3、導電層間絶縁膜4、導電層間絶縁膜4中の開口部で第一導電層3と電気的に導通下第二導電層7からなるゲート電極構造を備える。 - 特許庁
This image sensor includes: an image sensing section 110 formed on a substrate 100; an interlayer insulation layer 120 formed on the image sensing section 110; and an aspheric microlens 140 formed on the interlayer insulation layer 120.例文帳に追加
本発明によるイメージセンサは基板100に形成されたイメージ感知部110と、前記イメージ感知部110上に形成された層間絶縁層120と、前記層間絶縁層120上に形成された非球面マイクロレンズ140を含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a capacitor having a large adhesion force between an interlayer insulating material and a metal electrode, high long-term reliability, and large capacitance with a dielectric composition that contains a high-permittivity inorganic particle and has large permittivity as an interlayer insulating material.例文帳に追加
高誘電率無機粒子を含有してなる比誘電率が大きい誘電体組成物を層間絶縁材料とし、層間絶縁材料と金属電極の密着力が大きく、長期信頼性が高く、静電容量が大きいキャパシタを提供する。 - 特許庁
To provide a photocatalytic composite material in which titanium oxide is incorpolated in the interlayer of smectite and a structure of the pore to be formed in the interlayer of smectite is controlled to be suitable for adsorbing the molecule to be decomposed.例文帳に追加
本発明は、スメクタイトの層間に酸化チタンを含む光触媒複合材料であって、スメクタイトの層間に形成される細孔構造が、分解対象分子の吸着において好適に制御された光触媒複合材料を提供することを目的とする。 - 特許庁
In the wiring substrate 20J including electrode pads 4a and 6a exposed from an interlayer insulating layer 14, the electrode pads 4a and 6a are exposed on the surface same with the surface of the interlayer insulating layer 14, and materials of the exposed surface are different for every electrode pad 4a and electrode pad 6a.例文帳に追加
層間絶縁層14から露出する電極パッド4a、6aを有する配線基板20Jであって、電極パッド4a、6aはそれぞれ層間絶縁層14の表面と同一面で露出し、電極パッド毎に露出面の材質が異なっている。 - 特許庁
On an element substrate 10 of the liquid crystal device 100, an upper layer side of a thin film transistor 30 is covered with an interlayer insulating film 6 made of an organic flattening film, and a common electrode 9a is formed as a flattened electrode in the upper layer of the interlayer insulating film 6.例文帳に追加
液晶装置100の素子基板10上には、薄膜トランジスタ30の上層側が有機平坦化膜からなる層間絶縁膜6で覆われ、層間絶縁膜6の上層には、共通電極9aがベタの電極層として形成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electronic component mounting structure in which an interlayer insulating film on a semiconductor chip is easily flattened in the electronic component mounting structure having a structure in which the semiconductor chip and the like are embedded in the interlayer insulating film on a base substrate.例文帳に追加
半導体チップなどがベース基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造において、半導体チップ上の層間絶縁膜が容易に平坦化されて形成される電子部品実装構造の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is improved such that, in planarizing an interlayer insulating film, occurrence of global steps is restricted without depending on the density of an underlying pattern, and high planarization characteristic of the surface of the interlayer insulating film is obtained.例文帳に追加
層間絶縁膜の平坦化に際し、下地パターンの粗密に依存せず、グローバル段差の発生が抑制され、層間絶縁膜表面の高い平坦性が得られるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁
An interlayer insulating film 17 is formed on the whole surface of a result object on which the gate pattern is formed, and contact holes exposing a gate electrode 9g of the MOS transistor and a specified region of a resistor pattern 9r are formed by patterning the interlayer insulating film 17.例文帳に追加
ゲートパターンが形成された結果物の全面に層間絶縁膜17を形成し、層間絶縁膜17をパタニングしてMOSトランジスタのゲート電極9g及び抵抗体パターン9rの所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する。 - 特許庁
A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加
第1Cu配線4が埋め込み形成された層間絶縁膜2を基板の表面層とし、当該基板上にSiCN膜5、SiOC膜6、PAE膜8、およびSiOC膜8をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁
Then, an interlayer insulating film is formed at the upper layer of the etching stopper film, and a contact hole for exposing the etching stopper film is opened by such etching as the interlayer insulating film is selectively removed from the etching stopper film, before the etching stopper film at the bottom of the contact hole is removed.例文帳に追加
次に、エッチングストッパ膜の上層に層間絶縁膜を形成し、エッチングストッパ膜に対して選択的に層間絶縁膜を除去するエッチングによりエッチングストッパ膜を露出させるコンタクトホールを開口し、次に、コンタクトホール底部のエッチングストッパ膜を除去する。 - 特許庁
On a semiconductor device 1, a primary interlayer dielectric film 50 overlies the upper layer side of a gate electrode 15, while source-drain electrodes 20 and 40 are electrically connected with source-drain regions 12 and 13 respectively through contact holes 51 and 52 on a primary interlayer dielectric film 60.例文帳に追加
半導体装置1では、ゲート電極15の上層側に第1層間絶縁膜50が形成され、ソース・ドレイン電極20、40は各々、第1層間絶縁膜60のコンタクトホール51、52を介してソース・ドレイン領域12、13に電気的に接続されている。 - 特許庁
To provide a method of producing a multilayer optical recording medium, which is capable of producing the interlayer with high accuracy without necessity of disposing stampers.例文帳に追加
スタンパを使い捨てる必要がなく、各層間隔を精度よく作製可能な多層光記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor substrate capable of reducing interlayer short-circuit defects in a capacitor, and to provide a display device with the thin film transistor substrate.例文帳に追加
キャパシタの層間ショート欠陥を低減することが可能な薄膜トランジスタ基板およびこれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁
An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectric layers IL which is buried on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加
金属パッドPADへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域PROH上を埋める層間絶縁膜ILにかかる。 - 特許庁
To improve interlayer adhesion and weatherability of a decorative sheet which can fully express three-dimensional appearance of solidity.例文帳に追加
3次元的な立体感を十分に表現することが可能な加飾シートの層間の密着性及び耐候性の改善を図ること。 - 特許庁
Furthermore, since the solder pad 75 is closely adhered to the solder resist layer 70, the underlying interlayer insulating layer 150 hardly cracks.例文帳に追加
また、半田パッド75とソルダーレジスト層70とを密着させるため、下層の層間樹脂絶縁層150にクラックが入り難くなる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing a material of a metal plug, which is embedded in a contact hole, from seeping into an interlayer insulation film.例文帳に追加
コンタクト孔に埋め込まれる金属プラグの材料が層間絶縁膜に染み出すのを防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
Then, a contact hole 10 reaching a part, where the p-type diffusion layer 5 of the silicon substrate 1 is formed, is formed on the interlayer dielectric 7.例文帳に追加
次に、層間絶縁膜7に、シリコン基板1のp型拡散層5が形成された部位に達するコンタクトホール10を形成する。 - 特許庁
Blind via holes 16 and 17 conducting between conductor layers 27 and 28 are formed in an opposite direction to each other in an interlayer insulation layer 11.例文帳に追加
層間絶縁層11に対し,導体層27,28間の導通をとる有底のビアホール16,17を互いに逆向きに形成する。 - 特許庁
To reduce wiring delay by reducing parasitic capacitances between wirings, and to improve the flatness of the surface of an interlayer dielectric after wire forming.例文帳に追加
配線間の寄生容量を下げ配線遅延を低減し、配線形成後の層間絶縁膜の表面の平坦性を向上する。 - 特許庁
The lower terminal part of a plate heat pipe 7 for heat collecting is inserted in a gap of an interlayer between a high-pressure layer and a low-pressure layer of the coil 6.例文帳に追加
前記巻線6のうち高圧層と低圧層との層間のギャップ内に集熱用プレートヒートパイプ7の下端部を挿入する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the shorting between bit lines adjoining each other is suppressed and an interlayer insulating film is polished to be flat.例文帳に追加
隣接するビット線同士の短絡が抑制されており、かつ層間絶縁膜が平坦に研磨された半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a construction method for a wall and a ceiling of which distance to the finishing face is short to the utmost and capable of sufficiently coping with interlayer displacement.例文帳に追加
仕上げ面までの距離ができるだけ短く、層間変位にも十分対応可能な壁・天井の施工方法を提供する。 - 特許庁
A region for recording interlayer folding back position information is set on a recording medium (e.g., End sector number in Layer 0 or a session item type 3).例文帳に追加
記録媒体上に、層間折り返し位置情報を記録する領域が設定される(例えば「End sector number in Layer0」、或いはセッションアイテムタイプ3)。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the interlayer insulating film 2 on a semiconductor substrate 1, and a step of then forming a first Cu diffusion barrier insulating film 3.例文帳に追加
半導体基板1上に層間絶縁膜2を形成した後、第1のCu拡散バリア絶縁膜3を形成する。 - 特許庁
To provide conductive paste for realizing interlayer connection of high reliability without gas generation or swelling accompanying it.例文帳に追加
ガス発生やそれに伴う膨れの発生がなく、信頼性の高い層間接続を実現することが可能な導電ペーストを提供する。 - 特許庁
To improve adhesibility by forming an adhesion layer, between an inter-metal interlayer insulating film and a protection insulating film, and to prevent a protective insulating film from peeling off near the outer periphery of a semiconductor substrate.例文帳に追加
メタル層間絶縁膜と保護絶縁膜との間に接着層を形成することにより、密着性を向上させる。 - 特許庁
To provide a laminated resin molding which is low in the permeation of chemical solutions and superior in chemical resistance, bacteria resistance and the like, and satisfactory in interlayer adhesion force.例文帳に追加
低薬液透過性、耐薬品性、耐バクテリア性等に優れ、層間接着力が良好な積層樹脂成形体を提供する。 - 特許庁
An optical disk 30 has a plurality of recording layers, and spherical aberrations due to interlayer thickness and the deterioration in the signal due to stray light are generated.例文帳に追加
光ディスク30は複数の記録層を有しており、層間の厚みによる球面収差や迷光による信号劣化が生ずる。 - 特許庁
The silicon oxide film is used as an embedded material and an interlayer insulating film of a trench 5 which is formed on the principle surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
このシリコン酸化膜を半導体基板1主面に形成したトレンチ5の埋め込み材や層間絶縁膜として用いる。 - 特許庁
An impact caused when bonding to the metal pad PAD is exerted on the interlayer dielectrics IL which bury on the dummy pattern forbidden region PROH.例文帳に追加
金属パッドPADへのボンディング時の衝撃はダミーパターン禁止領域PROH上を埋める層間絶縁膜ILにかかる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a printed circuit board which assures excellent interlayer connection reliability and includes a higher density multilayer structure manufactured at a lower cost.例文帳に追加
層間接続信頼性に優れ、高密度且つ低コストの多層構造を有するプリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
An interlayer insulating film as a BPSG film 6 is formed on the laminate, and the BPSG film 6 is polished by a CMP method to be flattened.例文帳に追加
その上にBPSG膜6による層間絶縁膜を形成し、CMPを用いてBPSG膜6を研磨して平坦化を行う。 - 特許庁
In Figure, this silicide film 15 of the TiSi_2 exists continuously up to the interlayer insulating film 13 including the inner wall of the contact hole 14.例文帳に追加
図ではこのTiSi_2のシリサイド膜15がコンタクトホール14内壁も含め層間絶縁膜13上にまで連続して存在する。 - 特許庁
The pad structure being connected with a conductive region in a semiconductor integrated circuit (not shown) is formed on an interlayer insulating film 10.例文帳に追加
図示しない半導体集積回路内部の導電領域と接続されるパッド構造は、層間絶縁膜10上に形成される。 - 特許庁
As shown in (a), a BPSG film 12 is used as a flattening interlayer insulation film on a wiring 11, in an Si wafer EF.例文帳に追加
(a)に示すように、SiウェハWFにおいて、配線11上に平坦化層間絶縁膜としてBPSG膜12が用いられる。 - 特許庁
An interlayer insulating film 12 on a connection wire 10 connected to a data line and consisting of a metal having a high melting point is removed to form an aperture.例文帳に追加
データラインに接続された高融点金属から成る接続配線10上の層間絶縁膜12を除去し開口する。 - 特許庁
One end of the interlayer 6 is connected to a side surface terminal 5b communicating from an upper surface electrode 3b loading the LED chip 9.例文帳に追加
中間層6の一端をLEDチップ9を搭載した上面電極3bから連通する側面端子部5bに接続する。 - 特許庁
To stably turn over a page of a bankbook by eliminating a contact of a jumped-up interlayer sheet suspended with a feed roller.例文帳に追加
跳ね上げられた中紙が垂れ下がってフィードローラに接触することがないようにして、頁めくりが安定して行われるようにする。 - 特許庁
To detect an interlayer short circuit of a switch element such as an FET included in an electromagnetic load circuit, and to accurately perform a failure diagnosis of the electromagnetic load circuit.例文帳に追加
電磁負荷回路が含むFETのようなスイッチ素子のレアショートを検出し、電磁負荷回路の故障診断を的確に行う。 - 特許庁
Furthermore, wiring (an auxiliary wiring) formed over the interlayer insulating film is electrically or directly connected to the auxiliary power supply line.例文帳に追加
そして、補助電源線には、層間絶縁膜上に形成された配線(補助配線)が電気的に、或いは直接、接続されている。 - 特許庁
To provide a film formation method capable of restraining diffusion of copper to an interlayer film from a copper substrate used for a semiconductor element or the like.例文帳に追加
半導体素子などに使用される銅基板から層間絶縁膜への銅の拡散を抑制できる膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a fuel hose which is reduced in fuel permeability and improved in interlayer bonding property, and also to provide a method of manufacturing the fuel hose.例文帳に追加
燃料低透過性に優れるとともに、層間接着性等にも優れた燃料用ホースおよびその製法を提供する。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|