「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

After the process of flattening the uppermost surface ISF, the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the pixel region PDR is flat, and a step HP2 is formed on the uppermost surface ISF of the first interlayer insulation film II4 in the peripheral region PCR.例文帳に追加

最上面ＩＳＦを平坦化する工程の後において、画素領域ＰＤＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦは平坦であり、周辺領域ＰＣＲにおける第１の層間絶縁膜ＩＩ４の最上面ＩＳＦには段差ＨＰ２が形成されている。 - 特許庁

The high-frequency coaxial cable 10 is obtained by providing an adhesion interlayer 12 composed of the resin composition in the outer periphery of a conductor 11 and further providing a foamed insulating layer 13 composed of a foamed resin in the outer periphery of the adhesion interlayer 12.例文帳に追加

また、本発明に係る高周波同軸ケーブル１０は、導体１１の外周に、本発明に係る樹脂組成物で構成される接着中間層１２を設け、その接着中間層１２の外周に発泡樹脂で構成される発泡絶縁層１３を設けたものである。 - 特許庁

To restrain teardown and film peeling of an interlayer insulating film in a semiconductor element having the interlayer insulating film whose mechanical strength is weak, by reducing stress to the semiconductor element which is generated by difference in thermal expansion coefficients of the semiconductor element and insulating material formed in periphery of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子と半導体素子の周囲に形成された絶縁材料との熱膨張係数の違いにより生じる半導体素子への応力を低減し、機械的強度の弱い層間絶縁膜を有した半導体素子における層間絶縁膜の破壊及び膜剥がれを抑止する。 - 特許庁

Since a convex portion of the first interlayer insulating film 92 having a height corresponding to the film thickness of the first Al layer 94 exists on the light receiver where the pattern of the first Al layer 94 is not formed, the surface of a second interlayer insulating film 96 laminated thereon is formed flatly.例文帳に追加

第１Ａｌ層９４のパターンが形成されない受光部に、第１Ａｌ層９４の膜厚に応じた高さの第１層間絶縁膜９２の凸部が存在することで、その上に積層される第２層間絶縁膜９６の表面が平坦に形成される。 - 特許庁

Then the inter-layer film 6 is polished, while the polished thickness is controlled by measuring the thickness of the part of the interlayer film 6 which is left on the scribe line 4s with the largest thickness, and the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 is removed.例文帳に追加

次いで、スクライブライ４ｓ上において層間膜６の膜厚が最も厚く残る部分における層間膜６の膜厚を測定することで研磨膜厚を管理しながら層間膜６を研磨し、チップ領域１ａ内の凸パターン４上の層間膜６を除去する。 - 特許庁

More specifically, a stepped sloping part having a gradient is formed in the boundary region of the transmissible display part and the reflection display part of the interlayer insulating films 3 and the ends of the electrode materials 4 and 5 constituting the reflection display particularly are positioned on the stepped sloping part of the interlayer insulating films 3.例文帳に追加

具体的は、層間絶縁膜の反射表示部と透過表示部との境界領域に勾配を有する段差傾斜部を形成するとともに、反射表示部を構成する電極材料の端部を層間絶縁膜の段差傾斜部上に位置するように構成する。 - 特許庁

Here, the interlayer insulating film 30 is also formed on the light-receiving surface of the diode 4, and a section on an interlayer insulating film 30a formed on the light-receiving surface is coated with light-transmitting gel 100, such as silicon gel having approximately an equivalent refractive index as the inter-layer insulating film 30.例文帳に追加

ここで、層間絶縁膜３０は該ダイオード４の受光面上にも形成されており、該受光面上に形成された層間絶縁膜３０ａの上は、層間絶縁膜３０と略同等の屈折率を有するシリコンゲル等の光透過性ゲル１００にて覆われている。 - 特許庁

The method of forming the contact structure of wiring contains a step of forming the wiring on the upper face of a substrate, a step of forming an interlayer reactive layer on the wiring by performing an annealing, and a step of forming an electrically conductive layer that is to be electrically connected to the wiring via the interlayer reactive layer.例文帳に追加

基板上部に配線を形成する段階；アニーリングを実施して配線上に層間反応層を形成する段階；層間反応層を経由して配線と電気的に連結される導電層を形成する段階を含む配線の接触構造形成方法。 - 特許庁

A connecting hole 47 is formed first of all with a second insulating film 43 of about 50 nm left therein, in the process to form, to an interlayer insulating film, the connecting hole 47 for connecting the upper and lower wirings to hold the interlayer insulating film with a first insulating film 42 and a second insulating film 43.例文帳に追加

第１の絶縁膜４２と第２の絶縁膜４３とよりなる層間絶縁膜を挟んだ上下の配線を接続する接続孔４７を層間絶縁膜に形成する過程で、まず、第２の絶縁膜４３を５０ｎｍ程度残して接続孔４７を形成する。 - 特許庁

In the main belt layers 7a-7d, the thickness T_1 of an interlayer rubber in both end areas 9 outside the width position of 80% of the maximum width BW of the main belt layers around the tire equatorial plane CL is larger than the thickness T_2 of the interlayer rubber at the position of the tire equatorial plane CL.例文帳に追加

主ベルト層７ａ〜７ｄは、タイヤ赤道面ＣＬを中心として主ベルト層の最大幅ＢＷの８０％の幅位置より外側にある両端部領域９の層間ゴムの厚さＴ_１がタイヤ赤道面ＣＬ位置における層間ゴムの厚さＴ_２よりも大きい。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate, the antifuse provided on the substrate, an interlayer insulation film provided to cover the antifuse, and the fuse provided immediately above the antifuse via the interlayer insulation film and connected in parallel with the antifuse.例文帳に追加

半導体基板と、この半導体基板上に設けられたアンチヒューズと、このアンチヒューズを覆うように設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を介して前記アンチヒューズの直上に設けられ、このアンチヒューズに並列に接続されたヒューズを有する半導体装置。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

Even if reflow process of the interlayer insulating film 10 is performed in wet atmosphere, amount of oxidation of the gate electrode 9 can be reduced as compared with a conventional case where rounding oxidation of the gate electrode 9 and reflow process of the interlayer insulating film 10 are performed separately.例文帳に追加

これにより、層間絶縁膜１０のリフロー処理をウェット雰囲気で行ったとしても、従来のようにゲート電極９の丸め酸化と層間絶縁膜１０のリフロー処理とを別々に行う場合と比べて、ゲート電極９の酸化量を少なくすることが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor device includes: a first interlayer dielectric 11 having a plurality of first nanocolumn type holes 11b as space portions each having a cylindrical shape extending vertically to a principal surface of the semiconductor substrate; and low-layer wiring 12 selectively formed in the first interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。 - 特許庁

A method for forming an interlayer insulating film is characterized in that an interlayer insulating film is formed on a substrate using a gas containing an insulating film material (known compound including silicon and CH_3) and nitrogen by a plasma CVD method.例文帳に追加

層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display element having an interlayer insulating film with excellent heat resistance and light resistance and having a high voltage holding rate, and to provide a positive radiation-sensitive composition having excellent storage stability and suitable for forming the interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明は、優れた耐熱性及び耐光性を有する層間絶縁膜を備え、高い電圧保持率を有する液晶表示素子、及び保存安定性に優れ、かつ上記層間絶縁膜の形成に好適なポジ型感放射線性組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

After that, a via hole reaching the tantalum nitride film is formed by wet etching on the second interlayer dielectric formed on the first interlayer dielectric, a metal film is deposited by second sputtering to form the metal film in the via hole, and a via connected to the tantalum nitride film is formed.例文帳に追加

その後、第１層間絶縁膜上に形成した第２層間絶縁膜に窒化タンタル膜に至るビアホールを湿式エッチングにより形成し、第２スパッタリングにより金属膜を堆積して前記ビアホール内に金属膜を形成し、前記窒化タンタル膜に接続するビアを設ける。 - 特許庁

A semiconductor wafer 102 is subjected to nitrogen plasma processing either after a step of forming a resist pattern 19 on an interlayer dielectric 18 and thereafter dry-etching the interlayer dielectric 18 or after a step of further dry-etching a stressor SiN film 17 with the resist pattern 19 removed therefrom.例文帳に追加

層間絶縁膜１８にレジストパターン１９を設けたうえで層間絶縁膜１８をドライエッチングする工程の後と、レジストパターン１９を除去した状態のストレッサーＳｉＮ膜１７をさらにドライエッチングする工程の後とのうちのいずれかの時点で、半導体ウェーハ１０２を窒素プラズマ処理する。 - 特許庁

The pattern forming material has on a support a cushion layer, a barrier layer capable of suppressing transfer of a substance, and a photosensitive layer in this order, wherein the interlayer adhesive power of the photosensitive layer and the barrier layer is smallest among all the interlayer adhesive powers of layers.例文帳に追加

支持体上に、クッション層と、物質の移動を抑制可能なバリア層と、感光層とをこの順に有し、各層の層間接着力の中で前記感光層と前記バリア層との層間接着力が最も小さいことを特徴とするパターン形成材料である。 - 特許庁

Since a via conductor 34 formed on an insulation layer 32 and a via conductor 70 formed on interlayer resin insulation layer 68 are tapered in the opposite directions, directions of warpage of the insulation layer 32 and the interlayer resin insulation layer 68 are reversed, thus offsetting generated stresses.例文帳に追加

絶縁層３２に形成されるビア導体３４と、層間樹脂絶縁層６８に形成されるビア導体７０とが、テーパの方向が逆であるので、該絶縁層３２と該層間樹脂絶縁層６８とで生じる反りの方向が逆となって、発生する応力を互いに打ち消し合う。 - 特許庁

Furthermore, in an interlayer insulating film interposed between the heating section and the detection electrode, a plurality of contact holes filled up with a material having a thermal conductivity higher than those of the substrate and the interlayer insulating film are disposed, and respective detection electrodes are connected through the heating elements and the contact holes different from each other.例文帳に追加

そして、発熱部と検出電極との間に介在される層間絶縁膜に、基板及び層間絶縁膜よりも熱伝導率の高い材料が充填された複数のコンタクトホールが設けられ、各検出電極は互いに異なる発熱素子とコンタクトホールを介して接続されている。 - 特許庁

The stress relaxation film 46 is formed from a doped silicon oxide film, disposed in contact with the third interlayer insulation film 44 while having a thermal expansion coefficient different from that of the third interlayer insulation film 44, and also in contact with the pixel electrode 9a while having a thermal expansion coefficient different from that of the pixel electrode 9a.例文帳に追加

応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。 - 特許庁

In the interlayer insulator film, a contact hole (89) which electrically connects the TFT and the pixel electrode is provided and filling material consisting of conductive materials is prepared for all regions of the inside of the hole and flattening treatment is applied to the surface of the interlayer insulator film.例文帳に追加

このうち層間絶縁膜には、ＴＦＴ及び画素電極間を電気的に接続するコンタクトホール（８９）が備えられており、その内部の全領域には導電性材料からなる充填材（４０９ａ）を備えてなり、前記層間絶縁膜の表面は平坦化処理が施されている。 - 特許庁

To form a polishing stopper film with a low dielectric constant on an organic interlayer insulating film of a semiconductor device having a multi-layered wiring structure with the organic interlayer insulating film and to form a wiring pattern of an upper layer stably in a favorable yield even if a lower-layer wire is dished.例文帳に追加

有機層間絶縁膜を有する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記有機層間絶縁膜上に、低誘電率の研磨ストッパ膜を形成し、さらに下層配線パターンにディッシングが生じた場合にも上層の配線パターンを歩留まり良く、安定して形成する。 - 特許庁

To provide a laminated coil component capable of improving filling performance for conductive paste into a through-hole for interlayer connection, improving connectability between a beltlike coil conductor pattern and a via-hole conductor for interlayer connection, and obtaining large inductance.例文帳に追加

層間接続用貫通孔への導電ペーストの充填性を向上させ、かつ、帯状コイル導体パターンと層間接続用ビアホール導体との接続性を向上させることができるとともに、大きなインダクタンスを得ることができる積層コイル部品及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for an interlayer insulation film of a semiconductor device capable of ensuring adequate developability and enabling image to be formed with good resolution in a thick film while using a polyimide resin precursor, and enabling an interlayer insulation film excellent in flexibility to be formed.例文帳に追加

ポリイミド樹脂前駆体を用いつつ、十分な現像性を得ることができ、厚膜で解像度よく像形成を行うことが可能であり、且つ、可とう性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能な半導体素子の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

This semiconductor device comprises an aluminum wiring layer 14 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulating film 16 formed on the aluminum wiring layer 14, and a gold wiring layer 19 formed on the interlayer insulating film 16 as an uppermost layer wiring layer composed of a gold layer.例文帳に追加

この半導体装置は、半導体基板上に形成されたアルミニウム配線層１４と、このアルミニウム配線層１４上に形成された層間絶縁膜１６と、この層間絶縁膜１６上に形成され、金層からなる最上層配線層としての金配線層１９とを備えている。 - 特許庁

Since the viscous-type damper 14 depends on speed, its vibration reducing force F reaches its peak at the origin (the interlayer displacement amount δ=0) where the repetitive horizontal deformation speed of the frame 12 shows maximum value, and becomes zero at the quiescent point (the interlayer displacement amount δ=±δ_1) where the horizontal deformation direction of the frame 12 becomes opposite.例文帳に追加

粘性型ダンパー１４は速度に依存するため、その振動低減力Ｆは、架構１２の繰り返し水平変形速度が最大となる原点（層間変位量δ＝０）で最大となり、架構１２の水平変形方向が逆向きとなる静止点（層間変位量δ＝±δ_１）でゼロとなる。 - 特許庁

On the surface of the interlayer dielectric 73 (second interlayer dielectric), second through-holes (display region-side second through-holes 73a and peripheral region-side second through-holes 73b) are opened, of which the opening density in the peripheral region 10b is higher as compared with the display region 10a.例文帳に追加

層間絶縁膜７３（第２層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して高い第２スルーホール（表示領域側第２スルーホール７３ａおよび周辺領域側第２スルーホール７３ｂ）が開口している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a photoelectric converter PTO formed on a semiconductor substrate SUB, a stopper film AL1 at a mark part, a first interlayer insulating film II2 formed on the stopper film AL1 and the photoelectric converter PTO, a first metal wiring AL2, and a second interlayer insulating film II3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢに形成された光電変換素子ＰＴＯと、マーク部のストッパ膜ＡＬ１と、ストッパ膜ＡＬ１上および光電変換素子ＰＴＯ上に形成された第１の層間絶縁膜ＩＩ２と、第１の金属配線ＡＬ２と、第２の層間絶縁膜ＩＩ３とを備える。 - 特許庁

The optical disk device has such a constitution that: an light spot is positioned on a predetermined interlayer interference evaluation area on the disk to detect the tracking error signal in this area; and the quality of the tracking error signal is evaluated by a process to perform a predetermined signal processing and calculate an interlayer interference evaluation value.例文帳に追加

ディスク上の所定の層間干渉評価領域に光スポットを位置づけ、当該領域においてトラッキング誤差信号を検出し、所定の信号処理を行って層間干渉評価値を演算する手順によってトラッキング誤差信号の品質を評価する構成とする。 - 特許庁

The average diameter of holes 10 and holes 11 inside an interlayer insulation film IL2 in a second fine layer 2 composed of porous Low-k film is adjusted to 1.0 nm or more but less than 1.45 nm in order to prevent an altered layer CL from being formed on the surface of the interlayer insulation film IL2 by process damage.例文帳に追加

ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

Additionally, the semiconductor device 50 is formed by passing through the inside of an interlayer insulating film 12 between an upper surface of the interlayer insulating film 12 and upper surfaces of the polysilicon regions 17 and 18, and is provided with contact holes 13 and 15 of which insides are filled by polysilicon plug having a function as the gettering.例文帳に追加

また、半導体装置５０は、層間絶縁膜１２の上面とポリシリコン領域１７，１８の上面との間で層間絶縁膜１２内を貫通して形成され、ゲッタリングサイトとしての機能を有するポリシリコンプラグによって内部が充填されたコンタクトホール１３，１５を備えている。 - 特許庁

After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁

In an element substrate 10 of a liquid crystal device 100, on a surface of an interlayer insulating film 72 (a first interlayer insulating film), first through-holes 72a on a display area side of a display area 10a and first through-holes 72b on a surrounding area side of a surrounding area 10b have openings in a density equivalent to each other.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、表示領域１０ａの表示領域側第１スルーホール７２ａと周辺領域１０ｂの周辺領域側第１スルーホール７２ｂとが同等の密度で開口している。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass excellent in adhesiveness with glass regardless of using polyvinyl alcohol resin as a raw material, hardly causing bubbling or variation of physical properties derived from water absorption as causative; and laminated glass made by using the interlayer for laminated glass.例文帳に追加

ポリビニルアルコール樹脂を材料として用いるにもかかわらず、ガラスとの接着性に優れ、吸水が原因となり引き起こされる発泡や物性変化が生じにくい合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を用いてなる合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a double-sided copper-clad board useful for manufacturing a high density, high multilayer wiring board in which the occurrence of warpage is prevented even after copper foil is patterned to form a conductor pattern and which has high interlayer adhesion reliability and high interlayer connection reliability.例文帳に追加

銅箔をパターニングして導体パターンを形成した後においても、配線基板に反りが生じず、また、極めて高い層間接着信頼性と層間接続信頼性を有し、高密度で高多層な多層配線基板を作製することができる、両面銅張板を提供する。 - 特許庁

An opening 20b for formation of an upper electrode 24b of the capacitor is made in an interlayer insulating film 19 simultaneously with a via hole 20a, a silicon nitride film 19a as the lowermost layer film of the interlayer insulating film 19 is left on the bottom of the opening to be used for a dielectric film 25 of the capacitor.例文帳に追加

キャパシタの上部電極２４ｂ形成の為の開口部２０ｂはビアホール２０ａと同時に層間絶縁膜１９に開口し、その底部に層間絶縁膜１９の最下層膜であるシリコン窒化膜１９ａを残してキャパシタの誘電体膜２５に用いる。 - 特許庁

The heat ray-absorbing laminated glass is obtained by sticking at least one pair of glass sheets together by way of an interlayer, wherein at least the glass sheets or the interlayer constituting the laminated glass contains a compound containing a divalent copper ion as a constituent.例文帳に追加

少なくとも一対の板ガラスが中間膜を介して貼り合わされた合わせガラスであって、該合わせガラスを構成する板ガラス及び中間膜のうちの少なくとも１つが、２価の銅イオンを構成成分とする化合物を含有することを特徴とする熱線吸収性合わせガラス。 - 特許庁

To provide a semiconductor device achieving short time formation of an interlayer dielectric with a flat surface and ensuring long-term reliability against contamination of a semiconductor substrate with metal ions without increasing the thickness of the interlayer dielectric, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for controlling erosion or thinning occurring in a process for removing an unnecessary tungsten film formed on an interlayer insulation film when a plug or buried wiring is formed by filling a trench formed on the interlayer insulation film with a tungsten film.例文帳に追加

層間絶縁膜に形成された溝にタングステン膜を埋め込むことによりプラグあるいは埋め込み配線を形成する際、層間絶縁膜上に形成された不要なタングステン膜を除去する工程で生ずるエロージョンあるいはシニングを抑制できる技術を提供する。 - 特許庁

In the interlayer of an orientational substrate for forming the epitaxial film, which is provided between a base material and an epitaxial film to be formed on at least one surface of the base material, the interlayer has a single layer structure or a multilayer structure of not less than two layers and the layer in contact with the substrate is formed from an indium tin oxide (ITO).例文帳に追加

基材と、基材の少なくとも一方に形成されるエピタキシャル膜との間に設けられるエピタキシャル膜形成用配向基板の中間層において、単層構造又は２層以上の多層構造を有し、基板と接触する層がインジウムスズ酸化物からなる中間層である。 - 特許庁

Only the dummy structure 16 is removed to leave the sidewall films 17, a part of lower-layer wiring 14 is exposed, an opening 18a formed on the interlayer insulation film 18 is embedded with Cu, and the surface layer of Cu is flattened in plane with the surface of the interlayer insulation film 18.例文帳に追加

そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 2 containing a first porous low dielectric-constant film 2b is formed on a lower-layer wiring 1, and a first barrier layer 5 and a via plug 6 are formed in via holes 3 formed to the first interlayer insulating film 2 through first side-wall protective films 4 formed on the side walls of the via holes 3.例文帳に追加

下層配線１上に多孔質の第１低誘電率膜２ｂを含む第１層間絶縁膜２が形成され、第１層間絶縁膜２に設けられたビアホール３内にその側壁に設けられた第１側壁保護膜４を介して第１バリア層５およびビアプラグ６が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device having the ferroelectric capacitor; an amorphous metallic film, a conductive crystalline film, and a lower electrode of the ferroelectric capacitor are laminated in this order on an upper surface of a region which spreads across an amorphous interlayer insulating film and a conductive plug provided in the amorphous interlayer insulating film.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを有する半導体装置において、アモルファス層間絶縁膜と当該アモルファス層間絶縁膜内に配される導電性プラグとに跨る領域の上部に、アモルファス金属膜と導電性結晶膜と強誘電体キャパシタの下部電極とをこの順に積層する。 - 特許庁