「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photocurable composition useful as a pattern-forming material for ultraviolet (UV) nanoimprint or an interlayer insulating film-forming material.例文帳に追加

紫外線（ＵＶ）ナノインプリント用のパターン形成材料、あるいは層間絶縁膜形成材料として有用な光硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

The thin film 161 is faster in etching rate than the interlayer dielectric 105 and removed before the part of an adjacent memory cell layer 104A.例文帳に追加

薄膜１６１は、層間絶縁膜１０５よりもエッチング速度が速く且つ隣接するメモリセル層１０４Ａの部分よりも先に除去される。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film structure of a semiconductor device using a CF_x film whose adhesion to an Si-based insulating film is improved.例文帳に追加

Ｓｉ系絶縁膜との密着性向上が図られたＣＦ_ｘ膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜構造を提供する。 - 特許庁

An interlayer 3 is formed of a sheet member, on the surface on which a number of piles are formed and on the back on which a number of hook-shaped protrusions are formed.例文帳に追加

表面に無数のパイルが形成され裏面に無数の鈎状突起が形成されたシート部材を用いて、中敷３を形成する。 - 特許庁

In the first to the third interlayer dielectric, the opening (mortise hole) 24A is provided at a position opposed to the window 17A.例文帳に追加

第１ないし第３層間絶縁膜３１〜３３において、窓１７Ａに対応する位置には、開口部（掘り込み穴）２４Ａが設けられている。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersing element for polishing a chemical machine capable of suppressing the occurrence of scratches even on an interlayer insulating membrane having a small elastic modulus.例文帳に追加

弾性率の小さい層間絶縁膜であってもスクラッチの発生が抑えられる化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

For example, 1,3-diethynyl adamantane and p-bis (dimethylsilyl) benzene are mixed and polymerized under existence of a platinum catalyst to obtain an interlayer dielectric material.例文帳に追加

例えば１，３−ジエチニルアダマンタンとｐ−ビス（ジメチルシリル）ベンゼンとを、白金触媒存在下、混合して重合し、層間絶縁膜材料を得る。 - 特許庁

The magnetic memory element includes a laminate structure of a pinned layer magnetized in the X-xis direction, a free layer, and an interlayer inserted between those layers.例文帳に追加

磁気メモリ素子は、Ｘ軸方向に沿った磁化を有するピンド層と、フリー層と、それらに挟まれた中間層との積層構造を含む。 - 特許庁

Gas from the organic passivation film 109 is released from the through hole 140 for degasification, and thereby the interlayer insulating film 111 is prevented from being separated.例文帳に追加

ガス抜きのためのスルーホール１４０から有機パッシベーション膜１０９からのガスを放出させ、層間絶縁膜１１１の剥離を防止する。 - 特許庁

Above the dummy wiring 50, signal wiring 6 is formed through an insulating film (interlayer insulating film 37, first and second protective films 39 and 40).例文帳に追加

ダミー配線５０の上方に、絶縁膜（層間絶縁膜３７、第１及び第２保護膜３９，４０）を介して信号配線６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can prevent an embedding failure occurring when an interlayer insulation film is embedded between side walls.例文帳に追加

サイドウォール間に層間絶縁膜を埋め込むときに埋め込み不良の発生を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, an interlayer insulating layer 5 is formed so as to cover the main surface of the substrate 1, a cathode electrode layer 2, the emitter layer 3, and the buffer layer 4.例文帳に追加

次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is reliable and equipped with an interlayer insulating film that has a sufficiently low dielectric constant and superior adhesion.例文帳に追加

十分に低い誘電率を有するとともに密着性に優れた層間絶縁膜を有し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The spacer can be formed for all interlayer insulating films extended in a dicing line part 3, thereby realizing many layered sealing rings.例文帳に追加

このスペーサは、ダイシングライン部３に延在される層間絶縁膜に全て形成可能であり、これにより何重ものシールリングが実現できる。 - 特許庁

To provide a metal ball for a wiring substrate which is good in loading property and suitable for use for interlayer conduction of the wiring substrate.例文帳に追加

本発明の目的は、搭載性が良く、配線基板の層間導通用途に適した配線基板用金属球を提供することにある。 - 特許庁

Wirings 102 are formed on a first interlayer film 101 on a semiconductor substrate 100, separating from each other by an inter-wiring space 103.例文帳に追加

半導体基板１００上の第１の層間膜１０１の上に複数の配線１０２が配線間スペース１０３を介して形成されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a composition for forming an insulation film capable of forming an interlayer insulation film excellent in low dielectric constant, elastic modulus, etc.例文帳に追加

低比誘電率、弾性率等に優れた層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a laminated wiring board 1000 where interlayer connection of conductor layers 100 and 200 is made by the via hole 13 can be produced.例文帳に追加

これにより，導体層１００と導体層２００とが，ビアホール１３により層間接続されている積層配線板１０００が製造できる。 - 特許庁

A contact hole is formed in an interlayer insulating film 50, and metal wirings 53, 54, and 55 are brought into contact with the semiconductor through embedded plugs 51, 52, and 56.例文帳に追加

層間絶縁膜５０にコンタクトホールを形成し、埋め込みプラグ５１，５２，５６を介して金属配線５３，５４，５５と半導体とのコンタクトを取る。 - 特許庁

A gate wire 24 formed on the interlayer insulating film 22 is electrically connected to the gate electrode 15 via the conductor plug 19.例文帳に追加

層間絶縁膜２２上に形成されたゲート配線２４は、導電体プラグ１９を介してゲート電極１５に電気的に接続される。 - 特許庁

On an Si wafer on which a silicon-based insulating film which becomes an interlayer insulating film is formed, an amorphous silicon film which becomes a capacity electrode is formed.例文帳に追加

層間絶縁膜となるシリコン系絶縁膜が形成されたＳｉウェーハ上に、容量電極となるアモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board incorporating a semiconductor chip having no adverse effect by an interlayer adhesive material, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間接着材料による悪影響のない半導体チップを内蔵するプリント配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory device further comprises a first diffused barrier film 11 covering the ferroelectric capacitor, and a second interlayer insulating film 12 formed on the film 11.例文帳に追加

誘電体キャパシタを第１拡散バリア膜１１が覆い、この第１拡散バリア膜１１上に第２層間絶縁膜１２を形成している。 - 特許庁

The mixed part 18 is connected to at least one of the external electrode 16, the in-plane connection conductor 14 or the interlayer connection conductor 13.例文帳に追加

混合部１８は、外部電極１６と、面内接続導体１４又は層間接続導体１３の少なくとも一方とに接続されている。 - 特許庁

To provide a method for producing a fiber-reinforced resin composite material enhancing interlayer shearing resistance.例文帳に追加

本発明の目的は、耐層間せん断力を向上させることができる繊維強化樹脂複合材料の製造方法を提供することである。 - 特許庁

At this time, the interlayer insulating film 111 under the bottom of the wiring groove 114 can be prevented from being etched since there exists the conductive film pattern 112.例文帳に追加

このとき、導電性膜パターン１１２があるために配線溝１１４の底部の下にある層間絶縁膜１１１のエッチングを防止できる。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass, excellent in damping property at a high temperature and in sound insulating property in a wide temperature range and excellent in heat insulating property.例文帳に追加

高温下の制振性や幅広い温度範囲における遮音性に優れ、遮熱性にも優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To suppress generation of crosstalk while reducing an interlayer distance of recording and reading layers in a multilayer optical recording medium.例文帳に追加

多層型の光記録媒体において、記録再生層群の記録再生層間距離を小さくしながらも、層間クロストークの発生を抑制する。 - 特許庁

Also, the connection hole 2a of the interlayer dielectric film 2 and interline film 3, and a copper wiring film 4 which covers the wiring trench 3 are formed.例文帳に追加

また、上記層間絶縁膜２,線間絶縁膜３の接続孔２ａ,配線用溝３ａを塞ぐ銅配線膜４を形成している。 - 特許庁

Moreover, since the surface area of the second platinum layer 82 increases, the adhesion to an interlayer insulating film 10 provided over it is also enhanced.例文帳に追加

しかも、第２白金層８２は表面積が増大するので、その上に設けられる層間絶縁膜１０との密着性も高められる。 - 特許庁

To provide a metal foil with resin in which dispersion of the thickness of an interlayer insulating resin is controlled and to provide a multi-layer printed circuit board.例文帳に追加

本発明の目的は、層間絶縁樹脂厚さのバラツキが少ない樹脂付き金属箔および多層プリント回路板を提供することである。 - 特許庁

To solve the problem, wherein when an organic SOG film, used as an interlayer insulating film of a semiconductor device, is to be reformed through ion injection, the film cracks occur.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜を、イオン注入により改質する際、クラックが発生する。 - 特許庁

A pad opening 40 is formed in a way that penetrates the surface protection film 39 and the interlayer film 38 in the film thickness direction.例文帳に追加

そして、表面保護膜３９および層間膜３８には、これらの膜を膜厚方向に貫通する、パッド開口４０が形成されている。 - 特許庁

The recessed sections of the rugged surface of the interlayer insulating layer 203 are protected from the action of plasma by coating the recessed sections with a supplied liquid 210.例文帳に追加

層間絶縁層２０３の表面の凹凸の凹部を供給した液体２１０で被覆し、プラズマの作用から保護されるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor by which peeling of an interlayer film and a variation of processing characteristic in a damascene wiring process can be suppressed.例文帳に追加

ダマシン配線プロセスにおける層間膜剥れ及び加工特性の変動を抑えることが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a lower wiring 110, interlayer insulating films 100 and 200, anti-diffusion films 120 and 240, and an upper wiring 230.例文帳に追加

半導体装置は、下部配線１１０、層間絶縁膜１００、２００、拡散防止膜１２０、２４０、上部配線２３０を備えている。 - 特許庁

Thus, a high quality circuit board is provided of which electrical connection by an interlayer connection means with the conductive paste is stable.例文帳に追加

これにより、導電性ペーストによる層間接続手段による電気的接続が安定した、高品質の回路基板を提供できるものである。 - 特許庁

In this state, the layered part 29 of the webbing 28 is held by interlayer friction applied thereon, so that the reoccurrence of the slack is suppressed.例文帳に追加

この状態では、ウエビング２８の層状部分２９は、自らに作用する層間摩擦により保持されるため、弛みの再発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a method for efficiently controlling a liquid level of an interlayer generated between an organic layer and a water layer in sequential extraction.例文帳に追加

連続抽出において有機層と水層の中間に生じる中間層の液面を効率よく制御する方法を提供すること。 - 特許庁

A first insulating film (for example, BPSG film) 5 of high reflow properties is so formed as to cover the entire surface of this structure as an interlayer insulating film.例文帳に追加

この構成全面を覆うように、層間絶縁膜としてリフロー性の高い第１の絶縁膜（例えばＢＰＳＧ膜）５を形成する。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor being improved so that an interlayer dielectric can be made thinner and the difference in level in the device can be reduced.例文帳に追加

層間絶縁膜の薄膜化ができ、ひいてはデバイスの段差を低減することができるように改良されたバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The via hole 12 and the third conductive layer 14 are formed surrounding each of the pillar-shaped interlayer insulation films 13a.例文帳に追加

そして、各柱状層間絶縁膜１３ａの周囲を取り囲むようにしてビアホール１２及び第３導電層１４が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board in which a board surface can be made flat and the delamination of an interlayer resin insulation layer is prevented.例文帳に追加

基板表面を平坦に形成し得ると共に層間樹脂絶縁層のデラネーションの発生させない多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

An impurity diffusion layer 101 is formed on the surface of a semiconductor substrate 10 beneath the interlayer insulating film 11 facing the pad PAD.例文帳に追加

パッド部ＰＡＤと対向する層間の絶縁膜１１下の半導体基板１０表面に不純物拡散層１０１が設けられている。 - 特許庁

This dielectric memory 10 is provided with a transistor 10A, a dielectric capacitor 10B and interlayer insulating films 16 and 17 formed thereamong.例文帳に追加

誘電体メモリ１０は、トランジスタ１０Ａ、誘電体キャパシタ１０Ｂおよびこれらの間に設けられた層間絶縁膜１６，１７を備えている。 - 特許庁