「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming the alumina mask 32a on the top of the interlayer insulation film 30 consisting of the SiOC film of a low dielectric constant through a cap insulating film 31, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with a photoresist film as a mask to form a via hole 37.例文帳に追加

低誘電率のＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜３０の上部にキャップ絶縁膜３１を介してアルミナマスク３２ａを形成した後、フォトレジスト膜をマスクにしてキャップ絶縁膜３１と層間絶縁膜３０とをドライエッチングすることによりビアホール３７を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 13 is formed to cover the emitter electrode 12E and the base electrode 12B, and bonding pads 14E and 14B are formed on the upper layer of a device to be in contact with the emitter electrode 12E and the base electrode 12B respectively by means of the interlayer insulation film 13.例文帳に追加

そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 - 特許庁

To provide a solid state image sensor capable of covering an imaging region with an interlayer insulating film excellent in film thickness accuracy, suppressing sufficiently parasitic capacitance between wiring on the interlayer insulating film and a lower layer at a peripheral circuit region, and thus improving an imaging property.例文帳に追加

膜厚精度良好な層間絶縁膜で撮像領域を覆うとともに、周辺回路領域においては層間絶縁膜上の配線と下層との間の寄生容量を十分に抑えることができ、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

After the second interlayer insulating film 108 and the first interlayer insulating film 107 are dry etched with a resist pattern 109 as a mask to form a contact hole 110, the resist pattern 109 is removed, and thereafter the contact hole 110 is cleaned by using a cleaning liquid containing a hydrofluoric acid.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０８及び第１の層間絶縁膜１０７に対してレジストパターン１０９をマスクにドライエッチングを行なってコンタクトホール１１０を形成した後、レジストパターン１０９を除去し、その後、フッ酸を含む洗浄液を用いてコンタクトホール１１０を洗浄する。 - 特許庁

To provide an apparatus for cutting an interlayer which has a simple structure, is compact, can easily adjust each part, provides a simple motion of a cutter, can cut an interlayer of a laminated glass during transportation thereof, has a long cutter life, and can reduce breakage of a glass end, and to provide a method using the apparatus.例文帳に追加

単純な構造でコンパクトであり各部の調整が簡単で、カッターの動きが単純で搬送中の合わせガラスの中間膜も切断可能で、しかもカッター寿命が長く、ガラス端部の破損を削減することが可能な中間膜の切断装置及び切断方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid to be used for barrier metal chemical-mechanical polishing (CMP) for polishing a barrier layer and an interlayer insulating film, in particular, a polishing liquid capable of obtaining an excellent polishing speed with respect to the interlayer insulating film and simultaneously achieving reduction in corrosion on a surface after polishing and in organic residual.例文帳に追加

本発明は、バリア層と層間絶縁膜を研磨するバリアメタルＣＭＰに用いられる研磨液であって、特に、層間絶縁膜に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、研磨後表面のコロージョン、有機物残渣の低減を同時に実現し得る研磨液を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a second interlayer insulating film 35 is formed, by causing the second interlayer insulating film 35 to self-align with the bit lines 29 and the insulating spacer 33, a fourth opening 37 for exposing the surface of the second pad layer 25b' is formed, and by filling the opening 37 with a conductive material, a storage electrode 39 is formed thereon.例文帳に追加

第２層間絶縁膜３５を形成した後、ビットライン２９と絶縁性スペーサ３３に自己整合させて、第２パッド層２５ｂ’の表面を露出させるまでの第４開口部３７を形成して、これを導電性物質で埋立て、その上にストレージ電極３９を形成する。 - 特許庁

In a scribe line, a region where interlayer insulating films 2, 4 and 6 do not exist on both sides of the scribe line and a surface of a semiconductor substrate 1 is exposed is provided, and the interlayer insulting films 2, 4 and 6 are left at a middle position of the scribe line, namely in a region held between grooves T.例文帳に追加

スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。 - 特許庁

The carbon nanotube structure is constituted of a first wiring layer 21, an interlayer insulating film 22, and a second wiring layer 23 laminated sequentially; and a via 26 with the carbon nanotube bundle 25 formed to connect electrically the first wiring layer 21 to the second wiring layer 23 in a via hole 24 passing through the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed on a substrate 2, which comprises an interlayer insulating film where fluorinated arylene films 6, 16, and 26 which do not contain vacancy as an organic film and SiC films 8, 14, 18, 24, and 28 as an inorganic film are laminated, and wirings 12 and 32 formed in the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板２上に、空孔を含まない有機膜としてのフッ素化アリレン膜６，１６，２６と無機膜としてのＳｉＣ膜８，１４，１８，２４，２８とを積層してなる層間絶縁膜と、この層間絶縁膜内に形成された配線１２，３２とを有する多層配線構造を形成する。 - 特許庁

A black layer 32 is formed on a surface outside of a conductive layer 12, a hole is made in an interlayer insulating layer 21 covering the black layer 32, and the conductive layer 12 is etched through the hole to form a hole pattern 31 having holes made through the conductive layer 12 and the interlayer insulating layer 21.例文帳に追加

導体層１２の外向きの面に黒化層３２を形成し，黒化層３２を覆う層間絶縁層２１にレーザ加工により穴を開け，この穴を通して導体層１２をエッチングし，導体層１２および層間絶縁層２１を貫通する穴パターン３１を形成する。 - 特許庁

The invention relates to the multilayer paperboard comprising at least a surface layer, a back layer and an interlayer composed of a layer or a plurality of layers installed between the surface layer and the back layer, wherein the surface layer and the back layer have water and oil absorbing property and the interlayer has at least a layer having the oil and water resistant property.例文帳に追加

少なくとも表層、裏層、及び表層と裏層との間に配置される１層又は複数層から成る中間層を有する多層抄き板紙であって、表層及び裏層は吸水・吸油性を有し、中間層は少なくとも耐油・耐水性を有する層を有する。 - 特許庁

To prevent separation between an interlayer insulating film and a phase transformation film which constituts a memory layer of a phase transformation memory, and to prevent such a malfunction as the diffusion of constituent atoms of an adhesive layer interposed between the interlayer insulating film, and the diffusion of the phase transformation film in the phase transformation film to fluctuate characteristics of the phase transformation film.例文帳に追加

相変化メモリの記憶層を構成する相変化膜と層間絶縁膜との剥がれを防止すると共に、層間絶縁膜と相変化膜との間に介在する接着層の構成原子が相変化膜内に拡散して相変化膜の特性を変動させる不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, an electrooptic apparatus and a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus capable of avoiding part of interlayer insulating films in the vicinity of the boundary face from being hollowed out in the case of forming a contact hole penetrated through the interlayer insulating films of at least two layers or over.例文帳に追加

少なくとも２層以上の層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する際に、界面付近で発生するえぐれを解消することができる半導体装置及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を提供すること。 - 特許庁

The compound metal foil is used which is obtained by a method wherein a rolling compound metal foil in which strength of adhesive bonding (interlayer strength) between a copper layer and an aluminum layer is smaller than 3 N/cm is heated at 180-350°C under non-pressurizing condition and the interlayer strength is made at least 6 N/cm.例文帳に追加

銅層とアルミニウム層との接着強度（層間強度）が３Ｎ／ｃｍ未満の圧延複合金属箔を、無加圧条件下１８０〜３５０℃で加熱することにより前記層間強度を６Ｎ／ｃｍ以上とする方法で得られた、複合金属箔を用いる。 - 特許庁

A movable electrode 20 is formed on a sacrifice layer 15 formed on a silicon substrate 1, and a wiring laminated part where a first interlayer insulation film 16, a first wiring layer 23, a second interlayer insulation layer 17, and a second wiring layer 24 are laminated in this order while partially patterning.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された犠牲層１５上に可動電極２０を形成し、可動電極２０上に、第一層間絶縁膜１６、第一配線層２３、第二層間絶縁膜１７、第二配線層２４を、この順に一部をパターニングしながら積層させた配線積層部を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is configured such that an opening size of an interlayer film of a portion closest to a bottom of a contact hole is larger than that of a semiconductor layer, and that a step part between the interlayer film and the semiconductor layer produced by a difference between the sizes of the openings is filled with an insulating film.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、コンタクトホールの底部にもっとも近い部分の層間膜の開口径より半導体層の開口径が大きく、その開口径の差で生じる層間膜と半導体層との間の段差部を絶縁膜で埋める構成を有している。 - 特許庁

To provide a method for forming a multilayer wiring and an electronic device by which no special step is conducted to flat a substrate by forming an interlayer insulating film through liquid-phase film formation, and a step can be simplified by such elimination of a separate step to form a contact hole in the interlayer insulating film.例文帳に追加

液相成膜で層間絶縁膜を形成することで、特殊な工程を用いずに基板の平坦化が可能となり、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程が別途不要なので、工程の簡素化が実現できる多層配線の形成方法および電子デバイスを提供すること。 - 特許庁

Erosion is generated in a comparatively dense contact hole forming area by forming a comparatively dense contact hole in one region in the interlayer insulating film, forming a comparatively coarse contact hole in the other region, and implementing CMP to the surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜中の一方領域においてコンタクトホールを比較的密に形成し、他方領域においてはコンタクトホールを比較的疎に形成して、層間絶縁膜の表面にＣＭＰを施すことにより、比較的密なコンタクトホールの形成部分にエロージョンを発生させる。 - 特許庁

Consequently, there are discharged a by-product staying on an interface between an upper protective film 6 and a low dielectric interlayer insulating film 5 and a by-product staying on an interface between the etching stopper film 4 and the low dielectric interlayer insulating film 5, and hence it is possible to reduce the remaining amount of such by-products.例文帳に追加

これにより上部保護膜６と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物、およびエッチングストッパ膜４と低誘電率層間絶縁膜５との界面に滞留した副生成物が放出され、副生成物の残留量を減少させることができる。 - 特許庁

On a substrate 1, a lower mask 7 composed of an inorganic interlayer film 5, an organic interlayer film 6 and a silicon oxide film and an upper mask 8 composed of a silicon nitride film are formed and a cover mask 10 composed of a silicon oxide nitride film in a thickness of 20 to 100 nm is formed on the upper mask 8.例文帳に追加

基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。 - 特許庁

A second conductive layer 13 of a ground potential is formed via a first interlayer insulating film 12 on a semiconductor substrate 11 of low resistance, such as the Si substrate and first and second conductive patterns 15 and 16 are formed via a thick (4.7 μm, for instance) second interlayer insulating film 14 on it.例文帳に追加

Ｓｉ基板等の低抵抗の半導体基板１１上に第１の層間絶縁膜１２を介してグランド電位の第２の導電層１３を形成し、その上に厚い（例えば４．７μｍ）第２の層間絶縁膜１４を介して第１、第２の導電パターン１５、１６を形成する。 - 特許庁

On the entire surface of the TMR element 5 as well as on the upper surface of the TMR lower electrode 28, an interlayer insulating film 30 formed of LT-SiN is formed, with an interlayer insulating film 32 of LT-SiN formed to cover the entire surface including the side surface of the TMR lower electrode 28.例文帳に追加

ＴＭＲ素子５の全面及びＴＭＲ下部電極２８の上面上にＬＴ−ＳｉＮより形成される層間絶縁膜３０が形成され、ＴＭＲ下部電極２８の側面を含む全面を覆ってＬＴ−ＳｉＮよりなる層間絶縁膜３２が形成される。 - 特許庁

A semiconductor device has a first wiring layer 13, an interlayer insulating layer 15 made on the first wiring layer 13, a via plug 16a made inside the interlayer insulating film 15 and made on the first wiring laeyr 13, and second wiring layers 17 and 19 connected with the via plug 16a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第１配線層１３と、第１配線層１３上に形成された層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５内に形成され第１配線層１３上に形成されたビアプラグ１６ａと、ビアプラグ１６ａと接続する第２配線層１７、１９とを有する。 - 特許庁

A region overlapping the conductive material layer 20 between the interlayer insulating layer 26 and the gate insulating layer 22, and the conductive material layer 20 are irradiated with a laser beam, thereby forming a via hole 28 piercing the interlayer insulating layer 26 and the gate insulating layer 22 but not piercing the conductive material layer 20.例文帳に追加

層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２との導電材料層２０にオーバーラップする領域と、導電材料層２０とにレーザ光を照射し、層間絶縁層２６とゲート絶縁層２２とは貫通するが、導電材料層２０は貫通しないビアホール２８を形成する。 - 特許庁

The pieces of the electrode wiring 19a and 19b connected electrically to the lower electrode 6a or the upper electrode 6c upward of the capacity element 6 from among each wiring 12, 19a and 19b are provided in an n+1-th layer interlayer insulating film 15 provided on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

各配線１２，１９ａ，１９ｂのうち、容量素子６の上方で下部電極６ａまたは上部電極６ｃに電気的に接続された電極用配線１９ａ，１９ｂは、層間絶縁膜８の上に設けられた第ｎ＋１層目の層間絶縁膜１５内に設けられている。 - 特許庁

Since in such a case, the first and second polymeric layers have poor interlayer adhesion in the absence of a boron-containing compound, the improvement comprises the inclusion of at least one boron-containing compound in one or both of the first and second polymeric layers in an amount sufficient to improve the interlayer adhesion therebetween.例文帳に追加

改良点は、該第一および第二重合体層の一方または両方に、該第一重合体層と該第二重合体層との間の層間接着性を向上させるのに十分な量で、少なくとも１種のホウ素含有化合物を含有させることを包含することにある。 - 特許庁

This semiconductor device is equipped with a lower conductive layer 124 formed on a semiconductor substrate 100, an interlayer dielectric layer 150 that covers the lower conductive layer 124, contact holes 160-164 formed inside the interlayer dielectric layer 150, and contact plugs 170-174 that embed the contact holes 160-164.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された下部導電層１２４、下部導電層１２４を覆う層間絶縁膜１５０、層間絶縁膜１５０内に形成されるコンタクトホール１６０〜１６４、及びコンタクトホール１６０〜１６４を埋めるコンタクトプラグ１７０〜１７４を備える。 - 特許庁

When the interlayer insulating film 22D is made of a negative type material, the predetermined region is exposed with an exposure amount larger than the exposure sensitivity and the region of the interlayer insulating film 22D except the predetermined region is exposed with an exposure amount larger than the exposure amount larger than the exposure sensitivity.例文帳に追加

一方、層間絶縁膜２２Ｄがネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い露光量で上記所定の領域を露光すると共にその露光量よりも高い露光量で層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域を除く領域を露光する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method where an interlayer insulating resin and the barrier metal of a plated wiring uppermost layer can obtain high adhesiveness, for a method for obtaining the adhesiveness between a fine wiring surface and the interlayer insulating resin especially in the wiring transfer method of a multilayer interconnection board.例文帳に追加

多層配線板の、特に配線転写工法における微細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリアメタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

This device contains a silicon substrate 10 on which a MOS element 14 and an element-isolation region 12 are formed, a first interlayer insulation layer 20 formed on the silicon substrate 10, and a metallic wiring layer 30 (and 50) formed on the first interlayer insulation layer 20.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置は、ＭＯＳ素子１４および素子分離領域１２が形成されたシリコン基板１０、シリコン基板の上に形成された第１の層間絶縁層２０、および第１の層間絶縁層より上に形成された金属配線層３０（および５０）を含む。 - 特許庁

A gate electrode 17 is disposed in a gate trench 15 formed on a silicon substrate 10, a top surface of the gate electrode 17 is coated with an interlayer dielectric 20, and the source electrodes 21 are disposed on the top surface of the interlayer dielectric 20 and above a top surface of the silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０に形成されたゲートトレンチ１５内にゲート電極１７が配置され、ゲート電極１７の上面が層間絶縁膜２０で被覆され、ソース電極２１が層間絶縁膜２０の上面およびシリコン基板１０の上面に配置されている。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 3 is formed on a semiconductor substrate 1, a contact hole 3a is formed on the interlayer insulating film 3, and a barrier metal layer 4 composed of a titanium (Ti) layer 4a and a nitride titanium (TiN) layer 4b is formed in a bottom part and the side wall of the contact hole 3a.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成した後に、コンタクトホール３ａの底部および側壁に、チタン（Ｔｉ）層４ａおよび窒化チタン（ＴｉＮ）層４ｂからなるバリアメタル層４を形成する。 - 特許庁

Therefore, since several kinds of interference type filter layers are respectively arranged on the different layer through the interlayer film, the interlayer film being foundation functions as an etching stopper or an etching buffer in the case of patterning the filter layers, and dry etching can be performed to realize the scale-down of the color filter.例文帳に追加

したがって、複数種類の干渉型フィルタ層が層間膜を介してそれぞれ別々の層に配置されているため、各フィルタ層をパターニングする際に、下地の層間膜画エッチングストッパ若しくはエッチングバッファとして機能し、ドライエッチングが可能となりカラーフィルタの微細化が可能となる。 - 特許庁

To provide a roughening method for Cu plating wiring which provides a higher firm sticking property of fine wiring and interlayer insulating layer relating to a method of obtaining the firm sticking property of the fine wiring and the interlayer insulating resin in manufacturing of a multilayered wiring board and satisfies electric characteristics.例文帳に追加

多層配線板の製造における微細配線と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、さらなる微細配線と層間絶縁層が高い密着性を得るとともに電気特性も満足するＣｕメッキ配線の粗化方法を提供する。 - 特許庁

Also, a Locos oxide film 12 is formed on the element region by thermal oxidation treatment, an interlayer insulation film 13 is formed on the Locos oxide layer 12, and a collector electrode 14, a base electrode 15, and an emitter electrode 16 through the interlayer insulation film 13 are connected.例文帳に追加

また、素子領域の上には、熱酸化処理によってＬｏｃｏｓ酸化膜１２が形成されており、このＬｏｃｏｓ酸化層１２の上には層間絶縁膜１３が形成され、層間絶縁膜１３を貫通するコレクタ電極１４、ベース電極１５、エミッタ電極１６が接続されている。 - 特許庁

To provide a highly durable transparent hard coating film which can assure interlayer adhesive properties even when a hard coating layer is laminated in order to solve problems which cannot assure a working easiness, which are further difficult to stabilize a surface modifying effect, and which do not hence stabilize the interlayer adhesive properties.例文帳に追加

作業容易性を確保できず、さらに表面改質効果を安定させることも困難であり、ひいては層間密着性が安定しない、という問題点を克服すべく、ハードコート層を積層しても層間密着性を確保可能とした、高耐久性透明ハードコートフィルムを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has stacked-layer gate electrodes (1 to 7) formed on a semiconductor substrate (1), and an interlayer insulating film (10A) formed on the semiconductor substrate (1) so as to embed itself between the stacked-layer gate electrodes (1 to 7), wherein the impurity concentration within the interlayer insulating film (10A) is nonuniform in the thickness direction.例文帳に追加

半導体基板(1)上に形成された積層ゲート電極(1〜7)と、半導体基板(1)上に、積層ゲート電極(1〜7)間を埋め込むように形成された層間絶縁膜(10A)とを備えた半導体装置であって、層間絶縁膜(10A)中の不純物濃度が、膜厚方向において不均一である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an interlayer capable of forming a range which almost does not have coloration without depending on its shape, freely and without forming distortion, at a colored part of an interlayer for a laminated glass for vehicle having a colored part for forming a shade band.例文帳に追加

本発明は、シェードバンド形成のための着色部を有する車両合わせガラス用中間膜の着色部に、その形状によらずに自在にかつ歪を生じさせずに着色の殆どない領域を形成させることが可能な該中間膜の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A tungsten film 7a is formed inside a connection hole 5 reaching the lower wiring layer 3 and on the surface of an interlayer insulating film 4 through a barrier metal layer (TiN film/Ti film) 6, and an etching back process is performed on the whole surface to form the tungsten plug 7 and to expose the barrier metal layer 6 on the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

下層配線層３に達する接続孔５内および層間絶縁膜４表面にバリアメタル層（ＴｉＮ膜／Ｔｉ膜）６を介してタングステン膜７ａを成膜し、全面エッチバックによりタングステンプラグ７を形成して層間絶縁膜４上のバリアメタル層６を露出させる。 - 特許庁

A groove portion 10 is formed on an interlayer insulating film 4 formed on a substrate, a barrier/seed film 6 is formed on an interlayer insulating film 3 including the inner wall of the groove portion 10, and a copper 7 is embedded in the groove portion 10 by an electrolytic method, with the barrier/seed film 6 used as an electrode.例文帳に追加

基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。 - 特許庁

As an ultraviolet absorber according to this invention, an interlayer insulating resin including fullerene is used thereby causing no deactivation of the ultraviolet absorber, while they pass through the heating step in the steps of usual drying and hardening and can obtain the interlayer insulating resin having the UV-laser processability.例文帳に追加

本発明の紫外線吸収剤としてフラーレンを含んでなる層間絶縁樹脂を用いることにより、通常、乾燥、硬化させる際に、加熱工程を通ることにより、紫外線吸収剤が失活せずに、ＵＶレーザーの加工性をもつ層間絶縁樹脂を得ることができる。 - 特許庁

In the organic electric field light-emitting element having an organic layer that includes first and second electron transport layers between an anode and cathode and an interlayer between the first and second electron transport layers, the interlayer includes non-metal complex.例文帳に追加

陽極及び陰極の間に、第一の電子輸送層、第二の電子輸送層、及び前記第一の電子輸送層と前記第二の電子輸送層の間に中間層を含む有機層を有してなり、前記中間層が、金属非含有錯体を含有する有機電界発光素子である。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 7 forming the substrate of the semiconductor chip 1, a first wiring layer 8, a first interlayer film 9, a second wiring layer 10, a second interlayer film 11, a third wiring layer 12, and an uppermost layer wiring coating film 15 are laminated from the side of the semiconductor substrate 7 in this order.例文帳に追加

半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。 - 特許庁

The layer (80) consists of a light shielding electrically conductive film and includes a second capacitive electrode which are placed opposite to a first capacitive electrode that is a portion of the capacitive line across the interlayer insulation film and a light shielding section that at least covers the scanning line partially from the top through the interlayer insulation film.例文帳に追加

中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第１容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第２容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。 - 特許庁