「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(50ページ目) - Weblio英語例文検索

To provided a structure in which an opening to an interlayer insulating film for multilayer wiring can be formed in a stable shape, even if the thickness of the interlayer insulating film that uses a silicon oxide film varies is a wafer surface, or even if there occurs a difference in wet-etching time in the wafer surface.例文帳に追加

シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: a semiconductor substrate on which element regions having a predetermined width are formed in a predetermined pitch; interlayer insulating films stacked on the semiconductor substrate; and first contacts that are each provided from the top surface of the interlayer insulating films to each element region and are connected to the element region.例文帳に追加

半導体装置は、所定ピッチで所定の幅の素子領域が形成された半導体基板と、半導体基板上に積層された層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上面から半導体基板の素子領域にかけて設けられ素子領域に接続される第１コンタクトとを備える。 - 特許庁

After a resin film 104 is removed selectively by photolithography and a protrusion pattern 104a is formed, the part of the protrusion pattern 104a projecting above the surface of an interlayer film 102 is ground and polished in chemical mechanical polishing(CMP) to planarize the interlayer film 102.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により樹脂膜１０４を選択的に除去して凸パターン１０４ａを形成した後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）法により、凸パターン１０４ａの層間膜１０２表面上に突出している部分を研削研磨し、層間膜１０２上を平坦化する。 - 特許庁

Then, a light shielding film 105 is formed in at least a region covering the memory cell 100 on the interlayer insulating film 106, and a part of this light shielding film 105 is formed so as to further extend into a film from the surface of the interlayer insulating film 106, in the vicinity of the bit line contact plug 109.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１０６上の少なくともメモリセル１００を覆う領域に、遮光膜１０５が形成され、当該遮光膜１０５の一部は、ビット線コンタクトプラグ１０９の近傍において、層間絶縁膜１０６の表面から膜中にさらに延出して形成されている。 - 特許庁

Using a condition that the interlayer insulating film is etched easier than the etching stopper film, the interlayer insulating film positioned below the first opening is etched until the upper surface of the wiring is exposed, and a second opening 15A forming a contact hole with the first opening, is formed.例文帳に追加

エッチングストッパ膜よりも層間絶縁膜がエッチングされやすい条件を用いて、配線の上面が露出するまで第１の開口部の下方に位置する層間絶縁膜をエッチングして、第１の開口部と共にコンタクトホールを構成する第２の開口部１５Ａを形成する。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁

A multilayer inductor 60 is provided with an inductor 64 of a first layer 64, an inductor 66 of a second layer formed on the inductor of the first layer via a first interlayer insulating film and an inductor 72 of a third layer formed on the inductor of the second layer via a second interlayer insulating film.例文帳に追加

本多層インダクタ６０は、１層目のインダクタ６４と、第１の層間絶縁膜６６を介して１層目のインダクタ上に形成された２層面のインダクタ６８と、第２の層間絶縁膜７０を介して２層目のインダクタ上に形成された３層目のインダクタ７２とを備えている。 - 特許庁

After an access transistor 2, a bit line 6 and a first interlayer insulating film 4 are formed on a semiconductor substrate 1, a plug 8 for electrically connecting the access transistor 2 and a ferroelectric capacitor 9 is formed in a contact hole provided in a predetermined region in the first interlayer insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１上にアクセストランジスタ２、ビット線６、第１の層間絶縁膜４を形成した後、第１の層間絶縁膜４の所定の領域に設けられたコンタクト穴にアクセストランジスタ２と強誘電体キャパシタ９とを電気的に接続するためのプラグ８を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a wiring board laminating an interlayer insulation layer 5 on a lower layer pattern 2 wherein a surface of the lower layer pattern 2 is roughened, tin displacement is plated on the surface of the roughened lower pattern 2, and then the interlayer insulation layer 5 is laminated on the lower layer pattern 2.例文帳に追加

下層パターン２上に層間絶縁層５を積層することよる配線基板の製造方法において，下層パターン２の表面を粗面化し，粗面化された下層パターン２の表面にスズ置換めっきを施し，その後その下層パターン２の上に層間絶縁層５を積層する。 - 特許庁

On one surface of a semiconductor substrate 1; an interlayer dielectric 4A, an Al wiring layer 5, the interlayer dielectric 4B, a Cu wiring layer 9A, a dielectric layer 12A, a Cu grounding layer 13, the dielectric layer 12B, the Cu wiring layer 9B, the dielectric layer 12C, and the Cu wiring layer 9C are successively provided.例文帳に追加

半導体基板１の一面に層間絶縁膜４Ａ、Ａｌ配線層５、層間絶縁膜４Ｂ、Ｃｕ配線層９Ａ、誘電体層１２Ａ、Ｃｕ接地層１３、誘電体層１２Ｂ、Ｃｕ配線層９Ｂ、誘電体層１２Ｃ、Ｃｕ配線層９Ｃが、順に設けられる。 - 特許庁

In a multilayer printed wiring board in which a conductive layer 1 and an interlayer resin insulated layer are alternately laminated, at least a part of the conductive layer 1 is formed by a dry process, and the interlayer insulated resin layer is constituted by an adhesive layer 3 and a dry processing insulated layer 2.例文帳に追加

導体層１と層間樹脂絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、導体層１の少なくとも一部がドライプロセスにより形成されており、層間絶縁樹脂層が接着剤層３とドライプロセス用絶縁層２とから構成されている多層プリント配線板。 - 特許庁

Pixel electrodes 50 and 50 arranged along a scanning line are formed on a second interlayer insulating film 14 and a data line 30 is disposed in a gap between the pixel electrodes 50 and 50 and a light shielding film 70 is formed on the lower side of the data line so as to cover the gap through a first interlayer insulating film 13.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４上には走査線に沿って並ぶ画素電極５０，５０が形成され、この画素電極５０，５０の隙間にはデータ線３０が配置され、その下側には遮光膜７０が第１の層間絶縁膜１３を介して隙間を覆うように形成されている。 - 特許庁

To provide a light control sheet in which change in light transmittance after applying voltage is completed in a very short time, a light controller using the light control sheet, an interlayer for laminated glass using the light control sheet, and laminated glass provided with the interlayer for the laminated glass.例文帳に追加

電圧を印加してから光透過率の変化が完了するまでの時間が極めて短い調光シート、該調光シートを用いてなる調光体、該調光シートを用いた合わせガラス用中間膜、及び、該合わせガラス用中間膜を備える合わせガラスを提供する。 - 特許庁

A first layer metal wiring 5 that is formed on a semiconductor substrate and a pad electrode 7 that is formed on the first layer metal wiring 5 through an interlayer dielectric and connected with the first layer metal wiring 5 through via holes 10 that are formed on the interlayer dielectric are provided.例文帳に追加

半導体基板上に形成された１層目メタル配線５と、１層目メタル配線５上に層間絶縁膜を介して形成され、層間絶縁膜に形成されたビアホール１０を通して１層目メタル配線５と接続されたパッド電極７が設けられている。 - 特許庁

To provide a compound having excellent heat-resistance, mechanical properties, electrical properties, physical properties, etc., and giving a material useful e.g. as an interlayer insulation film and protecting film of a semiconductor element, an interlayer insulation film of a multilayer printed circuit board, a cover coat of a flexible printed circuit board, an oriented liquid crystal film, etc.例文帳に追加

耐熱性、機械特性、電気特性、物理特性などに優れ、例えば半導体素子の層間絶縁膜、保護膜、多層配線基板の層間絶縁膜、フレキシブル配線板のカバーコート、液晶配向膜などに有用な新規な材料を与える化合物を提供する。 - 特許庁

After a viahole 24a extending to the surface of a polyaryl ether film 18 is opened by selectively etching a silicon oxide film 20, first thermal treatment is performed at 350°C for 10 minutes, water content is discharged from a second interlayer insulating film 22, and water content in the second interlayer insulating film 22 is reduced.例文帳に追加

シリコン酸化膜２０を選択的にエッチングしてポリアリールエーテル膜１８表面にまで達するビアホール２４を開口した後、温度３５０℃、１０分間の第１の熱処理を施し、第２層間絶縁膜２２から水分を放出して第２層間絶縁膜２２中の水分を低減する。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes a substrate 102, an interlayer dielectric 104 formed on the substrate 102, and the wiring 120 formed in the interlayer wiring film 104, and the wiring 120 includes a region which increases in width downward from a top surface in sectional view.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４中に形成された配線１２０と、を含み、配線１２０は、断面視において、最上面から下方にかけて幅が広くなる領域を有する。 - 特許庁

To provide a circuit breaker having insulating barrier attaching structure, capable of fixing firmly an insulating barrier without reducing remarkably a strength of an interlayer wall, even when a wall thickness of the interlayer wall for separating connection terminals of the circuit breaker in every pole is thin.例文帳に追加

回路遮断器の接続端子を各極毎に隔てる相間壁の壁厚が薄い場合でも相間壁の強度を著しく低下させることなく、絶縁障壁を強固に固定可能な絶縁障壁取り付け構造を有する回路遮断器を得ることを目的とする。 - 特許庁

Three-color interlayer insulating films 9B, 9G, 9R and a light-shielding film 47 constituting a color filter layer are layered on a storage capacitor line 15, and the layers of the three-color interlayer insulating films 9B, 9G, 9R and the light-shielding film 47 are used as a spacer between an array substrate 2 and a counter substrate 3.例文帳に追加

蓄積容量線１５上にカラーフィルター層を構成する３色着色層間絶縁膜９Ｂ，９Ｇ，９Ｒと遮光膜４７を積層し、この３色着色層間絶縁膜９Ｂ，９Ｇ，９Ｒと遮光膜４７の積層をアレイ基板２と対向基板３とのスペーサとした。 - 特許庁

A semiconductor device according to one embodiment includes: wiring 60 provided on a first interlayer dielectric film covering a semiconductor substrate 10; a cap layer 68 provided on an upper surface of the wiring 60; and a barrier film 62 provided between the wiring 60 and a second interlayer dielectric film.例文帳に追加

本実施形態の半導体装置は、半導体基板１０を覆う第１の層間絶縁膜上に設けられる配線６０と、配線６０の上面上に設けられるキャップ層６８と、配線６０と第２の層間絶縁膜との間に設けられるバリア膜６２と、を含む。 - 特許庁

Diameter of an opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 is larger than the diameter of the opening 15a of the protective insulation film 15, and edge of the opening 15a of the protective insulation film 15 is formed in such a way that it projects toward the inside of the opening of the recess 10 of the interlayer insulation film 9 like eaves.例文帳に追加

層間絶縁膜９の凹部１０の開口径は保護絶縁膜１５の開口部１５ａの開口径よりも大きく、且つ保護絶縁膜１５の開口部１５ａ側の端部は、層間絶縁膜９の凹部１０の側面から内側に突き出す庇状に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a capacitor comprising a cylinder interlayer insulating film made of a two-layer interlayer insulating film, a charge storage capacitance of which is increased in the lower of a cylinder hole by making a hole diameter at the lower of the cylinder hole larger than the hole diameter at the upper, and moreover, a leakage current of which is low.例文帳に追加

２層の層間絶縁膜からなるシリンダ層間絶縁膜を備え、シリンダ孔の下方の孔径を上方よりも大きくすることにより孔下方での電荷蓄積容量が増大されており、しかも、リーク電流の低いキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor element has: a first interlayer insulating film formed on a semiconductor substrate; a contact hole formed so as to penetrate through the first interlayer insulating film; a contact plug formed inside the contact hole; and a spacer partially covering an upper side wall of the contact plug in the contact hole.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜を貫通して形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの内部に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトホール内で前記コンタクトプラグの上部側壁を部分的に覆うスペーサと、を含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 having a main surface 1a, an interlayer insulation film 2 being formed on the main surface 1a and being overlying the semiconductor element provided on the main surface 1a, and a cooling path 3 being formed on the interlayer insulation film 2 and being for flowing cooling fluid therethrough.例文帳に追加

半導体装置は、主表面１ａを有する半導体基板１と、主表面１ａ上に形成され、主表面１ａに設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２に形成され、冷却用流体が流れる冷却路３とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the interlayer connecting structure comprises the steps of hitting a pin 1 to a prepreg 7 to cut the prepreg to a core plate 8 of a state in which both ends of the pin 1 are projected from the prepreg 7.例文帳に追加

プリプレグ７にピン１を打ち込んで切断し，ピン１の両端がプリプレグ７から突出した状態のコア板８とする。 - 特許庁

The surface of the recessed part formed in the porous interlayer insulating film is plasma-treated to form a modified region where density is locally increased.例文帳に追加

多孔質層間絶縁膜中に形成した凹部の表面をプラズマ処理し、局所的に密度が増大した変成領域を形成する。 - 特許庁

The contact parts 12 are configured to fill a via hole penetrating the third interlayer insulating film 23 with a high melting-point metal such as tungsten.例文帳に追加

コンタクト部１２は、第３層間絶縁膜２３を貫通するビアホールに、タングステンなどの高融点金属が充填された構成となっている。 - 特許庁

An insulating film is formed on an first interlayer insulating film 2, the insulating film is patterned so as to cover a through-hole forming region, and a projection 3 is formed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜２上に絶縁膜を形成し、スルーホール形成領域を覆うようにパターニングし、突出部３を形成する。 - 特許庁

To improve the structural strength of an interlayer insulating film as to withstand external load applied through chip pads mounted on the upper surface of a semiconductor chip.例文帳に追加

実施例は、半導体チップ上部のチップパッドを通じて加えられる外部荷重に対する層間絶縁膜の構造的強度を改善する。 - 特許庁

A via 116 and a wiring 117 connected to the diffusion layer of the MOS transistor 114 are formed on the interlayer insulating film 115.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１１５に、ＭＯＳトランジスタ１１４の拡散層に接続するヴィア１１６，及び配線１１７が形成されている。 - 特許庁

The seed layer 14 is composed of a lower layer 11, an interlayer 12 and an upper layer 13 laminated from the side of the lower shield layer 10.例文帳に追加

シード層１４は、下部シールド層１０の側から、下部層１１と中間層１２と上部層１３とが順に積層されたものである。 - 特許庁

An interlayer insulation film 22, of the same material provided on a base film 21, is then pressed against the insulation material 20 for adhesion, while being heated at a low temperature.例文帳に追加

次に、ベースフィルム２１に設けた同一材料の層間絶縁材２２を低温度で加熱しながら密着用絶縁材２０に押圧する。 - 特許庁

A hole-shaped aperture 105a is formed in a first stopper layer 105, which consists of an insulative material on a first interlayer insulating film 104.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１０４上の絶縁性材料からなる第１ストッパ層１０５に孔状の開口部１０５ａを形成する。 - 特許庁

A via-hole forming region 14b and a measurement pad region 14c are provided in a conductive layer 14 and an interlayer insulating film 15 is formed thereon.例文帳に追加

導電層１４に、ヴィア形成領域１４ｂと測定パッド領域１４ｃとを設け、その上に層間絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

To reduce the damages generated in test pads, interlayer insulating films, semiconductor elements, and wiring when electrically inspecting a semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

半導体集積回路装置の電気的検査時においてテストパッド、層間絶縁膜、半導体素子および配線に生じるダメージを低減する。 - 特許庁

The phase-change substance pattern is directly, in contact with a conductive film pattern in a plate line contact hole penetrating the upper interlayer insulating film.例文帳に追加

前記相変化物質パターンは前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホール内の導電膜パターンと直接接触する。 - 特許庁

The portion of the interlayer insulating film interposed by the via plugs 1a to 1c and the via plugs 2a to 2c is made to function as a capacitor dielectric film.例文帳に追加

ビアプラグ１ａ〜１ｃとビアプラグ２ａ〜２ｃとによって挟まれている部分の層間絶縁膜が、キャパシタ誘電体膜として機能する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 is provided on the whole and a plurality of via plugs penetrating the film 12 are provided on the electrode 10.例文帳に追加

全体に層間絶縁膜１２が設けられ、ゲート電極１０上に、層間絶縁膜１２を貫通するビアプラグ１４が複数個設けてある。 - 特許庁

The method for cutting the laminated glass comprises cutting the laminated glass 10 obtained by interposing an interlayer film 13 between a couple of glass sheets 11, 12, and unifying them.例文帳に追加

１対のガラス１１、１２の間に中間膜１３を挟み込んで一体化させて構成した合わせガラス１０を切断する方法である。 - 特許庁

To provide a biaxially-oriented multilayer stretched film for packaging having excellent impact resistance, pinhole resistance, tensile strength, interlayer peel-strength and gas-barrier properties.例文帳に追加

優れた耐衝撃性、耐ピンホール性、引張強度、層間剥離強力、ガスバリヤー性をする、包装用２軸配向多層延伸フィルムを提供する。 - 特許庁

A wiring structure for semiconductor device has a plurality of wiring layers 14, 16, and 18 which are respectively formed through interlayer insulating films.例文帳に追加

本半導体装置の配線構造は、それぞれ層間絶縁膜２０、２２を介して形成された複数層の配線１４、１６、１８を有する。 - 特許庁

To obtain a method of forming a low-permittivity interlayer insulating film, which is high in moisture resistance and satisfactory in heat resistance, and a semiconductor device provided therewith.例文帳に追加

耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Second layer Cu wirings 12, an interlayer connection Cu wiring 13 and second layer TaN films 14 are formed in the grooves 10 and the hole 11.例文帳に追加

溝１０および孔１１に第２層Cu配線１２、層間接続用Cu配線１３、第２層TaN膜１４を形成し、半導体装置を得る。 - 特許庁

The first layer low-dielectric-constant interlayer insulating film 11a is arranged to be brought into contact on a semiconductor wafer to form Cu wiring 10.例文帳に追加

半導体基板９の上に、これに接触させて第１層低誘電率層間絶縁膜１１ａを設け、Ｃｕ配線１０を形成する。 - 特許庁

The sidewall coating film 8 is formed on the sidewall of the coating film 6 and contains a material, having an etching rate different from that of the interlayer insulating film 9.例文帳に追加

側壁被覆膜８は、被覆膜６の側壁上に形成され、層間絶縁膜９と異なるエッチング速度を示す材料を含む。 - 特許庁