「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

A stress-relaxing film 9 constituted of a polyimide film is interposed between the interlayer insulating film 3 on the MOS transistor 4 and the electrode pad 2.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ４上の層間絶縁膜３と電極パッド２との間にポリイミド膜から成る応力緩和膜９が介在している。 - 特許庁

The unnecessary conductor layer 5 formed on the interlayer insulation film 2 is polished and removed by CMP until the barrier metal 4 is exposed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に形成されている不要な導電層５を、ＣＭＰを用いてバリアメタル４が露出するまで研磨除去する。 - 特許庁

In a first step, an interlayer insulation film 18 wherein a concave 19 up to a semiconductor substrate 11 is formed on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上に、半導体基板１１に達する凹部１９が設けられた層間絶縁膜１８を形成する工程を行う。 - 特許庁

Further, an electrode, wiring, interlayer insulating film etc. are formed onto the semiconductor device substrate thus manufactured to complete it as a semiconductor.例文帳に追加

また、そのようにして製造された半導体装置用基材の上に、電極、配線、層間絶縁膜等を形成して半導体装置とする。 - 特許庁

To provide an interlayer for a laminated glass consisting of a laminated body of a PVB resin layer in which migration of a plasticizer is suppressed and an EVA resin layer.例文帳に追加

可塑剤の移行が抑制されたＰＶＢ樹脂層とＥＶＡ樹脂層との積層体からなる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

A lower capacitor electrode 24 is formed on an interlayer insulating film 35, and its electrode wire is extended to the surface of a ferroelectric memory element.例文帳に追加

下部容量電極２４は、層間絶縁膜３５上に形成され、その電極線は強誘電体記憶素子の表面まで通っている。 - 特許庁

To provide the interlayer of an orientational substrate for forming an epitaxial film that enables formation of an epitaxial film having high orientation.例文帳に追加

エピタキシャル膜形成用配向基板の中間層であって、高い配向性を有するエピタキシャル膜を形成可能とするものを提供する。 - 特許庁

To provide an electric circuit multilayer board where dielectric layers formed of mica or the like are protected against cleavage or interlayer delamination and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

マイカ等からなる誘電体層のへき開や、層間剥離が防止された電気回路用多層基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The anode contains a carbon material, the carbon material has an interlayer distance d002 longer than that of graphite and is capable of being inserted with sodium ions.例文帳に追加

アノードは炭素物質を含み、前記炭素物質は層間距離ｄ００２がグラファイトのそれよりも大きくナトリウムイオンを挿入可能である。 - 特許庁

In the outer peripheral area 114, a dummy via 136 composed of a metal material is formed in the second interlayer insulating film 122.例文帳に追加

外周領域１１４において、第二の層間絶縁膜１２２中に、金属材料により構成されたダミービア１３６が形成される。 - 特許庁

To provide a method of dry-etching a low-permittivity interlayer insulating film which brings forth a small CD loss, causes no damage to the film, and is set less pattern-dependent than usual.例文帳に追加

ＣＤロスが小さく、膜ダメージもなく、また、パターン依存性の抑制された低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法の提供。 - 特許庁

To minimize occurrence of peeling of a film on the interface of the film, or leakage between adjacent interconnects in an interlayer insulating film having film quality regions different from each other.例文帳に追加

相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。 - 特許庁

The film thickness around the terminal parts of the interlayer insulating film is reduced.例文帳に追加

しかし、この効果を得るためには、比較的厚い層間絶縁層が必要となり、周辺回路チップを端子部に接続する際、その信頼性が低下する。 - 特許庁

A total content of B2O3 and P2O5 in a BPSG of an interlayer insulating film is set to a range of 8 to 15 mol%, and hence a smooth reflow shape is obtained.例文帳に追加

層間絶縁膜のＢＰＳＧ中のＢ_2 Ｏ_3 とＰ_2 Ｏ_5 の総和の含有率を８〜１５mol%の範囲とし、滑らかなリフロー形状を得る。 - 特許庁

To provide a conductive paste in which there is no occurrence of gas generation or swelling accompanied with that, and in which interlayer connection of high reliability can be achieved.例文帳に追加

ガス発生やそれに伴う膨れの発生がなく、信頼性の高い層間接続を実現することが可能な導電ペーストを提供する。 - 特許庁

The polymeric-inorganic hybrid material is suitable as materials for manufacturing reflection-preventing films, optical waveguides, and interlayer insulating films.例文帳に追加

本発明の高分子−無機ハイブリッド材料は、反射防止膜、光導波路、層間絶縁膜を製造するための材料として好適である。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer in which the diffusion of a metal component of a metal plating film formed on a barrier metal film from the metal plating film into an interlayer insulating film is prevented.例文帳に追加

バリアメタル膜上に形成される金属めっき膜から、その金属成分が層間絶縁膜に拡散することを防止すること。 - 特許庁

Wiring includes a first line 18 and a second line 20 formed on the first line 18 via a second interlayer insulation film 19.例文帳に追加

配線として、第１配線１８と、第１配線１８上に第２層間絶縁膜１９を介して形成される第２配線２０を有する。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film which is suitably used as a low dielectric constant interlayer insulating film of a semiconductor element device etc.例文帳に追加

半導体素デバイスなどにおける低誘電率層間絶縁膜として使用するのに適した絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which restrains an electric field applied to a protection film or interlayer dielectric film included in the semiconductor device and improves dielectric breakdown voltage.例文帳に追加

半導体装置が有する保護膜や層間絶縁膜にかかる電界を抑制し、半導体装置の絶縁破壊耐圧を向上する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a magnetic core which is kept high in interlayer insulating properties and shock resistance and excellent in productivity even after it is subjected to a thermal treatment.例文帳に追加

熱処理後においても、磁気コアの層間絶縁性、耐衝撃性が強く、かつ、生産性に優れる磁気コアの製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the film peeling damages of the interlayer insulation film, etc. of a semiconductor wafer which are generated in its periphery, in a CMP for forming its damascene wiring.例文帳に追加

ダマシン配線を形成するＣＭＰにおいて半導体ウエハ周辺部での層間絶縁膜等の膜剥がれ損傷を低減させる。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device by surely preventing crack from advancing inward from the circumferential edge of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の周縁から内部に向けて伝播するクラックの進行を確実に止め、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A recording mark is formed in the recording track of a radial direction adjacent to each recording mark by shifting only an interlayer half in a depth direction.例文帳に追加

個々の記録マークに対して半径方向隣の記録トラックでは深さ方向に層間の半分だけずらして記録マークを形成する。 - 特許庁

This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer.例文帳に追加

実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第１導電型伝導層と、該第１導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第２導電型伝導層を含む。 - 特許庁

The recessed portion 14c will not reach the upper surface of the sidewall 5 from the upper surface of the interlayer insulating film 9, at a portion specifying the bottom surface of the opening portion 11a3.例文帳に追加

凹部１４ｃは、開口部分１１ａ３の底面を規定している部分の層間絶縁膜９の上面から、サイドウォール５の上面にまで到達しない。 - 特許庁

Each of contacts 31 and 32 comes into contact with the P-type layer 20 for filling into each of contact holes 70H1 and 70H2, formed in an interlayer insulating film 70.例文帳に追加

層間絶縁膜７０に形成された各コンタクトホール７０Ｈ１，７０Ｈ２内に各コンタクト３１，３２がＰ型層２０に接して充填されている。 - 特許庁

In this manufacturing method, after an MOS type transistor TR is formed on the surface of a semiconductor substrate 10, an interlayer insulating film 24 is formed covering the transistor TR.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にＭＯＳ型トランジスタＴＲを形成した後、トランジスタＴＲを覆って層間絶縁膜２４を形成する。 - 特許庁

The first stopper film 5 and the second stopper film 6 function as an etching stopper when contact holes for the contacts 81, 82 are formed at an interlayer dielectric 7.例文帳に追加

第１ストッパ膜５および第２ストッパ膜６は、層間絶縁膜７にコンタクト８１，８２のためのコンタクトホールを形成する際のエッチングストッパとして機能する。 - 特許庁

To enhance reliability of an element, while increasing the manufacturing yield by preventing an interlayer insulation film on a copper film from being stripped when copper interconnections are formed by a damascene interconnection technology.例文帳に追加

ダマシン法による銅配線の形成において、銅膜上の層間絶縁膜の剥離を防止して、歩留まりおよび素子の信頼性を向上させること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can form a wiring trench pattern in a hard mask film on an interlayer insulating film in a non-stepped state.例文帳に追加

層間絶縁膜上のハードマスク膜に配線溝パターンを段差のない状態で形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, a through hole type interlayer connection hole 6 is formed which electrically connects circuit layers 3 formed on both top and reverse surfaces of an insulating substrate 2.例文帳に追加

これにより、絶縁基板２の表裏両面に形成された回路層３を電気的に接続するスルーホール型の層間接続穴６が形成されている。 - 特許庁

A conductive interlayer insulating film 5 is separated from a neighboring memory cell column and is disposed at a highest point and a side upper part of the first conductive layer 3.例文帳に追加

導電層間絶縁膜５が、隣接するメモリセルカラムから分離して第一導電層３の頂部上及び側面上部に配置されている。 - 特許庁

To provide a printed-wiring board that can maintain reliable interlayer connection even if a conductor bump is miniaturized, and a method for manufacturing the printed-wiring board.例文帳に追加

導体バンプを小型化しても層間接続の信頼性が高いプリント配線基板及びそのようなプリント配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacture method of a semiconductor device, which can suppress occurrence of peeling remainder in a connection hole, when the connection hole is formed in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に接続孔を形成する際に接続孔内に剥離残りが発生するのを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, which can use a photosensitive polyimide film as the constituent member, such as a interlayer insulating film, in the interior of a chip.例文帳に追加

感光性ポリイミド膜を層間絶縁膜などのチップ内部の構成部材として使用できる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent capacitance increase between wirings, in the case where a laminated film made of a high dielectric film and a low dielectric film is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜として、高誘電率膜／低誘電率膜の積層膜を用いた場合における、配線間容量の上昇を防止すること。 - 特許庁

Thus, both ends of the pin 1 are collapsed and connected to a pattern of the board 10, and the pin 1 is formed in the interlayer connecting structure of the inner layers to each other.例文帳に追加

すると，ピン１の両端が押し潰されて両面配線板１０のパターンと接続され，ピン１が内層同士の層間接続構造をなす。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition less liable to affect a base used in the formation of a protective film, an interlayer dielectric or the like and excellent in coating performance.例文帳に追加

保護膜や層間絶縁膜などを形成する際に使用する下地に対する影響が少なく、塗布性能の優れた感光性組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for metal which has high polishing speed in an interlayer insulation film, prevents polishing scratches from occurring on the surface to be polished, and has the surface to be polished having high flatness.例文帳に追加

層間絶縁膜の研磨速度が大きく、被研磨面に研磨傷を発生させず、被研磨面の平坦性が高い金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

The memory device also comprises a second diffused barrier film 15 formed on the film 14, and a third interlayer insulating film 16 formed on the film 15.例文帳に追加

第１バッファ膜１４上には第２拡散バリア膜１５を形成し、この第２拡散バリア膜１５上には第３層間絶縁膜１６を形成している。 - 特許庁

To provide an electronic device manufacturing method with which a highly reliable low-resistance interlayer connection can be achieved by using fine connecting holes having high aspect ratios.例文帳に追加

微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a connection method, whereby inter-layer connection can surely be attained and the interlayer connection with high reliability can be achieved, and to provide a circuit board employing the connection method.例文帳に追加

確実に層間接続を達成でき、かつ信頼性の高い層間接続ができる接続方法と、それを用いた回路基板を提供すること。 - 特許庁

In an edge where the opening 12 of the interlayer insulating film 30 is formed; an inclined surface 32 having an inclination angle θ is formed, and a stress is released on this inclined surface.例文帳に追加

層間絶縁膜３０の開口部１２を形成する縁部において、傾斜角θの傾斜面３２を形成し、この傾斜面で応力を緩和する。 - 特許庁

Electric field relieving shields 3 are arranged on the inner diameter side and the outer diameter side of a high voltage winding 2 constituted by winding and overlapping a metal sheet 21 and an interlayer insulating sheet 4.例文帳に追加

金属シート２１と層間絶縁シート４を共に巻き重ねて構成した高圧巻線２の内径側と外径側に電界緩和シールド３を配置する。 - 特許庁