「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(57ページ目) - Weblio英語例文検索

An A1 wiring 2 and an interlayer insulating film 3 are laminated on a semiconductor substrate 1, and these layers are connected by a via hole 4.例文帳に追加

半導体基板１上にＡｌ配線２及び層間絶縁膜３が積層され、それぞれの層をビアホール４により接続している構成である。 - 特許庁

To provide laminated glass constituted by laminating glass plates and a resinous interlayer film, excellent in appearance and cuttability, and provided with both fire protection performance and crime prevention performance.例文帳に追加

ガラス板と樹脂中間膜を貼り合わせた構成で、防火性能と防犯性能とを兼ね備え、カット性や外観にも優れた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The protrusion part 28 is constituted of a part of the interlayer insulating film 38 and protruded to the liquid crystal layer 13 side than the pixel electrode 21.例文帳に追加

そして、突出部２８は、層間絶縁膜３８の一部により構成されると共に、画素電極２１よりも液晶層１３側に突出している。 - 特許庁

After one or more layers of conductive members 66 and 70 and interlayer insulating films 62 and 68 are formed on the silicon nitride film 60, an opening 74 is formed to the film 60.例文帳に追加

この上に一層以上の導電部材66、70および層間絶縁膜62、68を形成した後に、シリコン窒化膜60に到達する開口部74を形成する。 - 特許庁

An insulating film and a conductive metal film are deposited, and an interlayer insulating film 222 and a shielding film 223 are formed by etching using photoresist layers.例文帳に追加

絶縁膜及び導電性金属膜を成膜してフォトレジスト層を用いてエッチングにより層間絶縁膜２２２及び遮光膜２２３をそれぞれ形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, which do not generate a cavity in a contact-wiring plug formed in an interlayer insulating layer.例文帳に追加

層間絶縁層に形成されるコンタクト配線プラグに、空洞部を生じさせることのない、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A control gate 15 is formed on a field oxide film 3 in a memory element region, and an interlayer silicon oxide film 17 is formed on the surface of the control gate 15.例文帳に追加

メモリ素子領域のフィールド酸化膜３上にコントロールゲート１５が形成され、その表面に層間シリコン酸化膜１７が形成されている。 - 特許庁

In the drawing, a barrier metal layer BMTL is formed to touch at least the contact region, i.e., diffusion layer 13, formed beneath an interlayer insulation film 12.例文帳に追加

図において、少なくとも層間絶縁膜１２下層のコンタクト領域である拡散層１３に接触するバリアメタル層ＢＭＴＬが形成されている。 - 特許庁

To provide a new magnetoresistance effect element enabled to exert a high magnetoresistance effect without causing the problems of low resistance and interlayer coupling.例文帳に追加

低抵抗及びインターレイヤーカップリングの問題を生じることなく、高い磁気抵抗効果を発現できるような新規な磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

A plug 112 is buried in a contact hole 111 formed in an interlayer insulation film 110n deposited on the polymetal gate electrode 103.例文帳に追加

ポリメタルゲート電極１０３の上に堆積された層間絶縁膜１１０ｎに形成されたコンタクトホール１１１にはプラグ１１２が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a printed circuit board having secure interlayer connection by conductive paste, a low electric resistance and highly reliable connection, and to provide a method of manufacturing the printed circuit board.例文帳に追加

導電性ペーストによる層間接続が確実であり、電気抵抗が低く接続の信頼性も高いプリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

Conductor wires are formed on the slope surface 4a of the resin block 4, and interlayer connection conductors 5 are formed so as to be conducted to the first conductor planes 2.例文帳に追加

樹脂ブロック４の斜面４ａに導体配線を形成し、層間接続導体５を第１面内導体２と導通するように形成する。 - 特許庁

To provide a light-storage mark line which does not require laying of electric wires or maintenance, is easy to mold, and does not cause interlayer peeling, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

電線の敷設や、メンテナンスが不要で、成形が容易で、層間剥離を惹起することの無い蓄光標識ライン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayered molded product, with a polyamide-based resin as an outer layer, which shows excellent interlayer adhesive force, especially a multilayered molded product featuring the use of a fluororesin in the inner layer.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂を外層とする層間接着力に優れた多層成形体、特に、内層にフッ素系樹脂を用いた多層成形体を提供する。 - 特許庁

On each of the photodiodes PD1, PD2, the surface in contact with the second interlayer insulating layer 140 is flat, while top surface for receiving light has a given curvature.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２は、第２層間絶縁層１４０との接触面は平らであるが、光を受信する上部面は一定した曲率を有する。 - 特許庁

To provide an optical drive device which can perform layer identifying processing even if an interlayer distance is small while avoiding division of a main beam receiving face as much as possible.例文帳に追加

メインビーム受光面の分割をできるだけ避けつつ、層間距離が小さくても層認識処理を行える光学ドライブ装置を提供する。 - 特許庁

As a result, the high-quality circuit board having stable electrical connections by means of the interlayer connection means by the conductive paste is provided.例文帳に追加

これにより、導電性ペーストによる層間接続手段による電気的接続が安定した、高品質の回路基板を提供できるものである。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device capable of suppressing the thickening of an interlayer dielectric and increasing the number of interconnection layers in a peripheral circuit region.例文帳に追加

層間絶縁膜の厚膜化を抑制しつつ、周辺回路領域の配線層数を増加させることのできる光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To prevent damage to an interlayer dielectric and a final insulation film by lateral stress caused by a sideslip of the tip of a probing needle on a pad.例文帳に追加

パッド上でのプローブ針の先端の横滑りに起因する横方向の応力による層間絶縁膜や最終絶縁膜の損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a surface coated cutting tool where a hard coating layer has excellent interlayer hard adhesion strength in the high speed cutting of a work material with a high welding property.例文帳に追加

溶着性の高い被削材の高速切削加工で、硬質被覆層がすぐれた層間密着強度を有する表面被覆切削工具を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circuit board, capable of forming a high-density wiring pattern and reliably performing interlayer connection using a conductive paste.例文帳に追加

高密度な配線パターンを形成して、確実に導電性ペーストによる層間接続を行うことができる回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the meantime, between a static electricity preventing line 230 and a ground line 210 formed more on the outer side than the terminal 200, only an interlayer insulating film is formed.例文帳に追加

一方、端子２００よりも外側に形成された静電気防止線２３０とアース線２１０との間には層間絶縁膜のみを形成する。 - 特許庁

The electrodes 19 in the second wiring layer 12 and the first wiring layer 11 are connected electrically by a bump 20 which is an interlayer adhesive member.例文帳に追加

第２の配線層１２における電極部１９と、第１の配線層１１とは、層間接合部材であるバンプ２０により電気的に接続されている。 - 特許庁

A wiring HL1 which will become a source wiring or a drain wiring is formed on a first interlayer insulating film layer on the high withstand voltage MISFET.例文帳に追加

そして、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ上の１層目の層間絶縁膜上にソース配線あるいはドレイン配線となる配線ＨＬ１が形成されている。 - 特許庁

When it turns into an oxide of copper, since the diffusion of copper into an interlayer insulating film becomes slow, there is no diffusion in the treatment of the subsequent processes.例文帳に追加

銅酸化物になると、銅の層間絶縁膜への拡散が遅くなり、後の工程の処理等により層間絶縁膜中へ拡散することはなくなる。 - 特許庁

The end 7 of a pad electrode 4 formed on a semiconductor substrate 1 including a patterned interlayer insulation film 3 is covered by a plated layer 5 without leaving any space in-between.例文帳に追加

パターニングされた層間絶縁膜３を含む半導体基板１上に形成されるパッド電極４の端部７をメッキ層５で隙間なく被覆する。 - 特許庁

On a first interlayer insulating film 12 extended from the integrated circuit region 31, three dummy insulation film patterns 20 are formed at a fixed interval.例文帳に追加

集積回路領域３１から延びた第１層間絶縁膜１２上に、３つのダミー絶縁膜パターン２０が一定間隔で形成されている。 - 特許庁

In a stacked type semiconductor memory device using the variable resistor film, a trench 2a is formed in an interlayer insulating film 2 of the perimeter of a conductive pattern 4.例文帳に追加

可変抵抗膜を用いたスタック型の半導体メモリ装置において、導電パターン４の周辺の層間絶縁膜２に溝２ａを形成する。 - 特許庁

To prevent the diffusion of copper ions from a copper interconnection line in an initial stage of the film formation of a low dielectric-constant interlayer insulation film having a capability of preventing the diffusion of copper ions.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能を持つ低誘電率の層間絶縁膜の成膜初期における銅配線からの銅イオンの拡散を防止する。 - 特許庁

The bottom surface of the cavity 3A includes a substrate electrode 12 facing the fixed electrode 9 and same-potential electrode 10 with respect to an interlayer dielectric 11.例文帳に追加

また、キャビティ３Ａの底面には、層間絶縁膜１１を挟んで固定電極９および同電位電極１０と対向した下地電極１２を設ける。 - 特許庁

Also, on the lower side of the pad 1, the first interlayer insulating film 3 is not provided with wiring for electrically connecting the first wiring 12 with each other.例文帳に追加

また、パッド１の下側において、第１の層間絶縁膜３には、第１の配線１２同士を電気的に接続する配線は設けられていない。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate having a metal film that allows the formation of a highly precise metal wiring having excellent adhesion to a substrate or an interlayer insulating resin film.例文帳に追加

基板又は層間絶縁樹脂膜との密着性に優れた高精細な金属配線を可能とする金属膜付基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitance lines are laminated on the scanning lines via an interlayer insulating film and formed of a conductive film different from that of the data lines and the scanning lines.例文帳に追加

容量線は、走査線上に層間絶縁膜を介して積層され且つデータ線及び走査線とは異なる導電膜から形成されている。 - 特許庁

The dummy interconnect line 13 is arranged not to overlap a region 15 obtained by projecting the active region 5 to the first interlayer insulating film 10.例文帳に追加

このとき、ダミー配線１３は、活性領域５を第１層間絶縁膜１０に投影して得られる領域１５と重ならないように配置する。 - 特許庁

A BPSG oxide film 11 which is to become an interlayer insulating film is formed on the capacitive polysilicon film 10 and is flattened through chemical- polishing method(CMP).例文帳に追加

容量ポリシリ膜１０の上に層間絶縁膜となるＢＰＳＧ酸化膜１１を形成しＣＭＰ（化学的研磨方法）により平坦化を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming the interlayer insulating film 2 on a semiconductor substrate 1, then polishing the film 2 by the chemically mechanical polishing method, and flattening the film 2.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成した後、この層間絶縁膜２を化学的機械研磨法により研磨して平坦化する。 - 特許庁

Thus, it is unnecessary to form openings for connecting the upper and lower rewirings in the interlayer insulation films 9, 12, 14, and 17 by means of photolithographic method.例文帳に追加

これにより、各層間絶縁膜９、１２、１４、１７に、その上下の再配線を接続するための開口部をフォトリソグラフィ法により形成する必要はない。 - 特許庁

Subsequently, an MOS-FET 6 (metal oxide silicon-field effect transistor) is formed on the principal surface of the substrate 1SA, and an interlayer dielectric 8a is deposited on the principal surface of the substrate 1SA.例文帳に追加

続いて、基板１ＳＡの主面にＭＯＳ・ＦＥＴ６を形成した後、基板１ＳＡの主面上に層間絶縁膜８ａを堆積する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, wherein a liner layer is used for an interlayer insulating film, while keeping the performance of a high-breakdown strength element satisfactory.例文帳に追加

層間絶縁膜にライナー層を用いつつ高耐圧素子の性能を良好に保つ半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The printed circuit board 11 comprises a build-up layer 30 which is formed by alternately laminating a second internal layer conductor 60 and interlayer insulating layers 31, 61.例文帳に追加

本発明のプリント配線基板１１は、第２内層導体６０と層間絶縁層３１，６１とを交互に積層してなるビルドアップ層３０を備える。 - 特許庁

To provide a processing method and a processing apparatus of a semiconductor device for improving characteristics in an interlayer film formed under a sputtered film.例文帳に追加

スパッタ膜下の層間膜の膜特性を向上させる事が可能である半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method which can suppress a separation of an interlayer film or a residue of a Cu film outside of a wiring trench in a damascene wiring process.例文帳に追加

ダマシン配線プロセスにおける層間膜剥れや配線溝外のＣｕ膜残存を抑えることが可能な半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board in which a desired electric characteristic is realized, occurrence of interlayer peeling is suppressed and which has high dimensional precision, and to provide a manufacturing method of the board.例文帳に追加

所望の電気特性を実現して層間剥離の発生を抑えられた、寸法精度の高い多層回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit board having a double side structure or a multilayer structure which has high density and an excellent wiring housing function and achieves stable interlayer electrical connection.例文帳に追加

高密度で高い配線収容性を備え、層間の電気的接続が安定した両面あるいは多層構造の回路基板を提供する。 - 特許庁

At that time, the electrode 3b is arranged in the viahole 5 and bonded with the interlayer connecting material 6, and then a joining part thereof is sealed with the thermoplastic resin.例文帳に追加

その際、電極３ｂはビアホール５内に配置されつつ層間接続材料６と接合し、当該接合部は熱可塑性樹脂により封止されている。 - 特許庁