「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(60ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a friction material which ensures prevention of interlayer separation and suppresses lowering of flexibility when being used as the friction material.例文帳に追加

層間剥離を確実に防止することができ、しかも摩擦材として使用した際の弾力性の低下を抑制することができる摩擦材を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a low dielectric constant film is used as an interlayer insulating film, and highly reliable multi-layer wiring formed by a single damascene method is arranged.例文帳に追加

低誘電率膜を層間絶縁膜として用い、シングルダマシン法により形成した、信頼性の高い多層配線を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

When electroplating is performed, a Cu plating film 8 is formed on the surface part of the interlayer insulation film 2 and in the wiring trenches 3 and wide wiring trenches 3a.例文帳に追加

電解メッキ処理を行うと、層間絶縁膜２の表面部分および配線溝３と幅広配線溝３ａの内部にＣｕメッキ膜８が成膜される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 4 on the top of first metal wiring 3 is opened, and in this opening part, second metal wiring 6 wider than the cutting part of the fuse is provided.例文帳に追加

第１メタル配線３の上部の層間絶縁膜４を開口し、この開口部にヒューズ切断箇所より広い第２メタル配線６を設ける。 - 特許庁

Similarly, a hemispherical opening 210 is formed in a via forming region on the interlayer resin layer 190 so as to expose a part of a wiring pattern 170.例文帳に追加

同様に、層間樹脂層１９０におけるビアの形成領域に、配線パターン１７０の一部を露出させる半球状開口部２１０が形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 26 is made all over these, and further a metallic shading film 27, which has a light receiving window 27w, is made above the photosensor 21.例文帳に追加

これら上に層間絶縁膜２６を全面的に形成させ、更に、フォトセンサ２１の上方に受光窓２７ｗを有する金属遮光膜２７を形成させる。 - 特許庁

To provide a hollow multi-layer container having barrier properties, which is excellent in degree of freedom in design of a container, barrier properties, interlayer bonding properties and mechanical properties.例文帳に追加

容器デザインの自由度、バリア性、層間接着性、機械的特性が良好なバリア性多層中空容器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second conductive layer 10 is formed on the conductive interlayer insulating film 8a so that the bottom face of the second conductive layer 10 has contact with the upper end surface of the element isolation insulating film 7.例文帳に追加

第二導電層１０が、底面が素子分離絶縁膜７の上部端面に接し、導電層間絶縁膜８ａ上に配置されている。 - 特許庁

To provide a multi-layer blow-molded container which exhibits outstanding gas barrier properties, excellent interlayer adhesive properties, superb heat stability, and can be manufactured at a low cost.例文帳に追加

ガスバリア性に優れ、層間接着性が良好であり、かつ熱安定性に優れ、しかも製造コストの低い多層ブロー成形容器を提供すること。 - 特許庁

To restrain the deterioration of write speed of a flash memory by suppressing bird's beak generated in an interlayer film interposed between a floating gate and a control gate for a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの浮遊ゲートと制御ゲートとの間に介在する層間膜において生ずるバーズビークを抑えて、フラッシュメモリの書き込み速度の低下を抑制する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multilayered laminated board by which circuit boards can be laminated upon another without causing interlayer positional deviations and, at the same time, is excellent in productivity.例文帳に追加

回路板が層間位置ずれすることなく積層することができると共に生産性に優れている多層積層板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A contact hole is formed at an interlayer insulating film 101, and a tangsten film is formed on the overall structure on the basis of a CVD method after forming a barrier metal 102.例文帳に追加

層間絶縁膜１０１にコンタクトホールを形成し、バリアメタル１０２を形成後、全体構造上にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する。 - 特許庁

The surface of the end 31 of a diffusion layer 30 adheres to the surface of the end 21 of a catalyst layer 20 to make the volume of an interlayer air gap zero.例文帳に追加

拡散層３０の端部３１表面と触媒層２０の端部２１表面とが密着することで層間空隙の体積をゼロとさせている。 - 特許庁

To provide a method for forming a low-resistive interconnect structure on and in a rigid low-k interlayer dielectric layer.例文帳に追加

機械的剛性のある低ｋ層間誘電層及び低ｋ層間誘電層内に低抵抗な相互接続構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and a manufacturing method for manufacturing a circuit board which is high in reliability of interlayer connections and superior in stability.例文帳に追加

本発明は、層間接続の信頼性が高く、安定性に優れた回路基板を製造する製造装置と製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which enables easy pattern formation of an interlayer insulation film for a capacitor having a high dielectric constant and high heat resistance by photolithography.例文帳に追加

高誘電率、高耐熱のキャパシタ用の層間絶縁膜をフォトリソグラフィーにより容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic electronic component for preventing the generation of fail in interlayer release or the like, and to provide the manufacturing method of the laminated ceramic electronic component.例文帳に追加

本発明は、層間剥離等の不良発生を防止できる積層セラミック電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ferroelectric memory comprises a semiconductor substrate 1, a ferroelectric capacitor 7 formed on the substrate 1, a first interlayer film 3 including the capacitor 7, and metal wiring 1M penetrating the film 3.例文帳に追加

また、パッシベーション膜を形成する際に発生する水素による影響を低減させる強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereby stress added to the glass substrate 100 by the interlayer insulating film 33(16) is reduced and a warpage to be produced on the glass substrate 100 is suppressed.例文帳に追加

こうすることで、層間絶縁膜３３（１６）がガラス基板１００に与える応力を軽減し、ガラス基板１００に発生する反りを抑制する。 - 特許庁

And then, a conductive material is deposited on the exposed surface of the interlayer insulating layer and in the contact hole 30 to form a plug formation layer.例文帳に追加

次に、上記層間絶縁層の露出表面上に及びコンタクトホール３０内に導電性材料を堆積してプラグ形成層を形成する。 - 特許庁

An insulating film, made of the same material as that of an interlayer insulating film 4, is formed directly on a light receiving part, and then etching is executed so that the insulating film remains only directly on the light receiving part.例文帳に追加

受光部の直上に、層間絶縁膜４と同様の材料からなる絶縁膜を形成し、エッチングにより受光部の直上のみに残す。 - 特許庁

After an interlayer insulating film is formed, a contact hole, which exposes the silicide layer on both the sides of the fin-type semiconductor region, is formed for burying a conductive plug.例文帳に追加

層間絶縁膜形成後、フィン型半導体領域の両側面のシリサイド層を露出するコンタクトホールを形成し、導電性プラグを埋め込む。 - 特許庁

For such the interlayer insulating film 3, first, a first polishing processing is conducted by use of abrasive grains having non-Prestonian characteristics to planarize the projected part 4.例文帳に追加

このような層間絶縁膜３に対し、まず、非プレストニアン特性を有する砥粒を用いて第１研磨処理を行って凸部４を平坦化する。 - 特許庁

Thereby, the interlayer insulating film 11 functions as a thermal-stress buffering layer, and prevents lowering of the device reliability caused by the internal stresses.例文帳に追加

これにより、層間絶縁膜１１が熱応力を緩衝する層として機能し、内部応力による装置の信頼性の低下を防止することができる。 - 特許庁

Also, the c axis length in a zinc oxide crystal structure of the interlayer 30 is longer than that in a zinc oxide crystal structure of the semiconductor layer 20.例文帳に追加

又、中間層３０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長は、半導体層２０の酸化亜鉛結晶構造におけるｃ軸長よりも長い。 - 特許庁

To provide a TFT array substrate permitting to prevent a short circuit between mounted electrodes even using a thick interlayer insulating film, without changing manufacturing tact.例文帳に追加

生産タクトを変えることなく、厚い層間絶縁膜を用いても実装電極間でのショートを防止することができるＴＦＴアレイ基板を提供する。 - 特許庁

The upper end of a gate electrode 110 is set lower than a substrate surface to obtain a thickness of an interlayer insulating film 118 between the gate electrode 110 and a drain electrode 112 for covering the layers.例文帳に追加

ゲート電極110 の上端を、基板表面より低位置にして、その上を覆うドレイン電極112 との間の層間絶縁膜118 の厚さを確保する。 - 特許庁

Wiring 10a connected to the gate electrode 4 by embedding the part in the connection hole 6a is formed on the interlayer insulation film 6.例文帳に追加

そして層間絶縁膜６上に、一部が接続孔６ａに埋め込まれることによりゲート電極４に接続する配線１０ａを形成する。 - 特許庁

Next, a storage electrode is made by etching back only the flattened amorphous silicon film 14 made on the topside 8b of the interlayer oxide film 8.例文帳に追加

次に、層間酸化膜８の上面８ｂに形成された、平坦化された非晶質シリコン膜１４のみをエッチバックし、ストレージ電極１５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device of this invention comprises a lower electrode 27 and a second contact plug 26 of a capacitor in a single second interlayer insulating film 17.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、単一の第２の層間絶縁膜１７内に、キャパシタの下部電極２７および第２のコンタクトプラグ２６が形成されている。 - 特許庁

To attain high interlayer strength while effectively avoiding deterioration of peelability of paper in a Yankee dryer and increase in pitch trouble.例文帳に追加

以上のとおり本発明によれば、ヤンキードライヤーにおける紙の剥離性の悪化およびピッチトラブルの増加を効果的に回避しつつ、高い紙間強度を達成する。 - 特許庁

To produce a lightweight calcium silicate sheet having high bending strength, smoothness and denseness and excellent in interlayer adhesion and workability.例文帳に追加

軽量で、曲げ強度が高く、また、平滑、かつ密実となり、層間密着性及び加工性に優れた軽量珪酸カルシウム板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A rewiring 10 connected to each electrode (pad) 2 formed on the top surface of a silicon substrate is formed on the silicon substrate through an interlayer insulating film.例文帳に追加

シリコン基板の上に層間絶縁膜を介して、シリコン基板の上面に形成した各電極（パッド）２につながる再配線１０が形成されている。 - 特許庁

A pixel electrode 9ab adjacent to the pixel electrode 9aa is electrically insulated from the second relay layer 400 by the fourth interlayer insulating film 44.例文帳に追加

画素電極９ａａに隣接する画素電極９ａｂは、第４層間絶縁膜４４によって第２中継層４００と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

A connecting conductor 30 is embedded in a through hole penetrating the antireflection film 26 and interlayer insulating film 24 to connect the source electrode 22 and a metal layer 29.例文帳に追加

反射防止膜２６及び層間絶縁膜２４を貫通するスルーホールに接続導体３０を埋め込んでソース電極２２と金属層２９とを接続する。 - 特許庁

A second laminate LB2 comprises second interlayer insulating films ID2a and ID2b having the mechanical strength larger than the first mechanical strength.例文帳に追加

第２の積層体ＬＢ２は第１の機械的強度よりも大きな機械的強度を有する第２の層間絶縁膜ＩＤ２ａ，ＩＤ２ｂを含む。 - 特許庁

To provide a multilayer printed-wiring board that can reliably prevent cracks in an interlayer-insulating layer, and at the same time burn out in a conductor pattern.例文帳に追加

層間絶縁層のクラックを確実に防ぐと共に，導体パターンの断線を確実に防止することができる多層プリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a precast concrete wall which has a good appearance and is capable of following up an interlayer deformation due to earthquake or the like and its construction method.例文帳に追加

見栄えが良く、かつ地震などによる建物の層間変形に追随できるプレキャストコンクリート壁およびその構築方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having embedded wiring, wherein plating components deposited on the interlayer insulating film have been selectively removed.例文帳に追加

層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去した、埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent stripping of a W film due to an oxygen containing gas contained in an interlayer dielectric even when heat treatment is performed after the W film is formed.例文帳に追加

Ｗ膜形成後に熱処理が施された場合でも層間絶縁膜に含まれている酸素を含むガスに起因したＷ膜の剥がれを防止する。 - 特許庁

To reduce the amount of sinking of an interlayer insulating film embedded in a trench when manufacturing a semiconductor device having a trench gate structure.例文帳に追加

トレンチゲート構造を有する半導体装置を製造する際に、トレンチ内に埋め込まれる層間絶縁膜の、トレンチ内での落ち込み量を極めて小さくすること。 - 特許庁

When forming a plurality of through holes 102 on an interlayer insulating film 110 made of SiOC, or the like, the content of gas containing nitrogen gas in etching gas is increased.例文帳に追加

ＳｉＯＣ等の層間絶縁膜１１０に複数のスルーホール１０２を形成する際、エッチングガス中の窒素含有ガスの含有量を高くする。 - 特許庁

To provide a circuit board where upper electrodes are formed with a regular pitch on an interlayer dielectric having via holes arranged with an irregular pitch.例文帳に追加

不均一なピッチで配列されるビアホールを有する層間絶縁膜上に、均一なピッチで上部電極を形成した回路基板を提供する。 - 特許庁

The embedded upper electrode 107 is formed on the third interlayer insulating film 104 around the opening 111 and functions as the upper electrode of the capacitor.例文帳に追加

埋め込まれた上部電極１０７は、開口１１１の周囲の第３層間絶縁膜１０４上にも形成され、キャパシタの上部電極として機能する。 - 特許庁

A semiconductor device, wherein an interlayer insulation film comprising boron nitride films 7, 9, 11 whose dielectric is less than 4 is formed in a wiring formation process, is manufactured.例文帳に追加

配線形成工程において、誘電率が４未満の窒化ホウ素膜７，９，１１からなる層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁