「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(61ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an interlayer insulating film-forming resin composition for use with multilayer wiring boards, low in dielectric constant, and low in dielectric loss in the high-frequency range.例文帳に追加

低誘電率であり、高周波領域でも誘電損失が小さい多層配線板の層間絶縁膜用樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

The internal electrode layers 6 and 8 stacked inside the main body 10 are connected to each other by pillar-shaped electrodes 20 and 22 for interlayer connection.例文帳に追加

素子本体１０の内部に積層してある内部電極層６または８の相互を、層間接続用柱状電極２０または２２が接続する。 - 特許庁

A memory cell 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a first wiring layer 14 is formed on the memory cell 12 via a first interlayer insulating film 13.例文帳に追加

半導体基板１１にメモリセル１２が形成され、メモリセル１２上に第１層間絶縁膜１３を介して第１配線層１４が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an interlayer insulation film, in which the adhesion on the boundary surface between an organic insulation film and an inorganic insulation film is improved.例文帳に追加

有機系絶縁膜と無機系絶縁膜との界面における接着性が向上された層間絶縁膜を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first contact hole H1 is formed by etching a first interlayer insulating film 20, and a first plug electrode 21 is formed in the first contact hole H1.例文帳に追加

第１層間絶縁膜２０をエッチングして第１コンタクトホールＨ１を形成し、この第１コンタクトホールＨ１内に第１プラグ電極２１を形成する。 - 特許庁

After an interlayer insulating film is formed over the principal surface of the semiconductor substrate (S12), a barrier film is formed by applying plasma to the rear surface of the semiconductor substrate (S14).例文帳に追加

半導体基板の主面に層間絶縁膜を形成した後（Ｓ１２）、半導体基板の裏面にプラズマを作用してバリア膜を形成する（Ｓ１４）。 - 特許庁

Then, by removing part of the interlayer insulation film 103, a via 104 reaching the insulating barrier film 102 and a trench 105 reaching the via 104 are formed.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜１０３を除去して絶縁性バリア膜１０２に到達するビア１０４及びビア１０４に到達するトレンチ１０５を形成する。 - 特許庁

Unevenness is then formed on the surface of the interlayer insulation film 16 formed on the memory cell region Rmem by providing a recess 12 on the upper electrode 10.例文帳に追加

このとき、上部電極１０に凹部１２を設けることにより、メモリセル領域Ｒmemに形成される層間絶縁膜１６の表面に凹凸が形成される。 - 特許庁

In this arrangement, the top layer among the plurality of interlayer insulating films is planarized and the plurality of pixel electrodes have a gap therebetween.例文帳に追加

ここで、前記複数の層間絶縁膜のうちの最上層の層間絶縁膜は平坦化されており、また前記複数の画素電極の間には隙間を有する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 5 consisting of silicon nitride is deposited by a PECVD method, and an overcoat film 10 consisting of silicon nitride is deposited by the PECVD method.例文帳に追加

ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなる層間絶縁膜５を成膜すし、ＰＥＣＶＤ法により窒化シリコンからなるオーバーコート膜１０を成膜する。 - 特許庁

An interlayer film such as a silicon dioxide film 520 is formed on a base film, such as a poly-silicon film 510 having an opening part operating as a base mark 510a.例文帳に追加

層間膜、例えば二酸化シリコン膜520が、下地マ−ク510aとして働く開口部を有する下地膜、例えばポリシリコン膜510の上に形成される。 - 特許庁

Since the solder layer 28 of the upper solder bump 26 is melted, the falling of the solder bump 26 from the interlayer connecting electrode pad 22b can be prevented.例文帳に追加

こうして、半田バンプ２６の半田層２８が溶融して、上側の半田バンプ２６が層間接続用電極パッド２２ｂから脱落することを防止する。 - 特許庁

Thereafter, the interlayer insulation film 108 and the anti-diffusion insulation film 107 are removed, and a contact hole 109 is formed extending to the lower layer wiring 103.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０８及び拡散防止絶縁膜１０７を除去し、下層配線１０３に到達するコンタクトホール１０９を形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed in this interlayer insulation film 17 so as to form a contact which reaches a source/drain diffusion region 11 and a gate electrode 14.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散領域１１及びゲート電極１４に達するコンタクトを形成するため、この層間絶縁膜１７にコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To provide a multilayer flexible wiring board, in which interlayer connection can be achieved surely and an outer layer wiring board can be stacked with high accuracy.例文帳に追加

確実に層間接続を達成でき、かつ信頼性が高く、外層配線板を積層することができる多層フレキシブル配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device in which removal of a cap layer on an electrode layer and planarization of an interlayer film can be carried out simultaneously.例文帳に追加

電極層上のキャップ層の除去と、層間膜の平坦化を同時に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, heat treatment is conducted under an inert gas atmosphere, thus removing fluorine and water taken into the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

その後、不活性ガス雰囲気下で加熱処理を施すことによって、層間絶縁膜４中に取り込まれたフッ素および水を除去することができる。 - 特許庁

Thereafter, the first insulation film 7 and then the interlayer insulation film 6 are dry-etched with the hard mask as an etching mask to expose the stopper film 3 in the opening.例文帳に追加

その後、ハードマスクをエッチングマスクとして第１の絶縁膜７、層間絶縁膜６を順にドライエッチングし、開孔部からストッパー膜３を露出させる。 - 特許庁

An interlayer insulation film which is made mainly of organic constituent such as polyaryl ether derivative or polyparaxylene or the like, is piled up on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の上に、ポリアリールエーテルの誘導体又はポリパラキシレンの誘導体などからなる有機成分を主成分とする層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin sheet usable as the interlayer of a glass laminate having superior resisting performance to penetration ranging over from a low-temperature region to a high-temperature region.例文帳に追加

低温域から高温域に渡り、優れた耐貫通性能を有する合わせガラスの中間膜として用い得る熱可塑性樹脂シートを提供する。 - 特許庁

A wiring layer, not shown and regarding the memory cell, is formed in a multilayer via an interlayer insulating film, and a protective film (passivation film) 12 is formed thereon.例文帳に追加

このメモリセルに関係する図示しない配線層が層間絶縁膜を介して多層で形成され、その上に保護膜（パッシベーション膜）１２が形成されている。 - 特許庁

A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上に、第２の拡散防止層７、第２の層間絶縁膜８およびキャップ層９を形成する。 - 特許庁

A plurality of first electrodes 102 extended to a first direction parallel to a substrate face are isolatedly formed on a substrate through an interlayer insulating film 106.例文帳に追加

基板上に、基板面に平行な第１方向に延伸する複数の第１電極１０２が、層間絶縁膜１０６を介して分離形成されている。 - 特許庁

To obtain a polyorganosiloxane-based composition capable of providing a film useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., and having low dielectric constant and high modulus of elasticity.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低誘電率、高弾性率の膜が得られるポリオルガノシロキサン系組成物を提供すること。 - 特許庁

The interlayer insulating thin film for semiconductors is made of inorganic and organic compounds where a thermal coefficient of expansion is 1×10E-6 to 1×10E-5 (1/°C).例文帳に追加

熱膨張係数が１×１０Ｅ−６から１×１０Ｅ−５（１／℃）である無機化合物と有機化合物より成る半導体用層間絶縁薄膜。 - 特許庁

To provide a laminated glass using a functional interlayer having various functions such as heat ray shielding property and electrical conductivity without deteriorating excellent adhesive property.例文帳に追加

優れた接着性を損なうことなく、熱線遮蔽性や導電性などの種々の機能を有する機能性中間膜を用いた合わせガラスを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has a semiconductor substrate 1, isolation insulating body 2, gate electrode 5, coating film 6, interlayer insulating film 9 and sidewall coating film 8.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１と分離絶縁体２とゲート電極５と被覆膜６と層間絶縁膜９と側壁被覆膜８とを備える。 - 特許庁

A first conductor layer 3, a second conductor layer 7 and an interlayer insulation film 4 are formed on a semiconductor substrate 1 on which a protective film 2 has been formed.例文帳に追加

保護膜２が形成された半導体基板１上に、第１導体層３、第２導体層７及び層間絶縁膜４が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor plug is formed on the source/drain regions in the bulk MOS transistor and is extended via at least one portion of the interlayer insulating film.例文帳に追加

該バルクモストランジスタのソース／ドレイン領域上に半導体プラグが形成され、該半導体プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。 - 特許庁

An interlayer power ratio α=Pwp2/Pwp1 is obtained from setting values of optimum power Pwp1, Pwp2 for layers 1, 2 obtained by OPC.例文帳に追加

レイヤー１、２に対するＯＰＣにて取得された最適パワーの設定値Ｐｗｐ１、Ｐｗｐ２から、層間パワー比率α＝Ｐｗｐ２／Ｐｗｐ１を求める。 - 特許庁

To eliminate the problem that at the time when the interlayer distance of multilayer optical disks becomes narrow it is difficult to separate focus error signals and the variation in tracking error signals also occurs.例文帳に追加

多層光ディスクの層間が狭くなったとき、フォーカスエラー信号の分離が難しくなると同時に、トラッキングエラー信号の変動も発生する。 - 特許庁

On the side of each of the plurality of wiring layers 2, a hollow space 20 or an interlayer film 7 with a low dielectric constant of 2.5 or below are located.例文帳に追加

複数の配線層２の各々の横側には、中空空間２０もしくは２．５以下の誘電率を有する低誘電率の層間膜７が位置している。 - 特許庁

Capacity grooves 4, 4a are formed on an interlayer insulation film on the capacity contact holes 3, 3a, and a lower electrode is formed on the groove inner face.例文帳に追加

容量用コンタクト孔３，３ａ上であって層間絶縁膜に容量用溝４，４ａが形成されその溝内面に下部電極が形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device capable of reducing global level difference on an interlayer insulation film formed on a memory cell having a capacitor and on a logic circuit.例文帳に追加

キャパシタを有するメモリセル部及びロジック回路部上に形成した層間絶縁膜に生じるグローバル段差を低減できる半導体装置を得る。 - 特許庁

The pillar-shaped electrodes 20 and 22 for interlayer connection have a larger cross-sectional area than that of the pillar-shaped electrodes 16 and 18 for extraction.例文帳に追加

層間接続用柱状電極２０，２２のそれぞれの横断面積は、引出用柱状電極１６，１８のそれぞれの横断面積よりも大きい。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction capable of restraining interlayer separation due to water-absorptive expansion among a proton exchange membrane 3, a catalyst layer 4 and a diffusion layer 5.例文帳に追加

プロトン交換膜３、触媒層４、拡散層５との間に吸水膨張による層間剥離が生じるのを抑制できる膜電極接合体を得る。 - 特許庁

An indium oxide film 3b expressed by chemical formula In2O3 is formed continuously on the upper surfaces of a tungsten film 6 and interlayer oxide film 2.例文帳に追加

タングステン膜６および層間酸化膜２の上面に連続するように、化学式Ｉｎ_2Ｏ_3で示される酸化インジウム膜３ｂが形成されている。 - 特許庁

An incorporated gate resistor 6 of silicon is formed beneath a gate pad 12 where the external connection electrode 10 of gate is exposed through a interlayer insulation film.例文帳に追加

ゲート外部接続電極１０が露出している箇所であるゲートパッド１２下に、層間絶縁膜７を介してポリシリコンの内蔵ゲート抵抗６を形成する。 - 特許庁

The multi-layered printed circuit board is provided by using the prepreg imparted with a thermosetting resin on the substrate for the prepreg as interlayer insulation.例文帳に追加

本発明の多層プリント配線板は、前記プリプレグ用基材に熱硬化性樹脂が付与されたプリプレグを層間の絶縁のために用いたものである。 - 特許庁

If a resin sheet with a coppered foil is used as the resin interlayer dielectric layer, a coppered foil with opening is adopted as a mask for the blasting.例文帳に追加

層間樹脂絶縁層として銅箔付き樹脂シートを用いる場合には、銅箔に開口を形成したものをブラスト処理のマスクとして使用する。 - 特許庁

The semiconductor interlayer insulating film is manufactured by dissolving a siloxane-based resin having a new structure into an organic solvent, and after coating it onto a silicon substrate heat curing the same.例文帳に追加

新しい構造のシロキサン系樹脂を有機溶媒に溶かしてシリコン基板上にコーティングした後、熱硬化させて半導体層間絶縁膜を製造する。 - 特許庁

A bottom titanium layer 21, an intermediate aluminum layer 22, a top titanium layer 23 and a topcoat layer 24 are consecutively laminated in a vacuum atmosphere on an interlayer insulating film containing a contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールを含む層間絶縁膜上に、真空雰囲気下でボトムチタン層21、中間アルミ層22、トップチタン層23およびトップコート層24を連続的に積層する。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 23 has a substrate 1, a lower layer conductor circuit 2, an interlayer resin insulating layer 10 and upper layer conductor circuits 15 and 16.例文帳に追加

基板１と下層導体回路２と層間樹脂絶縁層１０と上層導体回路１５，１６とを備えている多層プリント配線板２３を提供する。 - 特許庁

To provide a commutator in which an interlayer short circuit is prevented, and the cost is reduced while reducing the level difference of commutator segments stably.例文帳に追加

レアショートを防止することができるとともに、整流子片同士の段差を安定して小さくしながら低コスト化を図ることができる整流子を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on the semiconductor substrate 100 so as to cover the capacitive element and the gate electrode, and a wiring is provided thereon.例文帳に追加

容量素子及びゲート電極を覆うように、前記半導体基板上に層間絶縁膜が形成され、その上に配線が形成されている。 - 特許庁