「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(65ページ目) - Weblio英語例文検索

To avoid an increase in relative dielectric constant and/or the occurrence of peeling and/or crack, that result from carbon concentration reduction or absorption of moisture or the like in an interlayer dielectric composed of methylpolysiloxane.例文帳に追加

メチルポリシロキサンからなる層間絶縁膜の炭素濃度の減少又は水分等の吸着によって生ずる比誘電率増大や剥がれ、クラックの誘発を回避する。 - 特許庁

A contact hole is penetrated through the interlayer insulating film and reaches the silicide film while one end and the other end of the same are respectively positioned on the silicide film and the element isolation insulating film.例文帳に追加

コンタクトホールは、層間絶縁膜を貫通してシリサイド膜に達し、一端及び他端がシリサイド膜上及び素子分離絶縁膜上にそれぞれ位置する。 - 特許庁

To provide a surface protective transfer material capable of easily attaining the interlayer adhesion property to an adhesive layer and the surface protection of a material to be transferred and excellent in scratch resistance, solvent resistance and the like.例文帳に追加

接着層との層間密着性と被転写材の表面保護を簡便に得ることができる耐擦傷性、耐溶剤性、などに優れた保護転写材を提供する。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 118 is formed on a base plate, and thereafter, a contact hole 119, reaching a conductor plug 111b and a conductor plug 111c, is formed.例文帳に追加

基板上に、第２の層間絶縁膜１１８を形成した後、導体プラグ１１１ｂ及び導体プラグ１１１ｃに到達するコンタクトホール１１９を形成する。 - 特許庁

A light shielding film 33 is formed in an area opposite to a transistor contributing to the switching operation on the upper surface of an interlayer insulating film 35 formed on the transistor.例文帳に追加

これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜３５の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に遮光膜３３を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation films 13-15 and 17 each consist of an insulation film having a relative permittivity larger than 3.0, and are formed at a temperature of 300°C or lower (not lower than 200°C or around).例文帳に追加

層間絶縁膜１３〜１５および１７は、比誘電率が３．０より大きな絶縁膜で構成され、３００℃以下（下限は２００℃程度）の温度で形成される。 - 特許庁

To prevent an etching reaching sub-layer through of thickness due to the deviation of superposition between a first contact plug and a second contact plug without having a nitride film over the entire surface of a first interlayer insulating film.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜の全面に窒化膜を設けることなく、第１のコンタクトプラグと第２のコンタクトプラグの重ね合わせのズレによるエッチングの突き抜けを防ぐ。 - 特許庁

In the peripheral sections of the front and rear surfaces of two intermediate substrates 24 mounted with semiconductor chips 21 on both front and rear surfaces, interlayer connecting electrode pads 22a and 22b are formed.例文帳に追加

表裏両面に半導体チップ２１が実装された中間基板２４の表裏両面の周辺部に、層間接続用電極パッド２２ａ，２２ｂを形成する。 - 特許庁

A planarized film 104 comprising a metal layer 105 and an interlayer insulating film 106 is interposed between the planarized region 103 and the LED epitaxial film 110.例文帳に追加

平坦化領域１０３とＬＥＤエピタキシャルフィルム１１０との間には、メタル層１０５や層間絶縁膜１０６等から構成される平坦化膜１０４が介在する。 - 特許庁

To effectively suppress a fall in cleaning performance due to a Pt-Rh solid solution by effectively suppressing the interlayer migration of Pt or Rh due to the change of an atmosphere of exhaust gas.例文帳に追加

排気ガスの雰囲気変化によるＰｔやＲｈの層間移動を効果的に抑制して、Ｐｔ−Ｒｈ固溶による浄化性能の低下を効果的に抑制する。 - 特許庁

In succession, a lower electrode seed layer and a plating mask layer are successively formed on the second interlayer insulating film, and a hole is formed by etching so as to expose the lower electrode pad 78.例文帳に追加

続いて、第２層間絶縁膜上に下部電極用シード層とメッキマスク層を順次に形成し、蝕刻により下部電極パッドを露出させるホールを形成する。 - 特許庁

At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.例文帳に追加

ドライエッチングにより層間絶縁膜２４に開口部２４ａを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層１２ａに吸収される。 - 特許庁

A conductor layer 34P on a core substrate 30 is formed with a thickness of 30 μm and a conductor circuit 58 on an interlayer resin insulating layer 50 is formed to have a thickness of 15 μm.例文帳に追加

コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。 - 特許庁

An upper layer wiring 113 is formed in the interlayer dielectric 108, and the lower layer wiring 105 is connected to the upper layer wiring 113 through a via 109.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８内に上層配線１１３が形成されており、下層配線１０５と上層配線１１３とはビア１０９を介して接続されている。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a coating film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc.例文帳に追加

得られる塗膜が、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な誘電率特性、吸水性特性に優れた、膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

In this method, the interlayer insulating film is formed, by forming an applied film containing a specific silicon compound on the substrate and exposing the film to heat and/or optically treating the film.例文帳に追加

層間絶縁膜の形成方法は、基板上に特定のシリコン化合物を含有する塗膜を形成し、次いで光および／または光処理することを特徴とする。 - 特許庁

The layer 11 has sufficient film thickness and thermal capacity, an increased interlayer distance between the active layer and the lower metal layer is increased, and hence a heat leakage of the metal layer can be relieved.例文帳に追加

バッファ層１１は十分な膜厚と熱容量を備え能動層とその下層金属層との層間距離を大きくし、金属層による熱リークをを緩和できる。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and CMP resistance and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、ＣＭＰ耐性に優れた低密度化膜が得られる膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

A polysilicon film 270 making up a P-channel TFT, which is a load element, is formed at the upper part of the flattened buried wiring 224 via an interlayer insulation film 268.例文帳に追加

負荷素子であるＰチャネルＴＦＴを構成するポリシリコン膜２７０は、平坦化された埋込配線２２４の上部に層間絶縁膜２６８を介して成膜される。 - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, connected to a contact plug formed in an interlayer insulating film 42 and to a high-voltage terminal 39 (+15 V) through a metallic wiring layer.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 - 特許庁

After the formation of an interlayer dielectric 16 and a via connection part 17, part of a circuit wiring relating to the gate electrode 13 is formed with a first metal wiring layer 181.例文帳に追加

層間絶縁膜１６、ビア接続部１７の形成後、第１層目の金属配線層１８１でゲート電極１３に関係する回路配線の一部を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer adhesive which can surely bond a waterproof layer and a layer of an inorganic material, and can eliminate problems such as water leakage for a long period of time.例文帳に追加

防水層と無機質材層とを確実に接着させることができ、長期間にわたって漏水等の問題を抑止できる層間接着剤を提供する。 - 特許庁

Next, after an SiO2 film 6 is formed on the plug 4 and the interlayer insulation film 2, a recess part 6a is formed on the SiO2 film 6 so as to expose the upper face of the plug 4.例文帳に追加

次に、プラグ４上および層間絶縁膜２上にＳiＯ_2膜６を形成した後、プラグ4の上面が露出するようにＳiＯ_2膜６に凹部６aを形成する。 - 特許庁

A power supply conductor 7 is placed on a ground plate 3 through a ground insulation film 6 and a strip line (line conductor 5) is placed thereon through an interlayer insulation film 4.例文帳に追加

接地プレート３上に接地間絶縁膜６を介して電源導体７を配置し、その上に層間絶縁膜４を介してストリップライン（線路導体５）を配置する。 - 特許庁

The hydrogen ion has a small mass and, therefore, the same is introduced into deep part while the mass of phosphorus is large whereby the same is brought into the state of being doped in the second interlayer insulating film 7.例文帳に追加

水素イオンは、質量が小さいので奥まで導入される一方、リンは、質量が大きいので、第２層間絶縁膜７中にドープされた状態となる。 - 特許庁

In a third-layer interlayer insulation film 11 formed between the second-layer metal 9 and a third-layer metal 15, a second via 13 and a second dummy via 13a are formed.例文帳に追加

第２層目メタル９と第３層目メタル１５の間に設けられた第３層目層間絶縁膜１１に第２ＶＩＡ１３と第２ダミーＶＩＡ１３ａが形成されている。 - 特許庁

At this time, the 1st aluminum electrode (12) and the 2nd aluminum electrode (17) are formed in such a way that they are completely insulated from each other by the interlayer insulating film (16) directly under the wire ball (11).例文帳に追加

このとき、ワイヤボール（１１）直下の層間絶縁膜（１６）によって、１ｓｔアルミ電極（１２）と２ｎｄアルミ電極（１７）とが完全に絶縁するように形成する。 - 特許庁

Then, an interlayer insulating layer 4 is provided so as to cover the auxiliary electrode 3, and an organic EL layer 5 containing an organic light emitting material is laminated on the transparent electrode 2.例文帳に追加

この補助電極３を被覆するように層間絶縁層４が設けられ、透明電極２上に有機発光材料を含む有機ＥＬ層５が積層される。 - 特許庁

An interlayer film 4 consisting of either one of Ir_xPb or Ir_xTi is provided between at least a lower electrode 3 and the ferrodielectric film 5 containing Pb.例文帳に追加

少なくとも下部電極３とＰｂを含む強誘電体膜５との間に、Ｉｒ_ｘ Ｐｂ或いはＩｒ_ｘ Ｔｉのいずれかからなる層間膜４を設ける。 - 特許庁

The photoelectric layer is arranged, so that an interlayer electric field at a local region of the active layer 24 depends on quantity of light incident on a photoconductive element in the region.例文帳に追加

光電性層は、能動層（２４）の局所領域における層間の電場が、その領域の光導電素子上に入射する光の量に依存するように配置される。 - 特許庁

That is, the layer on an interlayer film 18 side and on a side contacting the power supply wiring 131 at a contact hole CH2 is an aluminum alloy material layer 13a.例文帳に追加

すなわち、層間膜１８側、およびコンタクトホールＣＨ２において電源配線１３１と接する側に位置する層は、アルミニウム合金材料層１３ａである。 - 特許庁

A nitride film 108, a BSPG film 109, and an oxide film 110 are stacked on an interlayer insulating film 106, and they are selectively removed to open an aperture for formation of a lower electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜１０６上に窒化膜１０８、ＢＰＳＧ膜１０９、酸化膜１１０を堆積し、選択的に除去して下部電極形成用開口を開孔する。 - 特許庁

To provide a connected material realizing interlayer connection with high integration density and productivity and extremely low connection resistance, its connection structure and its producing method.例文帳に追加

集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現するための接続材、その接続構造、それらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.例文帳に追加

第１磁性下地層４１の膜厚は、層間絶縁層６０の上において第１磁性下地層４１が面内磁気異方性を発現しないように調節されている。 - 特許庁

COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING IT, POROUS MATERIAL AND METHOD FOR FORMING IT, INTERLAYER INSULATING FILM, SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LOW-REFRACTIVE-INDEX SURFACE PROTECTIVE FILM例文帳に追加

組成物及びその製造方法、多孔質材料及びその形成方法、層間絶縁膜、半導体材料、半導体装置、並びに低屈折率表面保護膜 - 特許庁

In the process, not short-time heating by lamp anneal but furnace anneal is added as heat treatment after formation of an NSG layer 16 which is an uppermost layer of the first interlayer insulation film 10.例文帳に追加

このとき第１の層間絶縁膜１０の最上層であるＮＳＧ層１６の形成後の熱処理として、ランプアニールによる短時間加熱ではなく炉アニールを加える。 - 特許庁

To provide a modified polyolefin composition for bonding having a high interlayer bonding strength especially in a high temperature atmosphere, and a laminate using the same.例文帳に追加

特に高温雰囲気下での層間接着力が高い、接着用変性ポリオレフィン組成物ならびにそれを用いた積層物を提供することを目的としている。 - 特許庁

If the distance is smaller than 100 μm, the plane layers hardly function well, and if the distance exceeds 1500 μm, the interlayer resin insulating layer is deteriorated in insulating properties.例文帳に追加

これは、１００μｍ未満では、プレーン層の機能を果たし得なくなり、１５００μｍを越えると、層間樹脂絶縁層の絶縁劣化が発生するからである。 - 特許庁

Straight chain fluorocarbon gas is used as etching gas, and the etching of the reflection preventing film 32 and the interlayer insulating film 31 is effected collectively and continuously under the same etching condition.例文帳に追加

エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜３２と層間絶縁膜３１とを一括してエッチングするようにした。 - 特許庁

To enable defects that may lead to interlayer short circuits to be repaired at a low cost without checking defects themselves in an insulating layer or a dielectric layer.例文帳に追加

絶縁層や誘電体層の欠陥そのものを検査することなく、層間短絡不良に至る可能性のある欠陥の修復を、低コストで実現可能とすること。 - 特許庁

An interconnect line formed on a chip is connected with pads 3a to 3d arranged on the both sides of an interlayer film that are joined with a bonding wire 6 through contacts 9.例文帳に追加

チップに形成された配線と、その配線に対し層間膜を挟んで配置され、ボンディングワイヤ６を接合するパッド３ａ〜３ｄとが、コンタクト９を介して接続されている。 - 特許庁

To provide a printed wiring board having low connection resistance and high electrical reliability using an interlayer connection structure of conductive paste, and to provide a method for manufacturing the board.例文帳に追加

導電性ペーストによる層間接続構造を用いて、接続抵抗が小さく電気的信頼性も高いプリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fuel hose which is light in weight, excellent in fuel-low-permeability, inexpensive and excellent also in interlayer adhesion, flexibility, low-temperature impact resistance and heat resistance.例文帳に追加

軽量で、燃料低透過性に優れるとともに、低コストで、層間接着性、柔軟性、低温衝撃性、耐熱性にも優れた燃料用ホースを提供する。 - 特許庁

A conductor layer 34P on a core substrate 30 is formed to have a thickness of 30 μm, and a conductor circuit 58 on an interlayer resin insulation film 50 is formed to have a thickness of 15 μm.例文帳に追加

コア基板３０上の導体層３４Ｐを厚さ３０μｍに形成し、層間樹脂絶縁層５０上の導体回路５８を１５μｍに形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass which obtains laminated glass having excellent heat sealdability, and also maintains the excellent heat insulating property of the laminated glass over a long period.例文帳に追加

遮熱性に優れた合わせガラスを得ることができ、かつ該合わせガラスの優れた遮熱性を長期間にわたり維持できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁