「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

After depositing an interlayer insulating film 16 which covers a capacitor on the insulating film 11, the capacitor covered with the interlayer insulating film 16 is subjected to annealing at a temperature at which the ferroelectric film constituting the capacity insulating film 14A is crystallized for forming a crystallized ferroelectric film 14B.例文帳に追加

絶縁膜１１の上に容量素子を覆う層間絶縁膜１６を堆積した後、層間絶縁膜１６に覆われている容量素子に対して、容量絶縁膜１４Ａを構成する強誘電体膜が結晶化する温度でアニールを行なって、結晶化した強誘電体膜１４Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide an economical interlayer adhesive preventing excessive migration of the interlayer adhesive sprayed or coated between sheet plies into the sheet plies even when receiving strong water squeezing actions such as suction in a pressing step or thereafter after forming a multiply sheet when papermaking of a combination paperboard having a multiply structure or the like is carried out.例文帳に追加

多層構造を有する抄き合わせ板紙などの抄造に際して、多層シート形成後のプレス工程以降におけるサクションなどの強い搾水作用を受けた場合でも、シート層間へ噴霧、塗布された層間接着剤のシート層内への過度の移行を防ぐ経済的な層間接着剤を提供する。 - 特許庁

A field oxide film 3 is formed on the surface of a wafer 1, a trimming fuse 7 is formed thereon, an interlayer insulating film 9 is formed on the trimming fuse 7, and a silicon nitride film is formed as an etching block film 13 on the interlayer insulating film 9 in the area, with which the formation of a trimming window opening part is planned, including the trimming fuse 7.例文帳に追加

半導体基板１表面にフィールド酸化膜３を形成し、その上にトリミングヒューズ７を形成し、トリミングヒューズ７上に層間絶縁膜９を形成し、トリミングヒューズ７を含むトリミング窓開口部形成予定領域の層間絶縁膜９上にエッチング阻止膜１３としてのシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

A connecting electrode 7 is covered by an interlayer insulating layer 8 to insulate a first wiring 10 and a second wiring 6 and the first wiring 10 laminated on the interlayer insulating layer 8 so that the connecting electrode 7 to connect one 4 of the pair of electrodes, and the first wiring 10 may not be exposed on the surface.例文帳に追加

一対の電極の一方４と第１配線１０とを接続する接続電極７が表面に露出しないように、第１配線１０と第２配線６とを絶縁する層間絶縁層８と、該層間絶縁層８上に積層される第１配線１０によって該接続配線７を覆う。 - 特許庁

In addition, a first interlayer insulating film having a thickness that makes the distance between the semiconductor substrate and magnetic film optimum is formed between the substrate and the magnetic film, and a second interlayer insulating film having a thickness that makes the distance between the magnetic film and inductor appropriate is formed between the magnetic film and the inductor.例文帳に追加

そして、半導体基板と磁性膜との間には、該半導体基板と磁性膜との距離が最適となる厚さを有する第１の層間絶縁膜を形成し、また、磁性膜とインダクタとの間には、該磁性膜とインダクタとの距離が適切となる厚さを有する第２の層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Upon manufacturing the element substrate 10 of the electro-optic device, thin film transistors 80, 90 are formed, a first interlayer insulating film 4, consisting of silicon oxide film, and a second interlayer insulating film 7, consisting of silicon nitride film, are formed and then, hydrogen ion and phosphorus ion are introduced through ion shower doping method under this condition.例文帳に追加

電気光学装置の素子基板１０を製造するにあたって、薄膜トランジスタ８０、９０を形成した後、シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、およびシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜７を形成し、この状態で、イオンシャワードーピング法により、水素イオンおよびリンイオンを導入する。 - 特許庁

The polishing pad includes a laminated body of a polishing layer, an interlayer adhesive layer, a support layer and a surface plate adhesive layer, wherein the polishing layer is a fabric having mesh opening of 10-150 μm, and an aperture ratio of 5-50%, and the interlayer adhesive layer is formed of a double-sided tape containing a silicone-based adhesive as a composition.例文帳に追加

本発明の研磨パッドは、研磨層および層間粘着層および支持層および定盤粘着層の積層体からなり、研磨層が目開き１０〜１５０μｍ、開孔率５〜５０％の織物であり、層間粘着層がシリコーン系粘着剤を組成とする両面テープからなるものである。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

A resin composition for a plating resist is used as a part of an interlayer insulation layer of a multilayer printed wiring board comprising the interlayer insulation layer and a conductive layer which are alternately laminated, and includes 30-90 mass% of a titanium oxide relative to a resin solid content.例文帳に追加

層間絶縁層と導体層とが交互に積層されてなる多層プリント配線板の層間絶縁層の一部として用いられるめっきレジスト用樹脂組成物であって、樹脂固形分に対して３０〜９０質量％の酸化チタンを含むことを特徴とするめっきレジスト用樹脂組成物である。 - 特許庁

A first interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate having a semiconductor element formed thereon, and a tantalum nitride film is formed on the first interlayer dielectric by first sputtering at a substrate temperature from a normal temperature to 400°C with a nitride gas partial pressure ratio of 3-10% in a reaction gas.例文帳に追加

半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

A method of fabricating a multi-level memory device comprises forming peripheral circuitry 120 on a substrate 105; covering the peripheral circuitry 120 and the substrate 105 with an interlayer dielectric layer 145; and forming a stack 110 of more than one level of memory array on the interlayer dielectric layer 145.例文帳に追加

マルチレベルメモリデバイスを製造する方法であって、基板１０５上に周辺回路１２０を形成することと、周辺回路１２０および基板１０５を層間誘電層１４５で覆うことと、層間誘電層１４５上に１レベル以上のメモリアレイのスタック１１０を形成することと、を含む製造方法。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating resin film suitable for manufacturing a printed wiring board that has conductor circuits made high in density without making a wiring width small and also has superior inter-line and interlayer insulation and connection reliability between the conductor circuits in order to provide the printed wiring board having the conductor circuits made high in density.例文帳に追加

導体回路の高密度化されたプリント配線板を提供するために、配線幅を小さくすることなく導体回路を高密度化し、かつ線間と層間での導体回路間の絶縁性および接続信頼性に優れたプリント配線板の製造に適した層間絶縁樹脂フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To enable avoidance of deterioration of an adhesion between an interlayer insulating film and a barrier metal or wiring layer, when a wiring groove is made in a silicon oxide film containing fluorine as the interlayer insulating film and the wiring layer is formed in the groove through a barrier metal of Ti, etc.例文帳に追加

層間絶縁膜としてのフッ素含有シリコン酸化膜に配線用溝を形成し、その溝にＴｉなどのバリア・メタルを介して配線層を形成するときに、前記層間絶縁膜と、バリア・メタルまたは配線層との密着性が損なわれることのない、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer (104: adhesive layer or photo-polymer with evenly adjusted thickness ) where thickness variation is controlled to be a predetermined value or below (the thickness variation in the interlayer is 2 μmp-p or ±1 μm, or below during one rotation in any radius position) between a first recording part (L0) and a second recording part (L1).例文帳に追加

第１記録部（Ｌ０）と第２記録部（Ｌ１）との間に、厚み変動が所定値以下（任意の半径位置においてディスクを1周する間の中間層厚み変動が２μｍｐ−ｐあるいは±１μｍ以下）に管理された中間層（１０４：厚みを均一に調整した接着層あるいはフォトポリマ）を設ける。 - 特許庁

A cylinder hole is formed in a layer becoming the beam such as a sacrificial interlayer dielectric 24 interposed with a carbon film 86, a lower electrode 51 of the capacitor is formed in the cylinder hole, and then, after the sacrificial interlayer dielectric 24 is selectively removed by wet etching, the carbon film 86 is selectively removed on a dry condition.例文帳に追加

梁となる層、例えばカーボン膜８６を介装した犠牲層間絶縁膜２４にシリンダホールを形成し、シリンダ孔内にキャパシタの下部電極５１を形成し、続いて、犠牲層間絶縁膜２４をウェットエッチングにて選択的に除去した後、カーボン膜８６をドライ条件で選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition which has sufficient adhesion with a conductor, high heat resistance, flame retardancy, low dielectric constant, low dielectric loss tangent, and can form an interlayer insulating resin layer with low water absorption, and to provide a thermosetting adhesive film and multilayer printed circuit board in which an interlayer insulating resin layer is formed using them.例文帳に追加

導体との充分な密着性を有し、高耐熱性、難燃性、低誘電率、低誘電正接、低吸水率の層間絶縁樹脂層を形成できる熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着フィルム及びそれらを用いて層間絶縁樹脂層が形成された多層プリント基板を提供する。 - 特許庁

An overlap display control unit 12, when a start layer with interlayer wiring started therefrom through input of a VIA and a termination layer as a termination of the interlayer wiring through the VIA are selected, displays a wiring image of at least one of layers ranging from the start layer to the termination layer so as to overlap on a wiring image of the start layer.例文帳に追加

重ね表示制御部１２は、ＶＩＡの入力により層間配線が開始される開始層と、ＶＩＡを介する層間配線の終端とする終端層とが選択された場合に、開始層から終端層までの層のうち少なくとも１つの層の配線画像を開始層の配線画像に重ねて表示させる。 - 特許庁

The interlayer insulation films 47 are formed by screen printing in a fine line shape after forming a high surface free energy region on the wettability changing layer by irradiating a region where the interlayer insulation films 47 are formed in the terminal part 40 with DeepUV rays at a wavelength 254 nm through a photomask with a pattern drawn thereon.例文帳に追加

層間絶縁膜４７は、端子部４０の層間絶縁膜４７を形成する領域にパターンが描画されたフォトマスク越しに波長２５４ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光を照射し、濡れ性変化層上に高表面自由エネルギー領域を形成した後、微細なライン形状でスクリーン印刷法によって形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first interlayer insulating film (first insulating film), formed on the upper part of a silicon substrate (semiconductor substrate) 1 and a capacitor 20, formed on the first interlayer insulating film 11 and having a lower electrode 16a, a dielectric film 17a, and an upper electrode 18a.例文帳に追加

シリコン基板（半導体基板）１の上方に形成された第１の層間絶縁膜（第１絶縁膜）と、第１の層間絶縁膜１１上に形成され且つ下部電極１６ａ、誘電体膜１７ａ及び上部電極１８ａを有するキャパシタ２０とを有することを特徴とする半導体装置による。 - 特許庁

After having formed a first interlayer insulating film 106 on a laminated layer 105 for wiring, a first opening for plugs is formed by selectively etching the first interlayer insulating film 106, and a first contact plug 110 is formed subsequently by burying a first conductive film in the first opening for plugs.例文帳に追加

配線用積層膜１０５の上に第１の層間絶縁膜１０６を形成した後、該第１の層間絶縁膜１０６に対して選択的にエッチングを行なって第１のプラグ用開口を形成し、その後、第１のプラグ用開口に第１の導電膜を埋め込んで第１の接続プラグ１１０を形成する。 - 特許庁

Corrosion-proof close-contact type dummy patterns 511 to 531 for assuring close contact of the embedded layer dummy patterns 611 to 631 to the total range to the interlayer insulation film 43 of the upper most layer from the semiconductor substrate 2 in the connection hole dummy patterns 4101 to 4301 are formed in the interlayer insulation film isolating band 12 as the barrier with respect to moisture.例文帳に追加

層間絶縁膜分離帯１２に、半導体基板２から最上層の層間絶縁膜４３に到る全範囲に、埋め込み層ダミーパターン６１１〜６３１を接続孔ダミーパターン４１０１〜４３０１内に密着せしめる耐蝕性の密着層ダミーパターン５１１〜５３１を形成し、水分に対するバリアとする。 - 特許庁

An interlayer dielectric 11 with the copper wire 14 filled in is formed on the semiconductor base material with an electronic component including a transistor and a magnetic tunnel junction element formed on the semiconductor substrate, and a silicon nitride film having a film density of not less than 2.5 g/cm^3 as the liner film 15 is formed on the interlayer dielectric 11.例文帳に追加

半導体基板上にトランジスタと磁気トンネル接合素子とを含む電子部品を形成した半導体基材上に、銅配線１４を埋め込んだ層間絶縁膜１１を形成し、この層間絶縁膜１１上にライナ膜１５として２．５ｇ／ｃｍ^3以上の膜密度を有するシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method of a contact hole/interlayer insulating film, etc. which form the contact hole/interlayer insulating film, shorten and simplify the entire manufacturing process, reduce a cost, and use a dispersant or solvent which does not damage during the usage of organic semiconductor material without limiting a selection of insulating film material.例文帳に追加

コンタクトホール／層間絶縁膜を形成・製造する工程全体の短縮化、簡素化、コストダウンを図れ、また絶縁膜材料の選定が限定されることなく有機半導体材料を使用しても損傷を与えない溶剤・溶媒を用いることが可能なコンタクトホール／層間絶縁膜の形成方法等を提供する。 - 特許庁

The rigid/flexible printed circuit board (R/FPC) is formed by adhering the RPC to both surfaces of the FPC produced by adhering the CCL and CL, with an interlayer adhesive sheet in-between, and the interlayer adhesive sheet is added with an alkaline metallic compound of 5-50 mass% as an acid acceptor.例文帳に追加

ＣＣＬとＣＬとを貼り合わせてなるＦＰＣの両面に層間接着シートを介してＲＰＣを接着したＲ・ＦＰＣであって、前記層間接着シート中には、受酸剤としてアルカリ性金属化合物が５〜５０質量％添加されているＲ・ＦＰＣとすることによって、解決される。 - 特許庁

A chrome band 24 is buried between a scanning signal line 9 and an interlayer insulating film 14, and an undercut portion 25 composed of a gap substantially equal to the thickness of the chrome band is disposed between the scanning signal line 9 and the interlayer insulating film 14 continuously from one side wall of the chrome band 24 toward the outside.例文帳に追加

走査信号配線９と層間絶縁膜１４間にクロム帯２４を埋設し、このクロム帯２４の一方の側壁から外側方向に向かって連続してこのクロム帯厚さに略等しい間隙からなるアンダーカット部２５を前記走査信号配線９と前記層間絶縁膜間１４に配置した。 - 特許庁

An underlayer with etching selectivity with respect to the interlayer insulating layer is formed, and a portion of the interlayer insulating layer containing impurities in contact with the wiring layer has been removed at the edge of the semiconductor substrate.例文帳に追加

素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と外部取り出し用の配線層とを備えた半導体装置であって、前記半導体基板端縁部で、前記配線層下に、前記層間絶縁膜に対してエッチング選択性のある下地層が形成され、不純物を含む層間絶縁膜が選択的に除去されている。 - 特許庁

The word line pattern is formed by patterning a floating gate pattern 57a covering the first active region 53a, a first gate interlayer insulating film 64a formed on the whole surface of a cell array region having the floating gate pattern and a second conducting film 69 formed on the first gate interlayer insulating film 64a.例文帳に追加

ワードラインパターンは第１活性領域５３ａを覆う浮遊ゲートパターン５７ａ、浮遊ゲートパターンを有するセルアレイ領域の全面に形成された第１ゲート層間絶縁膜６４ａ及び第１ゲート層間絶縁膜６４ａの上に形成された第２導電膜６９をパターニングして形成する。 - 特許庁

To provide a configuration for achieving a uniform polishing rate without thickening of an interlayer insulation film to be polished in a liquid crystal panel substrate having a stacked film structure consisting of interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

To provide a configuration capable of achieving a uniform polishing rate without thickening of interlayer insulation films to be polished in a liquid crystal panel substrate having a layered film structure of the interlayer insulation films and metal layers alternately formed on a semiconductor substrate provided with a transistor element region for pixel selection thereon.例文帳に追加

画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。 - 特許庁

The material coated with the thermal barrier coating is excellent in corrosion resistance and heat resistance and has an undercoat comprising a heat-resistant alloy containing aluminum on the surface of a substrate, a Cr_2O_3 layer as an interlayer on the undercoat and the topcoat comprising a ZrO_2 ceramic on the interlayer.例文帳に追加

基材の表面に、アルミニウムを含む耐熱合金からなるアンダーコートを有し、このアンダーコートの上に中間層としてＣｒ_２Ｏ_３層を有し、さらにこの中間層の上にＺｒＯ_２系セラミックスからなるトップコートを有することを特徴とする耐食性および耐熱性に優れる熱遮蔽皮膜被覆材。 - 特許庁

After a wiring pattern arranged on an interlayer dielectric film and the wiring layout and hole layout of a hole pattern embedded in the interlayer dielectric film are obtained, the hole pattern is extracted, which is connected with the wiring pattern from the hole layout in a pattern processing region where the wiring pattern is arranged in the same wiring layer.例文帳に追加

層間絶縁膜に設けられる配線パターン、及び層間絶縁膜に埋め込まれるホールパターンの配線レイアウト及びホールレイアウトを取得して、同一配線層内で配線パターンを配置するパターン処理領域においてホールレイアウトの中から配線パターンに接続されるホールパターンを抽出する。 - 特許庁

A field insulation layer 12A, an interlayer insulation film lower layer 14a formed by a spattering, and an interlayer insulation film upper layer 14b formed by application are stacked among the upper electrode 13, the connection electrode 15 and the lower electrode 11 to insulate the lower electrode 11 from the upper electrode 13 (the upper electrode power feed line 16).例文帳に追加

上部電極１３および接続電極１５と下部電極１１の間にはフィールド絶縁層１２Aとスパッタで成膜された層間絶縁膜下層１４aと塗布成膜された層間絶縁膜上層１４bとが積層され、下部電極１１と上部電極１３（上部電極給電線１６）とを絶縁する。 - 特許庁

A wiring groove 16a and a dummy wiring groove 16b are formed on the surface of a first interlayer dielectric 12 covering a first wiring layer 10, and the coarseness and fineness of distribution for which the surface of the wiring groove 16a and the surface of the dummy wiring groove 16b are joined on the surface of the first interlayer dielectric 12 are reduced.例文帳に追加

第１配線層１０を被覆している第１層間絶縁膜１２表面に配線溝１６ａ及びダミー配線溝１６ｂを形成し、第１層間絶縁膜１２表面における配線溝１６ａ表面とダミー配線溝１６ｂ表面とを合わせた分布の粗密を低減化する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an interlayer insulating film 104 formed on a substrate (not shown) and having a wide wiring groove 106 formed at the surface, and wide wiring 120 formed by filling the wide wiring groove 106 of the interlayer insulating film 104 and composed of a barrier metal film 110 and a copper film 116.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成され、太幅配線溝１０６が表面に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４の太幅配線溝１０６を埋め込んで形成され、バリアメタル膜１１０および銅膜１１６により構成された太幅配線１２０とを含む。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Interconnection trenches 112 are made in the second interlayer insulation film 106 by etching through the use of a hard mask 107B transferred with the openings for interconnection trenches and contact holes 111 are made in the first interlayer insulation film 104 by etching through the use of the etching stopper film 105A transferred with the opening for contact holes.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６に対して配線溝用開口部が転写されたハードマスク１０７Ｂを用いてエッチングして配線溝１１２を形成すると共に、第１の層間絶縁膜１０４に対して接続孔用開口部が転写されたエッチングストッパー膜１０５Ａを用いてエッチングして接続孔１１１を形成する。 - 特許庁

Thus, a barrier layer 15 which is chemically stable even in a high-temperature usage environment at a temperature exceeding 200°C and effectively works as a barrier layer can be interposed between Cu interconnections 18 and the interlayer insulation film 12, and thereby diffusion of Cu, which is a material of the interconnections, into the interlayer insulation film 12 can be prevented.例文帳に追加

これにより、２００℃を超える高温使用環境においても化学的に安定であり、バリア層として効果的に作用するバリア層１５をＣｕ配線１８と層間絶縁膜１２との間に介在させることができるので、配線材料たるＣｕの層間絶縁膜１２への拡散を防止することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing a wiring substrate manufactured through a mounting process, a curing process, and a built-in process, a capacitor 10 is mounted on a resin interlayer insulating layer 81 in an uncured state and a portion of the resin interlayer insulating layer 81 is allowed to get in a through-hole 111, in the mounting process.例文帳に追加

搭載工程、硬化工程及び内蔵工程を経て製造される配線基板の製造方法において、搭載工程では、コンデンサ１０を未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１上に搭載するとともに、樹脂層間絶縁層８１の一部を貫通孔１１１内に入り込ませる。 - 特許庁

After that, a second interlayer insulating film 147 is deposited on the substrate; and the metal pad 152 for relaxing the stress, a second plug 170n on the N-type diffusion layer reaching a first plug 160p on a P-type diffusion layer, and a second plug 170p on the P-type diffusion layer are formed through the second interlayer insulating film 147.例文帳に追加

その後、基板上に第２の層間絶縁膜１４７を堆積し、第２の層間絶縁膜１４７を貫通して応力緩和用金属パッド１５２，Ｐ型拡散層上第１プラグ１６０ｐに到達するＮ型拡散層上第２プラグ１７０ｎ，Ｐ型拡散層上第２プラグ１７０ｐを形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating material 12 formed on a core substrate 1 is softened, and a mold 20 having protrusions corresponding to the respective recessed part for wiring pattern formation and recessed part for viahole formation is fitted with pressure to the softened interlayer insulating layer, thereby imprinting a trench 14 for wiring pattern formation and a trench 16 for viahole formation.例文帳に追加

コア基板１上に形成された層間絶縁材１２を軟化させ、次いで、配線パターン形成用の凹部およびバイアホール形成用の凹部にそれぞれ相当する凸部を有するモールド２０を軟化した層間絶縁層に圧入して、配線パターン形成用の溝１４およびバイアホール形成用の溝１６を転写する。 - 特許庁

The polishing stop film 20 remains on the semiconductor substrate 11 as a stopper of polishing (stop index) even if the interlayer insulation film 12 is removed by polishing using a CMP method when forming a conductive plug 13 in the interlayer insulation film 12 at the peripheral region of the semiconductor 11.例文帳に追加

この研磨停止膜２０は、半導体基板１１の周縁領域において、層間絶縁膜１２が当該層間絶縁膜１２内に導電性プラグ１３を形成する際のＣＭＰ法による研磨によって除去された場合においても、当該研磨のストッパー（停止指標）となって半導体基板１１上に残る。 - 特許庁

In the electrophotographic photoreceptor having an interlayer and a photosensitive layer on an electroconductive substrate, the interlayer comprises a resin having heat of fusion of 0-40 J/g and a water absorption of ≤5 mass% and an N-type semiconductive particle containing 100 ppm to 2.0 mass% of a transition metal.例文帳に追加

導電性支持体上に中間層、感光層とを有する電子写真感光体において、該中間層が融解熱０〜４０Ｊ／ｇで、且つ吸水率５質量％以下の樹脂及び遷移金属を１００ｐｐｍ〜２．０質量％含有したＮ形半導性粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

Next by feeding a source gas consisting of, for example, PET(pentaethoxy tantalum) gas and reacting with the water vapor, an interlayer 50 consisting of the tantalum oxide film with a very thin and uniform film thickness is formed, and continuously in addition to the source gas, oxygen is made to flow and an original tantalum oxide film is deposited on the interlayer.例文帳に追加

次に、例えばＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）ガスよりなる原料ガスを供給して上記水蒸気と反応させることにより、非常に薄い膜厚が均一なタンタル酸化膜よりなる界面層５０を形成し、引き続いて原料ガスに加えて酸素を流して本来のタンタル酸化膜を界面層上に堆積させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the element includes a process, in which a plurality of ferroelectric capacitors are formed on the semiconductor substrate on which the lower-part interlayer film has been formed, and after the hydrogen preventing spacer is formed on the side wall of the ferroelectric capacitor, the upper-part interlayer film and a plurality of plate lines are formed on the resultant structure.例文帳に追加

この素子の製造方法は下部層間絶縁膜が形成された半導体基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、強誘電体キャパシタの側壁に水素防止スペーサを形成した後に、その結果物上に上部層間絶縁膜及び複数のプレートラインを形成する段階を含む。 - 特許庁