「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device introduced into a low dielectric interlayer insulated film to suppress the deterioration of performance of a wiring due to damage, and to provide the method for manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing diffusion of Cu and suppressing the increase of an interlayer dielectric constant, and also to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕの拡散を防止することができ、かつ、層間の誘電率が高くなることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a composition for coating film formation that can form the coating film having excellent cracking resistance, mechanical strengths and dielectric properties as a material for interlayer insulation film.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の耐クラック特性や機械的強度や誘電率特性に優れた膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

A pad electrode 23 covered with a cap metal 24 is formed on the third interlayer insulating film 20, and the pad electrode 23 and the cap metal 24 are covered with first and second passivation films 25 and 26.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜２０上には、キャップメタル２４に覆われたパッド電極２３が形成され、それらは第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６に覆われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a low permittivity film exhibiting excellent bonding resistance in the assembling process and exhibiting excellent breakdown voltage between interconnect lines on the same layer is employed as an interlayer insulation film.例文帳に追加

組立工程でのボンディング耐性に優れ、また同層配線間耐圧に優れた、低誘電率膜を層間絶縁膜に用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

As the interlayer 4, an aluminum oxide layer or an oxide silicon layer, for example, can be used and can be formed by a sputtering method or an evaporation method, for example.例文帳に追加

中間層４としては、例えば酸化アルミニウム層又は酸化シリコン層を用いることができ、例えばスパッタ法又は蒸着法により形成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, in which the thickness of an interlayer insulating film of higher controllability is secured, related to a planarization process using a CMP technology.例文帳に追加

ＣＭＰ技術による平坦化工程において、より制御性の高い層間絶縁膜の厚さを確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second contact 15 and a second copper wiring 16 being wiring of the uppermost layer are embedded in a second interlayer insulating film 14 on a silicon substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上の第２の層間絶縁膜１４には第２のコンタクト１５および最上層の配線である第２の銅配線１６が埋め込まれている。 - 特許庁

The method for producing the pigment comprises an insertion process for obtaining the interlayer compound by inserting the dye between the interlayers of the laminar inorganic compound and a vaporization process for vaporizing the dye.例文帳に追加

顔料の製造方法は、層状無機化合物の層間に染料を挿入して層間化合物を得る挿入工程と、染料を気化させる気化工程とを含む。 - 特許庁

An electrode pad 104, a surface protective film 106, an interlayer insulating film 110, a base metal layer 112, and a re-wiring layer 116 are formed on an insulating film 102 provided on a wafer 100.例文帳に追加

ウェハ１００の絶縁膜１０２上に，電極パッド１０４，表面保護膜１０６，層間絶縁膜１１０，下地金属層１１２，再配線層１１６を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device which is less likely to generate cracks on an interlayer insulating film, under a hydrogen diffusion preventing film, even if annealing is conducted thereto.例文帳に追加

水素拡散防止膜を形成した後にアニールを行っても、その下の層間絶縁膜にクラックが生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, an interlayer insulating film 8 and a contact 9 which comes into contact with the gate electrode 6 through the insulating film 8 are formed on the substrate.例文帳に追加

さらに、基板上には、層間絶縁膜８が形成されており、層間絶縁膜８を貫通してゲート電極６に接触するコンタクト９が形成されている。 - 特許庁

A transparent conductive material layer 13b is laminated and formed on an alignment film side which is opposite to the interlayer film 18 of the aluminum alloy material layer 13a.例文帳に追加

そして、このアルミニウム合金材料層１３ａの層間膜１８と反対側となる配向膜側には、透明導電材料層１３ｂが積層形成されている。 - 特許庁

The peripheral NMOS Tr 52 region and the peripheral PMOS Tr 53 region are provided via a gate oxide film 3 on the semiconductor substrate 1 of this peripheral region, and these are coated with a first interlayer insulating film 11.例文帳に追加

この周辺領域の半導体基板1上には、ゲート酸化膜3を介して周辺NMOSTr52と周辺PMOSTr53とが設けられ、これらは第1の層間絶縁膜11で覆われている。 - 特許庁

In succession, after the surface of the silicon substrate 1 has been cleaned, a polysilicon film 12 is formed on the interlayer insulating film 10 so as to cover the inner surfaces of the contact holes 11.例文帳に追加

続いて、シリコン基板１の表面を洗浄した後、コンタクトホール１１の内面を覆うようにして層間絶縁膜１０の上にポリシリコン膜１２を形成する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 80 is formed on all the surface of a semiconductor substrate 50 on which a lower electrode elctrically connected to an impurity injection region is formed.例文帳に追加

不純物注入領域と電気的に連結された下部電極パッド７８が形成された半導体基板５０の全面に、第１層間絶縁膜８０を形成する。 - 特許庁

Also, the metallic wiring 124 is elongated and formed on a groove 123 formed on the interlayer insulating film 117 between the metallic wiring 124 and the etching stop film 121.例文帳に追加

また、金属配線１２４とエッチングストップ膜１２１との間は、層間絶縁膜１１７に形成された溝１２３に金属配線１２４が延伸形成されている。 - 特許庁

Interlayer insulation layers 20, 22, 24 and 26 on a semiconductor layer 10, the wiring layers 30, 32 and 34, and a pad wiring layer 40 consist of a pad 100 and a wiring 200.例文帳に追加

半導体層１０上の層間絶縁層２０，２２，２４、２６と、配線層３０，３２，３４、パッド配線層４０は、パッド部１００と配線部２００とからなる。 - 特許庁

A deposited film having the thickness substantially same as the thickness of a large number of interlayer insulating films is provided in an upper part of the MEMS, and the deposited film forms a part of a structure of the MEMS.例文帳に追加

ＭＥＭＳの上部には多層の層間絶縁膜とほぼ同じ厚みを有する堆積膜を備え、堆積膜はＭＥＭＳの構造体の一部となる。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film of a semiconductor device which has a low dielectric constant, is free from generation of gases, including CF_x and SiF_4, and is stable, and to provide a wiring structure that includes the film.例文帳に追加

低誘電率で且つＣＦ_ｘ、ＳｉＦ_４等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。 - 特許庁

There are also provided the photosensitive film for a permanent resist using the composition, the resist pattern forming method, the printed wiring board and the method for producing the same, the surface protective film, and the interlayer insulating film.例文帳に追加

この組成物を用いた永久レジスト用感光性フィルム、レジストパターンの形成方法、プリント配線板及びその製造方法、表面保護膜並びに層間絶縁膜。 - 特許庁

To avoid a trouble, such as a short circuit occurring between VIAs, in the manufacture of a semiconductor device comprising a microminiaturizing process that adopts a Low-K interlayer material or a Cu interconnecting line process.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ層間材やＣｕ配線プロセスを採用する微細化プロセス工程を含む半導体装置の製造において、ＶＩＡ間ショートの問題を回避する。 - 特許庁

To suppress the interlayer interference to be small by a simple medium constitution, in a multi-layer optical information recording medium having a first and a second recording layers on one side.例文帳に追加

片面に第１と第２の記録層を有する多層型光学的情報記録媒体において、簡単な媒体構成で層間の干渉を小さく抑える。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device in which signal delay can be suppressed and diffusion of a barrier metal into an interlayer dielectric being formed with a contact hole having a high aspect ratio is reduced.例文帳に追加

信号遅延を抑制することができるとともに、アスペクト比が高い接続孔が形成される層間絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer ceramic capacitor which prevents interlayer separation and short circuit and has superior breakdown voltage characteristic, high reliability, and a large capacity.例文帳に追加

層間剥離や短絡不良の発生を防ぎ、耐圧特性に優れた、信頼性の高い大容量の積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an alignment mark is formed easily while having a low-profile laminate structure of interlayer insulating film, or the like, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜などの積層構造を低背化しつつ、アライメント用のマークが容易に形成された半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The source/drain regions of the thin-film transistor and the semiconductor plug come into contact with a metal plug, and the metal plug is extended via at least one portion of the interlayer insulating film.例文帳に追加

該薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域及び該半導体プラグは金属プラグと接触し、該金属プラグは該層間絶縁膜の少なくとも一部を介して延長される。 - 特許庁

To provide an optical pickup device which secures a stable operation even when the distances between layers are small, by eliminating multiple interlayer crosstalk which causes fluctuation in a control signal or an error rate of a data signal.例文帳に追加

光ピックアップにおいて制御信号の変動やデータ信号のエラー率の原因となる多層間クロストークを除去し、狭い層間隔でも安定した動作を確保する。 - 特許庁

A measurement hole X1 is formed by removing the first and second interlayer insulation films on the working electrode WE1 with the working electrode WE1 coming out.例文帳に追加

作用電極ＷＥ１上の第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜が除去され、作用電極ＷＥ１が露出した測定穴Ｘ１が形成されている。 - 特許庁

A connecting conductor 30' is embedded in the through hole penetrating the antireflection film 26' and the interlayer insulating film 24' to connect the metal layer 29 and a display electrode 32.例文帳に追加

反射防止膜２６’及び層間絶縁膜２４’を貫通するスルーホールに接続導体３０’を埋め込んで金属層２９と表示電極３２とを接続する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor storage, there is prepared a semiconductor substrate having on its surface plugs 1 connected respectively with source or drain electrodes and having a plug-portion interlayer film 2 made of SiO2.例文帳に追加

半導体基板表面にソース電極もしくはドレイン電極に接続されたプラグ１及びSiO_2からなるプラグ部層間絶縁膜２を有する基板を準備する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming an interlayer insulating film on copper wiring by an application method without oxidizing the surface of the copper wiring.例文帳に追加

銅配線表面を酸化させることなく、塗布法を用いて銅配線上に層間絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element is formed by using a precursor without containing hydrogen as an interlayer insulation substance.例文帳に追加

メモリ素子及びその製造方法について開示し、該メモリ素子は、層間絶縁物質として水素を含まない前駆体を使用して形成したメモリ素子及びその製造方法である。 - 特許庁

The method further comprises the steps of burying the metal plug in the port, then dry etching exposed surfaces of the fifth interlayer dielectric and the plug with an atmosphere containing a CF4 and executing etching back.例文帳に追加

接続口に金属プラグを埋め込んだ後、第５の層間絶縁膜と金属プラグの露出表面をＣＦ4ガスを含む雰囲気でドライエッチングを行い、エッチバックを実施する。 - 特許庁

To provide a laminated wiring board which is equipped with an interlayer conduction structure increased in connection area and reduced in number of manufacturing processes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

層間導通構造において，接続面積を拡大するとともに製造の工程数を減らした積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Apertures 32a for exposing a contact metal 27 arranged on a position where a lower electrode is to be formed are formed through the interlayer insulating films 151, 152 and the metallic films 291, 292.例文帳に追加

層間絶縁膜１５１，１５２や金属膜２９１，２９２を貫通し、下部電極を形成すべき位置のコンタクト金属２７を露出させる開口３２ａを形成する。 - 特許庁

To provide a wiring method which can realize a good interlayer connection while not deteriorating the characteristics of an entire semiconductor integrated circuit of a multi-layered structures.例文帳に追加

多層構造を有する半導体集積回路において、回路全体の特性を悪化させることなく良好な層間接続を実現できる配線方法を提供すること。 - 特許庁

By the display medium 12, a water-insoluble resin layer 32 constituted of water-insoluble resin is provided to interlayer between a liquid crystal layer 17 and an optical absorbing layer 19.例文帳に追加

表示媒体１２によれば、液晶層１７と光吸収層１９との層間に、非水溶性樹脂から構成された非水溶性樹脂層３２が設けられている。 - 特許庁

To provide a wiring board where reduction in reliability is prevented in interlayer connection in a through hole having a high aspect ratio and a fine pattern is formed, and to provide a method for manufacturing the wiring board.例文帳に追加

高アスペクト比のスルーホールにおける層間接続の信頼性の低下を防止し，ファインパターンが形成された配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

At this time, build-up interlayer resin insulating layers 50 and 150 are formed on the IC chip 20, thus properly connecting the IC chip 20 to the printed-wiring board.例文帳に追加

ここで、ＩＣチップ２０上にビルドアップの層間樹脂絶縁層５０、１５０を形成することで、ＩＣチップ２０とプリント配線板との接続を適正に取ることができる。 - 特許庁

The semiconductor module 40 uses as a supporting board what is obtained by bonding together a first conductive pattern 41 and a second conductive pattern 37 with an interlayer insulating film in-between.例文帳に追加

なお、半導体モジュール４０は、層間絶縁膜を介して第１の導電パターン４１と第２の導電パターン３７が張りあわせたものを支持基板としている。 - 特許庁

Also, since a space which is required when the interlayer film 3 near the scribe line 10 is eliminated according to the conventional technology is no longer necessary, the semiconductor device can be miniaturized.例文帳に追加

また、従来技術のようにスクライブライン１０近傍の層間膜３を除去した場合に必要なスペースが不要であり、半導体装置の微細化を実現できる。 - 特許庁

The stopper film 65 is formed by using a material in which an etching rate of an etching in the step of forming the contact holes 71, 72 is smaller than that in the step of forming the interlayer insulating film 7.例文帳に追加

ストッパ膜６５は、コンタクトホール７１、７２を形成する工程のエッチングのエッチングレートが、層間絶縁膜７よりも小さい材料を用いて形成する。 - 特許庁

On the main surface 104a of the third interlayer insulating film 104 and the lower electrode 105 on the inner side face of the opening 111, a capacitance insulating film 106 is formed.例文帳に追加

第３層間絶縁膜１０４の主面１０４ａ及び開口１１１内側面の下部電極１０５上には容量絶縁膜１０６が形成されている。 - 特許庁

By this setup, a hemispherical opening 200 is formed in a via forming region on the interlayer resin layer 180 so as to expose a part of a wiring pattern 160.例文帳に追加

これにより、層間樹脂層１８０におけるビアの形成領域に、配線パターン１６０の一部を露出させる半球状開口部２００が形成される。 - 特許庁