「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

An interlayer insulating film 9 is formed so as to bury the recessed part 6 to make the top surfaces of the p-base layer 4, the n^+-emitter layer 10 and the substrate 1 nearly flat.例文帳に追加

凹部６を埋め込むように層間絶縁膜９が形成され、ｐベース層４とｎ^+エミッタ層１０の上面を含めて基板１の上面がほぼ平坦となっている。 - 特許庁

In the light shielding layer 17 for covering a third interlayer dielectric 33, a window 17A for transmitting light is provided at a position opposed to a photodiode 11.例文帳に追加

第３層間絶縁膜３３を覆う遮光層１７において、フォトダイオード１１に対応する位置には、光を透過させるための窓１７Ａが設けられている。 - 特許庁

When the excessive Cu film 28 formed on a first interlayer insulator film 22 is removed by polishing in a CMP method, the oxide film 26 is also polished and film thickness is thinned.例文帳に追加

第１層間絶縁膜２２の上に形成された余分なＣｕ膜２８をＣＭＰ法による研磨で除去するときに、酸化膜２６も研磨されて膜厚が薄くなる。 - 特許庁

When the contact unit 13 is formed, a wiring 14 is formed on the interlayer film 11b through patterning by depositing a conductive material of a metal or the like.例文帳に追加

コンタクト部１３が形成されると、層間膜１１ｂ上に金属等の導電性材料を堆積させ、パターニング形成することにより、配線１４を形成する。 - 特許庁

In the lowermost layer of the memory module 28, solder balls 32 are external connecting terminals are formed in the lower ends of the metal pins 30 as the interlayer connecting members.例文帳に追加

また、メモリモジュール２８の最下層部において、層間接続部材としての金属ピン３０の下端部に外部接続端子としての半田ボール３２が形成されている。 - 特許庁

By this setup, a laminated wiring board 100 having an interlayer conduction structure in which conductor layers 11 and 21 are electrically connected together through the vias 13 and 23 can be manufactured.例文帳に追加

これにより，導体層１１と導体層２１とが，ビア１３およびビア２３により導通した層間導通構造を有する積層配線板１００が製造される。 - 特許庁

To provide an adhesive paste component for printed wiring board interlayer connection, enable to form a bump which does not cause any defective connection with the material having high hardness, crack, or with a wiring pattern.例文帳に追加

高い硬度、割れ、配線パターンとの接続不良のないバンプを形成することのできるプリント配線板層間接続用接着性ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition excellent in storage stability, capable of imparting a film excellent in dielectric constant characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc.例文帳に追加

貯蔵安定性に優れ、得られる膜が誘電率特性に優れ、半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film of a low dielectric constant useful as an interlayer dielectric film of a semiconductor device or the like, and to provide a film formed by the method.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜などとして有用な低誘電率の膜を形成する方法と、この方法により形成される膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for providing an interlayer connection and a connector mount in a multilayer circuit board which is capable of substantially reducing or eliminating resonance, generated in via holes which provide connections among layers in a printed circuit board.例文帳に追加

印刷回路基板の各層を接続するビアにおいて発生する共鳴を実質的に低減または排除できる装置と方法を提供すること。 - 特許庁

A first connecting hole 20b located on a gate electrode 5b, and a second connecting hole 20a located on the MNOS element 10, are formed to the interlayer insulating film 20.例文帳に追加

層間絶縁膜２０に、ゲート電極５ｂ上に位置する第1の接続孔２０ｂ、及びＭＮＯＳ素子１０上に位置する第２の接続孔２０ａを形成する。 - 特許庁

The light shielding film 120 formed on a TFT substrate 10 is constituted of a three layered structure wherein an interlayer thin film 122a is held between light shielding thin films 121a and 121a of upper and lower layers.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１０に形成する遮光膜１２０を、上層と下層の遮光薄膜１２１ａ，１２１ａで層間薄膜１２２ａを挟んだ三層構造とする。 - 特許庁

A first wiring 102A and a second wiring 111 are connected through a via 110A formed in an interlayer dielectric (S_iO_2 film 104 and FSG film 105).例文帳に追加

第１配線１０２Ａと第２配線１１１とは、層間絶縁膜（ＳｉＯ_2 膜１０４及びＦＳＧ膜１０５）中に形成されたビア１１０Ａを介して接続されている。 - 特許庁

Thus, the preformatted signal SWBL1 that excludes an influence of a stray light pattern by an interlayer stray light beam LN from a plurality of recording layers is generated.例文帳に追加

従って、複数の記録層Ｙからの層間迷光ビームＬＮによる迷光パターンＷの影響を排除したプリフォーマット信号ＳＷＢＬ１を生成できる。 - 特許庁

On the photoelectric conversion layer 39 there is connected an n-conductivity contact layer 40 leading to the charge storage 24 and penetrating the nitride film 38 and the interlayer films 31, 33, 35.例文帳に追加

光電変換層３９には、窒化膜３８および層間膜３１，３３，３５を貫通し、電荷蓄積部２４につながるＮ導電型のコンタクト層４０が接続されている。 - 特許庁

To solve a problem caused by the formation of an interlayer insulating film and to reduce a noise current generated in a circuit (semiconductor element) by the light emission of a light emitting diode.例文帳に追加

層間絶縁膜を形成することによる不都合を解消し、発光ダイオードの発光により回路（半導体素子）に発生するノイズ電流を低減する。 - 特許庁

Then, a trench 19 is so formed as to penetrate the interlayer insulation films 17 and 18, and an interconnection 20a is so formed as to be embedded in the trench 19.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８を貫通する溝１９を設け、この溝１９内へ埋め込むように配線２０ａを形成する。 - 特許庁

To solve the problem that cracks and peeling are generated on a semiconductor thin film due to concentration of a stress on an opening formed on an interlayer insulating film of a semiconductor thin film fixed on a substrate.例文帳に追加

基板に固着した半導体薄膜上の層間絶縁膜に形成した開口部に応力が集中し、半導体薄膜にクラック、剥離が生じる。 - 特許庁

In the support structure of glass plate, when interlayer displacement is eliminated, floating glass plates G1-G4 are tilted in reverse directions by the dead weights and returned to original positions.例文帳に追加

実施の形態のガラス板の支持構造は、層間変位が無くなると、浮き上がったガラス板Ｇ１〜Ｇ４は自重により逆方向に傾動して元の位置に戻る。 - 特許庁

Projecting sections are formed at positions corresponding to through-holes interlayer-connecting a grounding terminal for the electronic part and the grounding layer in the heat sink in this case, and connected to the two-layer substrate 2.例文帳に追加

ここで、放熱板には、電子部品の接地端子と接地層とを層間接続するスルーホールに対応する位置に突起部が形成され、２層基板２と接続されている。 - 特許庁

The storage capacitance has such a lamination structure that the fixed potential side electrode is laminated on the dielectric film which is exposed from an opening opened in the interlayer insulating film.例文帳に追加

蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 - 特許庁

Thereafter, embedding of tungsten and barrier metal for the plug, formation of wiring metal, and formation of an interlayer insulating film, are repeated to form a passivation filter, a color filter, an on-chip microlens or the like.例文帳に追加

その後、プラグ用のタングステン及びバリアメタルの埋め込み、配線メタルの形成、層間絶縁膜の形成を繰り返し、パッシベーション膜、カラーフィルタ、オンチップマイクロレンズ等を形成する。 - 特許庁

The semiconductor storage device 1 comprises an SOI substrate 11, quantum dots 21, interpoly insulating films 27, line patterns 29, an interlayer dielectric 301, and a bit line 31.例文帳に追加

半導体記憶装置１は、ＳＯＩ基板１１と、量子ドット２１と、インターポリ絶縁膜２７と、ラインパターン２９と、層間絶縁膜３０１と、ビット線３１とを備える。 - 特許庁

To provide an interlayer for light-diffusible laminated glass, which suppresses generation of resinous deposit during extrusion molding and is excellent in dispersion of light-diffusible fine particles, and to provide laminated glass obtained by using the same.例文帳に追加

押出成形時におけるメヤニの発生を抑制でき、かつ、光拡散性微粒子の分散性に優れる光拡散性合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

A landing pad 210, which has a width larger than that of the second contact stud 208b, is provided on the interlayer insulating film 204, in such a way that it is in contact with the surface of the second contact stud 208b.例文帳に追加

第２コンタクトスタッドの表面とコンタクトされるように層間絶縁膜２０４の上部に、第２コンタクトスタッドより大きい幅を有するランディングパッド２１０を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which eliminates etching process and forms dual damascene wiring without having to use an etching stopper as an interlayer film.例文帳に追加

この発明は、エッチング工程を削減し、且つエッチングストッパーを層間膜に用いずにデュアルダマシン構造の配線を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises an interlayer insulation layer 20, formed on a first interconnection layer 14 and having an opening 60 reaching the first interconnection layer 14.例文帳に追加

半導体装置１００は、第１の配線層１４の上に設けられた、第１の配線層１４に達する開口部６０を有する層間絶縁層２０を含む。 - 特許庁

To provide a flexible wiring board that has a satisfactory high frequency signal transmission characteristic by virtue of an interlayer insulator layer made of a thermoplastic resin and facilitates multilayer construction.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる層間絶縁体層を有し、高周波信号の伝送特性に優れ、その多層化が容易になるフレキシブル配線板を提供する。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device 1, a laminate ML is formed by alternately stacking a plurality of interlayer dielectrics ILD and a plurality of control gate electrodes CG.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１において、それぞれ複数の層間絶縁膜ＩＬＤ及び制御ゲート電極ＣＧを交互に積層させて積層体ＭＬを形成する。 - 特許庁

To reduce burning of liquid crystal or deterioration in characteristic without adding a mask in a semiconductor device including a pixel electrode and a gate wire on the same interlayer film.例文帳に追加

同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。 - 特許庁

In the heating process, the temperature of the interlayer compound is elevated up to a temperature exceeding any of the boiling temperature, sublimation temperature and thermal decomposition temperature of the organic compound.例文帳に追加

加熱工程では、層間化合物は、有機化合物の沸騰温度、昇華温度及び熱分解温度のいずれかの温度を超える温度になるまで昇温される。 - 特許庁

A gate insulating film 7, an lower pixel electrode 12, an interlayer insulating film 23 and an upper pixel electrode 24 are arranged in this order on a transparent insulation substrate 1a.例文帳に追加

透明絶縁性基板１ａ上に、ゲート絶縁膜７、下層画素電極１２、層間絶縁膜２３及び上層画素電極２４がこの順に配置されている。 - 特許庁

To provide the trimming equipment for an interlayer for laminated glass capable of enhancing production efficiency and also of contemplating to shorten production lines, and a method therefor.例文帳に追加

生産効率を高めることができるとともに生産ラインの短縮化を図ることができる合わせガラス用中間膜のトリミング装置及びその方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 40 where the opening 100' is formed is obliquely dry-etched with respect to the surface of the semiconductor substrate 20 with the resist pattern 50 as the mask.例文帳に追加

そして、このレジストパターン５０をマスクに、開口部１００´が形成された層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して斜めにドライエッチングする。 - 特許庁

The dielectric layer 220 further has an interlayer flattening dielectric layer 230 adjacent to the interconnection layer 210 and a passivation layer 240 adjacent to the layer 230.例文帳に追加

誘電体層(220)は、さらに、相互接続層(210)に隣接する層間平坦化誘電体層(230)と、層間平坦化誘電体層(230)に隣接するパッシベーション層(240)を備える。 - 特許庁

Fluorine and nitrogen are taken into undercoat, gate insulating, and interlayer insulating films within a range of 1×10^19 to 2×10^20 cm^-3.例文帳に追加

アンダーコート膜、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜およびパッシベーション膜にフッ素および窒素を１×１０^19ｃｍ^-3から２×１０^20ｃｍ^-3の範囲だけ取り込ませる。 - 特許庁

Thus, the hardening of an interlayer insulation film formed on the surface of the wafer W is performed by projecting the electron beam on the surface of the wafer W while heating it.例文帳に追加

そして，ウェハＷ表面に形成された層間絶縁膜の硬化処理を，ウェハＷを加熱しながらウェハＷ表面に電子線を照射することによって行う。 - 特許庁

The extension 18a of the gate electrode 18 is further connected to a metal wiring formed on an upper layer by the contact that penetrates an interlayer insulating film.例文帳に追加

さらに、ゲート電極１８の延出部１８ａは、層間絶縁膜を貫通するコンタクトによって、その上層に形成されている金属配線に接続されている。 - 特許庁

To improve quality of a substrate by eliminating bleeding and projection caused by a connecting pad for interlayer connection formed by screen printing method in the manufacture of a multilayer ceramic substrate.例文帳に追加

多層セラミック基板の製造において、スクリーン印刷法で形成される層間接続用の接続パッドによるにじみや突起をなくし、基板の品質を向上する。 - 特許庁

An anionic benzophenone-type organic ultraviolet absorber is chemically bonded to the interlayer of a hydrotalcite structure to form an inorganic-organic composite in which an organic substance is guarded by an inorganic substance.例文帳に追加

アニオン性のベンゾフェノン系有機紫外線吸収剤を、ハイドロタルサイト類構造の層間に化学結合させ、有機物が無機物でガードされた無機−有機複合体にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a rewiring structure, which inhibits deterioration in bondability of an external connection electrode, interlayer detachment, occurring of cracks and the like to improve reliability.例文帳に追加

再配線構造を有する半導体装置において、外部接続電極の接合性の低下、層間剥離、クラックの発生等を抑制して信頼性を向上する。 - 特許庁

To improve quality of defect correction while remarkably improving work efficiency in a defect correcting process against an interlayer short-circuit defect between upper and lower parts of a multilayer structure.例文帳に追加

多層構造の上下間での層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させる。 - 特許庁

Front electrodes 12 are formed on a glass substrate 11, and thereafter interlayer insulating films 13 having apertures 13A for exposing areas corresponding to light emitting parts are formed.例文帳に追加

ガラス基板１１上に前面電極１２を形成した後、発光部に対応する領域を露呈させる開口部１３Ａを有する層間絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

The first conductive layer is formed so as to penetrate through an interlayer insulating film and extend in a first direction perpendicular to a semiconductor substrate, and functions as the first node.例文帳に追加

第１導電層は、層間絶縁膜を貫通して半導体基板に対し垂直な第１方向に延びるように形成され第１ノードとして機能する。 - 特許庁

An interlayer insulating film PCIL at a slit center between adjoining striped pixel electrodes PE is made thin to allow a liquid crystal layer to be nearer to a common electrode CE.例文帳に追加

隣接するストライプ状の画素電極ＰＥの間のスリット部中央の層間絶縁膜ＰＣＩＬも膜厚を薄くして共通電極ＣＥと接近させる。 - 特許庁