「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(69ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film 21 is formed as an interlayer insulating film on the SiC film 20, and contact plugs 22, 23, 24 are buried through the silicon oxide film 21 and the SiC film 20.例文帳に追加

この上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２１が形成され、シリコン酸化膜２１及びＳｉＣ膜２０を貫通してコンタクトプラグ２２，２３，２４が埋め込まれる。 - 特許庁

On the primary surface MS, interlayer insulating layers 11 are located between the interface of the p-type base regions 3 with the n-type emitter regions 4 and ends of contact holes 11a.例文帳に追加

主表面ＭＳにおいてｐ型ベース領域３およびｎ型エミッタ領域４の境界とコンタクトホール１１ａの端部との間に層間絶縁層１１が位置している。 - 特許庁

Moreover, the next interlayer insulation film 122 of the SiO_2 system is also formed and the connecting holes 161, 162 are respectively provided for the metal wiring layer 13.例文帳に追加

さらに、次のＳｉＯ_２系の層間絶縁膜１２２が形成されており、メタルパターン１５、メタル配線層１３それぞれへの接続孔１６１，１６２が設けられている。 - 特許庁

A wiring layer and an interlayer insulating layer are formed on the exposed surfaces of the first insulating boards 11 of the core boards 81 composing the core board bonded body 80.例文帳に追加

コア基板接合体８０をなす両コア基板の各第１絶縁基板１１の露出面側にビルドアップ法で配線層及び層間絶縁層を形成する。 - 特許庁

A resist pattern 5 is formed on the interlayer insulation film 2 by photoengraving, and a substrate is etched while the resist pattern 5 is used as a mask, so as to form a trench 6 connected with the via hole 3.例文帳に追加

層間絶縁膜２上に写真製版によりレジストパターン５を形成し、レジストパターン５をマスクとしたエッチングによりビアホール３に接続するトレンチ６を形成する。 - 特許庁

On a first interlayer dielectric 102, a first insulating film 104 comprising a silicon nitride film, and a second insulating film 105 comprising a silicon oxide film are successively deposited.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０２の上に、窒化シリコン膜よりなる第１の絶縁膜１０４と、酸化シリコン膜よりなる第２の絶縁膜１０５とを順次堆積する。 - 特許庁

An isolation trench formed in an Si substrate 50 is filled with an SiO_2 film 52 and Poly-Si 54 to form a transistor 56 and an interlayer insulating film 58.例文帳に追加

Ｓｉ基板５０に形成した素子分離用の溝をＳｉＯ_２膜５２とＰｏｌｙ−Ｓｉ５４とで埋め込み、トランジスタ５６および層間絶縁膜５８を形成する。 - 特許庁

The TFTs 7 are formed on a substrate 1 consisting of glass and the interlayer insulating film 20 consisting of an inorganic material is formed on the substrate 1 in the state of covering the TFTs 7.例文帳に追加

ガラスかなる基板１上に薄膜トランジスタ７を形成し、薄膜トランジスタ７を覆う状態で無機材料からなる層間絶縁膜２０を基板１上に形成する。 - 特許庁

The coating solution composed of the film-forming composition is used to give the interlayer insulating film of an electronic device and an electronic device having the insulating film as a layer constituent layer.例文帳に追加

該膜形成用組成物からなる塗布液を用いて、電子デバイスの層間絶縁膜および該絶縁膜を層構成層として有する電子デバイスを得ることができる。 - 特許庁

An interlayer insulating layer 60 is formed and a 2nd patterning process is performed to define a source/drain contact hole 66, a data line contact hole 68, and a terminal contact hole 65.例文帳に追加

層間絶縁層６０が形成され、第２パターン化プロセスが実行されてソース／ドレインコンタクトホール６６、データ線コンタクトホール６８、及びターミナルコンタクトホール６５が画定される。 - 特許庁

To provide a lamination ceramic electronic component which surely enables formation of an interlayer connection via hole by a connection land of a minimum area, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

できるだけ小さい面積の接続ランドで確実に層間接続用ビアホールを形成することができる積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely protect an apparatus by quickly detecting the interlayer short of a linkage reactor or a step-up reactor, with a low-cost configuration which uses no multiple temperature sensors.例文帳に追加

複数の温度センサを用いない安価な構成でありながら、連系リアクトル又は昇圧リアクトルのレアショートを迅速且つ正確に検出し、装置の保護を確実に図ること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 22 is formed on a lower-layer conductor layer 21 and a resist film 22, which has an opening in via hole pattern 31 is formed on the inter-layer insulating film 22.例文帳に追加

下層導体層２１上に層間絶縁膜２２を形成し、この層間絶縁膜２２上にビアホールパターン３１の開口を有するレジスト膜２３を形成する。 - 特許庁

Then, while covering the packaging terminal 107 and the wiring 171 with the second interlayer dielectric 42, an aperture 42a is set in the portion corresponding to the packaging terminal 107.例文帳に追加

そして、実装端子１０７と配線１７１を第２の層間絶縁膜４２で覆うとともに、実装端子１０７に対応する部分に開孔部４２ａを設ける。 - 特許庁

The contact plug 13 has a dent in a part of the top surface, and the insulating layer 16 is formed from the top surface of the interlayer insulating film 14 down to the dent of the contact plug 13.例文帳に追加

コンタクトプラグ１３は上面の一部に窪みを有し、絶縁膜１６は層間絶縁膜１４の上面からコンタクトプラグ１３が有する窪みまで形成されている。 - 特許庁

The adhesive member 8 is arranged in a strip along the peripheral region and arranged to overlap with the driving circuits 5, 6, 7 through the interlayer insulating film and the flattening film.例文帳に追加

接着部材８は周辺領域に沿って帯状に配設され且つ層間絶縁膜と平坦化膜を介して駆動回路５，６，７の上に重なる様に配置されている。 - 特許庁

The interlayer 14 is epitaxially formed at a growth temperature lower than those of the group III-nitride layers 13 and 15, more specifically, at a temperature of 350°C or more and 1,000°C or below.例文帳に追加

また、中間層１４は、III族窒化物層１３および１５よりも低い成長温度、より具体的には３５０℃以上１０００℃以下でエピタキシャル形成されている。 - 特許庁

To provide a fiber-mixed board made by a paper-making process without the occurrence of interlayer peeling and being satisfied with such physical properties as a length change rate, bending strength and the like and to provide a producing method of the same.例文帳に追加

層間剥離が発生せず、長さ変化率、曲げ強度等の諸物性も十分である抄造板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An interlayer insulating film made of an organic material to cover the driving circuits 5, 6, 7, and a flattening film to fill a rugged pattern on the surface of the driving circuits 5, 6, 7 are arranged.例文帳に追加

駆動回路５，６，７を被覆する無機材料からなる層間絶縁膜と、駆動回路５，６，７の表面の凹凸を埋める平坦化膜が配されている。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate in which interlayer capacitance can be reduced and a stabilized contact is attained by enhancing the step coverage of a conductive film in a contact hole.例文帳に追加

層間容量を低減できると共に、コンタクトホール内の導電膜のステップカバレジを向上させて安定したコンタクトが得られる薄膜トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a filter medium which is excellent in properties for sweeping away dust and good in ventilation and which causes no interlayer delamination, and to provide a method for easily manufacturing the filter medium.例文帳に追加

煤塵払い落とし性に優れ、通気性が良好で、層間剥離が発生しないフィルターメディア、及び該フィルターメディアを容易に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

The introduction of the tetrasubstituted compound into a polymeric coating material composition also improves the interlayer adhesivity when more than one coating materials are applied to a glass substrate.例文帳に追加

ポリマー塗料組成物中への四置換化合物の導入はまた、１種より多くの塗料がガラス支持体に塗布されている場合に、層間の接着力を改良する。 - 特許庁

To provide a polishing method that polishes both an interlayer dielectric principally comprising silicon oxide and a low-k film at high speed, and further reduces a polishing flaw.例文帳に追加

二酸化珪素を主体とする層間絶縁膜とｌｏｗ−ｋ膜を、共に高速に研磨でき、更には、研磨傷が少なくできる研磨方法を提供する。 - 特許庁

The perspiration sticking to the belt inner surface is adsorbed on the moisture absorbing layer 10, migrates toward the moisture releasing layer 11 in one direction in the interlayer 12 and is evaporated from the moisture releasing layer 11.例文帳に追加

ベルト内面に付着の汗は、吸湿層１０で吸着し、中間層１２で放湿層１１へ向かって一方向へ移行させ、放湿層１１で蒸散させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device on which generation of dusts can be suppressed and the global flatness of an interlayer insulating film can be accomplished by a few number of processes.例文帳に追加

より少ない工程数でかつダストの発生を抑えて層間絶縁膜のグローバル平坦化を達成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the number of via holes dedicated to interlayer connection, to reduce man hours for manufacturing a substrate having a built-in electronic part, and to enhance the density of electronic part integration.例文帳に追加

層間導通のためだけのバイアホールの個数の削減、或いは電子部品内蔵基板の製造工数の削減し、併せて電子部品の高密度実装化を図ること。 - 特許庁

An auxiliary layer 22 to improve the interlayer adhesion property with another adjacent member is formed on at least one face of the water-soluble peel layer 16.例文帳に追加

水溶性剥離層１６の少なくとも一方の面には、隣接する他部材との間に層間接着性を向上させるため等の補助層２２が設けられている。 - 特許庁

At the time of forming a second interlayer insulating film 25, the occurrence of voids is suppressed by the presence of the insulator sidewalls 23a and 23b of the capacitor section of the memory cell or the conductor wiring.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５を形成する際に、メモリセル容量部又は導体配線の絶縁体サイドウォールの存在によって、ボイドの発生が抑制される。 - 特許庁

A non-penetrated via hole 15 is arranged on the insulating layer 13 while being positioned in accordance with a second land 14 which is interlayer-connected with a second wiring pattern and the land 12.例文帳に追加

この絶縁体層１３に、第２の配線パターンおよび上記ランド１２に層間接続される第２のランド１４に位置合わせして、非貫通ビアホール１５を設ける。 - 特許庁

Then, a metal film 14 is so formed as to cover the surface of the interlayer insulation film 12, the internal walls of the interconnection trenches 13, and the lower layer interconnections 11 by sputtering, CVD, or the like.例文帳に追加

次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などにより、層間絶縁膜１２の表面、配線溝１３の内壁及び下層配線１１を覆う金属膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents reliability from being deteriorated caused by a copper residue generated on an interlayer insulating film by chemical mechanical polishing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

化学機械研磨によって層間絶縁膜上に生じた銅残渣が起因となる信頼性の低下を防止した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated electronic component which can prevent the generation of fault of a laminated body due to stress, and surely realize an interlayer connection through a through hole.例文帳に追加

応力による積層体の不具合を防止するとともにスルーホールによる層間接続を確実に行うことができる積層型電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a MOS-type semiconductor device and its manufacture, in which a BPSG film is applied to an interlayer dielectric, and a faulty transmission of a lamp-annealing process chamber is restricted.例文帳に追加

層間絶縁膜にＢＰＳＧ膜を適用してもランプアニール処理チャンバーの失透が抑制されるＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A dummy pattern process, a film forming process, and a flattening process are successively carried out to make an interlayer film equal in height even in a peripheral circuit region 12 as well as a memory cell region.例文帳に追加

ダミーパターニング処理と、成膜処理と、平坦化処理とを順次行って、層間膜の高さを周辺回路領域１２でもメモリセル領域と同じ高さにする。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device where the shape of an interlayer lens can be optimized and the converged state of incident light is improved, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

層内レンズの形状を最適化することができ、入射光の集光状態が改善された固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve image quality by suppressing an interlayer crosstalk when reproducing information recorded on the respective optical waveguide members of an optical memory device composed of a plurality of optical waveguide members.例文帳に追加

複数の光導波部材からなる光メモリ素子の各光導波部材に記録されている情報を再生するのに、層間クロストークを抑えて、画質を向上させる。 - 特許庁

The first flexible wiring board 10 and the second flexible wiring board 30 are electrically connected via an interlayer contact part 50 being provided at a specific position.例文帳に追加

第１のフレキシブル配線基板１０および第２のフレキシブル配線基板３０は、所定位置に設けられた層間コンタクト部５０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

To obtain composition for an interlayer electrical insulation material for printed circuit boards which is excellent in adhesion to metals, such as copper plating, copper foil, aluminum foil, or the like for forming electrical circuits.例文帳に追加

回路を形成する銅めっき、銅箔、アルミニウム箔等との金属密着性に優れるプリント配線板用層間電気絶縁材料用組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain a saponified material of ethylene-vinyl acetate copolymer providing a molded product excellent in surface smoothness, melting extrusion stability, drawdown resistance, interlayer adhesion and gas barrier properties.例文帳に追加

成形物の表面平滑性、溶融押出安定性、耐ドローダウン性、層間接着性及びガスバリアー性に優れたエチレン−酢酸ビニル共重合体けん化物を提供する。 - 特許庁

In this case, the thermal expansion of the metal wiring 3 upon forming the interlayer insulating film 5 is suppressed by the coupling force of the metal wiring 3 and the high melting point metal films 2, 4.例文帳に追加

そして、メタル配線３と高融点金属膜２，４の結合力により、層間絶縁膜５を形成する際のメタル配線３の熱膨張を抑制する。 - 特許庁

By this setup, the interlayer insulating film 11 functions as a buffer layer relaxing thermal stress so as to prevent the circuit unit from deteriorating its reliability due to internal stress.例文帳に追加

このことにより、層間絶縁膜１１が熱応力を緩衝する層として機能し、内部応力による装置の信頼性の低下を防止することができる。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device having a contact passing through an interlayer insulating film and having a multilayered wiring structure.例文帳に追加

本発明は層間絶縁膜を貫通するコンタクトを備える半導体装置の製造方法に関し、配線抵抗の小さな多層配線構造を形成することを目的とする。 - 特許庁

To improve the yield and reliability of a semiconductor device by steadily removing foreign matters that adhere to the wafer edge in the step of forming wiring grooves in an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜に配線溝を形成する際にウェーハ周辺に付着した生成物を確実に除去して、半導体装置の歩留まりと信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a multilayer optical recording medium having little interlayer crosstalk and large capacity, to provide an optical head and to provide an optical information recording medium.例文帳に追加

多層光記録媒体において、各情報層ごとに基材厚が異なるため発生する球面収差により、光軸方向分解能が劣化し、層間クロストークが発生する。 - 特許庁

After a diffusion layer 14 is formed on the surface side of the substrate 10 in the memory region 10, an interlayer insulating film layer (insulating film) 15 is formed to cover this.例文帳に追加

メモリ領域１０ａにおける基板１０の表面側に拡散層１４を形成した後、これらを覆う状態で層間絶縁膜層（絶縁膜）１５を形成する。 - 特許庁