「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(73ページ目) - Weblio英語例文検索

A test element group consists of a plurality of parallel lower- layer wiring 12 formed a the upper portion of a substrate, where a semiconductor integrated circuit is formed, an interlayer insulating film 13 for covering the area between the lower layer wiring and an upper portion, and comb-shaped upper-layer wiring 14 and 15 which is formed on the interlayer insulating film 13, while opposing each other independently.例文帳に追加

半導体集積回路が形成された基板の上部に形成された複数の平行な下層層配線１２と、下層配線間及び上部を覆う層間絶縁膜１３と、層間絶縁膜１３上に形成され、互いに独立して対向する櫛歯状の上層配線１４，１５とでテストエレメントグループが構成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step of forming the first metal wiring 12 having the partial film thickness of the entire film thickness of the metal wiring, a step of forming an interlayer dielectric 14 covering the entire upper surface of an underlying insulating film 10 and the first metal wiring, and a step of then exposing the surface of the first metal wring while flattening the surface by cutting the first interlayer dielectric.例文帳に追加

下地絶縁膜１０の上に、メタル配線の全膜厚の一部の膜厚を有する第１メタル配線１２を形成し、下地絶縁膜および第１メタル配線の上全面を覆う第１層間絶縁膜１４を形成した後、第１層間絶縁膜を削ってその表面を平坦化しつつ、第１メタル配線の表面を露出する。 - 特許庁

When a via hole and wiring channel for burying Cu wiring is formed on an interlayer insulating film by a dry etching with a photo resist film as a mask, an antireflection film 26 on the interlayer insulating film which is made up of an SiOC film 25 is composed of an SiO film 26a, an SiON film 26b and an SiO film 26c, and the halation of a photo resist film 27 is inhibited.例文帳に追加

フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで層間絶縁膜にＣｕ配線埋め込み用のビアホールおよび配線溝を形成する際、ＳｉＯＣ膜２５からなる層間絶縁膜上の反射防止膜２６をＳｉＯ膜２６ａ、ＳｉＯＮ膜２６ｂおよびＳｉＯ膜２６ｃの３層膜で構成し、フォトレジスト膜２７のハレーションを抑制する。 - 特許庁

Accordingly, even if the peeling 40 of interlayer film is generated due to weakness in the strength of close contact with a stopper material 13 of the low-k film 14 and damage 30 by the dicing process not only in the assembling process but also in the processes after the assembling process, growth of peeling 40 of the interlayer film can be prevented with the reinforcing pattern 20.例文帳に追加

これにより、アセンブリ時のみでなく、組み立て工程以降において、ｌｏｗ−ｋ膜１４のストッパー材１３との密着強度の弱さやダイシングによるダメージ３０に起因する層間膜剥がれ４０が発生したとしても、補強パターン２０によって層間膜剥がれ４０が進行するのをくい止めることが可能な構成となっている。 - 特許庁

A magnetic memory comprises magnetization fixed layers 50a and 50b which have vertical magnetic anisotropy and in which a magnetization direction is fixed, an interlayer insulation layer 60, an underlying layer 40 formed on upper surfaces of the magnetization fixed layers 50a and 50b and the interlayer insulation layer 60, and a data storage layer 10 which is formed on an upper surface of the underlying layer 40 and has vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁気メモリが、垂直磁気異方性を有し、磁化方向が固定された磁化固定層５０ａ、５０ｂと、層間絶縁層６０と、磁化固定層５０ａ、５０ｂと層間絶縁層６０の上面に形成された下地層４０と、下地層４０の上面に形成された、垂直磁気異方性を有するデータ記憶層１０とを備えている。 - 特許庁

In the lyophilic bank 14a, an opening 15 is formed at a position raised in a projecting shape by stacking first and second wires 12A and 12B and a power feed line LZ on a second interlayer insulation layer S2 through an insulation layer M and first and second interlayer insulation layers S1 and S2, respectively, whereby the raised part is eliminated.例文帳に追加

この親液性バンク１４ａは、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、第１及び第２の配線１２Ａ，１２Ｂ及び給電線ＬＺがそれぞれ絶縁層Ｍ、第１及び第２の層間絶縁層Ｓ１，Ｓ２を介して積層されることで凸形状に盛り上った位置に開口部１５を形成して、その盛り上がり部分をなくした。 - 特許庁

The electrode for external connection includes a pad metal layer 8 whose upper surface is exposed, a first metal layer 2 that is formed between the pad metal layer 8 and the semiconductor substrate 1, and at least two first vias 22 that penetrate the interlayer dielectric 21 and electrically connect the pad metal layer 8 and the first metal layer 2, and are formed in the interlayer dielectric 21.例文帳に追加

外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 5 has a lower film 3 having a first recessed part 5a at least over one gate electrode 2 and coming into contact with the plurality of gate electrodes 2 and substrate 1, and an upper film 4 disposed on the lower film 3 except at the first recessed part 5a, and the second interlayer insulating film 6 is buried in the first recessed part 5a.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜５は、少なくとも一つのゲート電極２上方に第１の凹部５ａを有すると共に、複数のゲート電極２及び基板１に接する下部膜３と、第１の凹部５ａ以外の部分において下部膜３上に配置された上部膜４とを有し、第１の凹部５ａ内に、第２の層間絶縁膜６が埋め込まれている。 - 特許庁

An interlayer distance between a first desired recording layer in which the BCA which is to be reproduced first is disposed, and a second recording layer which is nearer to a disk surface on which a laser beam is made incident when carrying out focus pull-in prior to the desired recording layer out of recording layers adjacent to the desired recording layer, is made longer than other interlayer distances.例文帳に追加

最初に再生されるべきＢＣＡが配置されている所望の第１の記録層と前記所望の記録層に隣接する記録層のうちフォーカス引き込み時に前記所望の記録層よりも先にレーザ光を入射するディスク面に近い第２の記録層との層間距離がその他の層間距離に較べて大きい。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which excels in application property and radiation sensitivity, provides good pattern form and can form an interlayer insulating film having excellent heat resistance, solvent resistance, light transmittance, dry-etching resistance, and the interlayer insulating film obtained from the composition and a method for forming the film.例文帳に追加

塗布性に優れ、放射線感度、及び良好なパターン形状が得られると共に、耐熱性、耐溶剤性、光線透過率、耐ドライエッチング性に優れた層間絶縁膜を形成することが可能なポジ型感放射線性樹脂組成物、その組成物から得られた層間絶縁膜、並びにその層間絶縁膜の形成方法を提供することである。 - 特許庁

Furthermore, another method for forming an interlayer insulating film is also characterized in that an interlayer insulating film is formed on a substrate using an insulating film material (known compound including silicon and CH_3) by a plasma CVD method and then a gas containing nitrogen is supplied to the substrate in a heated atmosphere.例文帳に追加

また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

After a trench 14 for contact is formed through anisotropic etching using an interlayer dielectric 11 having a narrow opening width as a mask, the trench 14 for contact is widened in width through isotropic etching and the interlayer dielectric 11 having a narrower opening width than the trench 14 for contact is used as a mask to perform ion implantation for contact region formation in a well region.例文帳に追加

狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして異方性エッチングによりコンタクト用トレンチ１４を形成した後、等方性エッチングをおこないコンタクト用トレンチ１４の幅を広げ、コンタクト用トレンチ１４よりも狭い開口幅の層間絶縁膜１１をマスクとして、ウェル領域内にコンタクト領域形成のためのイオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an interlayer insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact hole 104 formed in the interlayer insulating film 103; a Cu film 107 filling the contact hole 104; and a metal-containing substrate film 13 formed on a sidewall inside the contact hole 104 and serving as a substrate of the Cu film 107.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１０１に形成された層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３に形成されたコンタクト孔１０４と、コンタクト孔１０４を埋め込むＣｕ膜１０７と、コンタクト孔１０４の内部の側壁に形成され、Ｃｕ膜１０７の下地となる金属含有下地膜１３と、を備える。 - 特許庁

In the optical recording medium 10 including three or more recording and reading layers, a first distance set at 10 μm or more, and a second distance greater than the first distance by 3 μm or more are alternately defined as interlayer distances of recording and reading layers 14, thereby preventing an increase of interlayer crosstalk.例文帳に追加

３層以上の記録再生層を備える多層型の光記録媒体１０であって、多層記録再生層群１４の層間距離として、１０μｍ以上に設定された第１距離と、この第１距離よりも３μｍ以上大きい第２距離を設定し、これら２つの異なる距離を交互に設定することによって、層間クロストークの増大を防止する。 - 特許庁

The semiconductor device has: a first transistor formed on an SiC substrate 1; a first interlayer dielectric 11 formed at an upper part of the first transistor and the SiC substrate 1; and a crystallization silicon film 20 formed on the first interlayer dielectric 11; and a second transistor formed on the crystallization silicon film 20.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、ＳｉＣ基板１に形成された第１のトランジスタと、第１のトランジスタ及びＳｉＣ基板１の上方に形成された第１の層間絶縁膜１１と、第１の層間絶縁膜１１上に形成された結晶化シリコン膜２０と、結晶化シリコン膜２０に形成された第２のトランジスタとを具備する。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the liquid crystal device 100, on the surface of the interlayer dielectric 72 (first interlayer dielectric), first through-holes (display region-side first through-holes 72a and peripheral region-side first through-holes 72b) are opened, of which the opening density in the peripheral region 10b is lower as compared with the display region 10a.例文帳に追加

液晶装置１００の素子基板１０において、層間絶縁膜７２（第１層間絶縁膜）の表面では、周辺領域１０ｂにおける開口密度が表示領域１０ａにおける開口密度に比して低い第１スルーホール（表示領域側第１スルーホール７２ａおよび周辺領域側第１スルーホール７２ｂ）が開口している。 - 特許庁

In the method for manufacturing the liquid crystal display device including a scanning line and a signal line arranged in a matrix shape on a substrate, a TFT (Thin Film Transistor) connected to the lines, and a pixel electrode connected to the TFT through an interlayer insulating film of the application system, a substrate temperature when forming a transparent conductive film on the interlayer insulating film is set at 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

The multilayer wiring board has at least two wiring layers and at least one interlayer insulation layer provided with through holes filled with a material containing a metal in order to connect the wiring layers wherein the interlayer insulation layer contains at least polyimide silicon based resin.例文帳に追加

少なくとも２つの配線層および少なくとも１つの層間絶縁層を持ち、層間絶縁層に貫通孔が設けられ、貫通孔が金属を含む材料で充填されることによりそれぞれの配線層が接続された多層配線基板であって、層間絶縁層が少なくともポリイミドシリコーン系樹脂を含有することを特徴とする多層配線基板。 - 特許庁

The intervals W1 are set at ≤P1 which is the intervals of the conductive layers 2a when the interlayer capacity C1 between the wiring 1 and shield layer 2 becomes equal to the interlayer capacity C2 between the wiring 1 and wiring 3 passing over the macro at an appropriate length L of the wiring 1.例文帳に追加

このシールド層２は、ＲＡＭマクロ配線１の適宜の長さＬにおいて、ＲＡＭマクロ配線１とシールド層２との間の層間容量Ｃ_1と、ＲＡＭマクロ配線１とマクロ上通過配線３との間の層間容量Ｃ_2とが等しくなるときの導電層２ａの間隔をＰ_1としたとき、導電層２ａの間隔Ｗ_1はＰ_1以下である。 - 特許庁

The surface of the multilayer printed wiring board is made flat when resin for forming an interlayer resin insulation layer 60 is applied on the layer of a plane layer 53 in a manufacturing process because the resin is escaped into the recess 50a of a via hole 50A of the plane layer 53 and the thickness of the interlayer insulation layer 60 can be made uniform.例文帳に追加

また、製造工程においてプレーン層５３の上層に層間樹脂絶縁層６０を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ樹脂を逃がすこができるため、層間樹脂絶縁層６０の厚みを均一にでき、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することが可能となる。 - 特許庁

Gas containing a phenyl group and silicon and not containing nitrogen is used to form a low dielectric film, energy is applied to an interlayer insulating film by heat treatment, UV irradiation treatment or SPA plasma treatment as a post-processing process to thereby make moisture leave the interlayer insulating film, forming a Si-O-Si skeleton structure.例文帳に追加

フェニル基とシリコンとを含み、窒素を含まないガスを用いて低誘電率膜を形成した後、後処理工程として、この層間絶縁膜に対して熱処理、ＵＶ照射処理あるいはＳＰＡプラズマ処理などによりエネルギーを加えることによって、層間絶縁膜から水分を脱離させて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ骨格構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate; an interlayer insulating film 101 provided above the semiconductor substrate; and a laminate provided on the interlayer insulating film 101 and constituted of a Ti film 105, a TiN film 107, an AlCu film 109, another Ti film 111, another TiN film 113, and an etching adjusting film 115 which are laminated sequentially.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に設けられている層間縁膜１０１と、この層間絶縁膜１０１上に設けられており、Ｔｉ膜１０５と、ＴｉＮ膜１０７と、ＡｌＣｕ膜１０９と、Ｔｉ膜１１１およびＴｉＮ膜１１３と、エッチング調整膜１１５と、が順に積層されてなる積層体と、を備える。 - 特許庁

The heat-shrinkable polyolefinic laminated film is obtained by using a layer comprising a polyolefinic resin with a density of below 0.940 g/cm^3 as an interlayer and providing a surface layer and a back surface layer, both of which comprise a specific cycloolefinic resin and an olefin/vinyl aromatic compound copolymer, on the upper and back surfaces of the interlayer.例文帳に追加

密度０．９４０ｇ／ｃｍ^３未満であるポリオレフィン系樹脂からなる層を中間層とし、この中間層の表裏面にそれぞれ、特定の環状オレフィン系樹脂と、オレフィン-ビニル芳香族化合物共重合体との組成物からなる表面層及び裏面層を設けて積層した熱収縮性ポリオレフィン系積層フィルム。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition which, when used to form an interlayer insulation film under a baking condition of <250°C, can form an interlayer insulation film having high heat resistance, high solvent resistance, a high transmittance and a low dielectric constant, and which, when used to form microlenses, can form microlenses having a high transmittance and a good melt shape.例文帳に追加

２５０℃未満の焼成条件にて、層間絶縁膜の形成に用いる場合にあっては高耐熱性、高耐溶剤性、高透過率、低誘電率の層間絶縁膜を形成でき、またマイクロレンズの形成に用いる場合にあっては高い透過率と良好なメルト形状を有するマイクロレンズを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

This multilayer tube 10 has a three-layer structure including an inner layer 12 comprising a copolymer fluororesin, an interlayer 14 comprising a blended resin formulated with an ethylene copolymer resin at least containing glycidyl methacrylate and an acid-modified polyolefin resin outside the inner layer 12, and an outer layer 16 comprising a polyurethane resin outside the interlayer 14.例文帳に追加

多層チューブ１０は、共重合フッ素樹脂からなる内層１２と、その内層１２の外側に、少なくともグリシジルメタクリレートを含有するエチレン共重合樹脂と酸変性ポリオレフィン樹脂とを配合したブレンド樹脂からなる中間層１４と、その中間層１４の外側にポリウレタン樹脂からなる外層１６とを備えた３層構造である。 - 特許庁

In the manufacturing method of the multilayer flexible printed wiring board, an external layer board is laminated on both faces of the both-face board having a circuit on both the faces, and the both-face board having an interlayer conductive hole is used, and the conductive paste of the external layer board is inserted into the conductive hole to perform an interlayer conduction, for lamination.例文帳に追加

両面に回路を有する両面基板の両面上に外層基板を積層する多層フレキシブルプリント配線板の製造方法であって、層間導通孔を有する両面基板を用い、該導通孔に外層基板の導電性ペーストを挿入して層間導通させ、積層することを特徴とする多層フレキシブルプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting element comprises a substrate 11, an interlayer 12 provided on the substrate 11, and a base layer 14a provided on the interlayer 12 where the rocking curve half peak width of (0002) plane is 100 arcsec or smaller and the rocking curve half peak width of (10-10) plane is 300 arcsec or smaller.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に設けられた中間層１２と、中間層１２上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層１４ａとを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子とする。 - 特許庁

The reflecting electrode region includes a reflective conductive layer and a transparent conductive layer disposed in the liquid crystal layer side of the reflective conductive layer; an interlayer insulating film 423 having an aperture is formed on the substrate; and the reflecting electrode region 424 is formed on the interlayer insulating film 423, while the transmissive electrode region 422 is formed inside the aperture.例文帳に追加

反射電極領域は反射導電層と反射導電層の液晶層側に設けられた透明導電層とを有し、基板上には開口部を備える層間絶縁膜４２３が形成されており、反射電極領域４２４は層間絶縁膜４２３上に形成されており、透過電極領域４２２は開口部内に形成されている。 - 特許庁

Furthermore, since the parts (conductive layers 1a and 1b) of the loops formed on an underlying interlayer insulation film between both inductors have an equal length and the parts (conductive layers 2a and 2b) formed on an overlying interlayer insulation film also have an equal length, an external parasitic capacitance has an equal effect on both inductors.例文帳に追加

更に、両インダクタの間で、ループの長さのうち下層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層１ａ及び１ｂ）の長さが互いに等しく、上層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層２ａ及び２ｂ）の長さも互いに等しいため、外部からの寄生容量等の影響は両インダクタに等しく作用する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film is formed over wiring (an auxiliary power supply line) for electrically connecting the power supply lines to each other in the display area and a gate electrode of a transistor included in a pixel, and the power supply lines are formed over the interlayer insulating film which is formed over the auxiliary power supply line and the gate electrode.例文帳に追加

さらに、電源線どうしを表示領域内において電気的に接続するための配線（補助電源線）と、画素が有するトランジスタのゲート電極との上には層間絶縁膜が形成されており、電源線は、補助電源線及びゲート電極よりも更に上層に位置する、上記層間絶縁膜上に形成されている。 - 特許庁

The display device 1 includes: a pixel circuit having thin-film transistors Tr and a capacitance element Cs arrayed and formed on a substrate 3; and the interlayer dielectric 105 covering over the pixel circuit, wherein the interlayer dielectric 105 is provided with connection holes 105a each of which exposes parts of a plurality of adjoining pixel circuits among the pixel circuits.例文帳に追加

基板３上に配列形成された薄膜トランジスタＴｒと容量素子Ｃｓとを有する画素回路と、画素回路を覆う層間絶縁膜１０５とを備えた表示装置１において、層間絶縁膜１０５は、画素回路のうち隣接する複数の画素回路の一部分を底部に露出させた接続孔１０５ａを備えている。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film, a protective film and a spacer from a single kind of a radiation-sensitive resin composition, achieving high sensitivity, high flatness, high adhesion property and high transmittance in the interlayer insulating film and in the protective film, and achieving high resolution and high sensitivity in the spacer.例文帳に追加

の目的は、１種類の感放射線性樹脂組成物で層間絶縁膜、保護膜及びスペーサーを形成することが可能であり、さらに、層間絶縁膜、保護膜においては高感度、高平坦性、高密着性、高透過率、スペーサーにおいては高解像度、高感度を達成できる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

This invention relates to a system-in-package which includes a substrate made by cutting a wafer according to unit system, a first electronic element or more mounted on an upper surface thereof through a heat dissipation plate, a plurality of interlayer insulating films formed on the surface thereof in their order, and a second electronic element or more buried between or inside the interlayer insulating films of the substrate.例文帳に追加

ウェハを単位システム別に切断した基板と、該基板の上面に熱放出プレートを媒介して実装する一つ以上の第１電子素子と、上記基板の上面に順次に形成する複数の層間絶縁膜と、上記基板の層間絶縁膜の間または内部に埋設する一つ以上の第２電子素子を含むシステムインパッケージを提供する。 - 特許庁

In the multilayer wiring board having a wiring layer 31, a pad 32, an insulating layer 33 provided between the wiring layer 31 and the pad 32, and a plurality of interlayer connecting vias 34 provided on the insulating layer 33 and connecting the wiring layer 31 to the pad 32, the plurality of interlayer connecting vias 34 are provided on a peripheral edge 32a of the pad 32.例文帳に追加

配線層３１と、パッド３２と、配線層３１とパッド３２との間に設けられた絶縁層３３と、絶縁層３３に設けられた、配線層３１とパッド３２とを接続する複数の層間接続ビア３４と、を有する多層配線基板であって、複数の層間接続ビア３４が、パッド３２の周縁３２ａに設けられている。 - 特許庁

The polyester film for the support for forming an interlayer dielectric is the polyester film for use as the support for coating a thermosetting resin forming the interlayer dielectric, wherein an amount of film surface oligomer (cyclic trimer) upon heat treatment at 180°C for 10 minutes is ≤3.0 mg/m^2 on at least one face of the film.例文帳に追加

層間絶縁層を形成する熱硬化性樹脂を塗布するための支持体として使用されるポリエステルフィルムであって、１８０℃で１０分間熱処理した時のフィルム表面オリゴマー（環状三量体）量がフィルムの少なくとも片面において３．０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とする層間絶縁層形成支持体用ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board having high interlayer connection reliability while high producibility is maintained, and to provide the multilayer printed wiring board with high interlayer connection reliability by collectively forming a via part and a resin layer, whose thickness variation is small and whose surfaces flatness is high by peeling and transferring.例文帳に追加

本発明は、剥離転写により厚みのバラツキが小さく表面の平坦性が高いビア部と樹脂層を一括形成することで、高い層間接続信頼性を持つ多層プリント配線板を低コストで高い生産性を維持しながら作製可能な製造方法及び層間接続信頼性の高い多層プリント配線板の提供を目的とする。 - 特許庁

The projection 13 is formed by processes of forming an interlayer restricting layer 14 which contains shrinkage restraining organic material powder that is not sintered in a burning process of obtaining the multilayered ceramic board 1 in a region around the cavity, 4 and more largely shrinking the ceramic layer 2 than the interlayer restricting layer 14 in the burning process.例文帳に追加

突出部１３は、多層セラミック基板１を得るための焼成工程で焼結しない収縮抑制用無機材料粉末を含む層間拘束層１４をキャビティ４の周囲領域に形成しておき、焼成工程において、この層間拘束層１４に比べて、セラミック層２側をより大きく収縮させることによって形成される。 - 特許庁

Then, at a position inside the periphery of the semiconductor substrate 7 by a prescribed width, a groove 18 reaching a surface layer section of the semiconductor substrate 7 through the second interlayer film 11 and the first interlayer film 9 from the surface of the uppermost layer wiring coating film 15 is formed while surrounding an element formation region B of the semiconductor substrate 7.例文帳に追加

そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。 - 特許庁

The laminated glass comprises a pair of transparent substrates (120a and 120b) and the functional interlayer (110) disposed between the transparent substrates (120a and 120b), wherein the functional interlayer (110) is formed by stacking an adhesive resin layer (111a), a functional layer (112) and an adhesive resin layer (111b) in this order.例文帳に追加

一対の透明基材（１２０ａ及び１２０ｂ）と、前記透明基材（１２０ａ及び１２０ｂ）の間に配置された機能性中間膜（１１０）とを有する合わせガラスであって、 前記機能性中間膜（１１０）が、接着樹脂層（１１１ａ）、機能性層（１１２）、及び接着樹脂層（１１１ｂ）がこの順で積層されてなることを特徴とする合わせガラス。 - 特許庁

TFD elements 4 and data lines 13 for sending signals to the TFD elements 4 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the element substrate 110, the interlayer insulating layer 34 is formed so as to cover the TFD elements 4, the data lines 13 and the wirings 207 and pixel electrodes 9 are formed on the liquid crystal layer 50 side of the interlayer insulating layer 34.例文帳に追加

また、素子基板１１０の液晶層５０側には、ＴＦＤ素子４と、ＴＦＤ素子４に信号を送信するためのデータ線１３とが形成されなり、ＴＦＤ素子４及びデータ線１３と配線２０７とを覆う形にて層間絶縁層３４が形成され、該層間絶縁層３４の液晶層５０側に画素電極９が形成されている。 - 特許庁

An output terminal 12 for scanning disposed in a driver mounting region 11 for driving scanning lines also functions as an interlayer contact portion to connect a routing line 10 for scanning connected to scanning lines 6 with first and second static electricity protective thin film transistors 32, 33 for scanning lines, thereby reducing the number of interlayer contact portions.例文帳に追加

走査ライン駆動用ドライバ搭載領域１１内に設けられた走査用出力端子１２は、走査ライン６に接続された走査用引き回し線１０と第１、第２の走査ライン用静電気保護用薄膜トランジスタ３２、３３とを接続するための層間コンタクト部を兼ねており、これにより層間コンタクト部の数を少なくすることができる。 - 特許庁

In the process of manufacturing the liquid crystal display device including a matrix of scan lines and signal lines arranged on a substrate, TFT connected to these lines and pixel electrodes connected to TFT with an applied interlayer insulation film, the temperature of the substrate at the formation of the transparent conductive film on the interlayer insulation film is regulated within 100-170°C.例文帳に追加

基板上にマトリクス状に配置された走査線及び信号線と、これらに接続されるＴＦＴと、ＴＦＴに塗布系の層間絶縁膜を介して接続された画素電極とを有する液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜上へ透明導電膜を成膜する際の基板温度を、１００〜１７０℃とする。 - 特許庁

The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明による表示装置は、主面と主面に対向する裏面とを有する基板と、基板の主面上に設けられた配線群およびアクティブ素子と、樹脂材料から形成され、配線群およびアクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備えている。 - 特許庁

A second electrode 26 is constituted by a conductive material of which work function is smaller than the first electrode, has a bottom to contact the upper surface of a relay wiring 67, and comprises a cylindrical region projecting vertically upward so as to penetrate a first interlayer insulation film 21, the first electrode (bit line BL), and a second interlayer insulation film 22.例文帳に追加

第２電極２６は第１電極よりも仕事関数が小さい導電性材料で構成されており、中継配線６７の上面に接触する底面を有し、第１層間絶縁膜２１、第１電極（ビット線ＢＬ）、及び第２層間絶縁膜２２を貫通して鉛直上方に突出してなる筒形状を示す領域を備える。 - 特許庁

A first interlayer connection part 48 to connect the drain region 44 and the lower electrode 52 and a second interlayer connection part 50 to connect the drain region 44 and the pixel electrode layer 34 are drawn out from respectively different positions on the drain region 44 and the upper electrode 56 for the capacitor covers the lower electrode 52 for the capacitor via the dielectric layer 54.例文帳に追加

ドレイン領域４４と下部電極５２とを接続する第１層間接続部４８と、ドレイン領域４４と画素電極層３４とを接続する第２層間接続部５０とが、ドレイン領域４４の異なる位置から引き出されており、キャパシタ用上部電極５６が誘電体層５４を介してキャパシタ用下部電極５２を覆っている。 - 特許庁