「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

Also, an interlayer insulating film is formed on the surface of the p-type silicon substrate 1, a contact hole is made, ions are implanted, and the substrate 1 is subjected to heat treatment to form a heavily-doped n-type diffused layer.例文帳に追加

また、ｐ型シリコン基板１の表面に層間絶縁膜を形成し、コンタクト孔を開口しイオン注入し、熱処理を行い高不純物濃度ｎ型拡散層を形成する。 - 特許庁

To solve a problem that in an interlayer isolation film of SiOCH film, which is a low dielectric constant film, O_2 ashing resistance is low since a CH_3 group is contained in the film, and adhesion with a SiO_2 film is also low.例文帳に追加

低誘電率膜であるＳｉＯＣＨ膜の層間絶縁膜は、膜中にＣＨ３基が含まれるためにＯ２アッシング耐性が低く、ＳｉＯ２膜との密着性も低い。 - 特許庁

To provide a removing liquid, capable of removing sidewall at a low temperature and in a short time, without corroding a metal wiring material or an interlayer material, etc.例文帳に追加

金属配線材料や層間材料等を腐食することなく、低温でかつ短時間でサイドウォールを除去することを可能とする除去液を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a flexible printed wiring board the interlayer connecting section of which is formed easily in a short time by exerting ingenuity in the formation of the section, and to provide a method of manufacturing the wiring board.例文帳に追加

プリント配線板における層間接続部の形成に工夫を凝らし、短時間にて簡単に層間接続部を形成してなるプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing capacitor by which the adhesion between a laminate and spacers can be suppressed while the interlayer adhesion of the laminate is intensified between dielectric resin layers and electrode metal layers.例文帳に追加

誘電体樹脂層と電極金属層との積層体の層間接着を強化しつつ、積層体とスペーサとの接着を抑制することができるコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁

A multilayer wiring board is formed in such a way that the copper foil is thermo-compression-bonded on the insulating layer in which the bumps for interlayer connection are embedded, and the copper foil and the bumps are connected electrically.例文帳に追加

層間接続のためのバンプが埋め込まれた絶縁層上に銅箔が熱圧着され、この銅箔とバンプとが電気的に接続されてなる多層配線基板である。 - 特許庁

To provide a method of forming in-layer and interlayer air bridge structures, in a large scale integrated circuit (VLSI) device, a very large scale integrated circuit (ULSI) device, and a high-performance package.例文帳に追加

大規模集積回路（ＶＬＳＩ）と超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）デバイスおよび高性能パッケージにおいて層内および層間のエアー・ブリッジ構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a membrane-forming composition excellent in coating uniformity, lowness in dielectric constant and leakage current, CPM resistance, preservation stability, etc., as interlayer insulating material e.g. in semiconductor elements.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の均一性、低誘電率、低リーク電流、ＣＭＰ耐性、保存安定性などに優れた膜形成用組成物に関する。 - 特許庁

Low-load flattening work is effected due by employing electrolytic grinding whereby a multi-layer wiring structure employing a low-k material 9 as an interlayer insulating film is constituted.例文帳に追加

電解研磨を用いるため低負荷な平坦化加工が可能となるので、層間絶縁膜としてＬｏｗ−ｋ材料９を用いた多層配線構造も構築可能となる。 - 特許庁

To provide a nonhalogenous flame-retardant resin used, e.g. for an interlayer insulation layer of a multilayered printed circuit board; a flame- retardant resin composition containing the same; and a multilayered printed circuit board having a cured film formed from the composition.例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁層用等のノンハロゲン材料の難燃性樹脂、難燃性樹脂組成物性及びその硬化膜を有する多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Ion species having large ionic radius different from lithium ions are interposed between layers as an interlayer retention member prior to lithium ions in a vanadium oxide having layered crystals capable of doping lithium ions.例文帳に追加

リチウムイオンのドープ可能な層状結晶を有するバナジウム酸化物に、リチウムイオンより前に、リチウムイオン以外のイオン半径の大きなイオン種を、層間確保部材として介在させる。 - 特許庁

The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加

ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing oxidation and corrosion of conductive members buried in an interlayer insulating film and keeping satisfactory electrical characteristics of the conductive members.例文帳に追加

層間絶縁膜に埋め込まれる導電部材の酸化および腐食などを防止するとともに、導電部材の電気特性を良好に保つことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of polishing a common interlayer insulating film, without leaving level differences among different types of transistors formed on an identical substrate.例文帳に追加

同一基板上に形成される種類の異なるトランジスタ間において、段差を残さずに共通の層間絶縁膜の研磨処理が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A moisture absorbing barrier layer 11 is provided for each wiring line between a wiring layer corresponding to a pad region being led out to a specified pad region and an interlayer insulating film facing the wiring layer.例文帳に追加

各配線のうち、所定のパッド領域へと導出されるパッド領域に対応する配線層と対向する層間絶縁膜との間に吸湿バリア層１１が設けられている。 - 特許庁

In addition to this way for forming at least an interlayer insulating film in the multi-layer wiring, a phosphorus-doped silicon oxide film is formed in a plane parallel plate plasma CVD method.例文帳に追加

また、多層配線中の少なくとも１層の層間絶縁膜を形成する他の工程として、平行平板プラズマＣＶＤ法を用いて燐添加シリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

A surface sheet is placed on the face of the base sheet with the printed pattern layer provided, and the base sheet is interlayer-glued to the surface resin sheet via a water-based or solventless adhesive.例文帳に追加

基材シートの印刷模様層を設けた面上に表面シートを配置し、前記基材シートを表面樹脂シートに水性または無溶剤型の接着剤を用いて層間接着する。 - 特許庁

Subsequently, a shading layer 110 is formed in the second opening 121 and on the interlayer insulating film 108, and a bit line contact plug 112 is formed in the first opening 120.例文帳に追加

その後、第２の開口部１２１内及び層間絶縁膜１０８上に遮光膜１１０を形成するとともに、第１の開口部１２０内にビット線コンタクトプラグ１１２を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a laminated electrode consisting of a tunnel oxide film 2, a floating gate electrode 3, an interlayer insulation film 4 and a control gate electrode 5 in order from a lower layer is formed.例文帳に追加

半導体基板１上に下層より順にトンネル酸化膜２、浮遊ゲート電極３、層間絶縁膜４および制御ゲート電極５からなる積層電極を形成する。 - 特許庁

The method further comprises steps of depositing an interlayer insulating film 105 on the substrate 100 including the electronic device, and forming the contact 106 arriving at the electrode 104 on the film 105.例文帳に追加

次に、電子デバイス上を含む半導体基板１００上に層間絶縁膜１０５を堆積し、層間絶縁膜１０５に上部電極１０４に達するコンタクト１０６を形成する。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 10, a BPSG film as an interlayer insulation film 18 is so formed as to cover a field insulation film 12, gate electrode layers 16a, 16b, and an interconnection layer 16c.例文帳に追加

半導体基板１０の表面にフィールド絶縁膜１２、ゲート電極層１６ａ，１６ｂ、配線層１６ｃを覆って層間絶縁膜１８としてのＢＰＳＧ膜を形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition excellent in resistance to heat or chemicals, storage stability, and high-temperature reactivity, a transfer printing material using the same, and a method for forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

耐熱性、耐薬品、保存性、および高温反応性に優れた熱硬化性樹脂組成物、それを用いた転写材料、及び層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of forming interconnection grooves and connection holes accurately in an interlayer insulation film which uses an organic material.例文帳に追加

有機材料を用いた層間絶縁膜に対して精度良く配線溝や接続孔を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a shielded interconnection for reducing capacitive coupling between interconnecting lines in an integrated circuit device having interconnecting lines isolated by an interlayer dielectric.例文帳に追加

層間誘電体で分離された相互接続線を有する集積回路装置で相互接続線間の容量性結合を減少させる遮蔽された相互接続を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method for uniformizing the film thickness of an interlayer dielectric in the multi-layer fine wiring of a damascene structure and flattening the surface.例文帳に追加

ダマシン構造の多層微細配線における層間絶縁膜の膜厚が均一化されその表面が平坦化されている半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of suppressing disconnection of connecting wirings connecting the wirings formed under the interlayer insulating film of an active element array substrate and its manufacturing method.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ基板の層間絶縁膜下に形成された配線間を接続する接続配線の断線を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a MOS transistor 101, interlayer dielectrics 307, 308, 316, a ferroelectric capacitor 102, contact plugs 311-313, and a ferroelectric film 317b.例文帳に追加

半導体装置は、ＭＯＳトランジスタ１０１と、層間絶縁膜３０７，３０８，３１６と、強誘電体キャパシタ１０２と、コンタクトプラグ３１１〜３１３と、強誘電体膜３１７ｂとを有する。 - 特許庁

A lower layer wiring 16 is formed with a first barrier metal layer 14 and a wiring material 15 mainly composed of Cu embedded in a wiring groove formed in a first interlayer insulting film 13.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１３に形成された配線溝に第１のバリアメタル層１４とＣｕを主とする配線材１５が埋め込まれて下層配線１６が形成されている。 - 特許庁

To prevent the generation of void in a metal wiring by suppressing the thermal expansion of the metal wiring upon forming an interlayer insulating film by a high density plasma CVD method so as to cover the metal wiring.例文帳に追加

メタル配線を覆うように高密度プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜を形成する際に、メタル配線の熱膨張を抑制して、メタル配線にボイドが発生するのを防ぐ。 - 特許庁

To reduce the image persistence and characteristic deterioration of liquid crystals in a semiconductor device in which gate wiring, capacity wiring, and connecting wiring are formed on the same interlayer film.例文帳に追加

同一の層間膜上にゲート配線と容量配線と接続配線を形成した半導体装置において、液晶の焼きつきや特性劣化を低減することを課題とする。 - 特許庁

The resistor element 34 is, for instance, a polysilicon film and connected to a contact plug formed in an interlayer insulating film 42 and a high-voltage terminal 39 (+15 V) through a metallic wiring layer.例文帳に追加

抵抗素子３４は、例えば、ポリシリコン膜であり、層間絶縁膜４２に形成されたコンタクトプラグ及び金属配線層を介して高電圧端子３９（＋１５Ｖ）と接続されている。 - 特許庁

Then an interlayer insulating film 3b is formed, and a contact hole 4 to connect the aforementioned signal wiring 2 and the reflection electrode to be formed in the succeeding process is formed by patterning.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜３ｂが形成され、上記信号配線２と後の工程で形成される反射電極との接続のためのコンタクトホール４が、パターニングにより形成される。 - 特許庁

To suppress delamination between layers and interlayer cracking after calcination by making the internal electrode layer of a multilayer piezoelectric element thinner so that a pressing force is applied uniformly even if the number of layers is increased.例文帳に追加

積層型圧電素子の内部電極層をより薄くすることにより、積層数が多くなっても加圧力が均一に加わり、層間でのデラミネーションや焼成後の層間クラックを抑える。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

The array substrate 1 includes a channel layer 19, a gate insulating film 21, a gate wiring line, a gate electrode 23, an interlayer insulating film 25, an amorphous silicon layer 27a, and a data wiring line.例文帳に追加

アレイ基板１は、チャネル層１９と、ゲート絶縁膜２１と、ゲート配線と、ゲート電極２３と、層間絶縁膜２５と、非晶質シリコン層２７ａと、データ配線と、を備えている。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation film small in curing contraction, and excellent in heat resistance, flexibility, and adhesiveness with a welded metal layer, and a curing resin composition to provide it.例文帳に追加

硬化収縮が小さく、耐熱性と可とう性、金属めっき層との接着性にも優れる層間絶縁膜およびそれを与える硬化性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a visual inspection system and a visual inspection method capable of preventing the useless rejection caused by interlayer positional displacement without lowering the precision of quality decision.例文帳に追加

良否判定の精度を低下させることなく、層間の位置ずれによって生じる無駄はねを防止することができる外観検査システムおよび外観検査方法を提供する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel capable of reducing a minute bright spot defect by allowing a fragment of an inorganic insulating film which is formed on an interlayer film to be hardly produced.例文帳に追加

層間膜上に形成された無機絶縁膜の破片が生じ難くすることによって、微小輝点不良を低減するようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes a second wiring layer insulating film formed on the interlayer insulating film, and a plurality of second copper wiring lines 16 buried and formed in the second wiring layer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。 - 特許庁

On the TFT substrate 100, an organic passivation film 109 is formed, and an interlayer dielectric 111 comprising an SiN film formed by low-temperature CVD is formed over the film 109.例文帳に追加

ＴＦＴ基板１００には、有機パッシベーション膜１０９が形成され、その上に、低温ＣＶＤによって形成されたＳｉＮ膜による層間絶縁膜１１１が形成されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film having a contact hole is formed on part of the vertical section on the substrate having the lower electrode, and a spacer pattern is formed on the internal wall of the hole.例文帳に追加

下部電極を有する半導体基板上に垂直部の一部分上にコンタクトホールを有する層間絶縁膜を形成し、コンタクトホールの内壁にスペーサパターンを形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 11 and is provided with a hole 14a, and then an organic film 16 is formed of an organic material containing an acidic compound.例文帳に追加

まず、半導体基板１１上に形成され、孔部１４ａが形成された層間絶縁膜１４の上に、酸性化合物を含む有機材料からなる有機膜１６を形成する。 - 特許庁

To obtain a high etching precision by suppressing the generation of a striation in the case of dry-etching the interlayer insulating film covered with a resist mask formed by the ArF photolithography.例文帳に追加

ＡｒＦフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をドライエッチングする際に、ストリエーションの発生を抑制して高いエッチング加工精度が得られるようにする。 - 特許庁

After that, a tensile stress silicon nitride film 55p which impresses tensile stress to the MTJ element is formed on a clad layer 53b, and an interlayer insulating film on which the clad layer 53b is not formed.例文帳に追加

その後、ＭＴＪ素子に引張ストレスを印加する引張応力シリコン窒化膜５５ｐをクラッド層５３ｂ及びクラッド層５３ｂが形成されていない層間絶縁膜上に成膜する。 - 特許庁