「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a multi-chamber film-forming apparatus capable of manufacturing spin-valve giant magnetoresistive films satisfying both high magnetoresistive change ratio (MR ratio) and low interlayer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。 - 特許庁

After an interlayer insulating film 14 is formed on a field insulating film 12, grooves 14a-14d are mutually separated in the insulating film 14 by utilizing a contact hole forming process.例文帳に追加

フィールド絶縁膜１２の上に層間絶縁膜１４を形成した後、接続孔形成工程を流用して絶縁膜１４に溝１４ａ〜１４ｄを互いに離間して形成する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the semiconductor device, first, a wiring groove 16 is formed on an interlayer insulating film 15 formed on a substrate 11, and a porous film 20 is formed covering the inner wall of the wiring groove 16.例文帳に追加

まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。 - 特許庁

To provide a laminating material for a laminated glass capable of improving adhesive strength with an interlayer film of the laminated glass, and to provide a laminated glass excellent in long term stability and having improved crime prevention performance.例文帳に追加

合わせガラスの中間膜との接着力を向上させることができる合わせガラス貼り合せ材、及び長期安定性に優れ、防犯性能が向上した合わせガラスの提供。 - 特許庁

In this manufacturing method, first and second interlayer insulating films 4 and 5 are formed on one side of a semiconductor substrate 1, so that they cover projection parts 3 which protrude from one side of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

まず、半導体基板１の一面側から突出した凸部３を覆うように、半導体基板１の一面側に１層目、２層目層間絶縁膜４、５を形成する。 - 特許庁

At a unit pixel, an amplifying transistor 26 and a selecting transistor 28 are stacked over a reading transistor 24 and resetting transistor 22 with an interlayer insulating film 37 in between.例文帳に追加

単位画素部において、増幅トランジスタ２６および選択トランジスタ２８を、層間絶縁膜３７を介して読み出しトランジスタ２４およびリセットトランジスタ２２の上に重ねて配置している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of a crack during CMP of an interlayer insulating film and eliminating the influence of a crack even if it occurs.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰ時にクラックが発生することを抑制するとともに、クラックが発生しても、クラックによる影響を排除できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film-forming composition for forming a film having excellent heat resistance, a permittivity as low as 2.5 or below (in terms of a specific permittivity), and excellent cracking resistance and suited for use as an interlayer insulation film of,e.g. a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、耐熱性、比誘電率２．５以下の低誘電性、クラック耐性に優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

A contact hole 19, which reaches the diffusion layer 14 and the connection conductive layer (conductive layer) 13b, is formed at the interlayer insulating film layer 15, in which a conductive material 20 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜層１５に、拡散層１４と接続導電層（導電層）１３ｂに達するコンタクトホール１９を形成し、この内部に導電性材料２０を埋め込む。 - 特許庁

A pad 2 for mounting component is formed by a conductive pattern on each of two positions on a surface of a printed substrate 1, and a through hole 3 for interlayer connection is bored inside each of the pads 2 for mounting component.例文帳に追加

プリント基板１の表面２ヶ所に部品実装用パッド２を導電パターンで配置し、各部品実装用パッド２の内部に層間接続用のスルーホール３を空ける。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device containing an improved method for forming a contact hole in which inclination of the contact hole is suppressed and a film of high reflow properties is applied in an interlayer structure.例文帳に追加

層間構造にリフロー性の高い膜を適用しつつ、コンタクト孔傾斜を抑制する改良されたコンタクト孔形成法を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a component 5 is embedded in a second layer 4, the second layer is cured, and the interlayer connection conductor 6 which is a through-hole penetrating the second layer 4 from an upper surface to a lower surface is formed in the cured second layer 4.例文帳に追加

第二層４に部品５を埋設した上でこれを硬化し、硬化した第二層４に上面から下面にかけて貫通する貫通孔の層間接続導体６を形成する。 - 特許庁

To reduce burning of a liquid crystal and the degradation of a characteristic, without having to add the number of masks, for a semiconductor device in which a pixel electrode and a gate interconnection are formed on the same interlayer film.例文帳に追加

同一の層間膜上に画素電極と、ゲート配線を形成した半導体装置において、マスク枚数を追加することなく、液晶の焼きつきや特性劣化を低減する。 - 特許庁

A first contact 16 is provided under the measuring electrode 8 to pass through the interlayer insulating film, and the first contact 16 is also electrically connected to the measuring electrode 8.例文帳に追加

第１コンタクト１６が、測定用電極８の下であって、層間絶縁膜を貫通するように設けられ、第１コンタクト１６は、測定用電極８と電気的に接続される。 - 特許庁

A light reflection layer 109 connected to the TFT, a plurality of patterned color filters 110 and a transparent electrode 112 are laminated on the interlayer insulation film 108 in this order.例文帳に追加

層間絶縁膜１０８上には、ＴＦＴに接続された光反射層１１２、パターニングされた複数のカラーフィルタ１１０、および透明電極１１２がこの順序で積層されている。 - 特許庁

Storage nodes 10a, 10b and embedded TEOS (tetraethylorthosilicate glass) film are formed by chemical mechanical polishing a rough surface polysilicon film 10 disposed on an upper surface of an interlayer film 8.例文帳に追加

層間膜８の上面上に位置する粗面ポリシリコン膜１０をＣＭＰ処理によって除去することでストレージノード１０ａ、１０ｂおよび埋め込みＴＥＯＳ膜が形成される。 - 特許庁

The wiring layer is patterned to a metal layer that can be manufactured to uniform thickness regardless of the interlayer connection, and a finer pattern can be also formed with a high yield.例文帳に追加

配線層のパターニングが、この層間接続とは関係なく均一厚に製造可能である金属層に対して行われ、より微細なパターンも高歩留まりで形成可能となる。 - 特許庁

To provide a polysiloxane composition capable of attaining required characteristics of cured films for a display element, such as a protective film and an interlayer insulating film at a high level with good balance.例文帳に追加

保護膜や層間絶縁膜等の表示素子の硬化膜に対する要求特性を高水準でバランスよく両立させることの可能なポリシロキサン組成物を提供すること。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with an insulative etching stopper layer (401) formed on the scanning line and an interlayer insulation film (41) which is formed on the layer (401) and has a groove (411) that reaches the layer (401).例文帳に追加

また、走査線上に形成された絶縁性のエッチングストッパー層（４０１）と、この上に形成されており、これに至る溝（４１１）が掘られた層間絶縁膜（４１）とを備える。 - 特許庁

Thus, a groove part 81 is formed at the interlayer insulating film 25 to be the uppermost layer in the sealing area and a groove part 82 is formed at the counter electrode 21 in the sealing area.例文帳に追加

こうして、最上層の層間絶縁膜２５にはシール領域において溝部８１が形成され、対向電極２１にもシール領域において溝部８２が形成される。 - 特許庁

On a drain layer 101 containing a high concentration n-type dopant, there is formed an interlayer 102 consisting of an n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101.例文帳に追加

高濃度のＮ型不純物を含むドレイン層１０１上には、ドレイン層１０１よりも不純物濃度の低いＮ型Ｓｉからなる中間層１０２が形成されている。 - 特許庁

To form by a simplified and inexpensive method an insulating film having a through-hole for electrically connecting conductive layers of an upper layer and a lower layer that sandwich an interlayer insulating film of a semiconductor element therebetween.例文帳に追加

半導体素子の層間絶縁膜を挟む上層と下層の導電層を電気的に接続する貫通孔を有する絶縁膜を、簡易かつ低コストな方法で作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in the strength of an interlayer insulating film or the like near a wiring or a region provided with the wiring, and improved in durability, reliability or the like.例文帳に追加

配線や配線が設けられる領域付近の層間絶縁膜等の強度が向上されており、耐久性や信頼性などが向上された半導体装置を提供する。 - 特許庁

The capacitor is formed in the multi-layer wiring structure of a semiconductor device, and the via plugs 1a to 1c and the via plugs 2a to 2c are arranged so as to be faced to each other with a portion of an interlayer insulating film interposed.例文帳に追加

キャパシタは、半導体装置の多層配線構造内に形成されており、ビアプラグ１ａ〜１ｃとビアプラグ２ａ〜２ｃとは、層間絶縁膜の一部を挟んで互いに対向している。 - 特許庁

The semiconductor layer has a plurality of fuse layers disposed on an interlayer dielectric 3 in parallel and dummy fuse layers 15 provided between adjacent fuse layers 5 in parallel to the fuse layers 5.例文帳に追加

層間絶縁膜３上に平行に配置された複数のヒューズ層５と、互いに隣接するヒューズ層５の間に、ヒューズ層５と平行に設けられたダミーヒューズ層１５とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate with a built-in electronic component which has a structure capable of establishing interlayer connection by easily burying a conductive body into via hole formed at an insulating layer of a thick film into which the electronic component is buried.例文帳に追加

電子部品が埋設される厚膜の絶縁層に設けられるビアホールに容易に導電体を埋め込んで層間接続できる構造の電子部品内蔵基板を提供する。 - 特許庁

A stopper film 3 is formed on a semiconductor substrate 2 on which a copper wiring layer 1 is formed, and then an interlayer insulating film 6 formed of a low dielectric material is formed on the stopper film 3.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上にストッパー膜３を形成した後、ストッパー膜３の上に低誘電率材料からなる層間絶縁膜６を形成する。 - 特許庁

On a TFT substrate 10 constituting the liquid crystal device, a circuit element layer 11, a fourth interlayer insulation film 44, a pixel electrode 37 and an alignment film 37 are piled up in this order.例文帳に追加

液晶装置を構成するＴＦＴ基板１０には、回路素子層１１、第四層間絶縁膜４４、画素電極３７、配向膜４６がこの順に積層されている。 - 特許庁

An active pixel circuit using a thin film transistor TFT is formed on a main surface of a glass substrate SUB and an interlayer insulating film IL is formed as a layer above the pixel circuit.例文帳に追加

ガラス基板ＳＵＢの主面に薄膜トランジスタＴＦＴを用いたアクティブな画素回路が作り込まれ、この画素回路の上層には層間絶縁膜ＩＬが成膜されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD USING CONDUCTIVE PROJECTION FOR INTERLAYER CONNECTION, MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD USING THE SAME, AND PRINTED WIRING BOARD AND MULTILAYERED PRINTED WIRING BOARD OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

層間接続に導電性突起を用いたプリント配線板の製造方法、それを用いた多層プリント配線板及びそれにより得られたプリント配線板、多層プリント配線板 - 特許庁

To provide a laminated glass having high visible ray transmissivity and transparency, free from generating the deterioration of ultraviolet/infrared ray opacity even in long-term use and to provide an interlayer used therefor.例文帳に追加

高い可視光透過性・透明性を有し、長期間使用しても紫外線赤外線非透過性の低下の起きない、合わせガラスおよびこれに使用する中間膜を提供する。 - 特許庁

Thereby, when the thickness of the interlayer insulation film in the outer peripheral part of the semiconductor wafer is smaller than that at the center part of thereof, plasma charge to the gate insulation film in dry etching is restrained.例文帳に追加

その為、層間絶縁膜の膜厚は半導体ウェハの中央部に比べて外周部が薄くなっている場合において、ドライエッチング時のゲート絶縁膜へのプラズマチャージを抑制する。 - 特許庁

The interlayer insulating resin sheet and circuit wiring are multilayered for heating at the melt point of solder or higher and continuity in upper and lower wiring layers is achieved by solder junction as a multilayer wiring board.例文帳に追加

この層間絶縁樹脂シートと回路配線とを多層化し、はんだの融点以上に加熱し、はんだ接合により上下の配線層の導通をとり多層配線基板とする。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 1 has an interlayer insulation layer 2 and a conductive layer 3 which are sequentially laminated on a substrate 10, and a plurality of pieces 11 having conductor circuits 31 are formed.例文帳に追加

基板１０上に順次積層された層間絶縁層２と導電層３とを有し，導体回路３１を有する個片１１を多数形成した多層プリント配線板１。 - 特許庁

After that, the titanium film 5 being formed at the bottom of the connection hole 4 and on the interlayer insulation film 3 is eliminated while leaving only the titanium film 5 being formed at the side wall part of the connection hole 4.例文帳に追加

その後、接続孔４の側壁部に形成されているチタン膜５のみを残して接続孔４底部及び層間絶縁膜３上に形成されているチタン膜５を除去する。 - 特許庁

The correction factor K corrects that the planar pattern density of the convex 4 becomes a value different from the pattern density of the metal wiring 2 by the thickness of an interlayer insulating film 6.例文帳に追加

ここで、補正係数Ｋは、凸部４の平面的なパターン密度が、層間絶縁膜６の厚みにより金属配線２のパターン密度と違う値になるのを補正するための補正係数である。 - 特許庁

A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７及びダイオードとして機能する活性領域５を設け、プラズマプロセスによって第１の層間絶縁層１０を形成する。 - 特許庁

In the interlayer insulation film 23 between the through electrode 36 and the internal electrode 32, a contact plug 37 for electrically connecting the through electrode 36 to the internal electrode 32 is formed.例文帳に追加

貫通電極３６と内部電極３２との間の層間絶縁膜２３内に、貫通電極３６と内部電極３２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３７が形成されている。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method without deteriorating a silica system film having a low relative permittivity used for a semiconductor element or the like as an interlayer insulating film.例文帳に追加

半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method for efficiently and reliably removing copper oxide on a surface of Cu and removing Cu-containing residue attached on an interlayer dielectric.例文帳に追加

Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

An interlayer handoff system decides whether the mobile unit is to be served by other cell layer, depending on the time when the mobile unit stays in the cell of the first layer or on its function.例文帳に追加

移動機が第一レイヤーのセル内にいる時間に依存して、あるいはその関数に依存して、インターレイヤーハンドオフシステムは、移動機が別のセルレイヤーによりサービスされるべきかを決定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an interlayer insulating layer that has superior embedding characteristic of adjacent wiring layers even in the design rule of 0.13 μm generation or lower, for example.例文帳に追加

例えば０．１３μｍ世代以下のデザインルールであっても、隣接する配線層間の埋め込み性に優れた層間絶縁層を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide carbon fibers for a carbon fiber-reinforced carbon composite material which exhibits excellent tensile strength without having its interlayer shear strength reduced, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

本発明は、層間剪断強度を低下させることなく、引張強度の優れた炭素繊維強化炭素複合材料用炭素繊維、およびその製造方法を提供せんとするものである。 - 特許庁

Vacuum or gas exists in that space and since the dielectric constant is significantly low as compared with that of an interlayer insulation film, parasitic capacitance between the wirings can be reduced.例文帳に追加

この空間は真空または気体が存在する状態であり、これは層間絶縁膜に比べて比誘電率が非常に低いので、配線間の寄生容量を低減することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which offers integrated circuit wiring easy in embedding an interlayer insulation film, while maintaining the reliability of multilayered metal wiring, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

積層金属配線の信頼性を保ちつつ層間絶縁膜の埋め込みが容易な集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁