「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

In a nonvolatile semiconductor storage device consisting of a nonvolatile memory having a gate insulating trap film, an interlayer insulating film 108 is formed on a memory cell and then a first opening 120 reaching a bit line 103, and a second opening 121 reaching a dummy word line 105 contiguous to the first opening 120 are formed simultaneously in the interlayer insulating film 108.例文帳に追加

トラップ性のゲート絶縁膜を有する不揮発性メモリからなる不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル上に層間絶縁膜１０８を形成した後、層間絶縁膜１０８に、ビット線１０３に到達する第１の開口部１２０、及び第１の開口部１２０に隣接するダミーワード線１０５に到達する第２の開口部１２１を同時に形成する。 - 特許庁

When laminating a plurality of material layers by discharging ink from a droplet discharge head to a substrate P, a non-discharging region H is preset on a drain electrode 544, ink is discharged on a part other than non-discharging region of the drain electrode 544, and a second interlayer insulating layer 584 is formed on the drain electrode 544 and a first interlayer insulating layer 583.例文帳に追加

基板Ｐに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極５４４上面に非吐出領域Ｈを予め設定しておき、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極５４４及び第１層間絶縁層５８３上層に第２層間絶縁層５８４を形成する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises a semiconductor substrate 21, an interlayer dielectric 23 formed on the semiconductor substrate and having a contact hole opening to the semiconductor substrate, a metal wiring layer 13 having one end connected with the contact hole and the other end constituting a bonding pad, and an adhesion layer 31 of Ti having a thickness of 5-500 Å provided between the interlayer dielectric and the metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device where an interlayer insulation layer 13 is formed on a semiconductor chip 30, and a sealing resin layer 19 for protecting the semiconductor chip 30 from external atmosphere and at the same time bump electrodes 20 used as external connection terminals are provided, at least the interlayer insulation layer 13 is formed by using resin with a specific low thermal coefficient of expansion and a specific low modulus of elasticity.例文帳に追加

半導体チップ３０上に層間絶縁層１３が形成され、さらに半導体チップ３０を外部雰囲気から保護する封止樹脂層１９を有すると共に、外部接続端子としての突起状電極２０を備えた半導体装置において、少なくとも層間絶縁層１３を特定の低熱膨張率及び特定の低弾性率を有する樹脂を用いて形成する。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device, when a bit line 31A is formed of a W film, a second interlayer dielectric 20 underlying the W film is formed of a P-TEOS oxide film and then annealing is performed at 700-800°C for 1-30 min in nitrogen atmosphere in order to desorb an oxygen containing gas contained in the interlayer dielectric 20.例文帳に追加

開示される半導体装置の製造方法は、Ｗ膜から成るビット線３１Ａを形成する場合、Ｗ膜の下地となるＰ−ＴＥＯＳ酸化膜から成る第２の層間絶縁膜２０を形成した後に、窒素雰囲気内で、７００〜８００℃で、１〜３０分間アニール処理を施して、第２の層間絶縁膜２０内に含まれている酸素を含むガスを脱離させる。 - 特許庁

The cured film is formed of the composition; the interlayer insulating film is formed by using the cured film; and the organic EL display device and the liquid crystal display device each include the interlayer insulating film.例文帳に追加

アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、該アルカリ可溶性樹脂（Ａ）とは異なる構造を有し、且つ、エポキシ基及びオキセタン基の少なくとも一方を含有する線状共重合体（Ｂ）、及び感光剤（Ｃ）を含有するポジ型感光性樹脂組成物、該組成物から形成された硬化膜、該硬化膜を用いた層間絶縁膜、該層間絶縁膜を具備する有機ＥＬ表示装置並びに液晶表示装置。 - 特許庁

The positive electrode active material has an olivine structure and is expressed by Li_xM_1-xMnPO_4 (in the formula, 0<x≤1, and M is an alkaline metal element having an ion radius larger than Li), in which the interlayer spacing of MnO_6 layer is larger than the interlayer spacing of MnO_6 layer contained in LiMnPO_4 as a reference substance.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、Ｌｉ_ｘＭ_１−ｘＭｎＰＯ_４（式中、０＜ｘ≦１であり、ＭはＬｉよりもイオン半径の大きなアルカリ金属元素である。）で表され、かつ、ＭｎＯ_６層の層間隔が、基準物質としてのＬｉＭｎＰＯ_４に含まれるＭｎＯ_６層の層間隔よりも大きいことを特徴とする正極活物質を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In the photosensitive transfer material having the interlayer and a photosensitive layer on the temporary support in this order, the photosensitive transfer material is characterized by comprising the interlayer which contains at least a kind of nonionic fluorine compound, the adhesive power of which to the temporary support is weaker than that to the photosensitive layer and which is soluble at least in water or in an aqueous solution.例文帳に追加

仮支持体上に中間層と感光性層とをこの順に有する感光性転写材料において、前記中間層が、少なくとも一種のノニオン性フッ素化合物を含み、中間層と仮支持体との接着力が中間層と感光性層との接着力より小さく、かつ少なくとも水若しくは水溶液に可溶であることを特徴とする感光性転写材料である。 - 特許庁

Defects in repetitive patterns in a multilayer substrate are detected by a defect detection part provided in the defect correcting device, and when the defects detected by the defect detection part overlap with a region where an occurrence of the interlayer short-circuit defect is assumed, a control part 301 provided in the defect correcting device generates an object corresponding to a defect correction technique for the interlayer short-circuit defect.例文帳に追加

欠陥修正装置が備える欠陥検出部により多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出し、欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なる場合、欠陥修正装置が備える制御部３０１により層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成する。 - 特許庁

To provide a catalyst for cleaning exhaust gas which can securely inhibit the solid-solution deterioration of Pt and Rh by sufficiently curbing the interlayer transfer of Pt and Rh, even in an oxygen excessive atmosphere at a high temperature of not less than 900°C.例文帳に追加

９００℃以上の高温でかつ酸素過剰雰囲気であっても、Ｐｔ及びＲｈの層間移動を十分に抑制して、Ｐｔ及びＲｈの固溶劣化をより確実に抑制する。 - 特許庁

To prevent the flocculation of sacrifice nanoparticles from growing in precursor solution for forming a porous film becoming an interlayer insulating film even if the content of sacrifice nanoparticles is increased in the precursor solution.例文帳に追加

層間絶縁膜となる多孔質膜用前駆体溶液中の犠牲ナノ粒子の含有率を高くしても、前駆体溶液中における犠牲ナノ粒子の凝集が大きくならないようにする。 - 特許庁

By such a constitution, increases in manufacturing process and cost caused by the conventional forming of an interlayer are prevented, and a decline in reliability and the degradation of efficiency of optical extraction caused by an increase in interface are prevented.例文帳に追加

従って、従来の中間層形成による製造工程及びコストの増加を防止し、かつ界面増加による信頼性低下及び光抽出の効率低下を防止することができる。 - 特許庁

To provide a resin member for improving weather resistance without inviting coloring or deteriorating due to an ultraviolet ray, a decrease in a surface hardness and a decrease in interlayer adhesive properties and having high surface hardness and marring resistance.例文帳に追加

紫外線による着色や劣化、表面硬度低下、層間密着性低下を招くことなく耐候性を向上させ、かつ高い表面硬度や耐擦り傷性を有する樹脂部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a rotor of a rotating electric machine having high reliability and high efficiency, capable of preventing an interlayer insulating material from being peeled due to mechanical stress caused by thermal expansion/shrinkage of a field winding.例文帳に追加

界磁巻線の熱膨張・収縮などに起因する機械的なストレスによって層間絶縁材が剥離することがなく、信頼性が高く効率の良好な回転電機の回転子を提供する。 - 特許庁

To provide a motor insulation-monitoring system for detecting occurrence of interlayer short-circuiting or the like in the winding of a motor before reaching the large-scale burning of the winding.例文帳に追加

電動機の巻線における層間短絡等の発生の際、この状態を、巻線の大規模焼損に至る前に検出することができる電動機絶縁監視システムを提供することである。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulation film and a structure capable of suppressing the increase of the dielectric constant of an interlayer insulation film accompanying change of Si-CnH2n+1 combination to Si-OH combination in the film.例文帳に追加

膜中のＳｉ−Ｃ_nＨ_2n+1結合がＳｉ−ＯＨ結合へと変化することに伴う層間絶縁膜の誘電率の上昇を抑制し得る、絶縁膜の形成方法及び構造を得る。 - 特許庁

To provide a releasable lid material with a hot water drain hole, without paper peeling-off phenomena of the surface sheet and interlayer releasing at an easily releasable layer in a lid material for instant foods with a hot water drain hole.例文帳に追加

湯切り口付即席食品用蓋材において、易剥離層での剥離が表面シートの紙むけ現象がなく、かつ層間剥離のない湯切り口付剥離性蓋材の提供にある。 - 特許庁

Following to a step (S1) for forming a first interlayer film and making contact holes, a first metallization for inspection mask is formed (S8) and leak current test or function test is conducted by inline test using a probe (S7).例文帳に追加

第１層間膜形成及びコンタクトホール形成工程（Ｓ１）後に、検査用マスクの第１金属配線を形成（Ｓ８）し、プローブを用いたインライン検査（Ｓ７）によりリーク電流検査や機能検査を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing the increase of contact resistance, the reduction of yield, and the reduction of reliability even when a SiOC film is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

ＳｉＯＣ膜を層間絶縁膜として用いた場合でも、コンタクト抵抗の上昇、歩留りの低下及び信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device capable of measuring accurately even at a very low temperature in a limited space, a mechanical characteristic value such as interlayer fracture toughness or the like on laminated material such as fiber reinforced plastics or the like.例文帳に追加

繊維強化プラスチックなどの積層材料における層間破壊じん性などの機械的特性値を限られたスペースで、極低温下でも精度よく測定することのできる装置を提供する。 - 特許庁

A conductive film 5 which is embedded in a trench groove 3a is structured such that its upper surface is positioned below the upper surface of a second interlayer insulating film 3 at points contacting a barrier metal film 4.例文帳に追加

トレンチ溝３ａに埋設された導体膜５を、その上面が、バリアメタル膜４との接触部において、第２の層間絶縁膜３の上面よりも下方に位置する態様で形成された構造とする。 - 特許庁

After a plurality of impurity regions 2a, 2a', and 2b is formed in a semiconductor substrate 1, a conductive pattern 6b is formed in the opening of an interlayer insulating film 5 on a prescribed one 2b of the impurity regions.例文帳に追加

半導体基板１内に複数の不純物領域２ａ，２ａ’，２ｂを形成し、そのうち所定の不純物領域２ｂ上の層間絶縁膜５の開口部に導電性パターン６ｂを形成する。 - 特許庁

The barrier film 116 may be formed by continuously changing the RF bias with its interlayer insulating film 113 side formed by impressing the RF bias, and with its wiring layer 117 side formed by impressing the RF bias.例文帳に追加

バリア膜１１６はＲＦバイアスを連続的に変化させて、層間絶縁膜１１３側をＲＦバイアスを印加して、配線層１１７側をＲＦバイアスを印加せずに形成することもできる。 - 特許庁

There is disclosed a procedure for coating the surface of a Cu Damascene wire with an element, having a thickness of 1 to 5 nm prior to deposition of an interlayer dielectric or dielectric diffusion barrier layer.例文帳に追加

開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。 - 特許庁

An interlayer insulating film 16 is formed on the substrate 10, while covering the region 12a and electrode 14, and has a common through-hole 18 for communicating with both the region 12a and electrode 14 inside.例文帳に追加

層間絶縁膜１６は、領域１２ａと電極１４を覆うように基板１０上に形成され、領域１２ａと電極１４の双方に連通する共通透孔１８を内部に有する。 - 特許庁

The conductive film composing a power-feeding electrode to a signal line 11 and a scanning line is covered with an insulation protecting film 35 of silicon nitride or an interlayer insulating film 34 of silicon oxide and the insulation protecting film 35 of silicon nitride.例文帳に追加

信号線11および走査線の給電電極を構成する導電膜を窒化シリコンの絶縁保護膜35または酸化シリコンの層間絶縁膜34および窒化シリコンの絶縁保護膜35によって覆う。 - 特許庁

There is formed a frame-like member 9 which consists of a material with a larger etching selection ratio compared with the LOCOS oxide film 3 from a top face of the gate-metal interlayer film 5 to the silicon substrate 1.例文帳に追加

ゲート−メタル層間膜５の上面からシリコン基板１に到達して、ＬＯＣＯＳ酸化膜３と比べてエッチング選択比の大きい材料からなる枠状部材９が形成されている。 - 特許庁

To provide such a joining method and joining apparatus for a laminated glass at a time of manufacturing a laminated glass as enables to realize the cutback in the energy consumption for heating an interlayer and the reduction in the processing time.例文帳に追加

合わせガラスを製造する際、中間膜を加熱するためのエネルギー消費の削減と、工程の時間短縮が実現可能な、合わせガラスの接合方法と接合装置を提供すること。 - 特許庁

The composite electromagnetic shield filter is manufactured by transferring and forming the NIR absorbing transfer layer 3 using the NIR absorbing transfer sheet 20 on one of positions of the surface, the back surface or the interlayer of the composite electromagnetic shield filter 10.例文帳に追加

複合電磁波シールドフィルタ１０の表面、裏面、或いは層間のいずれかとなる位置に、ＮＩＲ吸収転写シート２０でＮＩＲ吸収転写層３を転写形成して製造する。 - 特許庁

To provide a laminated film having superior finishing property and excellent transparency after reproductive addition, and suitable for a use of packing, shrinkage strap on packing, shrinkage label, etc. with an excellent interlayer adhesiveness.例文帳に追加

優れた仕上がり性と再生添加後に優れた透明性を有し、かつ層間接着性にも優れた、包装、収縮結束包装や収縮ラベル等の用途に適した積層フィルムの提供。 - 特許庁

To provide a probe card capable of reducing a damage to an electrode pad and an interlayer dielectric of a lower layer, reducing the generation of a crack, and performing a highly reliable test of a semiconductor device.例文帳に追加

電極パッドおよび下層の層間絶縁膜へのダメージの低減、クラックの発生の低減を図るとともに、信頼性の高い半導体装置のテストの実施を可能とするプローブカードを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 12B, a gate electrode 2, an interlayer dielectric 12C, a video line D and a source electrode 4 are layered in this order on an upper layer of an active element that a first substrate 10A has.例文帳に追加

第１の基板１０Ａに有するアクティブ素子の上層に形成されたゲート絶縁膜１２Ｂ、ゲート電極２、層間絶縁膜１２Ｃ、映像線Ｄとソース電極４とをこの順で積層する。 - 特許庁

A silicon nitride film 51 which covers the P-type channel stopper region 23 and does not cover the N-type channel stopper region 33 when viewed from above is arranged between the LOCOS oxide film 13 and the interlayer insulating film 53.例文帳に追加

上方から見てＰ型チャネルストッパー領域２３を覆いＮ型チャネルストッパー領域３３を覆っていないシリコン窒化膜５１をＬＯＣＯＳ酸化膜１３と層間絶縁膜５３の間に備えている。 - 特許庁

The iron oxide concentration is decreased in a first sprayed coating 3A formed in the cylinder bore close to a combustion chamber to thereby increase the interlayer adhesiveness to the inner wall 2a and to maintain anti-knocking property of the engine.例文帳に追加

シリンダボアの燃焼室付近に形成される第１溶射皮膜３Ａには酸化鉄濃度を少なくして、前記内壁２ａに対する層間密着性を高め、エンジンの耐ノック性を確保する。 - 特許庁

The Y-direction lines are respectively formed in grooves 32 formed on the outer surface of the back substrate, and the X- direction lines are formed on the outer surface of the back substrate through interlayer insulating layers 34.例文帳に追加

Ｙ方向配線は、背面基板の外面に形成された溝３２内にそれぞれ設けられ、Ｘ方向配線は、層間絶縁層３４を介して、背面基板の外面上に設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein dielectric strength between an upper-layer interconnection and a lower-layer interconnection is kept constant and the thickness of an interlayer insulation film in the other parts can be made small.例文帳に追加

上層配線と下層配線との間の絶縁耐圧を一定以上に維持しつつ、それ以外の部分の層間絶縁膜の膜厚を小さくすることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

A barrier metal film 11 is formed on the interlayer insulating film 10, and a wiring film 13 is formed on the barrier metal film 11 so as to be buried in a via hole 10a and a wiring trench 10a.例文帳に追加

層間絶縁膜１０上にはバリアメタル膜１１が形成されており、バリアメタル膜１１上にはビアホール１０ａ及び配線溝１０ａに埋め込まれるように配線膜１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a multilayer container which, even if filled with the contents containing oil and water, does not give rise to interlayer delamination and is remarkably excellent in oxygen gas barring property, moisture barring property and flavor preservability.例文帳に追加

油分と水分とを含む内容物を充填した場合にも層間剥離の発生がなく、酸素バリアー性、水分バリアー性、保香性に顕著に優れた多層容器を提供することである。 - 特許庁

To provide a both-side flexible printed circuit board and a method for manufacturing the same having the interlayer connection that is suitable for fine structure of the wiring layer and is assuring higher connection reliability and productivity.例文帳に追加

配線層の微細化に好適な、接続信頼性及び生産性に優れる層間接続を有する両面フレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

On the ceramic substrate 10 whereon the conductor pattern 11 and the heating circuit element 30 are formed, the thermoplastic resins 20a and 20b are stacked wherein a conductor pattern 21 and an interlayer connecting portion 22 are formed.例文帳に追加

また、導体パターン１１及び発熱回路素子３０が形成されたセラミック基板１０上には、導体パターン２１及び層間接続部２２が形成された熱可塑性樹脂２０ａ、２０ｂを積層される。 - 特許庁

The barrier film 62 is formed by a compound of an element contained in the high melting point conductive layer 60 and inhibits impurities due to interlayer dielectric films 69, 70 covering the wiring 60 from diffusing in the wiring 60.例文帳に追加

バリア膜６２は、高融点導電層６０が含む元素の化合物からなり、配線６０を覆う層間絶縁膜６９，７０に起因する不純物が配線６０内に拡散するのを抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device includes adjacent power supply wirings 13, 14 formed on an underlying, and an interlayer insulating film formed on the underlying and the power supply wiring 13, 14.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、下地上に形成された隣接する電源配線１３，１４と、下地及び電源配線１３，１４の上に形成された層間絶縁膜と、を具備するものである。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an embedded wiring having a barrier metal 3, a first seed film 4, a second seed film 14, and a copper film 5, in a first wiring groove 2 formed on a first interlayer insulating film 1.例文帳に追加

半導体装置は、第１の層間絶縁膜１に形成された第１の配線溝２内に、バリアメタル３、第１のシード膜４、第２のシード膜１４、銅膜５を有する埋め込み配線を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a memory cell, using a ferromagnetic capacitor 17 as a storage capacitor and interlayer insulating films 19 and 21 of more than one layer, which are formed on a face containing the capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ１７を記憶用キャパシタとして用いたメモリセルと、このキャパシタを含む面上に形成された１層以上の層間絶縁膜１９、２１とを具える半導体装置である。 - 特許庁

When a first contact 19 is formed, a tungsten plug 21 for increasing a surface area of a lower electrode 14 is formed in a part where a capacity element 11 of a contact interlayer film 13 is formed.例文帳に追加

第１のコンタクト１９を形成する際に、コンタクト層間膜１３の容量素子１１を形成しようとする部分に、下部電極１４の表面積を増加させるためのタングステンプラグ２１を形成する。 - 特許庁