「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

Any of the plurality of contact plugs CP0 which reaches the diffusion layer 3 serving as a source layer has its end connected directly to the end of a contact plug CP1 penetrating an interlayer insulating film IL2.例文帳に追加

複数のコンタクトプラグＣＰ０のうちソース層となる拡散層３に達するものは、その端部が層間絶縁膜ＩＬ２を貫通するコンタクトプラグＣＰ１の端部にダイレクトに接続されている。 - 特許庁

A contact hole having a larger upper opening diameter is formed through an interlayer dielectric 8A on a diffusion layer and a first film 9A having such a film thickness that the film 9A does not fill up completely the contact hole is formed in the hole.例文帳に追加

層間絶縁膜８Ａを介して拡散層上にその上部の開口径が広いコンタクト孔を形成し、当該コンタクト孔内が完全に埋まらない膜厚で第１の膜９Ａを形成する。 - 特許庁

The first contact plug 8 is formed penetrating the first interlayer dielectric 7 in the thickness direction thereof, is electrically-connected with a source-drain region 5 at the bottom face thereof, and has a first electric resistivity.例文帳に追加

第一のコンタクトプラグ８は、第一の層間絶縁膜７の膜厚方向に貫通して形成され、下面においてソース・ドレイン領域５と電気的に接続され、第一の電気抵抗率を有する。 - 特許庁

A lower part opening 309 and an upper part opening 310 are formed, a lower electrode 311 of a capacitor, a capacitance insulating film 312, and an upper part electrode 313 are formed in the opening of the interlayer film.例文帳に追加

層間膜の中に下部開口部３０９及び上部開口部３１０が形成され、開口部にキャパシタの下部電極３１１、容量絶縁膜３１２、及び上部電極３１３が形成されている。 - 特許庁

The epitaxial substrate 1 is produced by successively epitaxially growing a target group III-nitride layer 13, an interlayer 14 and a group III-nitride layer 15 on a substrate 11 through a buffer layer 12.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、基材１１の上に、バッファ層１２を介して、目的とするIII族窒化物層１３、中間層１４およびIII族窒化物層１５を順次エピタキシャル成長させることにより作製される。 - 特許庁

A source electrode 36 is formed on the surface of a first interlayer insulating layer 61 covering the semiconductor layer 31 and the gate electrode 34 and conducts to a source region 31s via the contact hole CH1s.例文帳に追加

ソース電極３６は、半導体層３１およびゲート電極３４を覆う第１層間絶縁層６１の面上に形成されるとともにコンタクトホールＣＨ1sを介してソース領域３１ｓに導通する。 - 特許庁

By etching the lower part interlayer dielectric 67 using the hard mask 69 as an etching mask, a self-aligned contact hole 71, by which the semiconductor substrate 51 between the wiring patterns 60 is exposed, is formed.例文帳に追加

ハードマスク６９をエッチングマスクとして使用して、下部層間絶縁膜６７をエッチングして配線パターン６０の間の半導体基板５１を露出させる自己整列コンタクトホール７１を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation film between the electric field impressing fuse Fa and the laser fuse Fb incorporates the layout of a passivation film 24b to prevent laser damage due to pattern formation from the first layer metal wiring.例文帳に追加

電界印加フューズＦａとレーザフューズＦｂの間の層間絶縁膜中には第１層メタル配線層を用いてパターン形成されたレーザダメージを防止するための保護膜２４ｂが配置される。 - 特許庁

The interlayer having the specified design and the scatter preventing function for at least broken glass is interposed between the mating faces of a pair of glass panes to jointly bond both glass panes.例文帳に追加

一対のガラスの合わせ面間に、所定の意匠を有すると共に少なくとも割れたガラスの飛散防止機能を有する中間膜を介装させて、両ガラスを接合接着したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board, having superior quality reliability of a via connection between conductor wiring layers (circuit patterns) and also invulnerability to interlayer peeling, to be fabricated while supressing defective rate at low cost.例文帳に追加

導体配線層（回路パターン）間のビア接続の品質信頼性に優れ、且つ層間剥離が起きにくい多層回路基板を、不良率を抑えて低コストにて製造することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an insulating gate field effect transistor where the portion of a substrate opposed to a gate electrode is not oxidized when an interlayer insulating layer is formed above the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の上方に層間絶縁層を形成するときに、ゲート電極に対向する基体の部分が酸化されることが無い、絶縁ゲート電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the polysilicon film 25 corresponding to the gate electrode 22, a stopper 26 is arranged and then a silicon oxide film 27 and a silicon nitride film 28 becoming an interlayer insulation film are deposited to cover the stopper 26.例文帳に追加

ゲート電極２２に対応する多結晶シリコン膜２５上に、ストッパ２６が配置され、このストッパ２６を被うように、層間絶縁膜となる酸化シリコン膜２７及び窒化シリコン膜２８が積層される。 - 特許庁

To provide a dielectric memory in a solid stacked capacitive element wherein both deterioration in an oxygen diffusion preventive layer and occurrence of a crack on an interlayer insulation film can be inhibited, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

立体スタック型の容量素子において、酸素拡散防止層の劣化と、層間絶縁膜でのクラックの発生とが共に抑えられた誘電体メモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a pair of electrodes of a capacitor, i.e. a lower layer electrode 3 and an upper layer electrode 5, are formed thereon while sandwiching an interlayer insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上に下層電極３と上層電極５とが層間絶縁膜４を挟んでコンデンサの一対の電極を形成している。 - 特許庁

Moreover, the interlayer insulation film 17 formed in the same layer as the interconnections 20a-20c which constitute the first interconnection layer is a silicon-rich oxide film having a property of trapping dopants such as water and hydrogen.例文帳に追加

さらに、第１配線層を構成する配線２０ａ〜２０ｃと同層の層間絶縁膜１７として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 - 特許庁

Next, an SiO2 film is formed as an interlayer insulating film, and furthermore a contact hole for contacting a gate electrode, a diffusion layer and wiring with a tungusten plug is formed by photolithography and dry etching.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜としてＳｉＯ２ 膜を形成し、さらに、ゲート電極及び拡散層と配線とをタングステンプラグでコンタクトするためのコンタクトホールをフォトリソグラフィとドライエッチングによって形成する。 - 特許庁

To provide semiconductor device that can maintain the low dielectric constant of interlayer insulating films between metallic wires, prevent metallic wiring peeling, etc., and improve metallic wiring orientation.例文帳に追加

金属配線間の層間絶縁膜の低誘電率を確保しつつ、金属配線の剥がれ等を防止することができ、さらに金属配線の配向性を向上することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrooptical apparatus hardly generating an operation defect and having high reliability by suitably constructing an interlayer insulating layer intervening for laminating a nonlinear element and a pixel electrode.例文帳に追加

非線形素子と画素電極とを積層させるために介在させる層間絶縁層を好適な構成とすることで、動作不具合が生じ難く、信頼性の高い電気光学装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a resin composition having excellent solder heat resistance, electroless plating properties and electrical insulating properties of a cured product, developable with an organic solvent or a dilute alkali solution and suitable for solder resists and interlayer insulating layers.例文帳に追加

硬化物の半田耐熱性、無電解メッキ性、電気絶縁性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After the formation of an interlayer film, a pixel electrode 108, common electrodes 110 and 111, and source lines 106 and 107 are formed at the same time.例文帳に追加

本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６、１０７を同時に形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer membrane for a laminated glass constituted by a laminate of a resin layer including a resin layer containing a transparent adhesive resin, and polyethylene terephthalate, which is prevented from the debonding caused by moisture.例文帳に追加

透明接着樹脂を含む樹脂層とポリエチレンテレフタレートを含む樹脂層の積層体からなり、水分に起因する剥離が防止された耐久性に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15 is formed to have a first groove 15a and a second groove 15b respectively formed in a first region A and a second region B on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上の第１領域Ａ内及び第２領域Ｂ内に各々形成された第１グルーブ１５ａ及び第２グルーブ１５ｂを有する層間絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer compound formed by intercalating a metallic complex between layers of a layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as basic components, and to provide a method of manufacturing the intercalation compound.例文帳に追加

バナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしているな層間化合物、及び該層間化合物を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

This interlayer insulating-film material is composed of an organic crosslinking insulating-film forming material as a main ingredient, to which an allyl compound having both an allyl group and a reactive functional group other than the allyl group is added.例文帳に追加

主剤である有機の架橋性絶縁膜形成材料にアリル基及びアリル基とは別の反応性官能基の両方を有するアリル化物を添加した層間絶縁膜材料とする。 - 特許庁

An insulation layer 12 that does not contain any glass fiber is laminated on a substrate 9, and a conductive via 17 for interlayer connection is formed on the insulation layer 12 by applying laser beams or by the photo-etching method.例文帳に追加

基体９上にガラス繊維を含まない絶縁層１２を積層し、この絶縁層１２には層間接続のための導電性ビア１７をレーザー光線照射やフォトエッチング法により形成する。 - 特許庁

Therefore, a diffusion of a metal to the interlayer insulating film from the metal gate electrode when or after being formed is prevented to materialize a semiconductor device of a high breakdown strength with a low-resistive gate electrode.例文帳に追加

そのため、形成時あるいは形成後のメタルゲート電極からの層間絶縁膜への金属の拡散は防止され、低抵抗なゲート電極を有する高耐圧の半導体装置が実現される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same, wherein when using polysilazane for forming interlayer dielectrics onto groove-like regions with narrow width, a silicon oxide film can be efficiently reformed.例文帳に追加

幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, the clay mineral preferably has a polar group and an alkyl chain, and an interlayer distance of the clay mineral before dispersed in the surface layer is preferably 0.9 nm or more and 1.4 nm or less.例文帳に追加

また、粘土鉱物が極性基およびアルキル鎖を有することが好ましく、表面層に分散前の粘土鉱物の層間距離が０．９ｎｍ以上１．４ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁

To prevent an electrode material of an upper electrode formed on a BPSG insulating film from diffusing in the BPSG insulating film when the BPSG insulating film is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜としてＢＰＳＧ絶縁膜を用いる場合に、ＢＰＳＧ絶縁膜上に形成される上部電極の電極材料がＢＰＳＧ絶縁膜に拡散することを抑制する。 - 特許庁

To reduce total capacitance between wirings by forming a semiconductor device, using a fluorine added carbon film (CF film) as an interlayer insulating film while using a boron nitride film(BN film) as a hard mask.例文帳に追加

層間絶縁膜としてフッ素添加カ−ボン膜（ＣＦ膜）を用いた半導体装置を、ハ−ドマスクとして窒化ホウ素膜（ＢＮ膜）を用いて形成することによりト−タルの線間容量を小さくすること。 - 特許庁

Further, after a contact hole 18 is formed by etching an interlayer insulation layer 14, the surfaces of the lower electrode layers are also smoothed again by the plasma projections to eliminate their damages caused by the etching.例文帳に追加

さらに、層間絶縁層１４をエッチングしてコンタクトホール１８を形成した後にも、下部電極層表面のエッチングによる損傷を解消するため、プラズマ照射により表面を再度平滑化する。 - 特許庁

A copper wiring layer 114 serving as the top layer of a seal ring 110 is formed in an interlayer insulating film 109 on a silicon substrate 101, and an aluminum wiring layer 141 is formed for covering the top of the copper wiring layer 114.例文帳に追加

シリコン基板１０１上の層間絶縁膜１０９に、シールリング１１０の最上層となる銅の配線層１１４を形成し、その上面を覆うアルミ配線層１４１を形成する。 - 特許庁

To provide a multi-layer film which can be steam-sterilized and shows excellent interlayer adhesive properties, gas barrier properties and transparency as well as excellent handleability in terms of packaging container, and to provide a packaging container obtained using the multi-layer film.例文帳に追加

蒸気滅菌が可能で、層間接着性、ガスバリア性及び透明性に優れ、包装容器としてのハンドリング性が優れた多層フィルムと、該多層フィルムを用いて得られる包装容器。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device in which a photoresist can be cured even when a low dielectric constant interlayer insulating film is patterned, to provide a method for manufacturing an electronic device in which an energy beam absorbing material is actualized, and to provide an energy beam absorbing material.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をパターニングする場合であっても、フォトレジストにキュア処理を行うことが可能な電子デバイスの製造方法及びエネルギー線吸収材料を実現する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers is laminated that are composed of an interlayer insulation film 405 and interconnect 407 made of copper, a solder resist layer 408 is formed at an uppermost layer, and a multi-layer wiring structure is constituted.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently separating laminated glass into an interlayer and glass constituting the laminated glass, e.g. for recovering the glass part of the laminated glass and to provide a separation apparatus for applying the method.例文帳に追加

例えば、合せガラスのガラス部分を回収するなどの目的のため、合せガラスを構成する中間膜とガラスとを効率的に分離する方法及びこの方法を実施し得る分離装置を提供する。 - 特許庁

To provide a pavement structure in which an anti-icing effect or the like can be displayed stably for a prolonged term by preventing interlayer exfoliation between an asphalt concrete matrix and a surface treating layer containing rubber grains.例文帳に追加

母体アスファルトコンクリートとゴム粒子を含む表面処理層との間の層間剥離を防止して、長期間に亘って安定して氷結防止効果等を発揮し得る舗装構造を提供する。 - 特許庁

To provide a light emitting device having a structure preventing deterioration of a light emitting element due to water and oxygen contained in an interlayer dielectric formed between a TFT and the light emitting element.例文帳に追加

ＴＦＴと発光素子の間に形成される層間絶縁膜に含まれる水や酸素により発光素子が劣化するのを防ぐ構造を有する発光装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To efficiently perform the optimization of process conditions such as a wiring process and a gate process in a short period of time by performing the dielectric constant evaluation of an interlayer film with high precision in the middle of a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造工程途中で高精度に層間膜の誘電率評価を行うことにより、配線工程やゲート工程などのプロセス条件の最適化を効率よく短期間で行う。 - 特許庁

To provide a transfer foil for an in-mold having a transparent hologram of high design property reduced in interlayer separation, whitening and a crack, even in a solid injection molding, and the solid molded article using the same.例文帳に追加

射出立体成形品であっても、層間剥離、白化、割れが少ない意匠性の高い透明ホログラムを有するインモールド用転写箔、及びそれを用いた立体成形品を提供する。 - 特許庁

To provide a lamination wiring board which makes filing of a via hole easy when an interlayer connection structure, wherein the thickness of an insulation layer is relatively large, is formed and enables high density pattern formation.例文帳に追加

絶縁層の厚さが比較的大きい層間接続構造を形成する際のビアホールの充填を容易にし，高密度なパターン形成ができる積層配線板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can prevent the deterioration of an interlayer insulation film of a semiconductor device as well as the deterioration of a metallic film forming wiring, a plug or the like and has high reliability.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜の劣化を抑制するとともに、配線やプラグ等を構成する金属膜の劣化を抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the memory cell of a DRAM of the semiconductor storage device, a bit line 21a connected to a bit line plug 20b and a partial wiring 21b are provided on the first interlayer insulating film 18.例文帳に追加

半導体記憶装置であるＤＲＡＭのメモリセルにおいて、第１層間絶縁膜１８の上には、ビット線プラグ２０ｂに接続されるビット線２１ａと、局所配線２１ｂとが設けられている。 - 特許庁

To provide a laminated glass enabling to provide an appropriate acoustic preventing performance for each portion of the laminated glass according to the positional relationship between the laminated glass and a passenger, and employing an interlayer having functionality.例文帳に追加

合わせガラスと搭乗者との位置関係によって、合わせガラスの部位毎に適切な遮音性能の提供を可能にし、かつ、中間膜に機能性の中間膜を用いた合わせガラスを提供すること。 - 特許庁

To provide a multilayered film showing excellent transparency and interlayer adhesive properties regardless of whatever may be a polymer constituting each layer, and a multilayered film manufacturing method and a packaging material using the multilayered film.例文帳に追加

各層を構成するポリマーの如何に拘らず透明性及び層間の接着性に優れる多層フィルム、この多層フィルムの製造方法及びこの多層フィルムを用いた包装材料を提供する。 - 特許庁