「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the image sensor includes the steps of: forming an interlayer insulating film including pads on a semiconductor substrate having a plurality of unit pixels formed thereon; forming a color filter array on the interlayer insulating film; forming micro lenses on the color filter array; forming a capping film on the semiconductor substrate including the micro lenses; forming a pad mask on the capping film; and exposing the pads.例文帳に追加

複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、パッドを露出させるステップとを含むイメージセンサの製造方法とする。 - 特許庁

The film for membrane structure 10 comprises a film substrate 12, an interlayer 16, and a photocatalyst layer 14, wherein the film substrate 12 contains a specific fluorocarbon resin such as an ethylene-tetrafluoroethylene copolymer or the like, the interlayer 16 contains an organic-inorganic hybrid polymer, and the mass remaining ratio of the organic-inorganic hybrid polymer is from 50 to 80% at 500°C measured by thermogravimetric analysis.例文帳に追加

フィルム基材１２と中間層１６と光触媒層１４とを有する膜構造物用フィルム１０において、フィルム基材１２がエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等の特定のフッ素樹脂を含み、中間層１６が有機無機ハイブリッドポリマーを含む層であり、有機無機ハイブリッドポリマーが、熱重量分析によって測定される５００℃における質量残存率が５０〜８０％のポリマーである。 - 特許庁

The interlayer compound contains the metallic complex intercalated between the layers of the layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as basic components and is manufactured by heating an interlayer compound containing alcohol intercalated in the layers of the layer compound containing vanadium, phosphorus and oxygen as the basic components and the metallic complex in the presence of a solvent.例文帳に追加

バナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしている層間化合物、及びバナジウム、リン及び酸素を基本組成とする層状化合物の層間にアルコールがインターカレートしている層間化合物と金属錯体とを溶媒の存在下に加熱することにより、上記層状化合物の層間に金属錯体がインターカレートしている層間化合物を製造する方法。 - 特許庁

A gap portion 109 is selectively formed between adjacent wiring lines 105 on the first interlayer insulating film 101, the dummy via 106 is formed below a wiring line 105A contacting the gap portion 109 while connected to the wiring 105A, and the via 113 and dummy via 106 have circumferences covered with the first interlayer insulating film 101 with the gap portion 109 not interposed.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１０１における互いに隣り合う配線１０５同士の間には空隙部１０９が選択的に形成されており、ダミービア１０６は、空隙部１０９と接する配線１０５Ａの下側に該配線１０５Ａと接続して形成され、ビア１１３及びダミービア１０６は、空隙部１０９を介することなく第１の層間絶縁膜１０１により周囲を覆われている。 - 特許庁

The method for forming the contact structure comprises the steps of: forming an interlayer insulating film on a semiconductor substrate; forming a contact hole by patterning the interlayer insulating film and exposing the predetermined region of the semiconductor substrate; and forming the contact spacer on the side wall of the contact hole by the use of a depositing method having a depositing direction slanted to the main surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のコンタクト構造体の形成方法は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜をパターニングして半導体基板の所定領域を露出させるコンタクトホールを形成する工程と、半導体基板の主表面に対して傾斜した蒸着方向を有する蒸着法を用いてコンタクトホールの側壁にコンタクトスペーサを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for manufacturing printed wiring board includes a step (1) of forming the interlayer insulating resin layer 2 on the conductor circuits 5 of a substrate 1, a step (2) of flattening the surface of the resin layer by heating and pressing the resin layer, and a step (3) of forming conductor circuits on the flattened interlayer insulating resin layer.例文帳に追加

多層プリント配線板を製造するに当たり、少なくとも下記 〜 の工程、即ち、 ．基板１の導体回路５上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層２を形成する工程、 ．この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を平坦化する工程、 ．平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程、を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

A manufacturing method includes the steps for forming a connection hole 32 on an interlayer insulating film 31 with an etching mask of a resist film 41 after the resist film 41 with an opening pattern 42 for forming a connection hole is formed in the interlayer insulating film 31 on a silicon substrate 11, and a step for ion-implanting impurities to the silicon substrate 11 with the ion implanting mask of the resist film 41.例文帳に追加

シリコン基板１１上に形成した層間絶縁膜３１上に接続孔を形成するための開口パターン４２を形成したレジスト膜４１を形成した後、レジスト膜４１をエッチングマスクに用いて層間絶縁膜３１に接続孔３２を形成する工程と、レジスト膜４１をイオン注入マスクに用いてシリコン基板１１に不純物をイオン注入する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film which can secure flatness as a flexible printed wiring board by making a thickness sufficiently thin as an interlayer insulating film, and improving wiring density of a multi-layered type flexible printed wiring plate along the thickness while securing adhesive strength for a circuit formation surface; and to provide electric, mechanical, and thermal reliability, and a flexible printed wiring board using the insulating film.例文帳に追加

回路形成面との接着性および電気的、機械的、熱的信頼性を確保しつつ、層間絶縁膜としての厚みを十分に薄くし、多層型フレキシブルプリント配線板の厚み方向の配線密度を向上させ、かつフレキシブルプリント配線板としての平坦性を確保できる層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに該絶縁膜を用いたフレキシブルプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 11 containing oxygen and carbon is formed on a semiconductor substrate, a groove part 13 is formed on the interlayer insulating film 11, an auxiliary film 14 containing predetermined first and second metallic elements is formed on the bottom and sidewall of the groove part 13, and heat processing is performed to form a wiring body layer 19 containing copper as a main component while being buried in the groove part 13.例文帳に追加

半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。 - 特許庁

Apertures 51A, 53A are formed on a part of the upper layer conducting layer and the interlayer insulating layer below the upper-layer conducting layer, and a chip-mounting part 23 of a bump connection system, which has a structure exposing the lower- layer conducting layer is formed.例文帳に追加

上層導電層とその下層の層間絶縁層の一部に開口（５１Ａ，５３Ａ）を形成して、下層導電層を露出させる構造としたバンプ接続方式のチップ実装部（２３）を形成する。 - 特許庁

Embedded wirings 8a, 8b, and 10 are formed on interlayer insulating films 6 and 9 by discharging metallic droplets 7a-7c into contact holes CH1 and CH2 and a via hole BH1 by an ink-jet method.例文帳に追加

インクジェット法を用いて、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２およびビアホールＢＨ１に金属の液滴７ａ〜７ｃを吐出することにより、埋め込み配線８ａ、８ｂ、１０を層間絶縁膜６、９上に形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 2, on which an interlayer insulating film 3 is formed, a contact hole 1 is formed between the surface 3a of the insulating film 3 and a internal portion of the substrate 2 through the insulating film 3 and the surface 2a of the substrate 2.例文帳に追加

層間絶縁膜３が形成された半導体基板２上において、コンタクトホール１の一端は層間絶縁膜表面３ａに開口され、他端は半導体基板表面２ａを貫いている。 - 特許庁

Interlayer distances by step of the active material found by a powder X-ray diffractometry is 0.33-0.36 nm in the pre-treating step, 0.5-2.1 nm in the oxidizing step, and 0.34-0.5 nm in the reducing step.例文帳に追加

粉末Ｘ線回折法で求めた活物質の段階別層間距離は、前処理段階において０．３３〜０．３６ｎｍ、酸化段階において０．５〜２．１ｎｍ、及び還元段階において０．３４〜０．５ｎｍである。 - 特許庁

A projecting part (501) is formed on the substrate, the interlayer insulation film (41, 42) between the source region of the TFT and a data line is removed in the area opposite to this projecting part to allow electric conduction between them.例文帳に追加

基板に凸部（５０１）が形成されており、ＴＦＴのソース領域及びデータ線間の層間絶縁膜（４１、４２）は、この凸部に対向する個所において除去されて、両者間の電気的な接続がとられている。 - 特許庁

This method has a process of forming an insulating layer on a base on which bumps for interlayer connection are formed, a process of sandwiching the base with stainless plates to thermocompression-bond a copper foil onto the insulating layer, and a process of patterning the copper foil.例文帳に追加

層間接続のためのバンプが形成された基材上に絶縁層を形成する工程と、ステンレス板で挟み込み絶縁層上に銅箔を熱圧着する工程と、銅箔をパターニングする工程とを有する。 - 特許庁

Thick resist 10 is applied in a thickness of about 200 μm on a wiring board 2 to serve as a base, and it is exposed to an ultraviolet ray using a photomask 11 where the section corresponding to the section to form the interlayer connecting electrode 6 is patterned.例文帳に追加

下地となる配線基板２に厚膜レジスト１０を２００μｍ程度の膜厚で塗布し、層間接続電極６を形成する部分をパターニングしたフォトマスク１１を用いて紫外線露光する。 - 特許庁

The cover body for the vehicular lighting fixture installed in the vehicular moving body comprises a glass laminated plate 10 with two glass plates 1, 2 joined through an interlayer 3.例文帳に追加

乗り物用移動体の内部に設置された乗り物用灯具のカバー体であって、中間膜３を介して２枚のガラス板１，２が接合されたガラス積層板１０を備えてなる乗り物用灯具のカバー体である。 - 特許庁

To provide a display device and its manufacturing method capable of achieving improvement of display quality and yield of the display panel by suppressing a phenomenon that cracks and interlayer exfoliation are formed in a flattening film to flatten a panel substrate.例文帳に追加

パネル基板を平坦化する平坦化膜にクラックや層間剥離が生じる現象を抑制して、表示パネルの表示品位や歩留まりの向上を図ることができる表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing breakage of an interlayer insulating film and breakage of an electrode due to bonding while securing bonding strength, and improving electrical characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ボンディング強度を確保しつつ、ボンディングに伴う層間絶縁膜の破壊や電極の破壊を防止することができ、電気的特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, the relative dielectric constant between wiring patterns is reduced when the wiring patterns and the interlayer dielectrics 11 to 15 are laminated, and the distribution capacity of the wiring pattern can be reduced, thus increasing a signal speed.例文帳に追加

この結果、配線パターンと層間絶縁膜１１〜１５とを積層した場合配線パターン間の比誘電率が低くなり、配線パターンの分布容量を低くすることができるので、信号の高速化を図ることができる。 - 特許庁

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

To provide a component built-in type multilayer wiring board and a method for manufacturing the same, which are specially suitable to perform component incorporation and interlayer connection by a surface mounting device being commonly-used existing equipment and a plating method.例文帳に追加

一般的な現行設備である表面実装装置及びめっき工法によって部品内蔵及び層間接続を行うのに特に好適な部品内蔵型多層配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for forming a dual damascene interconnect line, a concurrent capturing resin film 1 of cellulose is formed to fill a via hole 21 formed in an interlayer insulating film and to cover the surface of a cap layer 16.例文帳に追加

デュアルダマシン配線の形成工程において、層間絶縁膜に形成したビアホール２１を充填しキャップ層１６表面を被覆して、セルロースを構成材料とした捕獲兼用樹脂膜１を塗布形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which does not need a oxynitride film as an etching stopper in the upper part of a source/drain contact, and can ensure short margin with a gate electrode in the case of etching of an interlayer insulating film.例文帳に追加

ソース・ドレインコンタクトの上部にエッチングストッパとしての窒化膜を必要とせず、かつ層間絶縁膜のエッチング時にゲート電極とのショートマージンを確保することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a second interlayer insulating film 7 is laminated upon the insulating film 3 and third contact plugs 8 are connected to the contact plug 4 and intermediate wiring 5 through the film 7.例文帳に追加

また、第１層間絶縁膜３上に第２層間絶縁膜７が積層され、第３コンタクトプラグ８が第２層間絶縁膜７を挿通して第１コンタクトプラグ４及び中間層配線５に接続されている。 - 特許庁

In the CMP method, when cleaning the surface of a substrate by the cleaning liquid containing a surface active agent to remove residual slurries and polishing residues therefrom, an interlayer insulating film 3 is impregnated with organic substances present in the cleaning liquid containing the surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤を含む洗浄液で洗浄して、残留するスラリーと研磨残留物を除去すると、界面活性剤を含む洗浄液中の有機物が層間絶縁膜３の中に染み込む。 - 特許庁

To prevent destruction of an inverter by stopping the heating operation before the inverter is destroyed if interlayer short-circuit occurs in a coil in an induction heating apparatus for the induction heating with an alternating current fed to the coil.例文帳に追加

コイルに交流電流を供給して誘導加熱する誘導加熱装置において、コイルに層間ショートが発生した場合に、インバータの破壊が発生するまでに加熱動作を停止し、インバータの破壊を防止する。 - 特許庁

Further, at least a part (321) of the high-resistance part is arranged in layers different from each other via the terminal and interlayer insulation films and is drawn around within the area in which the terminal is formed, in the peripheral area.例文帳に追加

更に、高抵抗部分の少なくとも一部（３２１）は、端子と層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に周辺領域のうち端子が形成された領域内で引き回される。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method, which enable the high speed polishing and a high flatness level in a CMP technology, which can plavarize an interlayer insulation film and a shallow trench isolating insulation film, without producing abrasive flaws.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨傷を発生することなく高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

In the case of manufacturing an array substrate 10 to be used for a liquid crystal display device in a homogeneous mode, a metal pattern forming a positioning mark 12 is covered with an interlayer insulating film 4 and a transparent resin film 45.例文帳に追加

ホモジニアスモードの液晶表示装置に用いられるアレイ基板１０を作製するにあたり、位置合わせマーク１２をなす金属パターンが層間絶縁膜４及び透明樹脂膜４５により覆われるようにする。 - 特許庁

To realize a semiconductor device which reduces an inter-wiring capacitance, and which is hard to generate a short-circuit failure between adjacent wirings or a connection failure of the wiring to an interlayer connecting metal plug, if misalignment occurs.例文帳に追加

配線間容量を小さく抑え、かつ、アライメントずれが発生しても隣接する配線間等のショート不良や、配線と層間接続用金属プラグとの接続不良が発生しにくい半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a composition for forming an insulation film that is suitable for an interlayer insulation film of a semiconductor element, or the like, can form a film having a uniform thickness, and has improved film characteristics of permittivity, Young's modulus, the like, and to provide an insulation film.例文帳に追加

半導体素子等の層間絶縁膜に適した、均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

The third conductive film 109, which is electrically connected to the first conductive film 103, is formed on the second interlayer insulating film 107, and a gate electrode constituted by the first conductive film 103 and the third conductive film 109 is formed.例文帳に追加

浮遊ゲート周辺の第１導電膜と電気的に連結された第３導電膜を第２層間絶縁膜上に形成して第１導電膜と第３導電膜で構成されたゲート電極を形成する。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition which ensures high adhesion of a substrate after heat curing, has high adhesion to a metal layer and is suitable for producing a patterned cured film, such as, an interlayer insulating film in a semiconductor device.例文帳に追加

加熱硬化後に基板の密着性が高く、また、金属層との密着性が高く、半導体装置の層間絶縁膜等のパターン硬化膜の製造に好適なポジ型の感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric including an SOG (Spin On Glass) film from cracking without providing a slit in a wiring layer or limiting the ratio of a line width and a space interval of a wiring layer positioned as a lower layer.例文帳に追加

配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a technique that suppresses the propagation of cracking generated at the time of dicing to improve reliability in semiconductor device even in the semiconductor device using a low-k film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜として用いた半導体装置であっても、ダイシング時に発生するクラックがシールリング部へ伝播するのを抑制し、半導体装置の信頼性を向上する技術を提供する。 - 特許庁

When a communications task needs to be performed, but implementation within the existing protocol layers may hinder deployment due to the issues of compatibility, the methods of the present invention are used to create an interlayer to handle the task.例文帳に追加

通信タスクを実行する必要があり、しかし互換性の問題のために既存のプロトコル層内の実装が配置を妨げる可能性があるとき、本発明の方法を使用してタスクを扱う中間層を作成する。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film excellent in dielectric constant characteristic and oxygen plasma ashing resistance, having high surface hardness of the coating film therefrom, and suitable for interlayer insulation films in semiconductor devices or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、耐酸素プラズマアッシング性に優れ、しかも塗膜の表面硬度が高く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resin composition which gives a cured item excellent in flexibility and resistances to soldering heat, heat degradation, and electroless gold plating, can be developed with a dilute alkali solution, and is suitable for a solder resist and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層間絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To stably and rapidly perform interlayer jump for performing focus control to each recording layer of a disk having a plurality of recording layers, while an effect is not absorbed by disturbance or change in moving speed of an objective lens.例文帳に追加

複数の記録層を有するディスクの各記録層にフォーカス制御をかけるための層間ジャンプを、外乱や対物レンズの移動速度の変化に影響を吸収されず、短時間で安定に行なえるようにする。 - 特許庁

A TFT 12 has a structure formed by laminating a bottom gate electrode 20, a bottom gate insulating film 17, a semiconductor layer 13, a top gate insulating film 18, a top gate electrode 14, and an interlayer insulating film 19 in this order.例文帳に追加

ＴＦＴ１２は、ボトムゲート電極２０、ボトムゲート絶縁膜１７、半導体層１３、トップゲート絶縁膜１８、トップゲート電極１４及び層間絶縁膜１９がこの順に積層された構造を有する。 - 特許庁

The data wiring line is layered on the amorphous silicon layer 27a, formed of a metal, and connected to the channel layer 19 via a contact hole h1 formed in the gate insulating film 21 and in the interlayer insulating film 25.例文帳に追加

データ配線は、非晶質シリコン層２７ａに積層され、金属で形成され、ゲート絶縁膜２１及び層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホールｈ１を介してチャネル層１９に接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which, in ultrasonic flip chip packaging, spreading of fracture of the electrode of a semiconductor element under ultrasonic oscillation is suppressed, giving no damage on the base material (interlayer film) of the electrode of the semiconductor element.例文帳に追加

超音波フリップチップ実装において、超音波振動による半導体素子の電極の破断の広がりを抑制でき、半導体素子の電極の下地（層間膜）にダメージを与えない半導体装置を提供する。 - 特許庁

After forming a film 132 including a substance having a high selectivity for a medium used in an ashing process on an interlayer insulation film 121, a dual damascene structure is formed by deforming the film 132 through the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程で使われる媒体に対して高い選択性を有する物質を含む膜１３２を層間絶縁膜１２１上に形成した後で、それをアッシング工程で変成させてデュアルダマシン構造を作る。 - 特許庁