「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an epoxy resin composition used preferably for a liquid sealant, a conductive molding material, a laminated plate or an interlayer insulating material; a prepreg; and a film.例文帳に追加

ＢＰＳ型エポキシ樹脂がもつ耐熱性を活かしながら、相溶性を解決して、液状封止材、導電性成形材料、積層板、層間絶縁材料に好適なエポキシ樹脂組成物、プリプレグ、フィルムを提供すること。 - 特許庁

To assure coverage of an interlayer dielectric formed between a lower- part metal wiring and an upper-part metal wiring for assuring reliability by increasing a metal film thickness of the lower-part metal wiring and reducing a wiring resistance.例文帳に追加

下部金属配線の金属膜膜厚を増加させるとともに、配線抵抗を低減し、下部金属配線と上部金属配線間に形成される層間絶縁膜のカバレッジを確保して、信頼性を維持する。 - 特許庁

Further, a first resistance electrode 15, connected electrically to the N-type semiconductor layer 13, is formed through a contact hole CH3 formed in an interlayer insulating film 11 on the N-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

また、Ｎ型半導体層１３上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホールＣＨ３を介して、Ｎ型半導体層１３に電気的に接続された第１の抵抗電極１５が形成されている。 - 特許庁

In an interlayer insulation film 11 present on each high-melting-point metal polycide 7b, each contact hole 11b is so formed as to contact electrically each high-melting-point metal polycide film 7b with each aluminum wiring 12 via each contact hole 11b.例文帳に追加

高融点金属ポリサイド７ｂ上の層間膜１１にコンタクトホール１１ｂが形成されており、コンタクトホール１１ｂを介して高融点金属ポリサイド７ｂとアルミ配線１２が電気的に接続されている。 - 特許庁

A lower wiring 2a having an antireflection coating (conductor film) 2b on the upper surface is arranged on a ground insulating film 1, and an interlayer insulating film 3 is formed for covering the lower wiring 2 and the ground insulating film 1.例文帳に追加

上面部に反射防止膜（導電体膜）２ｂを有する下層配線２ａを下地絶縁膜１に配設し、当該下層配線２および下地絶縁膜１とを覆う層間絶縁膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which ensures the connectivity of flip-chip mounting corresponding to lead (Pb)-free and the low rigidity of an interlayer insulation film as well as high reliability of the bonding part.例文帳に追加

鉛（Ｐｂ）フリー化及び層間絶縁膜の低強度に対応したフリップチップ実装の接続性を確保するとともに、この接合部分の高い信頼性をも確保する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer insulating film includes a rugged surface including rugged patterns small in planar size than the thin-film transistors, and the pixel electrode is provided on the rugged surface.例文帳に追加

特に、層間絶縁膜は、薄膜トランジスタよりも平面視的なサイズが小さい凹凸パターンからなる凹凸表面を有しており、この凹凸表面上に画素電極が設けられていることを特徴としている。 - 特許庁

A thin film semiconductor layer 7 having source/drain areas, a gate dielectric film 8, and a gate electrode formed of gate wiring G are provided on the interlayer insulating film 5, to form a thin film transistor(TFT) for driving a pixel electrode.例文帳に追加

層間絶縁膜５上に、ソース／ドレイン領域を有する薄膜半導体層７と、ゲート誘電膜８と、ゲート配線Ｇからなるゲート電極とを設け、画素電極駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。 - 特許庁

Thin line voids 8 are formed in an interlayer insulation film 7 between gate structures adjacent to each other due to a narrowed interval between the gate structures attended with micronization of semiconductor devices.例文帳に追加

半導体装置の微細化に伴いゲート構造同士の間隔が狭くなっていることに起因して、互いに隣接するゲート構造同士の間において、細線状のボイド８が層間絶縁膜７内に形成される。 - 特許庁

Two FUSI contacts 41 are arranged, passing through the thickness direction of an interlayer insulating film 4 and reaching silicide layers 35 in the upper layers of the two source/drain layers 34 and the FUSI gate electrodes 32.例文帳に追加

層間絶縁膜４を厚さ方向に貫通して２つのソース・ドレイン層３４上層部のシリサイド層３５およびＦＵＳＩゲート電極３２にそれぞれ達する２つのＦＵＳＩコンタクト部４１が設けられている。 - 特許庁

The second wiring pattern 6a is formed to grow isotropically in a region exposed from a contact hole 5a formed in the third interlayer insulating film 5 on the first wiring pattern 4a.例文帳に追加

第２の配線パターン６ａは、第１の配線パターン４ａの上における第３の層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ａから露出する領域に等方的に成長するように形成されている。 - 特許庁

The interlayer film for the laminated glass has multilayer structure, wherein a break of 10 mm or longer in length is generated when measuring the head injury criteria (HIC) value as the laminated film held between 2 pieces of glass.例文帳に追加

多層構造であり、かつ、２枚のガラスの間に挟着して合わせガラスとして頭部衝撃指数（Ｈｅａｄ ＩｎｊｕｒｙＣｒｉｔｅｒｉａ；ＨＩＣ）値を測定したときに、１０ｍｍ以上の長さの裂けが発生する合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

When executing seeking to different radial positions of different recording layers from a recording layer currently under tracing, the movement in the disk radial direction is first executed with respect to each optical head and thereafter, the interlayer jump is executed.例文帳に追加

現在トレース中の記録層から、異なる記録層の異なる半径位置へのシークを実行する際に、各光学ヘッドについて、先にディスク半径方向の移動を実行させ、その後、層間ジャンプを実行する。 - 特許庁

A protective film 11, whose main component is iridium(Ir) or iridium oxide (IrO2), is interposed between the interlayer insulating film and the SiNx film or the SixNy film, which are formed as moisture resistant protective films.例文帳に追加

イリジウム（Ｉｒ）又は酸化イリジウム（ＩｒＯ_2 ）を主成分とする保護膜１１が、前記層間絶縁膜と、耐湿保護膜として形成された前記シリコン窒化膜（ＳｉＮ_X ）、又はシリコン酸窒化膜（ＳｉＯ_X Ｎ_Y ）との間に介在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an interlayer insulating film containing a low permittivity material such as a fluorinated silicon glass(FSG) which does not bring about a problem in association with a transfer of a fluorine and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

フッ素の移動に伴う問題を生じないフッ素化シリコンガラス（ＦＳＧ）などの低誘電率材料を含む層間絶縁膜を用いた半導体デバイス、およびそれを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In forming a low dielectric constant interlayer insulating film, adhesion bond strength is improved while keeping a low dielectric constant, by changing two frequencies of a high frequency and a low frequency to modulate characteristics of the film in the film thickness direction.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。 - 特許庁

In the battery blister pack, a mat 2 has an interlayer peeling strength of 600 kPa or more and 2,000 kPa or less, and the peeling strength between the mat 2 and a cover 3 is 0.125 kN/m or more and 0.20 kN/m or less.例文帳に追加

電池用ブリスターパックでは、台紙２の層間剥離強度が６００ｋＰａ以上２０００ｋＰａ以下であり、台紙２とカバー３との剥離強度が０．１２５ｋＮ／ｍ以上０．２０ｋＮ／ｍ以下である。 - 特許庁

To provide a liquid-crystal film which includes a liquid-crystal layer having excellent orientation retention of homeotropic alignment and has excellent interlayer adhesion strength between a cycloolefin polymer (COP) film and the liquid-crystal layer, and an optical element and an elliptically polarizing plate which are obtained using the same.例文帳に追加

液晶層のホメオトロピック配向保持能とシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルムと液晶層の層間密着力が優れた液晶フィルムと、それを用いて得られる光学素子および楕円偏光板を提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a sacrificial interlayer dielectric becoming a mold material of a cylindrical lower electrode is removed, leakage current of a capacitor increases at a connection between a beam and a lower electrode by formation of the beam to prevent collapse.例文帳に追加

シリンダ状下部電極の型材となる犠牲層間絶縁膜を除去する際に、倒壊を防止する梁が形成されることで、梁と下部電極の接続部でキャパシタのリーク電流が増加する。 - 特許庁

A through hole DTH is formed to penetrate the interlayer insulating films II2 and II3 and reach the stopper film AL1, and a first cavity CAV is formed in the top surface of a conductive layer DT in the through hole DTH.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＩ２、ＩＩ３を貫通してストッパ膜ＡＬ１に達するスルーホールＤＴＨが形成され、スルーホールＤＴＨ内の導電層ＤＴの上面に第１の凹部ＣＡＶが形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor array by a printing method using a block which achieves good electric connection between upper and lower conductive layers of an interlayer dielectric even if in an uneven through hole.例文帳に追加

凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition superior in storage stability, heat resistance, transparency, base material adhesion, and flatness, and to provide a coating agent containing the photosensitive composition and a color filter protective film, an interlayer dielectric, and a photospacer using it.例文帳に追加

保存安定性に優れ、かつ耐熱性、透明性、基材密着性、平坦性に優れた感光性組成物、それを含むコーティング剤ならびにこれを用いたカラーフィルタ保護膜、層間絶縁膜、フォトスペーサーの提供。 - 特許庁

A buried material 19 is formed on the first interlayer insulating film 18 (Fig.3(b)), and annealing is performed to fuse the buried material 19 and to fill space in the trench 16 with the buried material 19 (Fig.3(c)).例文帳に追加

この後、第１層間絶縁膜１８の上に埋め込み材１９を形成し（図３（ｂ））、埋め込み材１９を溶融させて、トレンチ１６内の空間を埋め込み材１９で埋め込む熱処理を行う（図３（ｃ））。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition, from which an interlayer insulating film can be formed, the film having high radiation sensitivity and development margin and excellent heat resistance, solvent resistance, low dielectric property, transmittance for rays, resistance against light and resistance against dry etching.例文帳に追加

放射線感度、現像マージンが高く、耐熱性、耐溶剤性、低誘電性、光線透過率、耐光性、耐ドライエッチング性が優れた層間絶縁膜を形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Gate lines 102, 105 and common lines 103, 104 are first formed simultaneously, and after forming an interlayer film, a pixel electrode 108, common electrodes 110, 111 and source lines 106, 107 are formed simultaneously.例文帳に追加

本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６、１０７を同時に形成する。 - 特許庁

Moreover, in a plastic lens for spectacles which belongs to the plastic optical product, the plastic substrate 1 is set as a plastic lens base material for spectacles, the interlayer 2 is set as a hard coating film, and the optical multilayer film 3 is set as an antireflection film.例文帳に追加

又、このようなプラスチック光学製品に属する眼鏡プラスチックレンズにおいて、プラスチック基材１を眼鏡プラスチックレンズ基材とし、中間膜２をハードコート膜とし、光学多層膜３を反射防止膜とする。 - 特許庁

Since the trench protruding part 1a is embedded with the polysilicon film 22, a first gate contact 4, and the like, through which only polysilicon of the trench protrusion part 1a is exposed are formed at an interlayer insulating film 19 formed on the surface.例文帳に追加

トレンチ凸部１ａはポリシリコン膜２２で埋め込まれるのでその表面に形成された層間絶縁膜１９に、トレンチ凸部１ａ部分のポリシリコンのみが露出する第１ゲートコンタクト４等を形成する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 9 is formed on a semiconductor substrate 1 to cover a dummy gate electrode (electrode layer) 3 and a cap layer 4 while aligning the surface with the boundary of the cap layer 4 and the dummy gate electrode 3.例文帳に追加

ダミーゲート電極（電極層）３およびキャップ層４を被覆するように半導体基板１上に、キャップ層４とダミーゲート電極３の境界位置に表面位置を合わせた層間絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

To form a coating film having proper uniform thickness as the interlayer isolation of a semiconductor device and to obtain the film excellent in preservable stability and having excellent specific dielectric, mechanical strength and hygroscopic resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。 - 特許庁

Upon manufacturing a semiconductor device, when a metallic wiring line 12 is formed on a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate 54 by plasma etching, charges are stored not only the wiring line 12 but also on a metal wiring line 10.例文帳に追加

製造時に、半導体基板５４上の第１の層間絶縁膜の上に金属配線１２などをプラズマエッチングにより形成する際、金属配線１２とともに金属配線１０にも電荷が蓄積する。 - 特許庁

The bump electrodes 15 each are formed on some transistors elements (not illustrated) in the above input circuit 11 or the output circuit 14 via an interlayer insulating film (not illustrated) so as to overlap them, respectively.例文帳に追加

各バンプ電極１５は、上記入力回路１１中、あるいは出力回路１４中の一部のトランジスタ素子（図示せず）とそれぞれ重なるよう、その上方に層間絶縁膜（図示せず）を介して構成されている。 - 特許庁

In an electrode pattern 6 provided in a first interlayer insulating layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, insulator-made dummy patterns 8 are provided, which are separated from each other by specified gaps and surround the bottom of a via contact hole 5a.例文帳に追加

半導体基板１に形成された第１の層間絶縁層３に設けられた電極パターン６に、ビア・コンタクト・ホール５ａの底部を取り囲むように所定間隔を離間して絶縁体のダミーパターン８を設ける。 - 特許庁

A plated conductor 15 is formed in the via hole 14 to project above the surface and the projecting part is pressed to form a land 16 connectable to the conductive bump 25 of an interlayer member 20.例文帳に追加

ビアホール１４内に面上に突出するようにメッキ導体１５を形成するとともに、その突出部分をプレスして、層間部材２０の導電性バンプ２５と接続可能な接続用ランド１６を形成する。 - 特許庁

To provide a reliable and durable non-contact IC card recording medi um which is ready for an IC card free from interlayer separation, in particular an IC module panel, which has an antenna especially formed of polyethylene terephthalate as the base material.例文帳に追加

層間剥離が生じないＩＣカード、特にポリエチレンテレフタレートを基材としたアンテナ付き非接触ＩＣモジュール基盤への対応ができ、信頼性が高く、耐性良い非接触ＩＣカード記録媒体を提供する。 - 特許庁

An offset between alignment marks and an alignment pattern transferred to a photosensitive resist is measured in advance with respect to some 10 to 20 wafers to obtain a correlation between the thickness of an interlayer insulating film and a wafer scaling value.例文帳に追加

予め、１０乃至２０枚程度のウェハについて、アライメントマークと感光性レジストに転写されたアライメントパターンとの位置ずれ量を測定し、層間絶縁膜の厚さとウェハスケーリングの値との相関関係を求めておく。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing base material for multilayered substrate by which interlayer continuity can be obtained highly reliably with a low resistance by using conductive paste without causing any defect nor fault in the protruded part of the conductive paste during the course of manufacturing a base material for multilayered substrate.例文帳に追加

製造過程で、導電性ペーストの突起部に欠損不良が生じることがなく、導電性ペーストによる層間導通を、低抵抗で、信頼性高く行う多層基板用基材を製造すること。 - 特許庁

The field emission type light-emitting element 18 comprises a field emission type emitter 24, a phosphor support (an interlayer film) 28 integrated with the emitter 24, and the emitter 24 supported by the phosphor support 28.例文帳に追加

本電界放射型発光素子１８は、電界放出型のエミッタ２４と、このエミッタ２４と一体の蛍光体支持体（層間膜）２８と、この蛍光体支持体２８に支持されたエミッタ２４とを備えた構成。 - 特許庁

After the sacrifice oxide film used as a mold for forming a wiring layer is removed by etching, an area where the sacrifice oxide film is removed is filled with a porous Low-k film, thereby forming an interlayer insulation film.例文帳に追加

配線層形成の型として用いた犠牲酸化膜をエッチングにより除去した後、犠牲酸化膜を除去した領域にポーラスＬｏｗ−ｋ膜を充填することにより、層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a barrier layer which can improve adhesive strength and barrier property between a portion of an interlayer insulating film where the oxygen content is low and Cu wiring, and to provide a manufacturing method thereof.wiring, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜の酸素含有量が低い部分とＣｕ配線との密着性およびバリア性を十分に高めることができるバリア層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

After openings for the contact holes of the hard mask 107A are transferred to the second interlayer insulation film 106 and the etching stopper film, openings for interconnection trenches in second resist pattern 110 are transferred to the hard mask 107A.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０６及びエッチングストッパー膜にハードマスク１０７Ａの接続孔用開口部を転写した後、ハードマスク１０７Ａに第２のレジストパターン１１０Ａの配線溝用開口部を転写する。 - 特許庁

During the process wherein the wiring 13 and the fluorine-containing second interlayer insulating film 14 are exposed, they are placed in a dry gas that replaces the atmosphere, and this restrains the corrosion of the wiring 13.例文帳に追加

このように、配線１３とフッ素を含有する第２の層間絶縁膜１４とが露出している状態であっても、乾燥ガスで置換した雰囲気中で保管することにより、配線の腐食を抑制できる。 - 特許庁

A TiN film 4, a W film 3, and a SiN film 2, which has different etching characteristic from that of an interlayer insulating film 9 covering the W film 3 to which patterning has been performed, are sequentially deposited on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上にＴｉＮ膜４、Ｗ膜３、および、パターニングされた後のＷ膜３を覆う層間絶縁膜９のエッチング特性と異なるエッチング特性を有するＳｉＮ膜２を順次積層する。 - 特許庁

To provide a high reliability multilayer wiring board having two or more wiring layers in which excellent bonding is ensured between the wiring layer and an interlayer insulation layer and via connection is carried out surely between the wiring layers.例文帳に追加

２層以上の配線層を有する多層配線基板において配線層と層間絶縁層の接着に優れ、配線層間のビア接続が確実に行われる高信頼性の多層配線基板を提供する。 - 特許庁

The proposed interlayer connecting bonding sheet (100a) for multilayer wiring circuit board is formed by laminating a bonding layer (20a) including bisallylnadiimide compound at least to a single surface of an insulating base material (10) formed of a resin composition.例文帳に追加

樹脂組成物からなる絶縁基材（１０）の少なくとも片面にビスアリルナジイミド化合物を含有する接着層（２０ａ）が積層されている、多層配線基板用層間接続ボンディングシート（１００ａ）を提案する。 - 特許庁