「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

To record and reproduce data with stable interlayer jump using an objective lens having a numerical aperture of 0.8 or more for a multilayer optical disk provided with at least first and second recording layers.例文帳に追加

少なくとも第１の記録層と第２の記録層とを備える多層光ディスクに対して、開口数が０．８以上の対物レンズを用いて、安定した層間ジャンプを行ないながら記録又は再生を行なう。 - 特許庁

A stripe-shaped gate stack and a gate spacer are made on a semiconductor substrate, and a stripe-shaped bit line stack and a bit line spacer insulated with a first interlayer dielectric and crossed with this gate stack are made.例文帳に追加

半導体基板上にストライプ状のゲートスタック及びゲートスペーサを形成し、このゲートスタックと交差されて第１層間絶縁膜により絶縁されるストライプ状のビットラインスタック及びビットラインスペーサを形成する。 - 特許庁

The distance D between all of the margin of opening parts of auxiliary capacitance lines and the margin in third contact electrodes 53C which contact with the pixel electrodes of connecting wiring is larger than the film thickness T of the interlayer insulating films.例文帳に追加

補助容量線の開口部のすべての縁と、連結配線の画素電極とコンタクトする第３コンタクト電極５３Ｃにおける縁との間の距離Ｄは、層間絶縁膜の膜厚Ｔ以上離れている。 - 特許庁

When there is a high possibility that defects (an interlayer short-circuit or the like) occur in the specific organic EL panel 10, the narrow part is cut in the wiring 21 for the anode aging connected to the organic EL panel 10.例文帳に追加

特定の有機ＥＬパネル１０において欠陥（層間短絡など）が生じている可能性が高い場合には、その有機ＥＬパネル１０に接続されている陽極エージング用配線２１における狭部を切断する。 - 特許庁

To provide a method of forming a porous SOG film serving as an interlayer insulating film of low permittivity and hardly varying in relative permittivity, even if another film is laminated thereon through a CVD process or the like.例文帳に追加

低比誘電率の層間絶縁膜であって、この膜形成後のＣＶＤプロセスなどによりその上にさらに膜を積層させても、比誘電率が変化しない多孔質ＳＯＧ膜の作製方法の提供。 - 特許庁

The interlayer insulating film comprises an organic/inorganic hybrid film, and the organic/inorganic hybrid film has a main chain structure, formed by the first region (a) comprising siloxane and the second region (b) comprising organic molecule bonded mutually with the other.例文帳に追加

層間絶縁膜は有機無機ハイブリッド膜からなり、該有機無機ハイブリッド膜は、シロキサンよりなる第１の部位ａと、有機分子よりなる第２の部位ｂとが交互に結合してなる主鎖を有している。 - 特許庁

A source wiring 17S and a drain wiring 17D respectively connected to a source 13S and a drain 13D of the semiconductor layer 13 through the contact holes CH extend on the interlayer insulating film 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１６上には、コンタクトホールＣＨを通して半導体層１３のソース１３Ｓ及びドレイン１３Ｄとそれぞれ接続されたソース配線１７Ｓ及びドレイン配線１７Ｄが延在している。 - 特許庁

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity.例文帳に追加

次に、保護膜１９を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜１６の残った一部および犠牲層１５を除去するリリースエッチングを行なって可動電極２０をリリースする。 - 特許庁

A groove type stack cell has a number of identical capacitors which are formed by burying storage nodes 8, capacitor insulating films 9, and plate electrodes 10 in a plurality of grooves provided on an interlayer insulating film 11.例文帳に追加

溝型スタックセルは、層間絶縁膜１１に設けられた複数の溝の各々に、ストレージノード８と、容量絶縁膜９と、プレート電極１０とが埋め込まれて成る同一形状のキャパシタを多数有している。 - 特許庁

The interlayer insulating film group 3 and the metal via 11 in the laser processing region R_2 are irradiated with a laser beam to form a trench 10a having a base 10a_1 composed of the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

次いで、被レーザ加工領域Ｒ_２における層間絶縁膜群３及び金属ビア１１にレーザ光を照射して、半導体基板２から構成された底面１０ａ_１を有する溝１０ａを形成する。 - 特許庁

Then, a plasma nitride film layer 121 is formed on the interlayer insulating film 109 and the aluminum wiring layer 141, and an opening 123 penetrating through the plasma nitride film layer 121 is formed between a dicing area and the seal ring.例文帳に追加

そして層間絶縁膜１０９及びアルミ配線層１４１上にプラズマ窒化膜層１２１を形成し、ダイシング領域とシールリングとの間に、プラズマ窒化膜層１２１を貫通する開口部１２３を設ける。 - 特許庁

After that, a carbon nitride 110 is formed at the front of the substrate by using the sputtering technique, benzocyclobutene is formed onto the carbon nitride through spin coating, and then, a flattened interlayer insulation film 111 is formed through thermal treatment.例文帳に追加

次に、基板の前面にスパッタ法を用いて窒化炭素１１０を形成し、窒化炭素１１０上にスピンコートによりベンゾシクロブテンを形成した後、熱処理により平坦化された層間絶縁膜１１１を形成する。 - 特許庁

The method for forming an interlayer insulating film and a microlens includes the steps of: (i) forming a coating film of the above composition on a substrate; (ii) exposing to radiation; (iii) developing; and (iv) heating.例文帳に追加

層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成方法は、少なくとも、（ｉ）前記組成物の塗膜を基板上に形成する工程、（ii）放射線の露光工程、（iii)現像処理工程および（iv）加熱処理工程を含む。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 17 passing through portions provided at the end parts of the memory cell regions severally and covering the capacitor is provided in the upper electrode 14, the dielectric film 13, and the second interlayer insulating film.例文帳に追加

上部電極１４、誘電体膜１３、第２の層間絶縁膜のうち、メモリセル領域の端部に設けられた部分をそれぞれ貫通し、キャパシタを取り囲む第１の水素バリア膜１７が設けられている。 - 特許庁

After a bonding pad 3 and a fuse 4 are formed, a silicon oxide film 5, a silicon nitride film 6, and a photosensitive polyimide resin film 7 are sequentially formed on an interlayer insulating film 2 including the bonding pad 3 and the fuse 4.例文帳に追加

ボンディングパッド３およびヒューズ４を形成した後、ボンディングパッド３およびヒューズ４上を含む層間絶縁膜２上に順次酸化シリコン膜５、窒化シリコン膜６、感光性ポリイミド樹脂膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a circuit substrate which will not cause interlayer break away phenomenon and can be thinned and made compact, by manufacturing a rigid flexible printed circuit board through an all-layer process that uses a liquid crystal polymer.例文帳に追加

液晶ポリマーを用いたオールレイヤ工程によってリジッド・フレキシブルプリント回路基板を製作することにより、層間剥離現象が発生せず且つ軽薄短小化が可能な回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The interlayer film based on plasticizer-containing polyvinyl acetals comprises an individual layer of standard PVB and an individual layer of polyvinyl acetal having at least an average residual acetate content.例文帳に追加

標準ＰＶＢからの部分層および少なくとも平均的な残留アセテート含有量を有するポリビニルアセタールからの部分層を含有する可塑剤含有ポリビニルアセタールをベースとする中間層フィルムによって解決される。 - 特許庁

To provide an adhesive tape which exerts favorable sticking workability even in sticking to a curved surface, is easy to stick so as to obtain a favorable appearance, and hardly generates an interlayer crack of a substrate.例文帳に追加

曲面に貼り付ける場合でも、貼り付け作業の作業性が良く且つ良好な外観となるように貼り付けることが容易であることに加えて、基材の層間割れが生じにくい粘着テープを提供する。 - 特許庁

To provide a recording and reproducing separated magnetic head capable of assuring interlayer insulation in spite of reduction in the spacing between the layers of thin-film coils and shortening the magnetic paths consisting of an upper magnetic core and a lower magnetic core.例文帳に追加

薄膜コイルの層間の間隔を小さくしても層間の絶縁を確保することができて、上部磁気コアと下部磁気コアからなる磁路を短くすることができる記録再生分離型磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device in a good yield by eliminating an adverse effect of a scratch occurring on a surface of an interlayer insulating film or the like by a simple method when a chemically mechanical polishing method is used for flattening or the like.例文帳に追加

平坦化などに化学的機械研磨法を用いる場合に層間絶縁膜などの表面に生じるスクラッチによる悪影響を簡便な手法で解消し、半導体装置を歩留まり良く製造する。 - 特許庁

Hereon, a bit line 123 is made, and a third interlayer insulating film 125 is stacked, and etching is made to the landing pad 117, and is filled with a storage electrode 127, and hereon a conductive film 131 and a plate electrode 133 are made.例文帳に追加

この上にビットライン１２３を形成し、第３層間絶縁膜１２５を積層してランデングパット１１７までエッチしてストレージ電極１２７を充填し、この上に該電膜１３１及プレート電極１３３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device has a first MOS type transistor 2, a second MOS type transistor 3, a wiring section 4, a first gate control circuit 5, a second gate control circuit 6, and an interlayer insulating film 13 on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、第１のＭＯＳ型トランジスタ２、第２のＭＯＳ型トランジスタ３、配線部４、第１のゲートコントロール回路５、第２のゲートコントロール回路６、及び層間絶縁膜１３を有する半導体装置である。 - 特許庁

To upgrade covering property of an interlayer insulating film by forming a resist pattern in one time without undercut, and lowering the height per step of a step difference.例文帳に追加

レジストパターン１回形成でアンダーカットなく形成し、かつ段差１段あたりの高さを低くすることで層間絶縁膜の被覆性を良好にした多層配線とその形成方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

An organic SOG film is used as the polishing stopper film 44 with the low dielectric constant and a flattening interlayer insulating film 47 is formed on the lower-layer wiring pattern 46A is dished owing to chemical mechanical polishing.例文帳に追加

前記低誘電率の研磨ストッパ膜４４として有機ＳＯＧ膜を使い、化学機械研磨によってディッシングが生じている下層配線パターン４６Ａ上に平坦化層間絶縁膜４７を形成する。 - 特許庁

A contact hole is formed in the interlayer insulating film, the contact hole is hole-opened followed thereto, by removing the silicon nitride film by anisotropic etching having a high selection ratio to the silicon oxide film, and the contact wire 43 is formed thereby.例文帳に追加

層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、続いてシリコン酸化膜との選択比が高い異方性エッチングによってシリコン窒化膜を除去することでコンタクトホールを開孔し、コンタクト配線４３を形成する。 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a wiring width of 0.25 μm by using a production device for manufacturing the semiconductor device having the wiring width of 0.35 μm, by preventing the generation of voids in interlayer insulating films among metallic wirings.例文帳に追加

メタル配線間の層間絶縁膜でのボイドの発生を防ぐとともに、配線幅が０．３５μｍの半導体装置を製造する製造装置を用いて、配線幅が０．２５μｍの半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which eliminates the need for remaining film management in laser trimming and also reduces recoupling of a fuse by reducing influence of parasitic capacity of an interlayer insulating film, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

層間絶縁膜における寄生容量の影響を低減させ、レーザトリミングにおいて残膜管理を不要とし、かつヒューズの再結合の低減を可能とする半導体装置、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A sidewall oxide film 17 is formed on the sidewall of the trench 16 (Fig.2(d)), and a first interlayer insulating film 18 is formed on the sidewall oxide film 17 to connect spaces on the inside and outside of the trench 16 (Fig.3(a)).例文帳に追加

そして、トレンチ１６の側壁に側壁酸化膜１７を形成し（図２（ｄ））、トレンチ１６内外の空間が繋がるように、側壁酸化膜１７の上に第１層間絶縁膜１８を形成する（図３（ａ））。 - 特許庁

Since connection lands 16, 19 having a wide area are formed on the opposite sides of the printed board 10, electrical connection is ensured regardless of some positional shift at the time of stacking the interlayer member 20.例文帳に追加

プリント基板１０の両面には面積の広い接続用ランド１６，１９が形成されているので、層間部材２０を積層する際に多少の位置ずれが生じても、電気的接続は確実になされる。 - 特許庁

According to the conventional method, such as an evaluation value based on a reproduction jitter, an SA compensation value with respect to the L0 layer is obtained and, on the basis of the obtained SA compensation value and the interlayer distance L_D, the SA compensation value of the L1 layer is obtained.例文帳に追加

そして、Ｌ０層について再生ジッタに基づく評価値といった従来の方法でＳＡ補正値を求め、得られたＳＡ補正値と層間距離Ｌ_Dとに基づきＬ１層のＳＡ補正値を求める。 - 特許庁

Lugs 17 protruded outward are formed on each terminal metal element 12, and the lugs 17 are protruded in the direction perpendicular to the radial direction of the reel 20, i.e., in the direction along the paper face of the interlayer paper 21.例文帳に追加

端子金具素片１２には外向きに突出する突起部１７が形成され、この突起部１７の突出方向は、リール２０の径方向と直交する方向、即ち層間紙２１の紙面に沿った方向とされている。 - 特許庁

An interlayer insulating film positioned on the fusing element 103 is formed of a material which has a lower melting point than a material for the fusing element 103 and can form a space due to heat at the time of fusion of the fusing element 103.例文帳に追加

ヒューズ素子１０３の上に位置する層間絶縁膜は、ヒューズ素子１０３の材料よりも融点が低く、ヒューズ素子１０３の溶断時の熱によって空間を形成する材料によって形成する。 - 特許庁

The temperature sensor and heater 8 has an adhesion layer 4, a diffusion prevention layer 5, an electric heating layer 6 and a diffusion prevention and adhesion layer 7 from the lowest layer, and the temperature sensor and heater 8 is covered with an interlayer insulation film 9.例文帳に追加

温度センサ兼ヒータ８は、下層から順に密着層４、拡散防止層５、電熱層６及び拡散防止兼密着層７を有し、温度センサ兼ヒータ８が層間絶縁膜９によって被覆されている。 - 特許庁

In a pixel 1a of the solid-state imaging device 1, there is provided a light blocking interlayer connection member 15 for connecting each layer of a multilayered structure to at least a part of a peripheral wiring part 14 in a periphery of a photodiode 17.例文帳に追加

固体撮像装置１の画素１ａにおいて、フォトダイオード１７の周辺の周辺配線部１４の少なくとも一部に、多層構造の各層を連結する、遮光性の層間連結材１５を設ける。 - 特許庁

Then an insulating film 7, having a thickness that can sufficiently cover residues 5a, is formed on the interlayer insulating film 2, and another connecting hole 8 is formed by removing the insulating film 7 from the top of the connecting hole 4.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜２上に残渣５ａを十分に覆うことができる膜厚の絶縁膜７を形成し、さらに接続孔４の上方の部分の絶縁膜７を除去して接続孔８を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device with buried wiring that suppresses diffusion of the component of a cap metal layer formed on a Cu wiring layer onto an interlayer insulating film and also suppresses an increase in connection resistance.例文帳に追加

Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a reformed layer-like clay mineral which can easily exhibit the function of a layer-like clay mineral by the extension of the space between layers, to provide a method for producing the reformed layer-like clay mineral, and to provide an interlayer compound.例文帳に追加

層間が拡張されることで、層状粘土鉱物の機能を容易に発揮させることのできる改質層状粘土鉱物、改質層状粘土鉱物の製造方法、及び層間化合物を提供する。 - 特許庁

The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.例文帳に追加

保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device, where in a state that the increase of capacity between wirings and wiring interlayer capacity is suppressed, a cavity is formed in an insulating film at a fine processing accuracy.例文帳に追加

配線間容量および配線層間容量の上昇を抑制した状態で、加工精度よく絶縁膜に凹部を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances such as sensitivity transmittance, insulation and chemical resistance, remarkably improves flatness and coating property in particular, and is suitable for forming an interlayer insulating film in a process for fabricating LCD, etc.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性等の性能が優れており、特に、平坦性及びコーティング性を著しく向上させ、ＬＣＤ等製造工程の層間絶縁膜等の形成に適した感光性樹脂組成物。 - 特許庁

Adhesion between the lower layer pattern 2 and the interlayer insulation layer 5 is secured satisfactorily because the surface of the lower layer 2 covered by tin prevents formation of metal oxide on the surface of the lower layer pattern 2.例文帳に追加

これにより，下層パターン２の表面はスズに覆われて，下層パターン２の表面における酸化皮膜の形成が防止されるので，下層パターン２と層間絶縁層５との密着性を十分なものとすることができる。 - 特許庁

Thereby, in a fourth interlayer insulation film formed above the data line 6a and the projecting pattern 81, only the parts corresponding to the data line 6a and the projecting pattern 81 are swollen and the other part has a nearly flat shape.例文帳に追加

これにより、データ線６ａ及び凸パターン８１の上方に形成される第４層間絶縁膜は、データ線６ａ及び凸パターン８１の部分のみが盛り上がり、他の部分は略平らな形状を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method a semiconductor device which has a process of forming a flat and highly reliable interlayer insulating film by preventing the occurrence of a horn-shaped projection and a crack in an insulating film, and a semiconductor device.例文帳に追加

絶縁膜にツノ状突起とクラックの発生を防止して、平坦で信頼性の高い層間絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive used to polish silica-based substrates, for example, rock crystal, quartz glass for photomasks, organic films for semiconductor devices, interlayer insulation films, CMP for trench separation or to polish glass hard disks.例文帳に追加

シリカを主成分とする基板の研磨、例えば水晶、フォトマスク用石英ガラス、半導体デバイスの有機膜、層間絶縁膜及びトレンチ分離のＣＭＰ、又はガラス製ハードディスクの研磨に用いられる研磨剤を提供する。 - 特許庁