「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

In an insulating film 101, there is formed lower layer wiring comprising a barrier metal film 102 and a copper-containing metal film 103, on which an interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b) is formed.例文帳に追加

絶縁膜１０１中に、バリアメタル膜１０２および銅含有金属膜１０３からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）を形成する。 - 特許庁

To manufacture a multilayered wiring board having a high interlayer connection reliability by fabricating a circuit board by a method which prevents the attachment of foreign matters to projecting end faces of projecting conductors and then by stacking a plurality of such circuit boards.例文帳に追加

突出導体の突端面に異物が付着しない方法で回路基板を製造し、複数枚の回路基板を積層して、層間接続の信頼性が高い多層配線板を製造する。 - 特許庁

In this etching, the silicon nitride film 86 is caused to work as an etching stopper in the etching treatment, as a kind or a condition that a selection ratio can be ensured in an interlayer insulating film for the silicon nitride film.例文帳に追加

このエッチングは、シリコン窒化膜に対する層間絶縁膜の選択比が確保されるような種類・条件として、当該エッチング処理においてシリコン窒化膜８６をエッチングストッパとして機能させる。 - 特許庁

TFTs 40, 43 are formed on a substrate 31, and in a state where they are covered an interlayer insulating film 44 not containing a hydroxyl group in a film constituting at least a lowermost layer is formed.例文帳に追加

基板３１上にＴＦＴ４０、４３を形成し、これらを覆う状態で少なくとも最下層を構成する膜中に水酸基が含有されない層間絶縁膜４０を形成する。 - 特許庁

To provide a capacitor built-in wiring board that can prevent performance deterioration and can improve reliability by connecting a capacitor to a rear-surface-side interlayer insulation layer reliably.例文帳に追加

性能低下を防止することができ、かつ、コンデンサと裏面側層間絶縁層とを確実に接続することにより信頼性を向上させることができるコンデンサ内蔵配線基板を提供する。 - 特許庁

On a substrate P, the board has at least two layers, conductor layers E1 and E2, an interlayer dielectric 14 provided between the conductor layers E1 and E2, and a conductor post T for electrical continuity between the conductor layers E1 and E2.例文帳に追加

基板Ｐ上に少なくとも２層の導体層Ｅ１、Ｅ２と、導体層Ｅ１、Ｅ２間に設けられた層間絶縁膜１４と、導体層Ｅ１、Ｅ２間を通電させる導体柱Ｔとを有する。 - 特許庁

In the element forming part 2, a p-type epitaxial layer PEpi1 and an interlayer insulating film 3 are formed, and on the surface of the p-type epitaxial layer PEpi1, an n-well NW and a p-well PW are formed.例文帳に追加

素子形成部２には、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１及び層間絶縁膜３を設け、Ｐ型エピタキシャル層ＰＥｐｉ１の表面にはＮウエルＮＷ及びＰウエルＰＷを形成する。 - 特許庁

To efficiently conduct an inserting work in a core material inserting machine used in the case of inserting a core material such as an interlayer sheet or the like into a bag-like article represented by a cover material or the like of an album.例文帳に追加

アルバムの表紙材等で代表される袋状物の内部に中紙等の芯材を挿入する際に用いられる芯材挿入機であって、挿入作業を能率的に行なう。 - 特許庁

A dense insulating film is formed thereon by subjecting the film to a thermal baking treatment at a high temperature above 700°C and is then planarized by a polishing treatment, by which a first interlayer insulating film (4) is formed.例文帳に追加

その上方に７００℃以上の高温で熱焼成処理を施すことにより緻密な絶縁膜を形成した後、研磨処理によりこれを平坦化して、第１層間絶縁膜（４）とする。 - 特許庁

When an advancement of the data recording to another recording layer is performed at a stage prior disk closing or session closing or when it is predicted that such an advancement of the data recording occurs afterwards, the interlayer folding back position information is recorded.例文帳に追加

つまり、ディスククローズ或いはセッションクローズの前の段階で、記録層の移行が行われる場合、或いはその後記録層の移行が予想される場合に、層間折り返し位置情報が記録される。 - 特許庁

To provide a sputtering target material for producing a Ni-W-Cr alloy interlayer film and a thin film produced by using the sputtering target material for producing the thin film, in a vertical magnetic recording medium.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁

To avoid the breakage of an interlayer insulating layer existing between data signal wiring and scan signal wiring which is caused by the push of a spacer, or the rupture of an electrode and the data signal wiring of an electron source formed of a thin film.例文帳に追加

スペーサの押圧によるデータ信号配線と走査信号配線との間にある層間絶縁層の破壊、あるいは薄膜で構成される電子源の電極やデータ信号配線の破断を回避する。 - 特許庁

To provide a multilayer metal foil clad laminate which has no resin residues on the front surface of the outermost layer of the metal foil and hardly has damages, hit marks, or pin holes, and has a high interlayer alignment accuracy.例文帳に追加

最外層の金属箔の表面に樹脂残渣がなく、また、傷や打痕やピンホールが発生しにくく、さらに、層間の位置合わせ精度が高い多層金属箔張り積層板を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that it takes time to perform the processing operation of an aberration correcting element in the interlayer movement of a multilayer disk and in a device initialization operation in an optical disk device needing the aberration correcting element for correcting a spherical aberration.例文帳に追加

球面収差を補正する収差補正素子が必要な光ディスク装置ではで、多層ディスクの層間移動時や装置初期化動作時の収差補正素子の処理動作に時間がかかる。 - 特許庁

To provide a diagnostic method for laminate belt, capable of diagnosing the state of interlayer peeling caused within a laminate belt containing a layered composite material and embedded with a tensile body composed of a magnetic body.例文帳に追加

層状の複合物質を含み、磁性体から成る抗張体が埋設する積層帯の内部に生じる層間剥離の状況を診断することができる積層帯の診断方法を提供する。 - 特許庁

To improve migration resistance in a rigid/flexible printed circuit board (R/FPC) that a CCL and a CL are bonded to produce an FPC, and an RPC is adhered to both surfaces of the FPC via an interlayer adhesive sheet in-between.例文帳に追加

ＣＣＬとＣＬとを貼合わせて製造したＦＰＣと、その両面に層間接着シートを介してＲＰＣを接着したＲ・ＦＰＣにおける耐マイグレーション性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

The sheet which is used as each layer of the electronic component when the stacked electronic component is formed has constitution which includes an internal circuit electrode and an interlayer connection post inside.例文帳に追加

積層型の電子部品を形成する際に用いられる電子部品の各層として用いられるシートについて、その内部に内部回路電極と層間接続ポストとを包含する構成とする。 - 特許庁

The interlayer insulating layer 40 is used for electrically separating the non-volatile memory transistor from a conductive layer 30 formed at the upper section of the semiconductor layer 10, and includes a layer 42 containing a nitride.例文帳に追加

層間絶縁層４０は、不揮発性メモリトランジスタと、半導体層１０の上方に形成された導電層３０とを電気的に分離するための絶縁層であり、窒化物を含む層４２を含む。 - 特許庁

In the nozzle plate, a titanium film 4 as an interlayer is formed on the ink ejection surface 10 of a nozzle plate substrate 1 and the water repellent film is formed of a coating fluorine-based water repellent agent 5 on the titanium film 4.例文帳に追加

ノズルプレート基材１のインク吐出面１０上には、中間膜としてのチタン膜４が形成され、このチタン膜４上に、フッ素系塗布型撥水剤５から撥水膜が形成されている。 - 特許庁

A plurality of wiring layers formed of wiring 407 constituted by an interlayer insulating film 405 and copper are laminated, and a solder resist layer 408 is formed on the uppermost layer to form a multilayer wiring structure body.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成し、多層配線構造体を構成する。 - 特許庁

A silicon nitride film 4 is formed so as to cover a plurality of gate electrodes 3 formed on a silicon substrate 1 via a gate oxide film 2, and a first interlayer dielectric 5 is formed on the silicon nitride film 4.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート酸化膜２を介して形成された複数のゲート電極３を覆うようにシリコン窒化膜４を形成し、シリコン窒化膜４上に第１の層間絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

To decrease the dielectric constant of an interlayer insulating film in the semiconductor device having an embedding wiring embedded in an insulating film, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加

絶縁膜に埋め込まれた埋め込み配線を有する半導体装置及びその製造方法に関し、層間絶縁膜の誘電率を低減しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress cracks caused in an interlayer insulating film composed of a low dielectric film between wirings in an inspection using a probe needle at a high temperature in a semiconductor device having an electrode pad.例文帳に追加

電極パッドを有する半導体装置における高温でのプローブ針を用いた検査において、配線間の低誘電率膜からなる層間絶縁膜に生じるクラックを抑制することを可能にする。 - 特許庁

The laminated glass 1 has a first and a second laminated glass constituent member 21, 22, and an interlayer of a monolayer or multilayer interposed between the first and the second laminated glass constituent member 21, 22.例文帳に追加

本発明に係る合わせガラス１は、第１，第２の合わせガラス構成部材２１，２２と、該第１，第２の合わせガラス構成部材２１，２２の間に挟み込まれた単層又は多層の中間膜とを備える。 - 特許庁

A W plug 22 is formed in a contact hole penetrating an etching protective film 11 and the first interlayer insulating film 12 on a cobalt silicide film 10 on the source/drain region 6 of the transistor for logic.例文帳に追加

ロジック用トランジスタのソース・ドレイン領域６上のコバルトシリサイド膜１０上には、エッチング保護膜１１及び第１の層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール内にＷプラグ２２が形成されている。 - 特許庁

An electrode pad 2, composed of Al is formed on a P-type semiconductor substrate 1, and a MOS transistor 4 is formed on the semiconductor substrate 1 directly below the electrode pad 2 via an interlayer insulating film 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上にＡｌから成る電極パッド２が形成され、電極パッド２の直下の半導体基板１上に層間絶縁膜３を介してＭＯＳトランジスタ４が形成されている。 - 特許庁

To provide a polyester film which is intended for use as an interlayer for laminated glass and is excellent in adhesion to polyvinyl butyral used in the laminated glass in a normal usage environment of the laminated glass laminated via a polyester film.例文帳に追加

ポリエステルフィルムを介した合わせガラスが通常使用される環境において、合わせガラスに用いられるポリビニルブチラールとの密着性に優れた合わせガラス中間膜用ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

To prevent display failures due to a lateral electric field occurring between pixel electrodes in a liquid crystal device having a flattened interlayer insulating film and to make a high-quality image display possible.例文帳に追加

平坦化処理された層間絶縁膜を有する液晶装置において、画素電極間で生じる横電界による表示不良の発生を防止し、高品質の画像表示を可能にする。 - 特許庁

Then residues 7 of an interlayer film 5, second metal film 6, etc., adhering to the surfaces of the marks 4 are removed surely, by etching the surfaces of the marks 40.例文帳に追加

そしてそのアライメントマーク４０の表面にエッチング処理を施すことにより、その表面に付着していた層間膜５や第２の金属膜６などの残渣７を確実に除去することができる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate 10, a patterned layer 100 formed on the main surface of the semiconductor substrate 10, and an interlayer insulating film 110 formed on the patterned layer 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０の主表面上に形成されるパターン層１００と、パターン層１００上に設けられる層間絶縁膜１１０とを備える。 - 特許庁

Data lines 24 and the scanning lines 20 are covered with the common electrodes 27 via an interlayer dielectric 26 and only one common electrode wiring 21 is formed on one side of the scanning lines 20.例文帳に追加

データ線２４及び走査線２０は層間絶縁膜２６を介して共通電極２７に覆われており、共通電極配線２１は走査線２０の片側に一本のみ形成されている。 - 特許庁

When using this polishing composite material, an interlayer insulating film or a circuit pattern for constituting a semiconductor base board and an electronic device is accurately and highly efficiently worked.例文帳に追加

また、本発明の研磨用複合材を使用すれば、半導体基板や電子デバイスを構成する層間絶縁膜あるいは回路パターン等を精度良く、しかも高能率に加工することが可能となる。 - 特許庁

A dummy gate electrode 4 and an interlayer insulating film 8a are formed on a silicon substrate 1, and the dummy gate electrode 4 is selectively etched and eliminated for a specific thickness for forming a first groove section 9.例文帳に追加

シリコン基板１上にダミーゲート電極４と層間絶縁膜８ａを形成し、ダミーゲート電極４を所定の厚さ分だけ選択的にエッチング除去し第１の溝部９を形成する。 - 特許庁

To provide a multilayer flexible printed wiring board exhibiting high connection reliability, and interlayer connection exhibiting excellent productivity optimal for scaling down of wiring layer, and to provide its production process.例文帳に追加

本発明は、接続信頼性の高い、配線層の微細化に最適な、生産性に優れる層間接続を有する多層フレキシブルプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An internal electrode 26 is formed on the through-hole electrode on the first main surface, and an interlayer insulating film 13 is formed on the internal electrode 26 and on the first main surface.例文帳に追加

半導体基板１０の第１の主面の貫通電極上に内部電極２６が形成され、内部電極２６上及び第１の主面上に層間絶縁膜１３が形成されている。 - 特許庁

Further, removal of the rust-proof processing layer 17 corresponding to an interlayer connection hole 33 with a plating preprocessing prior to desmearing processing after laser processing or to the formation of the copper plating 31 can be facilitated.例文帳に追加

なお、層間接続孔３３に対応する部位の防錆処理層１７の除去は、レーザ加工後のデスミア処理または銅めっき３１の形成に先だってのめっき前処理で容易に行うことができる。 - 特許庁

A photoelectric conversion apparatus includes: a photoelectric conversion element and a MOS transistor disposed on a semiconductor substrate; and a multilayer wiring structure, and also has a first interlayer insulation film disposed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子およびＭＯＳトランジスタと、多層配線構造と、を有し、半導体基板上に配された第１の層間絶縁膜を有する。 - 特許庁

The interlayer 12 contains 40-80 wt.% of a polystyrene resin, 15-40 wt.% of a polypropylene resin and 5-20 wt.% of styrene elastomer.例文帳に追加

また、中間層１２は、ポリスチレン系樹脂を４０ｗｔ％から８０ｗｔ％、ポリプロピレン系樹脂を１５ｗｔ％から４０ｗｔ％、スチレン系エラストマーを５ｗｔ％から２０ｗｔ％含有する。 - 特許庁

To provide a polyvinyl acetal sheet which maintains the transparency and the penetration resistance as a laminated glass and has improved adhesion with polyester film, and an interlayer film for laminated glass and a laminated glass.例文帳に追加

合わせガラスとしての透明性や耐貫通性を維持しつつ、ポリエステルフィルムとの接着性を向上させたポリビニルアセタールシートおよび合わせガラス用中間膜ならびに合わせガラスを提供する。 - 特許庁

The composition for forming an interlayer film for a semiconductor device includes (A) a silicon-contained polymeric compound having a repeated, unit which contains a carbon-carbon triple bond and -Si-, and (B) an organic solvent.例文帳に追加

（Ａ）炭素−炭素三重結合および−Ｓｉ−を含む繰り返し単位を有する含ケイ素高分子化合物と（Ｂ）有機溶媒を含むことを特徴とする半導体装置用層間膜形成用組成物。 - 特許庁

To achieve excellent reliability and a high production yield using a fluorine-containing silicon oxide film as an interlayer dielectric film, relating to a semiconductor device having a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

本発明は多層配線構造を有する半導体装置に関し、フッ素含有シリコン酸化膜を層間絶縁膜として用いつつ、優れた信頼性と、高い歩留まりとを実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide an agent for forming a film for a semiconductor device which can prevent the diffusion of copper atoms and form a film having excellent interlayer insulation on the surface of copper.例文帳に追加

本発明は、銅原子の拡散を防止でき、且つ良好な層間絶縁性を有する被膜を銅表面に形成することができる半導体装置用の被膜形成剤を提供することを課題とする。 - 特許庁

A layer 2 contains a BOX layer and a silicon layer of the SOI substrate, a semiconductor element which is selectively formed on the silicon layer, and an interlayer insulating film which is formed on the semiconductor element and the silicon layer.例文帳に追加

層２は、ＳＯＩ基板のＢＯＸ層及びシリコン層と、シリコン層上に選択的に形成された半導体素子と、半導体素子及びシリコン層上に形成された層間絶縁膜とを含む。 - 特許庁

The filler to be added to a resin comprises an organic hydrotalcite-like compound prepared by the ion exchange between ions of an interlayer of a hydrotalcite-like compound and an organic reagent having ion-exchange properties and adsorption properties.例文帳に追加

ハイドロタルサイト様化合物の中間層のイオンとイオン交換・吸着性を有する有機試薬とをイオン交換することにより形成した有機化ハイドロタルサイト様化合物からなる樹脂添加用フィラー。 - 特許庁

The porous interlayer dielectric film 1 is deposited by a plasma CVD method using a mixed material gas containing the cyclic siloxane and an organic compound containing at least one oxygen atom.例文帳に追加

なお、この多孔質層間絶縁膜１は、環状シロキサンと、少なくとも１つの酸素原子を含む有機化合物と、を含む混合原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜している。 - 特許庁