「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

With this configuration, the side surfaces of first, second and third interlayer films 13, 15 and 17 and the passivation film 22 are each covered with a portion of the sealing resin layer 4 entering into the groove 31.例文帳に追加

これにより、第１層間膜１３、第２層間膜１５、第３層間膜１７およびパッシベーション膜２２の各側面は、封止樹脂層４の溝３１に入り込んだ部分によって被覆されている。 - 特許庁

The mount board has a plurality of boards 1,2,3, and a through-hole 5 for forming an opening exposed externally or an interlayer through-hole 7 is filled in by a metallic jointing material 8 and the filled material is solidified.例文帳に追加

複数の基板１、２、３を有する実装装置であって、外部に露出する開口部が形成された貫通スルーホール５または層間スルーホール７が、金属接合材料８で充填・固化されている。 - 特許庁

Furthermore, the ferromagnetic interlayer 28 contains at least one kind as an additive out of a group consisting of Mn, Cr, Ni, Cu, Rh, Ir and Pt, thereby restricting a thermal deterioration of the lamination 20.例文帳に追加

更に、強磁性層間層２８は、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｒｈ，ＩｒおよびＰｔからなる群のうち少なくとも１種を添加物として含んでおり、これにより積層体２０の熱劣化を抑制するようになっている。 - 特許庁

A contact hole 18 is bored in the interlayer insulating film 17, a groove 19 is cut in the region of the film 17 which includes the contact hole 18, and a contact plug 21 is filled in the contact hole 18 and the groove 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１７にコンタクト孔１８を形成し、更にコンタクト孔１８の領域を含む溝１９を形成して、コンタクト孔１８及び溝１９にコンタクトプラグ２１を埋め込む。 - 特許庁

As a result, since a recessed part corresponding to the making hole 20M cannot be formed easily on the silicon oxide layer, that is to become an interlayer insulation film 4 after being subjected to CMP polishing, retention of slurry at the recessed part can be suppressed.例文帳に追加

このため、ＣＭＰ研磨されて後に層間絶縁膜４となるシリコン酸化物層にマーク用孔２０Ｍに対応した凹部が形成されにくいので、かかる凹部へのスラリーの残留が抑制される。 - 特許庁

Next, a part of the wiring laminated part is removed by dry etching and a preliminary opening part C1a is formed with a provision that a whole surface of the movable electrode 20 is covered with a part of the first interlayer insulation film 16.例文帳に追加

次に、可動電極２０の全面が第一層間絶縁膜１６の一部で覆われるように残して配線積層部の一部をドライエッチングにより除去し予備開口部Ｃ１ａを形成する。 - 特許庁

An overhung-shaped sidewall 202a is formed on the sidewall of the aperture 105, and a second interlayer insulating film 106 is formed on the layer 105, in a state such that the aperture 105a is filled.例文帳に追加

開口部１０５ａの側壁にオーバーハング形状のサイドウォール２０２ａを形成し、開口部１０５ａを埋め込む状態で、第１ストッパ層１０５上に第２層間絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁

The interlayer dielectric formation composition is used to insulate metallic wirings including copper wiring.例文帳に追加

銅配線を含む金属配線間の絶縁に用いられる層間絶縁膜形成用組成物であって、下記一般式（Ｉ）で表される化合物、その加水分解物または縮合物を含有する絶縁膜形成組成物。 - 特許庁

And, gate contacts C23a-C23c connected to the gate wiring parts G22a-G22c and wiring M21 connected to the respective gate contacts C23a-C23c are provided through an interlayer insulating film.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜を貫通して、ゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃに接続されるゲートコンタクトＣ２３ａ〜Ｃ２３ｃと、各ゲートコンタクトＣ２３ａ〜Ｃ２３ｃに接続される配線Ｍ２１とが設けられている。 - 特許庁

To provide an elevator device for a building of an intermediate base isolation structure absorbing displacement in a specific part of a guide rail, when an interlayer displacement is generated between a high-rise part and a low-rise part.例文帳に追加

高層部と低層部との間で層間変位が生じた場合、ガイドレールの特定部分においてこの変位を吸収することができる中間免震構造の建造物用エレベーター装置を提供する。 - 特許庁

Then the determined voltage born by interlayer insulation is compared with the partial discharge characteristic and voltage-applied life-time characteristic of the electric rotating machine.例文帳に追加

層間絶縁分担電圧が層間絶縁の部分放電電圧未満か、層間絶縁分担電圧における課電寿命が回転電機全体の余寿命以上の場合には、供試インバータで駆動可と判断する。 - 特許庁

To provide a method for forming buried metallization by a buried metallization method (damascene method) in which erosion is suppressed at the time of CMP and metal diffusion into an interlayer insulation film is prevented.例文帳に追加

ＣＭＰ時のエロージョンが抑制され、かつ層間絶縁膜内への金属拡散が防止された、埋め込み金属配線法（ダマシン法：Damascene）による埋め込み金属配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

This wiring board 1 is provided with via conductors 25, connection pads 26 which are electrically connected to the conductors 25, and interlayer conductors 19P1, etc., which are positioned closely to the conductors 25 and insulated from the conductors 2.例文帳に追加

配線基板１は、ビア導体２５と、これと電気的に接続する接続パッド２６と、ビア導体２５の近傍に位置しこのビア導体２５とは絶縁する層間導体１９Ｐ１等とを備える。 - 特許庁

To make a spout member to be used integrally with a receiver such as pouch preventing certainly from exposure of its barriering resin interlayer at its end.例文帳に追加

パウチ等の容器と一体化される容器用注出部材において、バリアー性樹脂中間層の前記容器用注出部材の端部における露出が確実に防止された容器用注出部材を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory is used which is provided with a substrate 10, a first insulating film 5, a plurality of first signal lines 2, a plurality of memory cells 1, a first interlayer insulating film 6, a second insulating film 4, and a plurality of second signal lines 3.例文帳に追加

基板１０、第１絶縁膜５、複数の第１信号線２、複数のメモリセル１、第１層間絶縁膜６、第２絶縁膜４及び複数の第２信号線３を備える磁気メモリを用いる。 - 特許庁

Moreover, the bottom part having the roughly ring shape and the recessed shape of the interlayer film 19 of the upper layer is constituted so as to be positioned at the end face of the switching element 3 and the end face of the metallic film 2 between the substrate 1 and the switching element 3.例文帳に追加

この上層層間膜４ｂの概略環状の凹形状の底部をスイッチング素子３の端面と基板１とスイッチング素子３との間の金属膜２の端面に位置する構成をとる。 - 特許庁

To provide a film-forming composition capable of imparting a low density film excellent in dielectric constant characteristics and water absorbency characteristics and useful as an interlayer insulating film in semiconductor elements, etc., having small-sized voids and excellent in CMP resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、誘電率特性、吸水率特性に優れ、かつ空隙サイズが小さく、ＣＭＰ耐性に優れた膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

This two-layer structured insulating film prevents the gate lines 1 and the screen end common lines 5a from being short-circuited by conductive foreign matters and static electricity in the interlayer insulating film during the manufacturing process.例文帳に追加

この２層構造の層間絶縁膜により、ゲート線１と画面端共通線５ａとが層間絶縁膜中の導電性異物や静電気によって製造工程中にショートするのが防止される。 - 特許庁

Further, a bit line 14, a first wiring 15 in the same layer as the bit line 14 and neighbored to the bit line 14, and a first interlayer insulating film 18, are formed between the bit line 14 and the first wiring 15.例文帳に追加

また、ビット線１４、ビット線１４と同層でビット線１４に隣接する第１の配線１５、ビット線１４と第１の配線１５との間に第１の層間絶縁膜１８が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem of unevenness of photosensitivity in a light receiving surface as the interlayer film at the periphery of a light receiving part becomes thicker, in a photodetector in which a circuit with a wiring formed therein is formed to adjoin the light receiving part.例文帳に追加

配線が形成される回路部が受光部に隣接して形成される光検出器において、受光部の周縁部の層間膜が厚くなり、受光面内での光感度が不均一となる。 - 特許庁

Cu wiring 100 formed at a groove 10a with a barrier metal layer 2 on a surface while being provided on an interlayer insulation film 10 formed on a semiconductor substrate 10 is composed by a Cu alloy 1 containing at least one of Ag, As, Bi, P, Sb, Si, and Ti.例文帳に追加

半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝１０ａにＣｕ配線１００が形成されてなる。 - 特許庁

The interlayer insulating film comprises contact holes 121-130 reaching active regions 101, 102, 103, and 104 as well as contact holes 131 and 132 reaching the gate electrode 162 and 163.例文帳に追加

層間絶縁膜は、活性領域１０１、１０２、１０３および１０４に達するコンタクトホール１２１〜１３０と、ゲート電極１６２および１６３に達するコンタクトホール１３１および１３２とを有する。 - 特許庁

To provide a method for inhibiting the putrefaction of a composition compounded with starch, capable of especially inhibiting the putrefaction of the alkaline composition compounded with the starch, such as a coating liquid for paper or an interlayer adhesive, which are used in paper-making and paper- processing industries.例文帳に追加

デンプン配合組成物、特に製紙産業、紙加工産業における紙用塗工液、層間接着剤等のアルカリ性デンプン配合組成物の腐敗抑制方法を提供する。 - 特許庁

Bending columns 3 which receive horizontal shearing forces resulting from interlayer deformations are vertically continuously provided on each floor and an earthquake-control damper which is actuated upon receiving the horizontal shearing forces is provided on each of the bending columns.例文帳に追加

層間変形による水平せん断力を受ける曲げ柱３を上下方向に連続せしめて各階に設け、それら曲げ柱に水平せん断力を受けた際に作動する制震ダンパーを設ける。 - 特許庁

To provide a method for forming a coating film superior in low dielectric property, crack resistance and adhesion property with a substrate as an interlayer insulating film, in a semiconductor device or the like and to provide an insulating film by using the above method.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜として、低誘電性、クラック耐性、基板との密着性に優れた塗膜形成方法およびそれを用いた絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To secure uniformity in ITO dry etching in a method of fabricating a liquid crystal display device, wherein an electrically conductive transparent film is pattern-formed on an interlayer insulating film comprised of at least an electrically insulating organic film.例文帳に追加

少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、ＩＴＯドライエッチング時の均一性を確保する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device having the tapered through hole comprises the steps of forming a interlayer dielectric 2 and a first plasma nitride film 7 on a lower layer wiring 1, dry etching with a photoresist 3 as a mask, and forming a recess 8 on a surface of the dielectric 2.例文帳に追加

下層配線１上に層間絶縁膜２及び第１のプラズマ窒化膜７を形成し、フォトレジスト３をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁膜２の表面に凹部８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable and is provided with a wiring layer that can ensure its barrier property and improve adhesion to an interlayer insulation film without increasing the number of steps, and its manufacturing method.例文帳に追加

工数を増やさずにバリア性を保証し層間絶縁膜との密着性をいっそう良好にする配線層を有する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a multilayered flexible printed board having an interlayer connection between wiring layers that is of high reliability, is suitable for ultra fine processing of the wiring layers, and is excellent in productivity.例文帳に追加

接続信頼性が高く、配線層の微細化に最適な、生産性に優れる配線層間の層間接続を有する多層フレキシブルプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An interconnect line 11a being connected with the gate electrode 7 and an interconnect line 11b being connected with the active region 13 and becoming a dummy interconnect line are formed simultaneously on the underlying interlayer insulating film 10.例文帳に追加

次に、下地層間絶縁膜１０に、ゲート電極７に接続される配線１１ａと、ダミー配線となり、且つ、活性領域１３に接続される配線１１ｂとを同時に形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition providing a molded article or an interlayer insulation film excellent in closely bonding strength with Cu-plating, excellent in working speed, and also equipped with a high linear expansion coefficient.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕメッキとの密着強度に優れ、動作速度に優れ、かつ高い線膨張率を備えた、成形体や層間絶縁膜を提供できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A part of the monocrystals (crystal gains 110, 110) adjacent to each other in the crystal growth direction is formed by epitaxial growth such that the a-axis and the c-axis agree, straddling an interlayer portion.例文帳に追加

結晶成長方向に隣接する単結晶同士（結晶粒１１０、１１０）の一部は、層間を跨いでａ軸が一致しｃ軸が一致するようにエピタキシャル成長されて形成されている。 - 特許庁

Electric circuits each including an electronic element 4 and wiring 5 and 6 provided on the semiconductor substrate and in an interlayer film are provided in the chip regions, electrically independent from each other.例文帳に追加

半導体基板上および層間膜中に設けられた電子素子４および配線５、６を含んだ電気回路は、チップ領域内に、チップ領域ごとに相互に電気的に独立して設けられる。 - 特許庁

A plurality of pads 31 for external connections composed of platinum or the like are formed on the top face of the interlayer dielectric 30 in the wiring region 3, so as to have superpositions with the bus wirings 28.例文帳に追加

配線領域３における層間絶縁膜３０の上面には、白金等からなる複数の外部接続用パッド３１が、バス配線２８と重なりを有するように形成されている。 - 特許庁

To provide a chip component equipped with an external electrode which allows both connection by an interlayer connection conductor and connection by soldering and a method for manufacturing a module with built-in component in which the chip component is built in.例文帳に追加

層間接続導体による接続及びはんだ付けの接続の両方が可能な外部電極を備えたチップ部品及びそのチップ部品を内蔵した部品内蔵モジュールを製造して提供する。 - 特許庁

To prevent an interlayer connection failure and substrate surface layer contamination from being generated by preventing conductive paste filled into a via hole from oozing out to the outside from a small hole by lamination press pressure.例文帳に追加

ビアホールに充填されている導電性ペーストが積層プレス圧によって小孔より外側に滲み出さないようにし、層間接続不良や基板表層汚染を生じないようにすること。 - 特許庁

To provide an optical disk device for shifting from a state of reading information recorded in one layer to the state of reading information recorded in the other layer even when interlayer offset occurs.例文帳に追加

層間オフセットが発生した場合でも、一方の層に記録された情報を読み出している状態から他方の層に記録された情報を読み出す状態へ移行できる光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer insulation material that has low dielectric constant / low dielectric loss tangent, low expansion coefficient and has excellent peel-strength on the small surface roughness after roughening suitable for the additive method.例文帳に追加

低誘電・低誘電正接、低膨張係数であり、アディティブ工法に適合した粗化後の表面粗さが小さいところでの引きはがし強さに優れる層間絶縁材料を提供する。 - 特許庁

Interposing an interlayer insulation film 10 above a floating gate 9, without covering the floating gate 9, a barrier layer 15 is arranged around the floating gate including adjacent areas of a connecting part 9c of the floating gate 9.例文帳に追加

フローティングゲート９の上に層間絶縁膜１０を介し、フローティングゲート９を覆うことなく、フローティングゲート９の連結部９ｃの隣りを含むフローティングゲートの周りにバリア層１５を配置する。 - 特許庁

The interlayer film 20 has such a property that the elongation is within a range of 250-350%, preferably 280-320% when a tensile load of 500 N is applied.例文帳に追加

中間膜２０の特性は、５００Ｎの引張荷重を付与したときに２５０（％）以上３５０（％）以下（好ましくは、２８０（％）以上３２０（％）以下）の伸び率となるように設定されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reflective liquid crystal display panel by which a level difference in film thickness caused by difference in pattern density in CMP of an interlayer insulating film can be decreased.例文帳に追加

層間絶縁膜のＣＭＰでパターン密度差起因により発生する膜厚段差を低減することができる反射型液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Then the laminated film on the interlayer insulating film 1, which comprises the Cu film 6, second WN film 5, W film 4, and first WN film 3, is removed by CMP method, etc., to form a channel wiring 7.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法等で、層間絶縁膜１上のＣｕ膜６、第２のＷＮ膜５、Ｗ膜４及び第１のＷＮ膜３からなる積層膜を除去し、溝配線７を形成する。 - 特許庁

To provide a prepreg for heat- and pressure-molding, which can provide, when applied to an interlayer adhesive layer in multilayering of a printed wiring board, an insulating layer having satisfactory circuit filling properties and heat conductivity.例文帳に追加

プリント配線板を多層化する場合の層間接着層に使用すると、回路埋め性が良好で、かつ、熱伝導性の良い絶縁層が得られる加熱加圧成形用プリプレグを提供する。 - 特許庁

With such a structure, since the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as TFT on the first interlayer insulating film 11 on the peripheral regions of the peripheral NMOS Tr 52 and the peripheral PMOS Tr 53, a dedicated deep N-well is dispensed with.例文帳に追加

かかる構成においては、負電圧NMOSTr50は、周辺NMOSTr52および周辺PMOSTr53の周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されているため、専用のディープNウェルが不要となる。 - 特許庁

In an active matrix panel, a step is provided just below the seal material 168, and the oozing of the seal material is suppressed by forming two layers of interlayer insulating films 158 and 160 separately and removing one of the layers.例文帳に追加

アクティブマトリクスパネルにおいて、層間絶縁膜１５８、１６０を２層にわけて形成し一層を除去することで、シール材１６８の直下に段差を設け、シール材のしみだしをおさえる。 - 特許庁