「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

The solid-state imaging apparatus 1 is composed by successively laminating a p-type semiconductor layer 102, an interlayer insulating film 104, a polarization cut filter 108, and a condenser lens 109 on an n-type semiconductor layer 101.例文帳に追加

固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、偏光カットフィルタ１０８及び集光レンズ１０９が順次積層されてなる。 - 特許庁

To provide an adhesive sheet including at least three layers of (A) a substrate layer, (B1) a first adhesive layer and (B2) a second adhesive layer in this order and having strong interlayer adhesion.例文帳に追加

基材層（Ａ）と第１粘着剤層（Ｂ１）と第２粘着剤層（Ｂ２）とをこの順に有する、少なくとも３層からなる粘着シートであって、層間密着性が高い粘着シートを提供する。 - 特許庁

Buildup substrates for the multilayer flexible circuit board which establish interlayer connection by their conductive protrusions are provided with craterings 151, 152, 153 and 154 on the top of the conductive protrusions 7, 57, 107 and 207.例文帳に追加

導電性突起により多層フレキシブル回路基板の層間接続を行う多層フレキシブル回路基板用ビルドアップ基材において、前記導電性突起７,57,107,207の頂部に凹部151,152,153,154をそなえたことを特徴とする。 - 特許庁

In the solid-state imaging device 102, a p-type semiconductor layer 302, an interlayer insulating film 304, a multilayer film interference filter 306, and a condensing lens 307 are laminated successively on an n-type semiconductor layer 301.例文帳に追加

固体撮像装置１０２は、Ｎ型半導体層３０１上にＰ型半導体層３０２、層間絶縁膜３０４、多層膜干渉フィルタ３０６及び集光レンズ３０７が順次積層されてなる。 - 特許庁

A second copper wire 24 in a second wiring groove 20 and a plug in a via hole 15 connected to the second wiring groove 20 are arranged between interlayer insulating films 11, 13 formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の層間絶縁膜１１，１３に、第２の配線溝２０内の第２の銅配線２４、および第２の配線溝２０に接続したビアホール１５内のプラグとを設ける。 - 特許庁

To relieve a phenomenon caused by difference in the material characteristics between the conductive substance used for interlayer continuity and an insulating layer, and to suppress the occurrence of ion migration at a boundary section in the insulating layer.例文帳に追加

層間導通に用いる導電性物質と絶縁層との材料特性の違いに起因する現象を緩和し、絶縁層の境界部分におけるイオンマイグレーションの発生を抑制する。 - 特許庁

The scanning wiring 3 is provided in a groove 2 formed in the substrate 1 and the signal wiring 8 is arranged to cross it, passing over the interlayer insulating layer 4 provided on the scanning wiring 3.例文帳に追加

前記走査配線３を前記基板１に形成された溝２内に設けると共に、該走査配線３上に設けた前記層間絶縁層４上を通って前記信号配線８を交差配置する。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer sheet laminate less liable to interlayer peeling within a photosensitive layer and causing no peeling defect in laminating on a copper-clad substrate or the like, and a method for manufacturing the laminate.例文帳に追加

感光層の内部で層間剥離が生じ難く、銅張り基板などへのラミネート時に剥離欠陥が生じることのない感光性転写シート積層体およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To obtain a forming method of an insulating film for semiconductors that has superior coherency with a film formed by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method as an interlayer insulating film material in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成される 膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜の形成方法を得る。 - 特許庁

To the surface of a first polymethylsiloxan film 2c formed on a semiconductor substrate 3, varnish 2 which is the liquid raw material of a second polymethylsiloxan film 2 formed as a second low-dielectric constant interlayer insulating film is applied.例文帳に追加

半導体基板３上に形成した第１ポリメチルシロキサン膜２ｃの表面上に、第２低誘電率層間絶縁膜としての第２ポリメチルシロキサン膜２の液状原料であるワニス２を塗布する。 - 特許庁

To provide a multilayer wiring board which can be equipped with interlayer connection structures of high connection reliability through all the layers by the use of existing equipment and be improved in heat transfer properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

既存の設備を用いて、接続の信頼性の高い層間接続構造を全層で形成することができ、伝熱性も良好となる多層配線基板、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing method capable of so simply obtaining a thinly-ground wafer with an interlayer adhesive, and so simply manufacturing a highly stacked semiconductor using this.例文帳に追加

極めて簡便に薄研削された層間接着剤付きのウエハを得ることができ、これを用いて簡便に高積層型の半導体を製造することができる半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a semiconductor device 70, a first opening is formed on an interlayer insulation film 4 on a cap film 3, and a wiring layer 6 composed of a barrier metal film 5 and Cu (copper) is embedded in the first opening.例文帳に追加

半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。 - 特許庁

Here, the edges of the organic EL layer 15A and the back electrode 16A rest on the interlayer insulating films 13 to prevent the occurrence of a short-circuit between the front electrodes 12 and the back electrode 16A.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ層１５と背面電極１６Ａの端縁は、層間絶縁膜１３に在るため、前面電極１２と背面電極１６Ａとの間にショートが発生するのを防止できる。 - 特許庁

To provide decorated laminated glass excellent in basic performances such as light resistance, heat resistance, moisture resistance and shock resistance, as well as excellent in designing property while having excellent adhesiveness between an interlayer and the glass.例文帳に追加

耐光性、耐熱性、耐湿性、耐衝撃性などといった基本性能に優れ、中間膜とガラスとの優れた接着性を有しつつ、意匠性にも優れた化粧合わせガラスを提供すること。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for electronic equipment and an adhesive sheet for electronic equipment, which enable temporary adhesion at ordinary temperature, and ensure high interlayer insulation property of an adhesive layer after heat curing.例文帳に追加

常温での仮接着が可能であり、さらに加熱硬化後の接着剤層の層間絶縁性が高い電子機器用接着剤組成物および電子機器用接着剤シートを提供する。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

The exposed surface in the groove 40, the bit lines 12, and the silicon nitride film 32 are covered with a silicon nitride film 33, and the interlayer insulation film 34 is formed over the silicon nitride film 33 as to fill in the groove 40.例文帳に追加

溝４０内の露出表面、ビットライン１２及びシリコン窒化膜３２をシリコン窒化膜３３で覆い、シリコン窒化膜３３上に溝４０内を埋めるように層間絶縁膜３４を形成する。 - 特許庁

As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.例文帳に追加

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁

To provide an epoch-making method for manufacturing a module having a built-in component, achieving sufficient miniaturization of a module by forming an interlayer connection conductor of a resin layer of a substrate having a built-in component into a smaller diameter than a conventional one.例文帳に追加

部品内蔵基板の樹脂層の層間接続導体を従来より径小に形成してモジュールの十分な小型化を実現する画期的な部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

By the formation of the opening 11, a crack is prevented from being generated on the first interlayer insulation film 4 around it by impact upon the fusion-cutting of the fuse element 4, and reliability can be secured.例文帳に追加

この開口部１１の形成でヒューズ素子４の溶断時の衝撃で周辺の第１の層間絶縁膜４にクラックが発生するのが防止されて、信頼性を確保することができる。 - 特許庁

To prevent picture quality from deteriorating by suppressing deterioration in dark current and an increase of fine white flaws even when an HDP film having excellent burying properties between wiring lines made fine is used as an interlayer insulating film.例文帳に追加

微細化した配線間の埋め込み性が良好なＨＤＰ膜を層間絶縁膜として用いても、暗電流の劣化および微小白傷の増加を抑制することができて画質劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a photobase generator having an excellent heat stability, and an excellent stability in the presence of an acidic substance, and also to provide a photosensitive resin composition including the generator, and a method for producing an interlayer insulating film using the resin.例文帳に追加

耐熱安定性と酸性物質存在下での安定性とに優れる光塩基発生剤、これを含む感光性樹脂組成物、及びこれを用いる層間絶縁膜の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress a decrease in reliability of copper wiring and an increase in resistance value by preventing a barrier metal from corroding owing to moisture in an interlayer insulating film, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

層間絶縁膜内の水分などによるバリアメタルの腐食を防止し、銅配線の信頼性の低下及び抵抗値の上昇を抑制し得る半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resin layer 3 is formed on the substrate 1 so as to surround the circumference of the resin block 4, and second conductor planes 6 are formed on the top surface of the resin layer 3 so as to be conducted to the upper end of the interlayer connection conductors 5.例文帳に追加

基板１上に樹脂ブロック４の周囲と取り囲む樹脂層３を形成し、その上面に第２面内導体６を層間接続導体５の上端部と導通するように形成する。 - 特許庁

To provide a carbon/carbon (C/C) composite material with improved flexural strength and interlayer shear strength, and improved thermal conductivity in the direction of lamination at normal temperature, and to provide a method for producing the material.例文帳に追加

曲げ強度や層間せん断強度の向上を図りつつ、常温での積層方向の熱伝導度を向上させることができるＣ／Ｃコンポジット材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the first Ti film is formed, a ratio of the thickness of a first part on a bottom of the contact hole to the thickness of a second part on the second interlayer dielectric film (the fist part/the second part)≤0.05.例文帳に追加

第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。 - 特許庁

To provide a method of a coating system for forming a laminate by one coating process, and for manufacturing easily the laminate very excellent in interlayer close contactness with satisfactory productivity, and to provide the laminate.例文帳に追加

１回の塗布プロセスにより積層体を形成する塗布方式であり、層間の密着性に極めて優れる積層体を簡便かつ生産性良く製造する方法、及び積層体を提供する。 - 特許庁

A second conductive barrier layer 20 adopts such structure that a metallic layer 7, a metallic alloy layer 8, and a metallic 9 are stacked order when viewed from a first copper wiring 2 and an interlayer insulating layer 5.例文帳に追加

第２の導電性バリア層２０を、第１の銅配線２や層間絶縁層５から見て順に、金属層７、金属化合物層８、金属層９が積層された構造を採用している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of aligning a dicing blade when carrying out a dicing operation later, even if scribe lines are irradiated with a laser beam so as to remove an interlayer dielectric for prevention of chipping.例文帳に追加

チッピング防止のために、スクライブラインにレーザを照射して層間絶縁膜の除去を行っても、後のダイシング時に、ダイシングブレードのアライメントが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property in a wide temperature range and excellent in protection of privacy such a way that the layer transmits light but prevents a person or an object at the back from being visible through the layer.例文帳に追加

幅広い温度範囲における遮音性に優れており、かつ、光は透過させるが背後にある人又は物体は視認できない、プライバシー保護に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device having a continuous flat surface of an interlayer insulating film in a display area and a surrounding area, and an electronic apparatus comprising the liquid crystal device.例文帳に追加

表示領域と周辺領域とにおいて層間絶縁膜の表面を連続した平坦面とすることができる液晶装置および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁

To provide techniques which separate transistor characteristics and characteristics of wiring load in a wiring system with high precision and evaluate characteristics of interlayer insulating films and the like considerably influencing the wiring load.例文帳に追加

トランジスタの特性と配線系における配線負荷の特性とを高精度で分離でき、配線負荷に大きな影響を及ぼす層間絶縁膜等の特性を評価できる技術を提供することである。 - 特許庁

To provide a rubber-coated roller with surface smoothness and improved interlayer adhesion in which a silicone rubber layer and a fluororubber coat are formed in this order on a roller base material.例文帳に追加

ローラ基材上にシリコーンゴム層とフッ素ゴム被膜とがこの順に形成されているゴム被覆ローラであって、表面平滑性と層間接着性が改善されたゴム被覆ローラを提供すること。 - 特許庁

A first insulating barrier film 203 is deposited on an interlayer insulating film 202 formed on a semiconductor substrate 201, and a first wiring groove 204a and a second wiring groove 204b are formed.例文帳に追加

半導体基板２０１上に形成された層間絶縁膜２０２上に第１の絶縁性バリア膜２０３を堆積し、第１の配線溝２０４ａ及び第２の配線溝２０４ｂを形成する。 - 特許庁

The electron beams are radiated to an interlayer insulating film F on the substrate W in such a state that the values of the distance D, the moving speed and the current are adjusted to the values corresponding to each substrate W.例文帳に追加

このように距離Ｄ、移動速度および電流値が基板Ｗに対応して調整された状態で電子ビーム照射が基板Ｗ上の層間絶縁膜Ｆに対して行われる。 - 特許庁

A ZrB target is sputtered with an Ar gas, and a common first metal cap layer 16 principally containing ZrBx (x=0.5-4.0) is laminated on a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13.例文帳に追加

ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁

At the pad, the barrier metal layers 40a and 40c are removed corresponding to a pad opening part 60, and the bottom surface of the pad part positioned under the pad opening part is in direct and close contact with the interlayer insulation layer 26.例文帳に追加

パッド部では、バリアメタル層４０ａ、４０ｃがパッド開口部６０に対応して除去され、パッド開口部下方に位置するパッド部の底面は、層間絶縁層２６に直接密着する。 - 特許庁

Specifically, the metal pad PAD is provided on the dummy pattern forbidden region PROH, wherein the metal pad is connected to the semiconductor device circuits through the interlayer dielectric layers IL and has an electrically connected region to an outside.例文帳に追加

すなわち、ダミーパターン禁止領域ＰＲＯＨ上に層間絶縁膜ＩＬを介して半導体素子回路に繋がり外部との電気的接続領域を有する金属パッドＰＡＤが設けられている。 - 特許庁

Inside a connection hole 16 formed on an interlayer insulation film 12 on a lower layer wiring layer 11, the barrier layer of high-melting point metal and the contact plug 17 of the high-melting point metal through the barrier layer are embedded.例文帳に追加

下層配線層１１上の層間絶縁膜１２に形成された接続穴１６の内部に、高融点金属のバリア層と該バリヤ層を介して高融点金属のコンタクトプラグ１７を埋設する。 - 特許庁

To alleviate a deflection of an interlayer insulating film caused by an external force (load or the like) when a semiconductor integrated circuit device is mounted (at bonding) so as to protect a protective film against fissures caused by the deflection of the insulating film.例文帳に追加

半導体集積回路装置の実装時（ボンディング時）にかかる外力（荷重等）により生じる層間絶縁膜の撓みを軽減させることで、その撓みに起因した保護膜の亀裂を抑制する。 - 特許庁

Thus, the generation of the peeling of the intermediate film 3 and the inorganic glass plates 2, the clouding of the interlayer or the like in an exposure procedure can be suppressed with a simple constitution without damaging the appearance.例文帳に追加

従って、外観を損ねることなく、かつ、簡単な構成で、露出施工において、中間膜３と無機ガラス板２との剥離や、中間膜の白濁等の発生を抑制することができる。 - 特許庁

To obtain a composition for forming a film, as a material for the interlayer insulating film in semiconductor devices, which can make a coating film that has low dielectric property and excels in crack resistance, elastic modulus of film, and adhesiveness to a substrate.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、低誘電性、クラック耐性、塗膜弾性率、基板との密着性に優れた塗膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。 - 特許庁

Next, each connective hole 107 reaching each lower-layer wiring 102 is formed in the second interlayer insulating film 105 and the insulating barrier film 103, and each wiring groove 108 reaching each connective hole 107 is formed.例文帳に追加

次に、第２の層間絶縁膜１０５及び絶縁性バリア膜１０３に下層配線１０２に達する接続孔１０７を形成し、接続孔１０７に達する配線溝１０８を形成する。 - 特許庁

The cross electrode 36 is connected to electrode wirings 37a and 37b located below through a through-hole provided to an interlayer insulating film 35 of polyimide resin, so that a cross wiring consisting of the wirings 37a and 37c and an electrode wiring 37b can be realized.例文帳に追加

ポリイミド系樹脂からなる層間絶縁膜３５のスルーホールを介して交差電極が下の電極配線３７ａ、３７ｃと接続して、電極配線３７ｂとの交差配線を可能とする。 - 特許庁