interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
In an interlayer insulating film 11 formed on a semiconductor substrate, electrical via connection regions 121, 122 related to an unshown lower wiring layer or elements are formed.例文帳に追加
半導体基板上に設けられた層間絶縁膜11中に、図示しない下層の配線層または素子に関係する電気的なビア接続領域121、122が形成されている。 - 特許庁
A via hole 60 is provided by forming a through-through 48 in an interlayer resin-insulating layer 50 and precipitating an electroless plating film 52 and an electroplating film 53.例文帳に追加
バイアホール60は、層間樹脂絶縁層50に貫通孔48を穿設し、該貫通孔48に無電解めっき膜52及び電解めっき膜56を析出させることにより形成してある。 - 特許庁
To minimize deterioration in electric characteristics of a ferroelectric film to be generated in a heat treatment when a conductive film is formed on an interlayer insulation film coating a structure containing the ferroelectric film.例文帳に追加
強誘電体膜を含む構造を覆う層間絶縁膜上に導電性膜を形成する際の熱処理において生じる、強誘電体膜の電気特性の劣化を最小化する。 - 特許庁
To provide a composite membrane for an oil-immersed transformer conservator which has a high peel strength between an interlayer consisting of an EVOH film or the like and a nylon cloth layer and is excellent in a durability.例文帳に追加
EVOHフィルム等からなる中間層と、ナイロン布層との間の剥離強度が高く耐久性に優れている油入変圧器コンサベータ用複合膜を提供する。 - 特許庁
Processing of a conductive film 13 to be a capacitor lower electrode is performed in a state that the conductive film 13 is supported by an interlayer insulating film 10, a conductive film 11 and a dielectric film 12.例文帳に追加
キャパシタ下部電極となる導電性膜13は、層間絶縁膜10、導電性膜11および誘電体膜12に支持された状態で、その処理が実行される。 - 特許庁
To provide a glass load receiving structure of vertical band windows capable of following the great interlayer displacement of a building even though a horizontal joint between upper and lower glass panes can be made even narrower (slenderer).例文帳に追加
上下のガラス間の横目地をさらに狭く(細く)できるにも関わらず、建物の大きな層間変位に追従できる縦連続窓のガラス荷重受け構造を提供する。 - 特許庁
The interlayer film may includes the light-transmissive chromatic color resin layer and a light-blocking layer, and the light-blocking layer may be used as a film having a function of attenuating the intensity of transmitted visible light.例文帳に追加
また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 - 特許庁
A hard pad is employed and slurry containing silica 5 treated to have a hydrophobic surface is used as the repair component of an interlayer insulation film 2 in which a Cu wire 4 is buried.例文帳に追加
ハードパッドを用い、かつCu配線4が埋め込まれる層間絶縁膜2の修復成分として、表面が疎水性になるように処理されたシリカ5を含むスラリを使用する。 - 特許庁
In this way, an aspect ratio of the depth of a contact trench 11 plus the thickness of the interlayer insulating film 10 to the opening width of the contact hole 10a is made smaller than that in a conventional manufacturing method.例文帳に追加
これにより、コンタクトホール10aの開口幅に対するコンタクト用トレンチ11の深さ+層間絶縁膜10の厚みで規定されるアスペクト比が従来と比較して小さくなる。 - 特許庁
To enable generation of a light receiving signal required for tracking control without being influenced by interlayer stray light, even if an optical disk has many recording layers, and lens shifting occurs.例文帳に追加
光ディスクが多数の記録層を有しレンズシフトが発生したときにも層間迷光による影響を受けずにトラッキング制御に必要な受光信号を生成できるようにする。 - 特許庁
Then, the insulating film 2 including the silicon wafer 1 outside the transparent substrate 20 and a protection film 18, a gate insulating film 9, an interlayer insulation film 11, and a protection film 17 are cut and eliminated.例文帳に追加
次に、透明基板20の外側におけるシリコンウエハ1及び保護膜18を含む絶縁膜2、ゲート絶縁膜9、層間絶縁膜11及び保護膜17を切断して除去する。 - 特許庁
An interlayer dielectric film 16, wiring layers 18-24, a silicon oxide film 26, a silicon nitride film 28, a silicon oxide film 30, and wiring layers 32-36 are sequentially formed on the upper surface of the substrate.例文帳に追加
基板上面に層間絶縁膜16、配線層18〜24、シリコン酸化膜26、シリコン窒化膜28、シリコン酸化膜30及び配線層32〜36を順次に形成する。 - 特許庁
Next, wiring 18 and a bonding pad 19 are formed on the interlayer insulating film 8, and a passivation film 20 is formed to form an opening 21 to expose an aluminium layer 16.例文帳に追加
次に、層間絶縁膜8上に配線18及びボンディングパッド19を形成し、パッシベーション膜20を成膜し、開口部21を形成してアルミニウム層16を露出させる。 - 特許庁
The upper wiring 2 and the different layer wiring 3 are formed adjacent to each other, and the interlayer insulating film 4 is interposed between the adjacent wirings 2 and 3.例文帳に追加
上層配線2と異層の配線3とは隣り合うように形成されており、異層の配線3は隣り合う上層配線2との間に層間絶縁膜4を挟んで形成されている。 - 特許庁
Furthermore, when second and third interlayer insulation films 20, 30 are formed, the film formation temperature of plasma TEOS layers 23, 33 and the temperature of HDP layers 22, 32 at that time are made the same.例文帳に追加
さらに、第2および第3の層間絶縁膜20,30形成の際に、プラズマTEOS層23,33の成膜温度とそのときのHDP層22,32の温度とを同一にする。 - 特許庁
Moreover, a side wall 314 composed of the same material as the lower electrode 311 is formed in the region contacting the fourth interlayer film 308 in the side of the upper electrode 313.例文帳に追加
また、上部電極313の側面で第4の層間膜308と接する領域に下部電極311と同じ材料で構成されるサイドウォール314が形成されている。 - 特許庁
On a substrate provided with a capacitor lower part interlayer insulation film 1 and a plug 3, a line pattern by an electrode forming material 6 which reaches the plug 3 is formed by using a damascene process.例文帳に追加
まずキャパシタ下部層間絶縁膜1およびプラグ3を備える基板上に、ダマシンプロセスを用いてプラグ3まで達する電極形成材料6によるラインパターンを形成する。 - 特許庁
The electro-optic device has a layered structure comprising scanning lines 3, data lines 6, TFTs 30 and pixel electrodes 9 and various kinds of interlayer insulating films (51, 52, 53, 61, 62, 80) appropriately arranged among these elements.例文帳に追加
電気光学装置は、走査線3、データ線6、TFT30及び画素電極9と、これらの間に適宜配された各種の層間絶縁膜(51,52,53,61,62,80)からなる積層構造物を備える。 - 特許庁
Then the 1st metal film 7 formed on the 1st insulating film 4 is polished away by the CMP process, to form an interlayer connection plug 7a only in the opening part 6.例文帳に追加
その後、CMP処理により第1の絶縁膜4上に形成されている第1の金属膜7を研磨除去して、開口部6内のみに層間接続プラグ7aを形成する。 - 特許庁
At least a laminate of a gate insulation film 6 and a gate electrode 7, and an active region 13 are formed on a silicon substrate and then an underlying interlayer insulating film 10 is also formed.例文帳に追加
シリコン基板上に、ゲート絶縁膜6及びゲート電極7の積層体と、活性領域13とを少なくとも形成し、更に下地層間絶縁膜10を形成する。 - 特許庁
On an interlayer insulation film 14, a second electrode interconnection 20 is so formed as to be extended in a prescribed direction Y crossing the extended direction of the first electrode interconnection 12.例文帳に追加
層間絶縁膜14上において第1電極配線12の伸長方向と交差する所定方向Yに伸長するように第2電極配線20が設けられている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which removes an effect to an alignment mark of CMP of an interlayer dielectric film surface, and can accurately and securely carry out the detection of alignment mark.例文帳に追加
層間絶縁膜表面のCMPのアライメントマークへの影響を排除し、アライメントマークの検出を精度良く確実に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device for accumulating an interlayer insulating film having no film nonuniformity on a base film by removing organic materials deposited on the surface of the base film.例文帳に追加
下地膜表面に付着している有機物を除去することにより、該下地膜上に膜ムラのない層間絶縁膜を堆積できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The first metal layers 27, 28 have parts connected to the second metal layers 21, 22 at a pixel part and provided on the interlayer insulation film 25 whose edge is planarized.例文帳に追加
第1の金属層27、28は、画素部において第2の金属層21、22と接続された部分を有しかつその端部が平坦化された層間絶縁膜25上に設けられる。 - 特許庁
To form a small hole exceeding the limit in a photoengraving on an antireflection film in a manufacturing method of a semiconductor device which has a microscopic hole penetrating an interlayer insulating film.例文帳に追加
本発明は層間絶縁膜を貫通する微細なホールを有する半導体装置の製造方法に関し、写真製版の限界を超える小さなホールを形成することを目的とする。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device having a relatively thick film thickness of an interlayer insulating film and a constitution capable of suppressing an occurrence of an increase or a disconnection in the contact resistance.例文帳に追加
層間絶縁膜の膜厚が比較的厚い構成を有する半導体記憶装置において、コンタクト抵抗の上昇又は断線の発生を抑制可能な構造を提供する。 - 特許庁
And the side of the via 78a is made to be recovered from a damage caused by the etching treatment by processing the side of the via 78a formed in the interlayer insulating film 74 by this etching treatment with a silylation treatment.例文帳に追加
このエッチング処理によって層間絶縁膜74に形成されたビア78aの側面部をシリル化処理し、ビア78aの側面部をエッチング処理によるダメージから回復させる。 - 特許庁
To provide an SiOC film and a method of forming an SiOC film capable of forming the SiOC film capable of being preferably used as an interlayer insulating layer between sets of wiring.例文帳に追加
配線間に層間絶縁層として好適に用いることができるSiOC膜の形成することができるSiOC膜の形成方法およびSiOC膜を提供することにある。 - 特許庁
An interlayer insulating film is formed on a substrate 1 with lamination structure that pinches an SiO_2 film 3 as a protection film between an organic film 2 and an SiOC-based film 4 as a low dielectric constant film.例文帳に追加
低誘電率膜である有機膜2とSiOC系膜4との間に、保護膜としてSiO_2膜3を挟持してなる積層構造の層間絶縁膜を、基板1上に形成する。 - 特許庁
Moreover, in the interlayer 102 there are formed plural trenches similarly as the n-type layer 103, and there is formed a p-type layer 104 consisting of a p-type Si so as to bury the trenches.例文帳に追加
また、中間層102には、N型層103と同様に複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるように、P型SiからなるP型層104が形成されている。 - 特許庁
At a unit pixel, an amplification transistor 26 and a selecting transistor 28 are superposed on a reading transistor 24 and a reset transistor 22 through an interlayer insulating film 37.例文帳に追加
単位画素部において、増幅トランジスタ26および選択トランジスタ28を、層間絶縁膜37を介して読み出しトランジスタ24およびリセットトランジスタ22の上に重ねて配置している。 - 特許庁
To provide a hydraulic hose which allows the interlayer thickness between spiral reinforcing layers to be thinned, and which is extremely advantageous in the enhancement of strength as a structure of a hose and excellent in heat resistance.例文帳に追加
スパイラル補強層相互の層間の薄肉化を図れ、ホースの構造体としての強度を高める上で極めて有利となり、しかも、耐熱性に優れる油圧ホースを提供すること。 - 特許庁
To provide a method for producing laminated glass, which can improve the strength of the laminated body even after the formation of a laminated body in such a manner that an interlayer is held between a plurality of glass sheets.例文帳に追加
複数枚のガラス間に中間膜を挟んで積層体を形成した後であっても、該積層体の強度を向上させることが可能な合わせガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁
A first insulating film (an interlayer dielectric II) is formed on the element and in the trench DTR to cover the element and form a hollow space in the trench DTR, respectively.例文帳に追加
上記素子上を覆うように、かつ溝DTR内に中空を形成するように素子上および溝DTR内に第1の絶縁膜(層間絶縁膜II)が形成される。 - 特許庁
To provide a wiring board that has interlayer connection by a via hole conductor having high reliability of electric connection, and meets the need for a Pb-free feature.例文帳に追加
電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Pbフリーのニーズに対応することができる配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a touch panel member including an interlayer insulation film excellent in surface hardness and heat resistance, and/or a resin layer such as a surface protection layer, and a touch panel using the touch panel member.例文帳に追加
表面硬度および耐熱性に優れる層間絶縁膜および/または表面保護層などの樹脂層を備えるタッチパネル部材、および該タッチパネル部材を用いたタッチパネルを提供する。 - 特許庁
In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加
一方、スクライブ領域3においては、第3層間絶縁膜27表面とパッシベーション膜33との間には、下配線25に接続されるキャップメタル層32が形成されている。 - 特許庁
To provide a transparent conductive film which can prevent yellowing under high temperature and high humidity, and further, has a high interlayer adhesion under alkaline condition, a touch panel which uses film, and to provide an electronic apparatus.例文帳に追加
高温高湿下での黄変を防止できる上、アルカリ性条件下での層間密着性が高い透明導電性フィルム、並びにこれを用いたタッチパネル及び電子機器を提供する。 - 特許庁
On a semiconductor substrate 10, first and second resistance layers 12A, 12B linearly extending so as to be adjacent to each other are formed, and an interlayer insulating film 13 for covering the layers is formed.例文帳に追加
半導体基板10上に、互いに隣接して線状に延びる第1及び第2の抵抗層12A,12Bが形成され、それらを覆って、層間絶縁膜13が形成されている。 - 特許庁
To prevent an increase in electrode resistance, current leak, etc., without making interlayer capacity large even if electrodes formed on different substrates are misaligned when joined together.例文帳に追加
異なる基板に形成された電極同士を接合する場合、合わせずれが発生しても、電極抵抗の上昇や電流リーク等の発生を、層間容量を大きくせず防止する。 - 特許庁
To provide a polysiloxane based positive radiation sensitive composition which can form an interlayer insulation film having superior radiation sensitivity melt flow-proofness, high heat resistance, transparency or the like.例文帳に追加
放射線感度及び耐メルトフロー性が優れると共に、高い耐熱性、透明性等を有する層間絶縁膜を形成可能なポリシロキサン系ポジ型感放射線性組成物の提供。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that suppress an influence of a fixed charge in an interlayer film formed between memory cells on a rectifier element, and further prevent wiring and electrodes from oxidizing.例文帳に追加
メモリセル間に形成される層間膜中の固定電荷による整流素子への影響を抑制でき、さらに配線及び電極の酸化を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device that can be improved in yield by eliminating a step of an interlayer insulating film formed between a memory cell array region and a peripheral circuit region.例文帳に追加
メモリセルアレイ領域と周辺回路領域との間に生じる層間絶縁膜の段差を解消し、歩留まりの向上を図ることができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a seal tape which prevents a dimming layer from being deteriorated by an interlayer including a plasticizer and can improve workability when manufacturing the dimming structure.例文帳に追加
可塑剤を含む中間膜による調光層の劣化を防止すると共に、調光構造体を製造するうえで作業性を向上することができる封止テープを提供する。 - 特許庁
To provide a multilayer wiring substrate subjected to interlayer connection by a via hole conductor having high reliability of electrical connection, and capable of responding to the Pb-free need.例文帳に追加
電気的接続の高い信頼性を有するビアホール導体により層間接続された、Pbフリーのニーズに対応することができる多層配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass which is excellent in sound insulation property in a wide range of temperature and prevents an instrument display from being seen doubly when being used for a head-up display.例文帳に追加
広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、ヘッドアップディスプレイに用いたときに計器表示が二重に見えるのを防止することができる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide an interlayer for laminated glass, excellent in sound insulating property even in a wide temperature range, excellent in deaerating property in a preliminary press-bonding step and suppressing foaming failure.例文帳に追加
広い温度範囲においても遮音性に優れ、かつ、予備圧着工程における脱気性に優れ発泡不良の発生を抑制できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁
To provide an exfoliation detection device of composite material capable of detecting the position and the size of interlayer exfoliation generated in the composite material, and an exfoliation detection method using the device.例文帳に追加
複合材料に発生する層間剥離の位置と大きさを検出することができる複合材料の剥離検出装置およびそれを用いた剥離検出方法を提供する。 - 特許庁
The interlayer conduction portion 23 has an external shape of a truncated cone with its peak portion cut (refer to Fig.1(b)), and a sectional shape of a trapezoid along a thickness direction T (refer to Fig.1(a)).例文帳に追加
層間導通部23は、その外形が、頂部を切り取った円錐形状であり(図1(b)参照)、厚さ方向Tに沿った断面形状は台形を成している(図1(a)参照)。 - 特許庁
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