「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

On a main surface of the semiconductor substrate SUB, an uppermost wiring layer AL3 and a first interlayer insulation film II4 on the uppermost wiring layer AL3 are formed.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面上には最上層配線ＡＬ３と、最上層配線ＡＬ３上の第１の層間絶縁膜ＩＩ４とが形成される。 - 特許庁

The first interlayer insulation film 140 is utilized not only as a patterning mask but also as a barrier for forming a gate electrode 160 by ink jet method.例文帳に追加

この第１層間絶縁膜１４０をパターニング用のマスクとして利用するだけでなく、インクジェット法を用いてゲート電極１６０を形成するための隔壁として利用する。 - 特許庁

The interlayer insulating film IL is an insulating film that is mainly made of silicon oxide, wherein especially the second insulating film IL2 contains phosphorus and boron, while the third insulating film IL3 contains phosphorus.例文帳に追加

層間絶縁膜ＩＬは酸化シリコンを主体とする絶縁膜であり、特に、第２絶縁膜ＩＬ２はリンおよびホウ素を含み、第３絶縁膜ＩＬ３はリンを含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multilayer printed wiring board capable of easily removing an interlayer adhesive layer and an outer layer base corresponding to a lead pattern portion with high precision.例文帳に追加

リードパターン部に対応する層間接着剤層および外層基材を容易に精度良く除去することが可能な多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a photo-resist is re-formed without exposing the second and third low permittivity interlayer insulating films 7 and 9, an abnormal form being hard to take place at the connection hole.例文帳に追加

こうすれば、第２および第３の低誘電率層間絶縁膜７，９を露出させずにフォトレジストの再形成が行え、接続孔に形状の異常が発生しにくい。 - 特許庁

The laminated glass has an interlayer film having a transmittance T_400 of ≤15% and has optical characteristics wherein the transmittance T_400 is ≤10% and the visible light transmittance is ≥70%.例文帳に追加

透過率Ｔ_４００が１５％以下の中間膜を有し、透過率Ｔ_４００が１０％以下、可視光透過率が７０％以上の光学特性を有する。 - 特許庁

After an interlayer short circuit 9 or 9' is detected, first and second bypass wiring patterns 61, 62 are formed by laser CVD and cut portions 65, 66, 67 on lines are formed by laser cutting.例文帳に追加

層間短絡部９ないし９’の検出後、レーザーＣＶＤによる第１及び第２バイパス配線６１，６２と、レーザーカットによる断線部６５，６６，６７とを設ける。 - 特許庁

To achieve a method of manufacturing a multilayer printed wiring board which exhibits superior reliability of connection between an interlayer resin insulating layer and a conductor circuit, without using a heavy metal.例文帳に追加

重金属を用いることなく層間樹脂絶縁層と導体回路との接続信頼性に優れた多層プリント配線板の製造する方法を提案する。 - 特許庁

Next, using this photoresist layer PR as a mask and the gas of the phlorocarbon system as the etching gas, the plasma etching is executed to the interlayer insulating film 10 to form a micro-lens 11.例文帳に追加

次に、このホトレジスト層ＰＲをマスクとして、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして用いて、層間絶縁膜１０のプラズマエッチングを行い、マイクロレンズ１１を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic device having an interlayer insulating film of a low dielectric constant containing an organic thin film having a relative dielectric constant of 2.0-2.4.例文帳に追加

比誘電率２．０〜２．４である有機物薄膜を含む低誘電率層間絶縁膜を有する電子装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An etching stopper layer 54a superposed on the end of the second electrode 53a across the whole circumference is provided at the interlayer between the first electrode 51a and the second electrode 53a.例文帳に追加

第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can shorten the etching time for forming a via hole in an interlayer insulation film and which can hardly crack.例文帳に追加

層間絶縁膜に対しビアホール形成のために行うエッチングの時間を短縮することができるとともにクラックが入りにくくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The flexible printed wiring board 1 has constitution wherein an interlayer connection 6 is formed of a complex of solder 7a and metal particles 7b included in the solder 7a.例文帳に追加

本発明のフレキシブルプリント配線板１は、層間接続部６が半田７ａと半田７ａに内包された金属粒子７ｂとの複合体で形成された構成を有する。 - 特許庁

The interlayer film has an insulator film provided on the gate electrode and a conductive film provided on the insulator film and is embedded in the upper part of the gate trench.例文帳に追加

層間膜は、ゲート電極の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の上に設けられた導電性を有する膜とを有し、ゲートトレンチの上部に埋め込まれている。 - 特許庁

Consequently, after its treatment, the copper foil and an interlayer insulating layer under it are worked by a laser machining operation with satisfactory working efficiency, and the satisfactory via hole is formed.例文帳に追加

したがって，処理後に，レーザ加工によりその銅箔およびその下の層間絶縁層を加工する際の加工効率がよく，良好なビアホールが形成される。 - 特許庁

To suppress the film peeling caused by a test-use semiconductor device provided on a dicing line in a semiconductor apparatus using a Low-k insulating film as an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いた半導体装置でのダイシングライン上に設けられたテスト用半導体素子起因の膜ハガレを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method for simultaneously depositing and forming an AlCu plug filling a connection hole and an AlCu wiring formed on an interlayer insulating film.例文帳に追加

接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the surface of a semiconductor substrate 7 on which a transistor 3, and the like, are formed is coated with an interlayer insulation film 6, a lower electrode 11a for a capacitor is formed of ruthenium.例文帳に追加

トランジスタ３などが形成された半導体基板７の表面を層間絶縁膜６で覆った後、ルテニウムからなるキャパシタ用下部電極１１ａを形成する。 - 特許庁

When the cap layer 4 is projecting convexly from the surface position of the interlayer dielectric 9, the cap layer 4 is removed by CMP employing ceria based slurry.例文帳に追加

層間絶縁膜９の表面位置からキャップ層４が凸状に突き出ている場合には、セリア系スラリーを用いたＣＭＰ法によってキャップ層４は除去される。 - 特許庁

Insulating failures are also prevented by repeating the deposition of the metal oxide thin film and the oxidation processing of the surface to form the interlayer insulating film in a multilayer.例文帳に追加

また、金属酸化物薄膜の堆積と表面の酸化処理を繰り返し行って層間絶縁膜を多層化することによっても絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁

The second interlayer insulating film remaining in the second hole is selectively removed and the first diffusion prevention film positioned below the second hole is selectively removed.例文帳に追加

第２のホール内に残存する第２の層間絶縁膜を選択的に除去し、第２のホールの下方に位置する第１の拡散防止膜を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide laminated glass using an interlayer for sound insulation laminated with the three polyvinyl acetal layers where bubbles generated in a soft central layer existing very near a resin molding are suppressed.例文帳に追加

３層のポリビニルアセタール層を積層した遮音用中間膜を用いた合わせガラスでは、樹脂モールディングのごく近傍の柔らかい中央の層に気泡が発生する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method materializing integrated circuit wiring improved in secure embedding of an interlayer insulating film and in stress migration resistance of the same.例文帳に追加

層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sheetlike material has a coating film layer on a fibrous substrate in which the coating film layer comprises a polyurethane resin and a phosphorus-containing graphite interlayer compound.例文帳に追加

繊維質基材上に皮膜層を有するシート状物であって、皮膜層がポリウレタン樹脂とリンを含有するグラファイト層間化合物とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Gate signal lines 203 and source signal lines 204 are partly overlapped with pixel electrodes through an interlayer insulating film consisting of an org. material formed on the pixel electrodes.例文帳に追加

ゲート信号線２０３およびソース信号線２０４がその上に設けられた有機材料からなる層間絶縁膜を間に介して画素電極と一部重なっている。 - 特許庁

To provide a fluorine-containing elastomer for lamination of adhesive-coated metal in which interlayer adhesiveness to metal enabling direct lamination to metal is improved.例文帳に追加

金属に対して直接積層が可能であるという金属に対する層間接着性を改善せしめた接着剤塗布金属積層用含フッ素エラストマーを提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113.例文帳に追加

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。 - 特許庁

The multilayer circuit board is arranged such that a conductive pattern 3 or interlayer connectors are disposed between insulating layers that constitute a multilayer, with a semiconductor bare chip 5 being embedded therein.例文帳に追加

多層配線基板を、多層の絶縁層間に導体パターン３や層間接続部を設けて構成すると共に、半導体ベアチップ５を埋込まれた形態で設けて構成する。 - 特許庁

An insulating hydrogen anti-permeation film 116 is formed to cover the capacitor element 114, the conductive hydrogen anti-permeation film 115 and the first interlayer insulation film 106.例文帳に追加

容量素子１１４、導電性水素透過防止膜１１５及び第１の層間絶縁膜１０６を覆うように絶縁性水素透過防止膜１１６が形成されている。 - 特許庁

Interlayer insulation films 5, 7 (insulation coating) lying in a memory capacitor cell 8 are formed between a gate electrode 3 and an opposite electrode 8C installed on a silicone wafer 1.例文帳に追加

メモリキャパシタセル８に備わる層間絶縁膜５，７（絶縁被膜）は、シリコンウェハ１上に設けられたゲート電極３と対向電極８Ｃとの間に形成されたものである。 - 特許庁

To prevent increase of circuit area and power consumption by performing focal point detection (focus pull-in) processing of laser spot or interlayer movement (focus jump) processing with high sampling.例文帳に追加

レーザースポットの合焦点検出（フォーカス引き込み）処理、あるいは層間移動（フォーカスジャンプ）処理を高いサンプリングで行い、かつ回路の面積増加、消費電力の増加を防ぐ。 - 特許庁

The variation of the misalignment amounts of an interlayer pattern is monitored from the occurring amounts of defects in the misalignment amounts of a plurality of test patterns having different misalignment amounts.例文帳に追加

異なる合わせずれ量を持った複数のテストパターンのそれぞれの合わせずれ量に対する欠陥の発生量から層間パターンの合わせずれ量の変動をモニタする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of semiconductor device for easily manufacturing semiconductor device wherein the interlayer insulating film of a certain film held between multilayer wires includes thinner portions.例文帳に追加

多層配線に挟まれたある層の層間絶縁膜が厚薄各部分を有する半導体装置を容易に製造可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor package multilayer board having a highly reliable interlayer connection between wiring layers which is excellent in productivity and economical efficiency.例文帳に追加

層間の接続信頼性が高く、生産性、経済性に優れる配線層間の層間接続を有する半導体パッケージ多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A boundary face 18a between the nickel silicide film 18 and the contact plug 21 is higher than a boundary face 10a between the semiconductor substrate 10 and the interlayer insulator film 11.例文帳に追加

このニッケルシリサイド膜１８は、ニッケルシリサイド膜１８とコンタクトプラグ２１の界面１８ａが半導体基板１０と層間絶縁膜１１の界面１０ａより高い。 - 特許庁

A second hydrogen barrier film 11 is formed on the interlayer film 15, and further, a second insulating film 12 is formed on the second hydrogen barrier film 11.例文帳に追加

層間膜１５の上には、第２の水素バリア膜１１が形成されており、さらに第２の水素バリア膜１１の上に第２の絶縁膜１２が形成されている。 - 特許庁

The TiN/Ti film 10 is formed on the wafer 1, and by fixing the wafer 1 using the shadow ring 11, a tungsten film 12 is formed on the interlayer insulating film 8.例文帳に追加

そして、ウェハ１上にＴｉＮ／Ｔｉ膜１０を形成し、シャドーリング１１を用いてウェハ１を抑え、層間絶縁膜８上にタングステン膜１２を形成する。 - 特許庁

A copper seed film 4 containing a copper and a first metal element is formed in a groove 2 formed in a first interlayer film 1 over a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明では、半導体基板上の第一層間膜１内に形成された溝２内に、銅と第一金属元素とを含有する銅シード膜４を形成する。 - 特許庁

The material contains inorganic fine particles obtained by hydrolyzing a metal alkoxide and being present as a dispersing phase in a continuous phase and an interlayer-peeled laminar compound.例文帳に追加

連続相中に分散相として存在し金属アルコキシドを加水分解することによって得られた無機微粒子と、層間剥離させた層状化合物とを含有する。 - 特許庁

To provide a polyester film coping with various problems occurring in reducing wire thickness and increasing density, and is suitable for a supporting film for interlayer insulating material.例文帳に追加

配線の微細化および高密度化において発生する種々の問題に対応することができ、層間絶縁材料用支持フィルムとして好適なポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

Hereby, fluorine is bonded to the hydrogen and is discharged as hydrogen fluoride even in a case where the fluorine is mixed into the insulating film 12 or the interlayer insulating film 41.例文帳に追加

このため、絶縁膜１２や層間絶縁膜４１にフッ素が混入していた場合でも、かかるフッ素は、水素と結合してフッ化水素として放出される。 - 特許庁

To provide a porous interlayer dielectric film forming large holes without enlarging the diameter of a ring of cyclic siloxane used as a raw material and without using a hole forming agent.例文帳に追加

原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

At least one capacitor trench region is arranged through the metal interlayer insulating film to expose the second capping film on the lower metal electrode.例文帳に追加

前記金属層間絶縁膜を貫いて少なくとも一つのキャパシタトレンチ領域が配置され、前記下部金属電極上の前記第２キャッピング膜を露出させる。 - 特許庁

A gate electrode 6 is formed on the islandlike silicon layer 4 with an insulating film 5 interposed between them, and an interlayer insulating film 7 is formed to cover the gate electrode 6.例文帳に追加

島状シリコン層４上に絶縁膜５を介在させてゲート電極６が形成され、そのゲート電極６を覆うように層間絶縁膜７が形成されている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor memory device comprises a gate stack which has a tunnel oxide film, a floating gate, an interlayer insulating film, and a control gate sequentially formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にトンネル酸化膜、フローティングゲート、層間絶縁膜及びコントロールゲートが順次に形成されたゲートスタックを含む不揮発性半導体メモリ素子である。 - 特許庁