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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > interlayerの意味・解説 > interlayerに関連した英語例文

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interlayerを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 6425



例文

A photoresist 5 having a patter whose upward of a planned area forming copper wiring is opened is formed on the second interlayer insulation film 4.例文帳に追加

次に、銅配線が形成される予定の領域の上方が開口したパターンを有するフォトレジスト5を、第2の層間絶縁膜4上に形成する。 - 特許庁

To provide a heat treatment method and heat treatment equipment capable of obtaining an interlayer insulating film of low permittivity at a low heat treatment temperature.例文帳に追加

熱処理温度の低い熱処理により低誘電率の層間絶縁膜を得ることができる熱処理方法及び熱処理装置を提供する。 - 特許庁

The continuous polymer layer reduces the interlayer peeling under the conditions especially improper environment so that the contact performance of the scintilator is improved.例文帳に追加

連続重合体層は、特に不都合な環境条件下における層間剥離を低減させることによってシンチレータの密着性を改善する。 - 特許庁

MULTILAYER WIRING BOARD, INTERLAYER SHORT CIRCUIT PREVENTING METHOD THEREOF MULTILAYER WIRING BOARD, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

多層配線基板の層間短絡防止方法および多層配線基板および多層配線基板の製造方法およびこれらを用いた電子機器 - 特許庁

例文

The method and apparatus allow improved control over individual layer thicknesses, layer thickness gradients, indices of refraction, interlayer adhesion, and surface characteristics of the optical film.例文帳に追加

方法および装置は、光学フィルムの個々の層厚さ、層厚さ勾配、屈折率、層間付着、および表面特性の調整を改善することを可能にする。 - 特許庁


例文

Plural wires 4 of respective sub-wire harnesses 3a, 3b, 3c are installed on respective insulation plates 7a, 7b, 7c for interlayer connection corresponding to every individual sub-wire harness.例文帳に追加

各サブワイヤハーネス3a,3b,3cの複数の電線4は、個々のサブワイヤハーネス毎に対応するそれぞれの層間接続用絶縁プレート7a,7b,7c上に並設される。 - 特許庁

An interlayer dielectric film 2 having a wiring hole 2a and an interline dielectric film 3 having a wiring trench 3a are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1上には、接続孔2aを有する層間絶縁膜2と、配線用溝3aを有する線間絶縁膜3とを形成している。 - 特許庁

A via hole formed on the interlayer insulation film 15 embeds a plug 21 comprising a titanium film 18, a titanium nitride film 19 and a tungsten film 20.例文帳に追加

層間絶縁膜15に形成されたヴィアホールには、チタン膜18、窒化チタン膜19及びタングステン膜20からなるプラグ21が埋め込まれている。 - 特許庁

A 3rd interlayer insulating film (43) positioned between the data line and pixel electrode has a smaller specific dielectric constant than a dielectric film (75) constituting the storage capacitor.例文帳に追加

このうちデータ線及び画素電極間に位置する第3層間絶縁膜(43)は、蓄積容量を構成する誘電体膜(75)の比誘電率よりも低い。 - 特許庁

例文

To provide a multilayer printed board whereof the manufacturing cost can be reduced by reducing the number of components and the interlayer connection reliability is high, and its manufacturing method.例文帳に追加

部品点数を少なくして製造コストの低減を図れると共に、層間接続信頼性が高い多層プリント基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a process for producing a multilayer wiring board in which holes and via holes for interlayer connection are made regardless of resin composition or curing conditions.例文帳に追加

樹脂組成や硬化条件に左右されず孔形成ならびに層間接続のためのビアホール形成を行う多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

On each of sidewalls SW facing at a butting part of gate electrodes G2 and G5, a liner insulation film 6 and an interlayer insulation film 7 are formed.例文帳に追加

ゲート電極G2およびG5間の突合わせ部において対向するサイドウォールSW上には、ライナー絶縁膜6と層間絶縁膜7が形成されている。 - 特許庁

To improve the resolution of lithography in a dual damascene process by reducing a reflectance of an antireflection film formed on an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜上に形成する反射防止膜の光反射率を低減することによって、デュアルダマシンプロセスにおけるリソグラフィの解像度を向上させる。 - 特許庁

Lower layer wiring 11 being an arbitrary metal wiring pattern and upper layer wiring 12 are formed in interlayer insulating films 10 (101, 102) in multilayer interconnection.例文帳に追加

多層配線における層間の絶縁膜10(101,102)中に任意の金属配線パターンである下層配線11、上層配線12が形成されている。 - 特許庁

On the gate signal wiring 25, there are further formed a source lead-out wiring 26 made of aluminum and a drain lead-out wiring 27 via the interlayer dielectric.例文帳に追加

ゲート信号配線25上に、さらに層間絶縁膜を介して、アルミニウム製のソース引き出し配線26およびドレイン引き出し配線27を形成する。 - 特許庁

A contact hole to be formed in an interlayer insulating film on the drain electrode is formed in the region, and electrically connected through the contact hole to a pixel electrode.例文帳に追加

ドレイン電極上の層間絶縁膜に形成するコンタクトホールを該領域に設け、該コンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続させる。 - 特許庁

The size of pin holes for removing interlayer crosstalk is made different for focus error signals and for tracking error signals (110, 111).例文帳に追加

層間クロストークを除去するピンホールの大きさをフォーカスエラー信号に関係するものとトラッキングエラー信号に関係するものとで異なる構成とする(110、111)。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between a gate electrode and other electrodes from being caused through an interlayer insulating film and also to reduce the contact resistance with a contact region.例文帳に追加

層間絶縁膜を通じてゲート電極と他の電極とが短絡することを防止すると共に、コンタクト領域とのコンタクト抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide an interlayer film for heat-shielding laminated glass, which has high heat-shielding property and weatherability and excellent visible light transmittance; and the laminated glass.例文帳に追加

高い遮熱性と耐候性とを有し、しかも、可視光線透過率にも優れる遮熱合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを提供する。 - 特許庁

ION CONDUCTIVE SHEET, LIGHT MODULATING SHEET, LIGHT MODULATING ELEMENT, INTERLAYER FOR LAMINATED GLASS, LAMINATED GLASS, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT MODULATING SHEET, AND METHOD FOR LIGHT MODULATING ELEMENT例文帳に追加

イオン伝導性シート、調光シート、調光体、合わせガラス用中間膜、合わせガラス、調光シートの製造方法、及び、調光体の製造方法 - 特許庁

The intermediate electrical connections, such as interlayer solder bumps, also may be positioned in order to minimize visible artifacts associated with tiling of the detector tiles.例文帳に追加

検出器タイルのタイル張りと関連する目に見えるアーティファクトを最小にするために、層間はんだバンプなどの中間電気接続部を使用しても良い。 - 特許庁

A third layer wire 17 and a bonding pad 71, both of which are made of aluminum alloys, are partially formed on a second interlayer insulating film 14.例文帳に追加

第2の層間絶縁膜14上には、いずれもアルミニウム合金から成る、第3層配線17及びボンディングパッド71が部分的に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element and its manufacturing method capable of efficiently preventing the diffusion of a metal for an interlayer connection of a semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の層間接続のための金属の拡散を効率よく防止できる半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the interlayer connecting electrodes 6 can be made en block, the time required for manufacture can be made a fixed and short one even in the case that the number of pieces is large.例文帳に追加

層間接続電極6を一括して形成できるので個数が多い場合でも、製造に要する時間を一定で短時間にすることができる。 - 特許庁

An interlayer dielectric 3, a diffusion barrier insulation film 4 and a Cu wiring 5 are layered in a plurality of layers on a Si substrate 2 in the multilayer wiring structure.例文帳に追加

Si基板2上に、層間絶縁膜3、拡散バリア絶縁膜4、およびCu配線5を複数層に積層して多層配線構造とする。 - 特許庁

After this, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with the alumina mask 32a as a mask to form the wiring groove.例文帳に追加

その後、アルミナマスク32aをマスクにしてキャップ絶縁膜31および層間絶縁膜30をドライエッチングすることにより、配線溝を形成する。 - 特許庁

An etching stopper layer 14 made of a material having an etching rate different from that of the epitaxial layer 3 is interposed between the gate electrode 8 and the interlayer dielectric 11.例文帳に追加

ゲート電極8と層間絶縁膜11との間には、エピタキシャル層3とはエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層14を介在させる。 - 特許庁

The interlayer insulating resin layer 12 interposed between the conductor layers is 20 μm to 100 μm in thickness and formed of organic material whose permittivity is 5 or below.例文帳に追加

導体層間に介在する層間絶縁樹脂層12は比誘電率が5以下の有機材料でその厚さが20μm以上、100μm以下である。 - 特許庁

After a MISFET is formed on the main surface of a semiconductor substrate, an interlayer insulating film is formed and a negative photoresist film is formed on the insulating film.例文帳に追加

半導体基板の主面上のMISFETを形成後、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜上にネガ型のフォトレジスト膜を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulating film is extended to the peripheral region of the display pixel region, and an electrode pattern 105 to adsorb ionic impurities is formed thereon in the peripheral region.例文帳に追加

層間絶縁膜は表示画素領域の外周領域まで延在し、その上にイオン性不純物吸着用の電極パターン105が設けられている。 - 特許庁

Thus, embedding wiring 23a containing a copper as a main component is formed on an interlayer insulating film constituted of an insulating material having a low permittivity.例文帳に追加

このようにして低誘電率な絶縁材料で構成される層間絶縁膜に、銅を主成分とする埋め込み配線23aを形成する。 - 特許庁

Thereby, Al can be prevented from reacting with an interlayer insulating film 11 and the short circuit between a gate electrode layer 8 and a source electrode 12 cannot be caused through.例文帳に追加

これにより、Alが層間絶縁膜11と反応するのを防止でき、ゲート電極層8とソース電極12が短絡してしまわないようにできる。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulation film pattern having a contact hole for exposing the semiconductor substrate of the CA while filling the gap between the gate patterns is formed.例文帳に追加

次いで、前記ゲートパターン間のギャップを埋込みつつ前記CAの半導体基板を露出させるコンタクトホールを有する層間絶縁膜パターンを形成する。 - 特許庁

The first hole 7 is formed from the second surface 1b of the semiconductor substrate 1 up to the middle of an interlayer insulating film 2 through the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1の第2面1bから半導体基板1を貫通して層間絶縁膜2の途中まで第1孔7が形成されている。 - 特許庁

To provide an excellent siloxane-based resin having solubility, fluidity, mechanical properties and a low dielectric constant, and to provide a semiconductor interlayer insulating film using the resin.例文帳に追加

溶解度、流動性、機械的物性及び低い誘電率を有する優れたシロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide an antireflection film comprising an optical multilayer film using titanium oxide for a high refractive index coating film and having sufficient film strength and interlayer adhesiveness.例文帳に追加

酸化チタンを高屈折率塗膜層に用いた光学多層膜から成る十分な膜強度と層間密着性を有する反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

A capacity element 1 formed on a first interlayer insulating film 6 formed on a semiconductor substrate 1 having a semiconductor active element 5.例文帳に追加

半導体能動素子5を有する半導体基板1上に形成された第1層間絶縁膜6の上には、容量素子15が形成されている。 - 特許庁

An Al plug 31 penetrating the interlayer dielectric 1 and coming into contact with both the lower layer Cu interconnect line 21 and the upper layer Cu interconnect line 41 is provided.例文帳に追加

層間絶縁膜1を貫通して下層Cu配線21と上層Cu配線41との双方に接触するAlプラグ31を設ける。 - 特許庁

The element such as a transistor, an interlayer insulating film, a wiring and a passivation film or the like are formed on the wafer 11 for forming the element for the laminated substrate 13.例文帳に追加

そして、貼合わせ基板13の素子形成用ウエハ11に、トランジスタ等の素子、層間絶縁膜、配線及びパッシベーション膜等を形成する。 - 特許庁

A second light shield film 39 of aluminum is formed at each of lower projection portions 38a in the OB region 14 among the lower projection portions 38a of the interlayer insulating film 38.例文帳に追加

この層間絶縁膜38の下凸部38aのうちOB領域14の下凸部38aに、アルミニウムの第2遮光膜39を形成する。 - 特許庁

To provide a two-ply simple napkin with the peripheral part embossed, which corresponds to various color needs at a low cost, and which is almost free from the occurrence of the interlayer peeling.例文帳に追加

低コストで、多様なカラーニーズに対応し、且つ層間剥離されにくい、周縁部をエンボス加工した2枚重ねの簡易ナプキンを提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition having excellent barrier properties, transparency, stretchability, flexibility, flexing resistance and interlayer adhesiveness and a barrier material composed of the composition.例文帳に追加

バリア性、透明性、延伸性、柔軟性、耐屈曲性及び層間接着性に優れる樹脂組成物及びそれからなるバリア材を提供すること。 - 特許庁

To provide an interlayer connection structure which enables various types of branch connections and joints, while the number of types of bus-bars used in a bus-bar layer is not increased.例文帳に追加

バスバー層に使用するバスバーの種類を増加させることなく、多種多様な分岐・ジョイント接続が可能な層間接続構造を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating layer is formed between one portion of the mutually isolated lines that are selected primarily, and one portion that is secondarily selected from other lines that are mutually isolated.例文帳に追加

1次選択された相互離隔されたラインの一部と他の相互離隔されたラインの2次選択される一部との間に層間絶縁層が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can prevent generation of voids in formation of an element isolation film or in formation of an interlayer dielectric.例文帳に追加

素子分離膜の形成時または層間絶縁膜の形成時にボイドの発生を防止することができるフラッシュメモリー素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second interlayer insulating films 107A and 107B are continuously formed in an identical manufacturing apparatus with their manufacturing conditions changed therebetween.例文帳に追加

また、第2層間絶縁膜107Aと107Bの製造方法は、同一製造装置内で作成条件のみを変更し、連続的に作成する。 - 特許庁

A conductive thin film 14 is deposited on a semiconductor substrate 11 and is patterned after a predetermined figure, then a first interlayer insulating film 13 is deposited on the thin film 14.例文帳に追加

半導体基板11上に導電性薄膜14を堆積し、所定形状にパターニングした後、第1層間絶縁膜13を堆積する。 - 特許庁

An interlayer member 20 has through-holes 23, each having a downside opening 23B diameter larger than an upside opening 23A diameter as a tapered inner wall.例文帳に追加

層間部材20において、スルーホール23は上面側の開口23Aよりも下面側の開口23Bの内径が大きいテーパ状とされている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device, which can achieve low-resistance and highly reliable interlayer connection through a microscopic and high aspect ratio connection hole.例文帳に追加

微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device capable of suppressing the exfoliation of an interlayer insulating film from the corner portion of a chip when dicing a wafer.例文帳に追加

ウェーハをダイシングした時にチップのコーナー部から層間絶縁膜が剥がれるのを抑制できる半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁




  
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