「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(58ページ目) - Weblio英語例文検索

When an interlayer insulation film 3 is made open to form a contact hole 4, a position detection groove 10 is formed and a planarization suppressing groove 20 is formed inside it (Fig. 2 (a)).例文帳に追加

層間絶縁膜３を開口してコンタクトホール４を形成する際、位置検出溝１０と、その内側に平坦化抑制溝２０とを形成する（図２（ａ））。 - 特許庁

An alignment layer 132 is disposed on a projecting and recessed surface constituted of e.g. the pixel electrode 128 having apertures 130 and an interlayer insulating film 126.例文帳に追加

配向膜１３２は、例えば開口１３０を有した画素電極１２８と層間絶縁膜１２６とによって構成された凹凸面上に配置されている。 - 特許庁

To suppress increase in the wiring capacitance due to the formation of a damage layer, when a low dielectric constant film is used as an interlayer dielectric to form a wiring trench.例文帳に追加

層間絶縁膜として低誘電率膜を用いて配線溝を形成する際のダメージ層の形成による配線間容量の増加を抑制する。 - 特許庁

A floating gate 21 is formed over the interlayer silicon oxide film 17, the field oxide film 3, and the gate oxide film 19 for a memory.例文帳に追加

層間シリコン酸化膜１７上、フィールド酸化膜３上及びメモリ用ゲート酸化膜１９上にわたってフローティングゲート２１が形成されている。 - 特許庁

To provide an interlayer for laminated glass preventing color fading and discoloration of goods etc., by transmitted ultraviolet ray while keeping the high transmissivity of visible light.例文帳に追加

高い可視光線透過率を保持しながら、透過紫外線による物品等の退色、変色を防止できる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

On the interlayer insulating film 13, a plurality of dummy metals 15 are formed, and a plasma nitride film 16 containing hydrogen ions is formed to cover the dummy metals.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上には、複数のダミーメタル１５が形成され、それらを覆って水素イオンを含むプラズマ窒化膜１６が形成されている。 - 特許庁

To suppress expansion of an opening of an interlayer insulating film covering a polysilicon layer to be removed by laser trimming in a semiconductor device having the polysilicon layer.例文帳に追加

レーザートリミングによって除去されるポリシリコン層を有した半導体装置において、ポリシリコン層を覆う層間絶縁膜の開口部の広がりを抑止する。 - 特許庁

In a plastic optical product, a seven-layer optical multilayer film 3 is formed directly or via an interlayer 2 on the surface of a plastic substrate 1.例文帳に追加

プラスチック光学製品において、プラスチック基材１の表面に、直接又は中間膜２を介して７層の光学多層膜３を形成する。 - 特許庁

To provide a laminate which comprises a poly(vinyl acetal)-containing layer and a hydrocarbon polymer-containing layer and has superior interlayer adhesion.例文帳に追加

ポリビニルアセタールを含む層と炭化水素系重合体を含む層との積層体であって、これら層間の接着性に優れる積層体を提供する。 - 特許庁

In each of a plurality of openings 5a formed in part of the interlayer insulation film 5 located inside of the guard ring 8, a columnar tungsten 7 is formed.例文帳に追加

ガードリング８の内側に位置する層間絶縁膜５の部分に形成された複数の開口部５ａのそれぞれに柱状タングステン７が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of preventing the generation of cracks in an interlayer insulating film located below a bonding pad during probing.例文帳に追加

プロービング時にボンディングパッドの下方に位置する層間絶縁膜にクラックが発生することを防止できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with a wiring layer arranged with a prescribed pattern on base substance 10, and an interlayer insulating layer 20 covering the wiring layer 12.例文帳に追加

半導体装置１００は、基体１０上に所定のパターンで配置された配線層１２と、配線層１２を覆う層間絶縁層２０と、を有する。 - 特許庁

The method can be applied suitably to the formation of an interlayer insulating film or protective film in a semiconductor element, such as ULSI which demands high integration density and multilayer structure.例文帳に追加

本発明の方法は、高密度、多層化が要求されるＵＬＳＩ等の半導体素子の層間絶縁膜や保護膜の形成に好適である。 - 特許庁

To provide a method for advantageously manufacturing a rubber vibration isolator bush with a multilayer structure having high interlayer adhesive strength, good vibration control and durability.例文帳に追加

高い層間接着強度と優れた防振特性及び耐久性とを有する複層構造の防振ゴムブッシュを有利に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The resin-adhered metal foil is characterized by being obtained by laminating the interlayer insulating adhesive to the metal foil.例文帳に追加

また、本発明の樹脂付き金属箔は、上記に記載の層間絶縁接着剤を金属箔に積層して得られることを特徴とするものである。 - 特許庁

An insulation film 9, whose quality is similar to the insulating film 3, is formed on the film 5, and second layer wiring grooves 10 and an interlayer connection wiring hole 11 are formed.例文帳に追加

膜５の上に、絶縁膜３と同質の絶縁膜９を形成し、第２層配線用溝１０および層間接続配線用孔１１を形成する。 - 特許庁

A remaining portion 32 of the collector contact opening is formed by etching the interlayer dielectric 23 of an upper part of the trench to attain to the bottom.例文帳に追加

トレンチの上部の層間絶縁膜２３を上記底部に達するまでエッチングすることにより、コレクタコンタクト用開口の残りの部分３２を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass having excellent heat ray-shielding performance, excellent transparency and capable of obtaining relatively inexpensively, and to provide the laminated glass using the same.例文帳に追加

熱線遮蔽性能に優れるとともに透明性にも優れ、しかも比較的安価に得られる合わせガラス用中間膜および合わせガラスを提供する。 - 特許庁

To obtain a wiring structure capable of turning into low resistance, where a multilayered carbon nanotube (CNT) is used for interlayer wiring of two or more conductive layers.例文帳に追加

２以上の導線層の層間配線に多層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が使用される配線構造の低抵抗化を図ることの可能な配線構造を得ること。 - 特許庁

A vertical channel 116 of single crystal semiconductor substance penetrating a plurality of the interlayer dielectrics and the gate patterns is extended in the vertical direction.例文帳に追加

単結晶半導体物質の垂直チャンネル１１６は前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される。 - 特許庁

A through-hole (h) using the top face of a wiring layer 13 as a part of at least a base is formed by selectively etching a second interlayer insulating film 21.例文帳に追加

第２層間絶縁膜２１を選択的にエッチングして配線層１３の上面を少なくとも底面の一部とするスルーホールｈを形成する。 - 特許庁

To prevent an FSG film from discharging fluorine nor generating HF when the film is used as an interlayer insulating film between two layers of Al wiring.例文帳に追加

Ａｌ配線間の層間絶縁膜にＦＳＧ膜を用いた場合におけるＦＳＧ膜中からのフッ素の放出およびＨＦの発生を防止すること。 - 特許庁

The interlayer dielectric 12C is formed by using a coating type transparent insulating film containing at least highly dielectric fine particles or a sol-gel and having a dielectric constant of ≥4.0.例文帳に追加

層間絶縁膜１２Ｃは高誘電体微粒子またはゾルゲルを少なくとも含む比誘電率４．０以上の塗布型透明絶縁膜で形成される。 - 特許庁

Guard rings 8a and 9a, surrounding the periphery of the fuse element 4 through an interlayer insulating film and the bonding pads 8 and 9, are formed integrally.例文帳に追加

ヒューズ素子４の周囲を層間絶縁膜を介して取り囲むガードリング８ａ，９ａとボンディングパッド８，９とが一体になるように形成される。 - 特許庁

The upper electrode 15 is provided to cross the lower electrode 12 including the ferroelectric film 13 on the interlayer insulating film 13.例文帳に追加

層間絶縁膜１３上において強誘電体膜１３上を含み下部電極１２に交差するように上部電極１５が設けられている。 - 特許庁

The second conductive layer is formed so as to penetrate through the interlayer insulating film and extend in the first direction perpendicular to the semiconductor substrate, and functions as the second node.例文帳に追加

第２導電層は、層間絶縁膜を貫通して半導体基板に対し第１方向に延びるように形成され第２ノードとして機能する。 - 特許庁

On the second interlayer insulating film 8, an upper layer wiring 10 made of Cu is buried into a second groove 9 formed by digging down from the top surface.例文帳に追加

第２層間絶縁膜８には、その上面から掘り下げて形成された第２溝９に、Ｃｕからなる上層配線１０が埋設されている。 - 特許庁

Above the epitaxial layer 21a, an n-conductivity photoelectric conversion layer 39 is laminated via interlayer films 31, 33, 35 and a nitride film 38.例文帳に追加

エピタキシャル層２１ａの上方には、層間膜３１，３３，３５および窒化膜３８を介して、Ｎ導電型の光電変換層３９が積層されている。 - 特許庁

Afterwards, contact holes are formed in the memory cell array area and the peripheral area but the interlayer dielectric is thin, the aspect ratio of the contact holes can be reduced.例文帳に追加

その後、メモリセルアレイ領域及び周辺領域にコンタクトホールを形成するが、層間絶縁膜の膜厚が小さいためコンタクトホールのアスペクト比を低減できる。 - 特許庁

First and second coils 10, 22 for composing a transformer are oppositely provided on the semiconductor substrate 2, while sandwiching the interlayer insulation film 12.例文帳に追加

また、半導体基板２上には、トランスを構成する第１コイル１０および第２コイル２２が層間絶縁膜１２を挟んで対向して設けられている。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulation film 10 is deposited, a contact hole Hct reaching the heavily doped source-drain region 9 is made and a plug electrode 11 is formed.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１０の堆積と、高濃度ソース・ドレイン領域９に到達するコンタクトホールＨctの形成と、プラグ電極１１の形成とを行なう。 - 特許庁

To provide a semiconductor, by which interlayer capacity is reduced and mechanical strength are improved in multilayer interconnection structure, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

多層配線構造における層間の低容量化と機械的強度の向上を図る半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The upper layer of the second interlayer insulating film 14 is formed of a silicon nitride film 13, which is an insulator displaying conductivity in a plasma atmosphere.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１４の上層は、プラズマ雰囲気中においてい導電性を示す絶縁体であるシリコン窒化膜１３により形成されている。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which does not have interlayer deviations and is superior in thickness accuracy, a method of manufacturing a printed circuit board, and a multilayer printed circuit board.例文帳に追加

層間のずれのない板厚精度に優れたプリント回路基板、プリント回路基板の製造方法および多層プリント回路基板を提供すること。 - 特許庁

A wiring groove is formed by removing part of a 2nd interlayer insulating film 11, and a 2nd metal wire 19 is formed as a write line in the wiring groove.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１１の一部を除去して配線溝を形成し、この配線溝内に書き込み線である第２のメタル配線１９を形成する。 - 特許庁

To provide an interlayer film for laminated glass suppressed in deterioration due to moisture such as peeling, generation of clouding point and lowering of transparency, and superior in durability.例文帳に追加

剥離、曇点の発生、透明度の低下など、水分に起因した劣化が抑制された耐久性に優れる合わせガラス用中間膜を提供する。 - 特許庁

Metal wiring 108a, 110a with the lower portion having a width greater than that of the upper portion is formed in an interlayer insulating film 102 on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上の層間絶縁膜１０２内に、下部の幅を上部の幅より広くして金属配線１０８ａ，１１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of ensuring conduction between an intra-opening metal film such as a bonding pad and a surface metal film on an interlayer dielectric.例文帳に追加

ボンディングパッドなどの開口内金属膜と層間絶縁膜上の表面金属膜との導通を確保することができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an interlayer insulating film having a low relative permittivity and an excellent mechanical characteristic, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using it.例文帳に追加

比誘電率が低く、機械的特性にも優れた層間絶縁膜の形成方法、および、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device with high reliability by preventing poor short circuit between electrodes due to a pinhole and a defect of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜のピンホールや欠陥に起因する電極間の短絡不良を防止して、高信頼性を有する液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

An oxidation preventing film 120 is formed on the first interlayer insulation film to cover the wiring and the film other than that covering the surface of wiring is removed.例文帳に追加

次に、配線を覆うように第１の層間絶縁膜上に酸化防止膜１２０を形成し、配線の表面を覆う部分以外の部分を除去する。 - 特許庁

To obtain both an interlayer for laminated glass having excellent antistatic property, excellent humidity resistance, transparency, penetration resistance and scattering prevention of glass, and a laminated glass.例文帳に追加

帯電防止性に優れ、しかも耐湿性に優れ、透明性、耐貫通性及びガラスの飛散防止性に優れた合わせガラス用中間膜及び合わせガラスを得る。 - 特許庁

On a lower layer interconnection 101 formed on a semiconductor substrate (not shown in Figure), an insulating barrier film 102 and an interlayer insulation film 103 are formed in order.例文帳に追加

半導体基板（図示せず）上に形成された下層配線１０１に絶縁性バリア膜１０２及び層間絶縁膜１０３を順次形成する。 - 特許庁

To form a multilayer wiring using a porous low permittivity film and copper wirings while the increase of the effective permittivity of an interlayer insulating film is suppressed to the minimum.例文帳に追加

層間絶縁膜の実効誘電率の増加を最小限に抑えながら、多孔性の低誘電率膜と銅配線を用いた多層配線を形成する。 - 特許庁

The layered manganese oxide porous body having an interlayer distance of ≥1.7 nm is realized by forming cross-linking between layers by aluminum polynuclear hydroxy ions.例文帳に追加

アルミニウム多核水酸化イオンにより層間を架橋することにより１．７ｎｍ以上の層間距離を有する層状マンガン酸化物多孔体を実現する。 - 特許庁