「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(55ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby a part, which is deepened by the amount of the step-difference from the surface of an interlayer-insulating film 58 is formed on a plate electrode 48 formed on the memory cell region Rmemo.例文帳に追加

このため、メモリセル領域Ｒmemoに形成されるプレート電極４８に段差の分だけ層間絶縁膜５８表面からの深い部分が形成される。 - 特許庁

Alignment is conducted, by using the alignment mark M2, a second opening 4a is formed at the part of the second interlayer insulation film 4, and the alignment mark M3 is constituted.例文帳に追加

アライメントマークＭ_2を用いてアライメントを行い、第２の層間絶縁膜４の部分に第２の開口４ａを形成し、アライメントマークＭ_3を構成する。 - 特許庁

The energy beam absorbing material including a compound of formula (1) is formed on a low dielectric constant interlayer insulating film and EB curing of a photoresist is carried out.例文帳に追加

一般式（１）の化合物を含むエネルギー線吸収を、低誘電率層間絶縁膜上に形成した状態でフォトレジストにＥＢキュア処理を行う。 - 特許庁

On the interlayer film 19, a plurality of photoelectric conversion elements 11 which has a light absorbing layer 45 composed of a compound semiconductor of chalcopyrite structure are formed.例文帳に追加

層間膜１９上には、カルコパイライト構造の化合物半導体からなる光吸収層４５を有する光電変換素子１１を複数形成する。 - 特許庁

A sidewall of each resist layer 14 has an reverse-tapered shape, and width narrower than that of the interlayer insulating films 13 between the areas corresponding to the light emitting parts.例文帳に追加

このレジスト層１４は、その側壁が逆テーパ状に形成され、発光部に対応する領域間の層間絶縁膜１３より幅狭に形成する。 - 特許庁

Contact holes to an upper surface of the wafer 10 in the DRAM forming region are formed in a first interlayer insulation film 30 deposited on the gate electrode.例文帳に追加

その上に堆積した第１層間絶縁膜３０に、ＤＲＡＭ形成領域のシリコン基板１０の上面に到達するコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device, having such a structure as an MIM element and a fuse can be formed easily in a region, ranging from a multilayer wiring portion to an AVAI interlayer insulation film.例文帳に追加

多層配線部からAVAI層間絶縁膜に亘る領域にＭＩＭ素子およびヒューズを形成し易い構造の半導体装置を得ること。 - 特許庁

A depth from the opening of the via hole 3 to the bottom is formed shallower than a distance between the mounting component 2 and the interlayer insulating layer 4.例文帳に追加

ビアホール３の開口部から底部までの深さが、実装部品２と層間絶縁層４の表面との間の距離より浅く形成されている。 - 特許庁

The adhesion layer contains more elements for enhancing the adhesion of the auxiliary film than when the auxiliary film is deposited directly on the surface of the interlayer dielectric.例文帳に追加

この密着層は、層間絶縁膜の表面上に補助膜を直接堆積させた場合に比べて、補助膜の密着性を高める元素を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing progress in separation and cracks in a wiring coating film, such as a surface protective film and an interlayer film.例文帳に追加

表面保護膜や層間膜などの配線被覆膜の剥がれやひび割れの進行を防止することができる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A recess 51a is formed in an area facing the transistor contributing to a switching operation, on the upper surface of an interlayer insulating film 35 formed on these transistors.例文帳に追加

これらのトランジスタの上に形成される層間絶縁膜３５の上面の、スイッチング動作に寄与するトランジスタに対向する領域に凹部５１ａを形成する。 - 特許庁

An interlayer oxide film 18 formed on a silicon substrate 10 is etched, using a CF-based gas plasma to form contact holes 20 and 22 (Fig. A).例文帳に追加

シリコン基板１０上に形成された層間酸化膜１８を、ＣＦ系ガスのプラズマを用いてエッチングすることによりコンタクトホール２０，２２を形成する（図１（Ａ））。 - 特許庁

To provide a graphite composite film that can be peeled from a chassis of an electronic device or the like without inducing interlayer exfoliation of graphite.例文帳に追加

グラファイトが層間剥離を起こすことなく電子機器の筐体などから引き剥がすことが可能なグラファイト複合フィルムを提供することを課題としている。 - 特許庁

To provide an optical film capable of suppressing interlayer peeling from the corners of the film at the polarization-separating plate part and capable of enhancing yield.例文帳に追加

フィルム角部から偏光分離板部分で層間剥離する不具合を抑制できて、歩留りをよくすることができる光学フィルムを提供する。 - 特許庁

A plurality of wiring layers 3, 4, and 6 are formed on the pixel region, and an interlayer insulating film is provided at the wiring layers 3, 4, and 6 to thereby isolate therebetween.例文帳に追加

画素領域上には、複数の配線層３、４、６が形成され、配線層３、４、６間は層間絶縁膜によって絶縁されている。 - 特許庁

To sufficiently narrow the interval of a cell pitch while securing an insulation breakdown voltage between a gate and a source in a semiconductor device of an interlayer insulating film etch-back structure.例文帳に追加

層間絶縁膜エッチバック構造の半導体装置において、ゲート−ソース間の絶縁耐圧を確保しつつ、セルピッチの間隔を十分に狭めること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor storage device for miniaturizing a floating gate and easily forming an interlayer capacitive film.例文帳に追加

フローティングゲートの微細化を図り、かつ層間容量膜の形成を容易にする半導体記憶装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Then the silicon oxide interlayer film sections 62 and 68 are removed by dipping the substrate 2, having the formed opening 74 in an etchant containing at least aqueous hydrofluoric acid.例文帳に追加

この開口部74が形成された基板を少なくともフッ化水素酸を含むエッチング溶液に浸し、シリコン酸化物層間膜部62、68を除去する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Contact holes 25 and 26 and a dummy hole 27 are formed by dry-etching in a gate insulating film and an interlayer insulating film positioned in the non-display region 9 of an array substrate 3.例文帳に追加

アレイ基板３の非表示領域９に位置するゲート絶縁膜および層間絶縁膜に、コンタクトホール25，26と、ダミーホール27とをドライエッチングにより形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition method for considerably shortening the time required for generating an interlayer insulating film, and a film deposition apparatus for performing the film deposition method.例文帳に追加

層間絶縁膜を生成するためにかかる時間を大幅に短縮する成膜方法、及び当該成膜方法を実施するための成膜装置の提供。 - 特許庁

A required inner layer circuit board, which has an inner via hole formed in order to have the interlayer electrical continuity between wiring patterns 2, 4, etc., is produced.例文帳に追加

配線パタ−ン２，４等の層間の配線パタ−ン相互の導通を図る為に形成したインナ−・ビアホ−ルを有する所要の内層回路基板を製作する。 - 特許庁

A BPSG film 18 embeds an undercut of at least the gate electrode 15 as the interlayer dielectric, and a cap oxide film 19 is formed thereon.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜１８は、層間絶縁膜として少なくともゲート電極１５の段差を埋め、その上にはキャップ酸化膜１９が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, barrier films 3a and 3b formed of MnSiO are interposed in between the wirings 4a and 4b and interlayer insulating film 1, and the film 5 for barrier formation.例文帳に追加

また、配線４ａ，４ｂと層間絶縁膜１およびバリア形成用膜５との間には、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜３ａ，３ｂが介在されている。 - 特許庁

A second hole is formed by etching the first interlayer insulating film positioned below the first hole under condition of preventing the first diffusion prevention film from being etched.例文帳に追加

第１の拡散防止膜がエッチングされにくい条件で、第１のホールの下方に位置する第１の層間絶縁膜をエッチングして第２のホールを形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric memory device comprises the steps of laminating and patterning a conductive film on an interlayer insulating film having a contact plug, and forming a capacitor lower part electrode pattern.例文帳に追加

本発明よると、コンタクトプラグを有する層間絶縁膜上に導電膜を積層してパターニングしてキャパシタ下部電極パターンを形成する。 - 特許庁

Gate polysilicon wiring 21 and a protective diode 22, which are covered with the interlayer insulating film 8 and electrically connected with the gate electrode 7, are embedded in recesses 25, 26.例文帳に追加

層間絶縁膜８で覆われ、ゲート電極７に電気的接続されたゲートポリシリ配線２１および保護ダイオード２２は凹部２５，２６に埋め込まれている。 - 特許庁

A plurality of wiring layers each consisting of an interlayer insulation film 405 and copper wiring 407 are laid in layers, and a solder resist layer 408 is formed on the uppermost layer.例文帳に追加

層間絶縁膜４０５および銅からなる配線４０７からなる配線層が複数層積層し、最上層にソルダーレジスト層４０８を形成する。 - 特許庁

A P-type SIH4 film 36 is formed on the film 31 as a second interlayer insulating film, and a second layer metal wiring 37 is formed on the film 36.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜３１上に第２の層間絶縁膜として、Ｐ−ＳＩＨ４膜３６が形成され、第２層金属配線３７が形成される。 - 特許庁

Interlayer connection of circuit patterns P0-P3 in wiring layers I1-I3 is effected by burying conductive hard balls B1-B3 in adhesive sheets S1-S3.例文帳に追加

導電性硬質ボールＢ１〜Ｂ３を接着シートＳ１〜Ｓ３に埋め込むことにより、各配線層Ｉ１〜Ｉ３の回路パターンＰ０〜Ｐ３の層間接続を行う。 - 特許庁

A resist film is formed on the surface of the interlayer insulating film, and an opening 28 is formed by etching with a resist film as a mask, thus exposing the TiN film.例文帳に追加

層間絶縁膜の表面にレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクとしてエッチングにより開口部２８を形成し、ＴｉＮ膜を露出させる。 - 特許庁

On the contracted parts (a), (b), the pixel electrode 235 is not formed and the interlayer insulating film 234, the alignment film 253 and the liquid crystal layer 254 are formed.例文帳に追加

くびれ部ａ、ｂの上には、画素電極２３５が形成されず、層間絶縁膜２３４、配向膜２５３、液晶層２５４が形成されている。 - 特許庁

To acquire a method for manufacturing a wiring board and a wiring board securing a satisfactory adhesion between a conductive-layer surface and an interlayer insulation layer.例文帳に追加

導体層表面と層間絶縁層との密着性を十分なものとする配線基板の製造方法及び配線基板を提供すること。 - 特許庁

A liquid raw material varnish 11b of the second layer polymethylsilsesquioxane film, as the second layer low-dielectric-constant interlayer insulating film, is coated on the insulation film 11a.例文帳に追加

絶縁膜１１ａの上に第２層低誘電率層間絶縁膜としての第２層ポリメチルシルセスキオキサン膜の液状原料であるワニス１１ｂを塗布する。 - 特許庁

In the interlayer 102, there are formed plural trenches whose cross sections are rectangular forms, and there is formed an n-type layer 103 so as to bury the trenches.例文帳に追加

中間層１０２には、断面が矩形状である複数のトレンチが形成されており、そのトレンチを埋めるようにＮ型層１０３が形成されている。 - 特許庁

Contact plugs 17, 67 are formed in an interlayer insulating film 14 and stopper films 13, 15 while exposing the top surfaces of the contact plugs 17, 67 from the stopper film 15 to the outside.例文帳に追加

コンタクトプラグ１７，６７を、その上面をストッパ膜１５から露出させつつ、層間絶縁膜１４内及びストッパ膜１３，１５内に形成する。 - 特許庁

To prevent peeling of an interlayer insulating film (especially a low-dielectric-constant insulating film) and to prevent a sealing resin from creeping up on the rear surface of a chip.例文帳に追加

層間絶縁膜（特に、低誘電率絶縁膜）が剥離することを防止すると共に、封止樹脂がチップの裏面上に這い上がることを防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of cracks between a passivation film, each interlayer film and lower layer of each of the films.例文帳に追加

パッシベーション膜および各層間膜とそれら各膜の下層との間でのひび割れの発生を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A metallic wiring 124 is formed on a boundary portion between the interlayer insulating films 117 and 118 in the peripheral wiring region.例文帳に追加

そして、周辺配線領域における層間絶縁膜１１７と透明膜１１８との境界部分には、金属配線１２４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for preventing diffusion to the interlayer insulating film of a wiring material, such as a barrier metal and Cu.例文帳に追加

バリアメタルやＣｕなどの配線材料の層間絶縁膜への拡散を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ferroelectric film 14 is embedded in an aperture of the interlayer insulating film 13 reaching a predetermined region of the lower electrode 12.例文帳に追加

強誘電体膜１４は、下部電極１２の所定領域に到達する層間絶縁膜１３の開孔部に埋め込まれた形態となっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which has good embedding property of an interlayer dielectric film while setting the thicker dielectric film on a wiring.例文帳に追加

配線上の絶縁膜の膜厚を厚く設定しながらも、層間絶縁膜の埋め込み性が良好な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an interlayer having such a specified roughness profile as to make air removal optimum during production of a prelaminate used in a safety glass assembly.例文帳に追加

安全ガラスアセンブリに使用されるプレラミネートの製造中の空気除去を最適にする特定の粗度プロフィルを有する中間層を提供する。 - 特許庁

To provide the method for manufacturing a semiconductor element with which the efficient formation of conductor plugs and the minimization of the steps of interlayer insulating films can be realized.例文帳に追加

効率的な伝導体プラグの形成及び層間絶縁膜の段差の最小化を実現することができる半導体素子の製造方法に関する。 - 特許庁

A first contact hole 9 is formed on an interlayer insulating film 8 covering the N+type source layer 7, and a part of the N+type source layer 7 is exposed.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層７上を被覆する層間絶縁膜８に第１のコンタクトホール９を形成し、Ｎ＋型ソース層７の一部を露出する。 - 特許庁