「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

In the same process, an interlayer insulating film 24' is formed on the metal layer 29 and flattened, and an insulating antireflection film 26' is formed.例文帳に追加

同様にして金属層２９上に層間絶縁膜２４’を形成して平坦化してから絶縁性の反射防止膜２６’を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can control superfluous polish of an interlayer insulating film in a semiconductor substrate perimeter.例文帳に追加

半導体基板周縁部における層間絶縁膜の過剰研磨を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film IL1 is formed to cover an underlying pattern layer formed on the main surface of a semiconductor substrate SUB.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された下地パターン層を覆うように第１の層間絶縁膜ＩＬ１が形成されている。 - 特許庁

An insulating film 2, a CrSi thin film 3, an electrode pad 4 and an interlayer dielectric 5 are formed on a semiconductor substrate 1, and an aluminum electrode 6 is formed.例文帳に追加

半導体基板１に絶縁膜２、ＣｒＳｉ薄膜３、電極パッド４、層間絶縁膜５を形成し、アルミニウム電極６を形成する。 - 特許庁

To improve flatness of an interlayer insulating film by reducing a step difference between a gate electrode and a source layer and between the gate electrode and a drain layer as much as possible.例文帳に追加

本発明はゲート電極とソース層及びドレイン層との段差を極力小さくして、層間絶縁膜の平坦性を改善する。 - 特許庁

A pixel electrode 9a electrically connected to the layer 1a via the contact hole 8 is formed on the second interlayer dielectric 7.例文帳に追加

第２層間絶縁膜７上には、半導体層１ａとコンタクトホール８を介して電気的に接続する画素電極９ａが形成されている。 - 特許庁

Contact holes 9 are formed through the interlayer insulating film 7 and the insulating film 5, and plugs 10a, 10b are formed inside the contact holes 9.例文帳に追加

層間絶縁膜７および絶縁膜５にコンタクトホール９が形成され、そのコンタクトホール９内にプラグ１０ａ，１０ｂが形成されている。 - 特許庁

Further, a cap film 7 is formed on the interlayer insulating film 6 and then a resist film 8 having a predetermined pattern is formed on the cap film 7.例文帳に追加

さらに、層間絶縁膜６の上にキャップ膜７を形成した後、キャップ膜７の上に所定のパターンを有するレジスト膜８を形成する。 - 特許庁

A high dielectric film 4 and a low dielectric film 5 are formed successively on an interlayer insulating film 2, in which a metal wiring 3 is buried.例文帳に追加

金属配線３が埋込み形成されている層間絶縁膜２上に、高誘電率膜４、低誘電率膜５を順次形成する。 - 特許庁

The cap film 7 and the interlayer insulating film 6 are etched taking the resist film 8 as a mask to form an opening 9 reaching the stopper film 3.例文帳に追加

レジスト膜８をマスクとしてキャップ膜７および層間絶縁膜６をエッチングし、ストッパー膜３に達する開孔部９を形成する。 - 特許庁

A contact plug 16A is formed in an interlayer insulating film 15A on a source region or a drain region of a first MOS type transistor.例文帳に追加

第１ＭＯＳ型トランジスタのソース領域またはドレイン領域上の層間絶縁膜１５Ａ内にはコンタクトプラグ１６Ａが形成されている。 - 特許庁

Next, a silicon nitriding film 18 is formed on the whole face of the semiconductor board 1, and the interlayer insulation film 19 is formed on the silicon nitriding film 18.例文帳に追加

次に、半導体基板１の全面にシリコン窒化膜１８を形成し、シリコン窒化膜１８上に層間絶縁膜１９を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of embedding an interlayer insulation film between gate electrodes with superior repeatability even if a space between the gate electrodes is narrowed.例文帳に追加

ゲート電極間が狭まっても、ゲート電極間に再現性よく層間絶縁膜を埋め込むことが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

An upper electrode 130 of the upper MIM capacitor is situated within the upper interlayer dielectric which is situated over the upper interconnect metal layer.例文帳に追加

上部ＭＩＭキャパシタの上部電極１３０は、上部相互接続金属層の上に位置する上部層間誘電体内に位置している。 - 特許庁

Word lines (W0, W1, W2 to W66) serving also as control electrodes are formed above an interlayer insulating film over the auxiliary electrodes.例文帳に追加

補助電極を覆う層間絶縁膜の上部には、制御電極を兼ねたワード線（Ｗ０、Ｗ１、Ｗ２…Ｗ６６）が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the chemical solution processing time using the peeling solution can be shortened and the etched degree of an interlayer insulation film can be reduced.例文帳に追加

これにより、剥離液による薬液処理時間を短縮することが可能となり、層間絶縁膜のエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

With no such deposit such as a hard mask that makes an effective aspect ratio of wiring larger, the interlayer film has such a profile that is wider in an upper part between wiring.例文帳に追加

ハードマスク等、配線の実効的なアスペクト比をより大きくするような堆積物も無く、配線間はより上部が広い形態となる。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a thin-film resistance film 5 for inspection of crack between a 1st TEOS film 4 and a 2nd TEOS film 6 as an interlayer insulating film.例文帳に追加

１ｓｔＴＥＯＳ膜４と２ｎｄＴＥＯＳ膜６という層間絶縁膜の間にクラック検査用の薄膜抵抗膜５を備える。 - 特許庁

A lower insulating film 32 made of a nitride-based insulating film is provided to cover the entire surface of the interlayer oxide film 12, except for a part corresponding to the contact hole.例文帳に追加

コンタクトホールの部分を除き、層間酸化膜１２の全面を被うように、窒化系絶縁膜で形成された下部絶縁膜３２を設ける。 - 特許庁

To manufacture a component built-in substrate which is compact and high in reliability by forming an interlayer connection conductor having a small aperture and high straightness.例文帳に追加

口径が小さくストレート性が高い層間接続導体を形状し、小型化で信頼性の高い部品内蔵基板部品を製造する。 - 特許庁

Along with the outer circumference of a semiconductor chip 2, inspection wiring 3 is formed which transmits a signal for detecting peeling of an interlayer dielectric.例文帳に追加

半導体チップ２の外周に沿って層間絶縁膜の剥離を検出するための信号を伝送する検査配線３が形成されている。 - 特許庁

Contact holes 11 extending to diffusion layer regions 8 respectively are formed by dry-etching a stopper film 9 through an interlayer insulating film 10 as a mask.例文帳に追加

層間絶縁膜１０をマスクとしたストッパー膜９のドライエッチングによって、拡散層領域８に至るコンタクトホール１１を形成する。 - 特許庁

To provide a bump forming device capable of easily forming a bump composed of conductive paste and having a height of allowing an interlayer connection.例文帳に追加

導電性ペーストからなり層間接続を可能とする高さを備えるバンプを容易に形成することができるバンプ形成装置を提供する。 - 特許庁

A TFT is formed by a semiconductor layer 3 and a gate insulating film 4 covering the semiconductor layer, and a gate electrode 5 on a substrate 1, and an interlayer insulating film 6 covering the TFT is formed.例文帳に追加

基板上１に半導体層３と半導体層を覆うゲート絶縁膜４とゲート電極５によって、ＴＦＴを形成し。 - 特許庁

When the number of overlapping windings is increased, an electrostatic shield layer is arranged in an interlayer of the insulation covered flat tint copper wire coil, and a grounding terminal is provided.例文帳に追加

重ね巻きして巻数を多くする場合は、絶縁被覆平編銅線コイルの層間に、静電シールド層を配設し接地端子を設ける。 - 特許庁

To facilitate the application of CMP(chemical mechanical polishing) technique, in formation of the groove wiring in the case where an interlayer insulating film is used as an organic low permittivity film.例文帳に追加

有機系の低誘電率膜を層間絶縁膜とした場合の溝配線の形成において、ＣＭＰ技術の適用を容易とする。 - 特許庁

Finally, unwanted portions of the barrier metal film 2 and the wiring film 6 on the interlayer dielectric 1 are removed, and narrow wirings and wide wirings are formed.例文帳に追加

最後に層間絶縁膜１上の不要なバリアメタル膜２及び配線膜６を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 - 特許庁

To provide a polyethylene-based resin composition having excellent environmental stress-crack resistance(ESCR), high temperature fuel oil resistance, low temperature impact resistance and interlayer adhesion strength.例文帳に追加

ＥＳＣＲ、高温での耐燃料油性、低温での耐衝撃性、層間接着強度に優れたポリエチレン系樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The anti-cavitation layer is constituted of a lower protective layer 5, an interlayer 6 and an upper protective layer 7, thereby enhancing the durability thereof.例文帳に追加

該耐キャビテーション層を下部保護層５、中間層６、上部保護層７によって形成することにより、耐久性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a wiring board with a built-in component featuring excellent reliability by having secure connection between a component and interlayer insulating layers.例文帳に追加

部品と層間絶縁層とを確実に接続することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulating film 15, having contact holes therein is formed on the n and p-type diffused layers 13 and 14 formed on the substrate 11.例文帳に追加

基板１１に形成されたｎ型拡散層１３及びｐ型拡散層１４上にコンタクトホールを備えた層間絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁

By forming the slit portion 515a, an interlayer short with the scanning line (Lscan) due to a foreign substance is prevented, then, the yield is improved.例文帳に追加

スリット部５１５ａを設けたことで、異物による走査線Ｌscanとの層間ショートを防ぐことができ、歩留まりの向上を図ることができる。 - 特許庁

To suppress occurrence of a poisoned via in the formation of a contact in an organic SOG film used as an interlayer insulating film of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜にコンタクトを形成する際のポイズンドビアの発生を抑制する。 - 特許庁

At least one highest upper surface in the plurality of hillocks 108 is in contact with the lower surface of the second interlayer insulating film 116.例文帳に追加

複数のヒロック１０８のうちの高さが最も高い少なくとも一つの上面が、第２の層間絶縁膜１１６の下面と接している。 - 特許庁

To satisfactorily reduce deterioration in a signal, based on spherical aberration in a laminated record medium and an interlayer stroke, using a simple constitution.例文帳に追加

簡便な構成でありながら、積層型の記録媒体における球面収差や層間クロストークにもとづく信号劣化を良好に低減する。 - 特許庁

According to this method, the TiN film 106 is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 103 and the bottom surface of the contact hole in the Ti film 105.例文帳に追加

これにより、Ｔｉ膜１０５における層間絶縁膜１０３の上面とコンタクトホールの底面にＴｉＮ膜１０６が形成される。 - 特許庁

To provide a piezoelectric laminate that can be manufactured easily and does not cause displacement, generated-power absorption, interlayer peeling, etc., and to provide a method of manufacturing the laminate.例文帳に追加

製造が容易で、変位及び発生力の吸収や層間の剥離などのない圧電積層体と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The interlayer connecting member is connected with the source region of the first conductivity type channel MOS transistor and the second conductivity type well tap region.例文帳に追加

層間接続部材が、第１導電型チャネルＭＯＳトランジスタのソース領域と第２導電型のウェルタップ領域とに接続されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a mushroom gate covered with an interlayer insulating film and is suppressed in increase in parasitic capacitance, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

マッシュルームゲートを層間絶縁膜で覆い、かつ寄生容量の増大を抑制した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for manufacturing a liquid crystal display device having POP(Pixel On Passivation) structure, dry film resist 18 is used when the interlayer insulating film 3 is formed.例文帳に追加

ＰＯＰ構造の液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜３を形成する際にドライフィルムレジスト１８を用いる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can facilitate pattern formation of an interlayer insulation film having small leake current for a capaditor by photolithography.例文帳に追加

リーク電流が小さくフォトリソグラフィーによりキャパシタ用の層間絶縁膜を容易にパターン形成できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Openings 7 each for embedding wirings for connecting the n^+-type active region 1 to the p^+-type active region 2 are formed in the interlayer insulating film 6.例文帳に追加

Ｎ＋活性領域１とＰ＋活性領域２とを接続する配線を埋め込むための開口部７を層間絶縁膜６に形成する。 - 特許庁

By the interlayer antiferromagnetic coupling, the generation of the magnetic wall in the lining layer 22 is suppressed, and spike noise generated by the magnetic wall is reduced.例文帳に追加

層間反強磁性結合により、裏打ち層２２における磁壁の発生が抑制され、磁壁により生じていたスパイクノイズが低減される。 - 特許庁

Thereby a step-difference is no longer generated in the mask insulating film 20b, and the surface of the interlayer insulating film is flattened.例文帳に追加

このようにすることにより、マスク絶縁膜２０ｂに段差が生じなくなり、層間絶縁膜２８表面の平坦化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of laminated ceramic electronic components capable of preventing interlayer exfoliation at baking while preventing occurrence of a damage caused at heating and at application of pressure.例文帳に追加

加熱加圧時の破損を防止しつつ、焼成時の層間剥離を防止できる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁