「ion source」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目)

Then, for each ion source part 4a, 4B, each ion source 7A, 7B and each beam dump 8A, 8B which has access to a passageway of ion beam B from each ion source 7A, 7B are arranged in each individual housing 2.例文帳に追加

そして各イオンソース部４Ａ、４Ｂは、それぞれイオンソース７Ａ、７Ｂと、それらのイオンソース７Ａ、７ＢからのイオンビームＢの通路に出入できるビームダンプ８Ａ、８Ｂとが個々のハウジング２内に配設されている。 - 特許庁

In this ion implanter, an ion beam 11 from an ion source 1 is passed through a mass spectrometry part 3 and an As ion beam 4 and a P ion beam 5 are extracted to radiate on a semiconductor substrate 10 for performing the impurity ion-implantation.例文帳に追加

イオン源１からのイオンビーム１１を質量分析部３を経由させてＡｓイオンビーム４及びＰイオンビーム５を取出して半導体基板１０に照射し、不純物イオン注入を行う。 - 特許庁

To prevent negative ion beam current from changing with time and from decreasing in current value from a negative ion source by controlling heating power of a filament to the negative ion source to generate negative ions, in the negative ion source of a negative ion NBI device.例文帳に追加

負イオンＮＢＩ装置の負イオン源において、負イオンを生成させるための負イオン源へのフィラメントの加熱電力を制御することにより、負イオン源からの負イオンビーム電流の時間的変化と電流値の減少を防止することに関する。 - 特許庁

A graph shown in Fig. 3 is obtained by sweeping a flow rate of gas supplied to the ion source, from a gas source, and by detecting an electric current of the ion beam emitted from the ion source at the time.例文帳に追加

ガス源からイオン源に供給されるガスの流量をスイープさせ、そのときにイオン源から放出されるイオンビームの電流値を検出すると、図３のグラフが得られる。 - 特許庁

This surface-roughening agent of aluminum or aluminum alloy consists of an aqueous solution containing 5-30 wt.% inorganic acid, 1.5-9 wt.% ferric ion source as the iron ion, 0.02-1.5 wt.% manganese ion source as the manganese ion and 0.05-1 wt.% cupric ion source as the copper ion.例文帳に追加

無機酸５〜３０重量％、第二鉄イオン源を鉄イオンとして１．５〜９重量％、マンガンイオン源をマンガンイオンとして０．０２〜１．５重量％および第二銅イオン源を銅イオンとして０．０５〜１重量％を含有する水溶液からなるアルミニウムまたはアルミニウム合金の表面粗化剤。 - 特許庁

To provide an ion implantation device equipped with a plurality of ion source parts which can set up ion beam under different conditions at the same time and can be overhauled by uninstalling other ion source parts opened to the air while performing ion implanting with one.例文帳に追加

イオンビームを同時に異なる条件でセットアップでき、イオン注入しながら、その間、大気開放した他のイオンソース部を取り外してオーバーホールできる複数のイオンソース部を備えたイオン注入装置を得ること。 - 特許庁

The ion beam irradiation device is provided with the ion source for bringing out an ion beam, and a target drive device for moving the target 14 to a direction along a y-axis in an irradiation region of the ion beam brought out from the ion source.例文帳に追加

このイオンビーム照射装置は、イオンビームを引き出すイオン源と、それから引き出されたイオンビームの照射領域内でターゲット１４をｙ軸に沿う方向に移動させるターゲット駆動装置とを備えている。 - 特許庁

The electron bombarded ion source comprises a source magnet that deflects a part of generated ions from the center axis direction of the ion reserve, and at the rear stage of the electron bombarded ion source, an electrostatic lens that further assists the deflection of ion by the source magnet and a differential discharge slit for cutting off the deflected ion are provided.例文帳に追加

電子衝撃イオン源は、発生したイオンの一部を、イオン溜の中心軸方向から偏向させるソースマグネットを備え、電子衝撃イオン源の後段には、ソースマグネットによるイオンの偏向を更に助長する静電レンズと、偏向されたイオンを遮断する差動排気スリットとを備えた。 - 特許庁

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90.例文帳に追加

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。 - 特許庁

To provide an ion source device capable of generating an ion beam of high dopant ratio having even current distribution by reducing hydrogen ion (H_x^+) in the ion beam.例文帳に追加