「junction effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the input capacity of a junction type field effect semiconductor element.例文帳に追加

接合型電界効果半導体素子の入力容量を低減させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having the enough less short channel effect of a field effect transistor with less junction capacitance, and with a less junction leakage current.例文帳に追加

電界効果トランジスタの短チャネル効果が十分に小さく、且つ、接合容量および接合リーク電流も十分に小さい半導体装置を提供する。 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合電界効果トランジスタおよび接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

JUNCTION-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法及び半導体装置 - 特許庁

An anchor effect improves a junction strength in the corner section of the coat layer.例文帳に追加

アンカー効果によって、コート層のコーナ部における接合強度が向上する。 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 - 特許庁

An NPN transistor and a junction field- effect transistor are formed in the region 25.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

HETERO-JUNCTION COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ、及び接合型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide an agent for improving a skin barrier function having an excellent CE formation promoting effect and tight junction formation promoting effect.例文帳に追加

ＣＥ形成促進効果、タイトジャンクション形成促進効果に優れた皮膚バリア機能改善剤に関する。 - 特許庁

To provide a specific Josephson junction element which can achieve specific Josephson junction effect in an iron arsenic superconductor.例文帳に追加

鉄ヒ素系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。 - 特許庁

An NPN-transistor and a junction type field effect transistor are formed on the island region 25.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

JFET (JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR) AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING SAME例文帳に追加

ＪＦＥＴ（接合型電界効果トランジスタ）、及びこれを用いた固体撮像装置 - 特許庁

This vertical MOS field effect transistor 1 has a super junction structure 13.例文帳に追加

縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタ１は、スーパージャンクション構造１３を備えている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタを備えた半導体装置およびその製造方法 - 特許庁

An NPN transistor and a junction field effect transistor are formed at the island region 26.例文帳に追加

島領域２６にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

There are formed, in the island region 25, a NPN transistor, and a junction- type field effect transistor.例文帳に追加

島領域２５にＮＰＮトランジスタ、接合型電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS例文帳に追加

接合形電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに固体撮像装置 - 特許庁

To provide a driving device and a driving method for a junction field effect transistor which suppress heat generation by the junction field effect transistor due to temporary excess current.例文帳に追加

一時的な過電流による接合型電界効果トランジスタの発熱を抑制できる接合型電界効果トランジスタの駆動装置および駆動方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel junction magneto-resistive effect element having a high MR ratio can be produced.例文帳に追加

ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 - 特許庁

VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

縦型接合型電界効果トランジスタ、及び縦型接合型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果型トランジスタおよび、ヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造方法 - 特許庁

In the process, the junction material 5b develops color and has an effect of light screening.例文帳に追加

その際、接合材料５ｂは発色し、光を遮光する効果を有することになる。 - 特許庁

To provide a novel structure of a field effect transistor including metal-semiconductor junction.例文帳に追加

金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタの新規な構造を提供する。 - 特許庁

To suppress erosion and redeposition of wiring due to the solar cell effect of pn junction.例文帳に追加

ＰＮ接合の太陽電池効果による配線の腐食及び再堆積を抑制する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC TUNNEL EFFECT MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気トンネル接合素子の製造方法及び磁気トンネル効果型磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

The electric resistance of the tunnel junction magnetoresistance effect (TMR) element as a whole is reduced.例文帳に追加

トンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子全体の電気抵抗値は低減される。 - 特許庁

To improve the performance of an element by reducing short channel effect and a junction leakage current.例文帳に追加

ショートチャンネル効果と接合漏洩電流を減少させ素子の性能を改良する。 - 特許庁

To provide a junction structure for an electronic part capable of suppressing the effect of stress on the electronic part when the stress is generated in the junction.例文帳に追加

電子部品の接合構造であって、接合部に応力が発生した場合に電子部品への応力の影響を抑制する。 - 特許庁

The n-type diffusion layer 117a becomes a drain of the junction field effect transistor 151, and the n-type diffusion layer 117b becomes the source of the junction field effect transistor 151.例文帳に追加

前記Ｎ型拡散層１１７ａは接合型電界効果トランジスタ１５１のドレインとなり、前記Ｎ型拡散層１１７ｂは前記接合型電界効果トランジスタ１５１のソースとなる。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a gate area for receiving this signal electric charge.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタは、この信号電荷を受けるためのゲート領域を有している。 - 特許庁

An extended electrode 43 is formed to be continuous to the gate electrode of the junction field-effect transistor.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極４３を形成する。 - 特許庁

VERTICAL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型接合型電界効果トランジスタ、及び縦型接合型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

An extension electrode 44 is formed continuously to the gate electrode of the junction field effect transistor.例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタのゲート電極に連続して、拡張電極４４を形成する。 - 特許庁

VERTICAL JFET (JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR) AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

縦型接合型電界効果トランジスタ、及び縦型接合型電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

To provide an architecture for manufacturing a vertical replacement- gate junction field-effect device.例文帳に追加

垂直置換ゲート（ＶＲＧ）ＪＦＥＴデバイスを製造するためのアーキテクチャを提供すること。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT CAPABLE OF REDUCING JUNCTION LEAKAGE CURRENT AND NARROW WIDTH EFFECT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

接合漏れ電流及び狭幅効果を減少させうる半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

To provide a hetero junction field effect transistor with large electrostatic resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

静電気耐量が大きいヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

A P-N junction element ta is applied to a power circuit, where the P-N junction element ta is effective when mounted to each signal and communication functional circuit, activates Peltier effect and Seebeck effect in the same element, and gives noise reduction effect.例文帳に追加

個々の「弱電」機能回路に対して設計製造時に取付けて効果がある「ペルチェ効果及びゼーペック効果を同一素子内で発生してノイズ低減効果を与えるＰＮ接合素子」ｔａを「強電」回路に応用する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect, and to provide a method for manufacturing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を用いた磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a hetero junction MIS field effect transistor capable of obtaining excellent body contact and of preferably controlling the potential of a hetero junction layer.例文帳に追加

良好なボディコンタクトを得ることが可能でかつヘテロ接合層の電位を好適に制御可能なヘテロ接合ＭＩＳ型電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To eliminate effect of a junction leak of a first conductivity-type semiconductor region included in a write transistor.例文帳に追加

書き込みトランジスタが備える第１導電型半導体領域の接合リークの影響を排除する。 - 特許庁

To realize a high breakdown voltage in a Schottky junction type field effect transistor.例文帳に追加

ショットキー接合型電界効果型トランジスタにおいて、高耐圧特性を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion module that alleviates an effect of thermal stress distortion at the junction of a thermoelectric element.例文帳に追加

熱電素子の接合部に於ける熱応力歪の影響を軽減した熱電変換モジュールの提供。 - 特許庁

To provide a hetero-junction compound semiconductor field-effect transistor having less parasitic resistance.例文帳に追加

寄生抵抗を低減できるヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁