「laser cladding」に関連した英語例文の一覧と使い方

レーザ肉盛りシステム１０は、シリンダヘッド１２（バルブシート１６）の位置合わせを行う位置合わせ機構１４と、シリンダヘッド１２のバルブシート１６に対して供給された金属粉末を原材料として肉盛りするレーザ肉盛り機構１８と、シリンダヘッド１２を前記位置合わせ機構１４から前記レーザ肉盛り機構１８へ搬送する把持ロボット２０とを備える。 - 特許庁

A semiconductor laser device comprises an n-cladding layer 3, an active layer 4, a p-cladding layer 5, mesa structures 7 to 9, a block layer 13, a low-loss layer 11, and a contact layer 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、ｎ−クラッド層３、活性層４、ｐ−クラッド層５、メサ構造７−９、ブロック層１３、低損失層１１、コンタクト層１０を具備する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a laser cladding device capable of reducing labor and time required before laser beam irradiation and improving quality of repaired part.例文帳に追加

レーザ光照射前に要する労力及び時間を削減でき且つ補修部分の品質向上を図れるレーザクラッディング装置を提供する。 - 特許庁

The first laser structure section 3 has a laminate structure of an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33 and a p-type AlGaAs cladding layer 34, and the second laser structure section 4 has a laminate structure of an n-type InGaAlP cladding layer 42, an MQW active layer 43 and a p-type InGaAlP cladding layer 44.例文帳に追加

第１レーザ構造部３は、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３およびｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３４の積層構造を有し、第２レーザ構造部４は、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４２、ＭＱＷ活性層４３およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４４の積層構造を有している。 - 特許庁

After the laser cladding work, the trailing edge 38 is subjected to machining so as to restore the trailing edge 38 to the original size.例文帳に追加

レーザクラッド加工後は、後縁３８を本来の大きさに戻すように、この後縁３８が機械加工される。 - 特許庁

A multimode pump can be effectively coupled by a laser cavity formed with a double cladding fiber.例文帳に追加

本発明は、特に、ダブルクラッドを備えたファイバーからなるレーザ空洞でマルチモードポンプを有効に結合することができる。 - 特許庁

To provide a laser cladding method that can form a clad layer in which a vanadium carbide is uniformly dispersed.例文帳に追加

本発明は、バナジウム炭化物を均一分散させたクラッド層を形成し得るレーザクラッディング方法を提供する。 - 特許庁

In a cladding by welding device, the cladding by welding is implemented by melting a surface of a bearing base metal by the arc discharge and the laser beam 3, and feeding the white metal alloy for bearing to the molten portion.例文帳に追加

軸受母材の表面をアーク放電とレーザビーム３とによって溶融し、その溶融部に軸受用ホワイトメタル合金を供給して肉盛り形成する肉盛り装置である。 - 特許庁

The process of forming the first semiconductor laser element section 10 includes a process of making the thickness of the p-type second cladding layer 16 smaller than that of the p-type second cladding layer 26.例文帳に追加

また、第１半導体レーザ素子部１０を形成する工程は、ｐ型第２クラッド層１６を、ｐ型第２クラッド層２６の厚みよりも小さい厚みに形成する工程を含んでいる。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

In the nitride semiconductor laser element, an active layer 17 is put between an n-type cladding layer 15 comprising n- and p-type nitride semiconductors and a p-type cladding layer 26.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層１７をｎ型とｐ型の窒化物半導体からなるｎ型クラッド層１５とｐ型クラッド層２６で挟んだ構造を有している。 - 特許庁

The cladding part of the optical fiber is marked with the above sign indicating the direction of eccentricity between the core part and the cladding part by making an organic substance adhere to the cladding part of the optical fiber by condensing laser light of a 350 to 450nm wavelength thereon, or the sign is formed of it.例文帳に追加

本発明は、光ファイバのコア部とクラッド部との偏心方向を示す前記印を、該光ファイバのクラッド部に波長３５０〜４５０ｎｍのレーザ光を集光して付着させた有機物、もしくは、によって形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sintering material for cladding by welding in which the necessary energy is similar to that of the laser beam cladding by welding using powder, the three-dimensional laser beam cladding by welding which has been impossible with a conventional powder system is possible, the productivity is improved, and the cost of parts can be reduced.例文帳に追加

従来の粉末を用いたレーザー肉盛り加工と同程度の必要エネルギーで済むと共に、従来の粉末を用いる場合には不可能であった三次元的なレーザー肉盛加工を可能にし、生産性の向上と部品コストの低減を可能にする肉盛用焼結体材料を提供する。 - 特許庁

A photonic crystalline surface light-emitting laser 10a includes a group III-V compound semiconductor substrate, an n-type cladding layer 12, a light-emitting layer 15, a p-type cladding layer 16, and a photonic crystalline layer 13.例文帳に追加

フォトニック結晶面発光レーザ１０ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板と、ｎ型クラッド層１２と、発光層１５と、ｐ型クラッド層１６と、フォトニック結晶層１３とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of forming a protruded stripe on the upper cladding layer of a semiconductor laser device and suppressing or preventing a light distribution from spreading toward the upper cladding layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置の上クラッド層にストライプ状の凸部を支障なく形成することができ、かつ上クラッド層側への光分布の広がりを抑制ないし防止することができる手段を提供する。 - 特許庁

The laser diode has a structure in which refractive index of a p-cladding layer on a second surface of an active layer is smaller than that of an n-cladding layer 50 on a first surface of an active layer.例文帳に追加

アクティブレイヤの第１面に設けられるｎ−クラッドレイヤ５０の屈折率に比べてアクティブレイヤの第２面に設けられるｐ−クラッドレイヤの屈折率が小さな構造を有するレーザーダイオード。 - 特許庁

例文

The semiconductor laser element has a lamination structure constituted by laminating a first cladding layer 103, an active layer 104 and a second cladding layer 105 on a semiconductor substrate 101, in this order from the side nearest the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板(101)上に、半導体基板(101)に近い側から順に、第１のクラッド層(103)、活性層(104)、及び第２のクラッド層(105)が積層されてなる積層構造を有する。 - 特許庁

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