「laser cladding」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for repairing nickel based alloy articles such as gas turbine rotors (12) generally includes removing a damaged portion (28) of the articles and laser cladding a high temperature nickel based alloy powder thereto to form a solid layer (30).例文帳に追加

ガスタービンローター（１２）のようなニッケル基合金物品の修復法は、一般に、物品の損傷部分（２８）を除去し、そこに高温ニッケル基合金粉末をレーザークラッディングして固体層（３０）を形成する。 - 特許庁

The second p-type cladding layer 19, the p-type interlayer 20, and the p-type cap layer 21 have laser structure wherein a belt-shaped ridge 23 and a belt-shaped dummy ridge 25 are arranged alternately in the upper part.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１９，ｐ型中間層２０およびｐ型キャップ層２１は、その上部に、帯状のリッジ部２３と、帯状のダミーリッジ部２５とを交互に配列してなるレーザ構造を有する。 - 特許庁

The method includes: heating the metal cladding 3 and a surface of the metal base 2 with a heating device 11 to create a molten metal pool 20 having molten metal cladding layered upon molten metal base material in the metal base 2; stabilizing a temperature gradient of the molten metal pool 20 with a laser beam directed into the molten metal pool 20; and cooling the molten metal pool to affix solidified cladding to the metal base 2.例文帳に追加

加熱装置１１を用いてクラッディング金属３と基材金属２の表面を加熱して、基材金属２の溶融基材金属材料上に層をなす溶融クラッディング金属を有する溶融池２０を生成させるステップと、溶融池２０に照射されるレーザビームを用いて溶融池２０の温度勾配を安定させるステップと、溶融池を冷却して固化したクラッディングを基材金属２に固着させるステップとを含む。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

An InGaN laser diode structure 100 is equipped with an upper waveguide layer 170 above an MQW(multi-quantum well) region 150, and above this, is equipped with an upper cladding structure 180 composed of a metal oxide of ITO(indum tin oxide).例文帳に追加

ＩｎＧａＮレーザダイオード構造１００は、ＭＱＷ領域１５０の上方に上部導波路層１７０を備え、その上方に金属酸化物であるＩＴＯからなる上部クラッド構造１８０を備える。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

The amplifying or laser optical fiber comprises a central core suitable for transmitting and amplifying an optical signal and an optical cladding surrounding the central core and suitable for confining the transmitted optical signal within the core.例文帳に追加

増幅光ファイバまたはレーザ光ファイバは、光信号の送信および増幅に適した中心コアと、中心コアを取り囲み、送信された光信号をコア内に閉じ込めるのに適した光クラッドとを含む。 - 特許庁

A cladding-by-welding layer is formed by relatively rotating laser beams on the fixed side and the valve seat parts 2a and 2b on the rotating side (movable side) with the axis of the valve seat part 2a or 2b as the center of rotation.例文帳に追加

レーザビームを固定側、バルブシート部２ａ，２ｂ側を回転側（可動側）としてバルブシート部２ａまたは２ｂの軸心を回転中心として両者を相対回転させることで肉盛り層を形成する。 - 特許庁

To obtain an AlGaInP-based laser diode and a compound semiconductor wafer of a structure where a p type cladding layer is doped with Mg with high concentration and thereafter preventing an active layer from being deteriorated due to spreading of a dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層に高濃度にＭｇをドーピングした上で、そのドーパントの拡散による活性層の劣化を防いた構造のＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオード及び化合物半導体ウェハを得ることを可能にする。 - 特許庁

The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.例文帳に追加

半導体基板上に形成される第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるＱＷ活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁

To provide a fiber in which amount of polarization mode coupling and polarization mode dispersion are reduced and in which polarization maintaining capacity is increased, and to provide a high efficient fiber amplifier or laser with a polarization maintaining large outer-diameter such that pump light is guided inside a cladding while a large outer cladding ensures decrease in mode-coupling inside the fiber core.例文帳に追加

偏光モード結合の量と偏光モード分散とを減らすと共に偏光保持能を増加させたファイバを提供すること、及び大きな外側クラッドがファイバコア内モード結合の減少を確実にしながらポンプ光が内側クラッド内を導波されるような偏光保持大外径の高効率ファイバ増幅器あるいはレーザを提供する。 - 特許庁

The face light-emitting type semiconductor laser device 30 comprises an n-type lower semiconductor multilayer film reflector 32, a lower cladding layer 33, an active layer 34, an upper cladding layer 35, a p-type upper semiconductor multilayer film reflector 36, and a p-type GaAs cap layer 37 successively formed on an n-type GaAs substrate 31 as constituting layers.例文帳に追加

面発光型半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１上に、順次に形成された、ｎ型の下部半導体多層膜反射鏡３２、下部クラッド層３３、活性層３４、上部クラッド層３５、ｐ型の上部半導体多層膜反射鏡３６、及びｐ型ＧａＡｓキャップ層３７を構成層として備える。 - 特許庁

The current block layer 21, which is in contact with the mesa-type second conductivity-type cladding layer 5 is formed of an A1InP layer 21, having no light absorption capability with respect to the oscillation light from the laser and in-plane compressive strain, is introduced to the active layer.例文帳に追加

メサ型の第２導電型クラッド層５に接する電流ブロック層２１は、レーザの発振光に対して光吸収能のないＡｌＩｎＰ層２１で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。 - 特許庁

To provide a device and a method for cladding by welding for a white metal for bearing in which the welding speed is increased by jointly using the arc discharge and the laser beam, the penetration ratio of a welding base metal (iron Fe) is small, and the seizure resistance and the bearing pressure resistance are excellent.例文帳に追加

アーク放電とレーザビーム３を併用して溶接速度を増し溶接母材（鉄Ｆｅ）の溶け込み率が小さくでき耐焼付性および耐面圧性が良好な軸受用ホワイトメタル合金の肉盛り装置および肉盛り方法 - 特許庁

To provide a laser cladding method capable of immediately removing fumes and surplus powders generated from a machining portion from the machining portion and inside a cylinder head, thereby contributing to improvement in productivity and reduction in manufacturing costs, and to provide its apparatus.例文帳に追加

加工部位から発生するヒュームおよび余剰粉末を速やかに加工部位およびシリンダヘッド内から除去できるようにし、もって生産性の向上と製造コストの低減とに大きく寄与するレーザクラッド加工方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a neutron absorption rod and a method and a device for welding an end plug which make it possible to restrain porosities toward a weld from occurring and to secure sufficient pressure-resistant strength when a cladding tube is welded to the end plug by laser.例文帳に追加

被覆管と端栓とをレーザ溶接するに際し、その溶接部へのポロシティの発生を抑制することができ、十分な耐圧強度を確保することができる中性子吸収棒及び端栓溶接方法並びに溶接装置を提供する。 - 特許庁

A laser cladding system (102) is used to accumulate a laminated body of a material on a substrate by heating a localized spot on the substrate forming a melt pool into which the material is fed to create a deposit having a physical dimension.例文帳に追加

レーザクラッディングシステム(102)は、基板上の局所的な点を加熱して溶融プールを形成し、そこに材料を供給して、物理的寸法をもつ付着物を形成することにより、基板上に材料の蓄積体を形成するのに使用される。 - 特許庁

In this steam pipe P for supplying steam, an inner peripheral surface P1 of a steel pipe formed from 18-chrome stainless steel is formed with a coating layer MI by welding Incoloy or Inconel with an inner surface build-up welding method or a metal powder laser cladding method.例文帳に追加

水蒸気を送気する蒸気配管Ｐであって、１８クロムステンレスからなる鋼管の内周面ＰＩには、内面肉盛り溶接法又は金属粉末レーザークラッド法によりインコロイまたはインコネルが溶着されてコーティング層ＭＩが形成される。 - 特許庁

The present invention provides the optical waveguide having a core and a cladding layer, wherein a wall surface, which is formed by cutting out at least a part of the core in a thickness direction of the core by irradiation with a laser beam and crosses at least a part of the core, is a specular surface.例文帳に追加

コアとクラッド層を備えた光導波路であって、レーザ照射によりコアの厚さ方向の一部だけが切断されて形成されたコアの一部を横切る壁面が鏡面であることを特徴とする光導波路を提供する。 - 特許庁

A compound semiconductor laser has a substrate, a first conductivity type semiconductor layer including at least a first cladding layer, an active layer made up of a group III nitride semiconductor, and a second conductivity type semiconductor layer including at least a second cladding layer, wherein the second conductivity type semiconductor layer includes a ridge structure, and a dielectric film including at least ZrO_2 outside the ridge structure is formed.例文帳に追加

基板と、少なくとも第１クラッド層を含む第１導電型の半導体層と、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる活性層と、少なくとも第２クラッド層を含む第２導電型の半導体層とを有する化合物半導体レーザであって、第２導電型の半導体層には、リッジ構造が設けられており、リッジ構造の外部には、少なくともＺｒＯ_2を含む誘電体膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser comprises a p-type GaN guide layer 307, a current constriction layer 308, which is an AlN layer, formed on the p-type GaN guide layer 307, and a p-type cladding layer 309 so formed as to embed an opening portion of the current constriction layer 308.例文帳に追加

半導体レーザは、ｐ型ＧａＮガイド層３０７と、ｐ型ＧａＮガイド層３０７上に形成された、ＡｌＮ層である電流狭窄層３０８と、電流狭窄層３０８の開口部を埋め込むように形成されたｐ型クラッド層３０９とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor laser apparatus 1, a current blocking layer 19 covers a p type second cladding layer 17 and a p type capping layer 18 extending in the direction of the length of an optical resonator largely on the side of a light exit end surface but over a small area thereof on the opposite side to form a current non-injection region in an optical waveguide.例文帳に追加

半導体レーザ装置１において、電流ブロック層１９は、光共振器長方向に延設されたｐ型第２クラッド層１７とｐ型キャップ層１８とを、光出射端面側で大きく、反対側で小さく覆い、光導波路に電流非注入領域を形成する。 - 特許庁

When the position of the valve sheet 16 to be cladded coincides with the cross point center of a biaxial orthogonal table constituting the positioning mechanism 14, a holding device 116 of the holding robot 20 carries the cylinder head 12 to a support device 70 constituting the laser cladding mechanism 18 together with a carrying table 52.例文帳に追加

肉盛り処理されるべきバルブシート１６の位置が位置合わせ機構１４を構成する２軸直交テーブルの交点中心と一致すると、把持ロボット２０の把持装置１１６は、レーザ肉盛り機構１８を構成する支持装置７０にシリンダヘッド１２を移動台５２ごと搬送する。 - 特許庁

A ridge-type semiconductor laser device manufacturing method comprises the steps of sequentially growing a cladding layer and an active layer on a substrate; and forming a ridge-shaped layer on the active layer, which consists of a conductive region forming a ridge portion and high-resistance regions, disposed on both sides of the conductive region.例文帳に追加

基板上にクラッド層、活性層を順次成長させる工程と、上記活性層上にリッジ部を構成する導電領域とこの導電領域の両側の高抵抗領域からなるリッジ型層を形成する工程と、からなることを特徴とするリッジ型半導体レーザの製造方法にある。 - 特許庁

A DFB laser device 10, an embedding hetero type having an oscillation wavelength of 1,550 nm, comprises, on an n-InP substrate 12, an n-InP buffer layer 14, an active layer 16, a p-InP spacer layer 18, a grating 20 consisting of GaInAsP layer, and a lamination structure of p-InP first cladding layer 22 in which a grating is embedded.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ素子１０は、発振波長が１５５０ｎｍの埋め込みへテロ型であって、ｎ-ＩｎＰ基板１２上に、ｎ-ＩｎＰバッファ層１４、活性層１６、ｐ-ＩｎＰスペーサ層１８、ＧａＩｎＡｓＰ層からなる回折格子２０、及び回折格子を埋め込んだｐ-ＩｎＰ第１クラッド層２２の積層構造を備える。 - 特許庁

In an end surface light emitting semiconductor laser in which a waveguide layer comprising a cladding layer and a waveguide core and a distributed brag reflector comprising a plurality of pairs of mirror are prepared, difference in refractive index is produced by substituting the doping level of the first element of the pair of mirror for that of the second element of the pair of mirror.例文帳に追加

例えば、クラッド層および導波コアを備えている導波層と、複数のミラー対からなっている分布ブラッグ反射器とが設けられている端面発光半導体レーザにおいて、ミラー対の第１の要素とミラー対の第２の要素とのドーピングレベルを代えることによって屈折率の差を生成させている。 - 特許庁

The light emitting element (100) includes an optical resonator structure having a cladding layer (103, 109) which sandwiches an activity layer (105), and a phosphor content layer (111) which absorbs stimulated emission light which is changed into a laser oscillation state in the optical resonator structure by current implantation, and emits visible light in parallel with the optical resonator structure.例文帳に追加

発光素子（１００）は活性層（１０５）を挟むクラッド層（１０３、１０９）を含む光共振器構造を備え、電流注入によって光共振器構造においてレーザ発振状態となった誘導放出光を吸収して可視光を発する蛍光体含有層（１１１）が光共振器構造に平行して設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical board may include (a) a stage of stacking an optical waveguide core layer over a first optical waveguide cladding layer, (b) a stage of forming an inclined surface by diffracting a laser with a mask to remove a portion of the optical waveguide core layer, and (c) a stage of stacking a reflective layer over the inclined surface.例文帳に追加

本発明による光基板製造方法は、（a）第１光導波路クラッド層の上面に光導波路コア層を積層する段階と、（ｂ）レーザーをマスクで回折させて前記光導波路コア層の一部を除去することにより傾斜面を形成する段階と、（ｃ）前記傾斜面に反射層を積層する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The base-metal restorative material 72 is applied by furnishing a source of a structural material compatible with the base metal, in a form such as a powder or a wire, and depositing the source of the structural material overlying the initially exposed base-metal flow-path surface 70 of the stationary shroud 24 by laser cladding to form a repaired base-metal flow-path surface 76.例文帳に追加

該母材修復材（７２）は、ベースメタルと相容性がある構造材料源を粉体又はワイヤの形態で供給し、レーザクラッディングによって固定シュラウド（２４）の初期露出母材流路表面（７０）上に位置させて該構造材料源を溶着させることによって施されて、修理された母材流路表面（７６）を形成する。 - 特許庁