「lattice dislocation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an optical semiconductor element that prevents lattice defects, such as misfit dislocation and through dislocation, from occurring easily and can obtain a high quality crystal, and also improves heat dissipation characteristics of a substrate.例文帳に追加

ミスフィット転位や貫通転位などの格子欠陥が発生しにくく高品質の結晶を得ることができ、基板の放熱特性も向上する光半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a quantitative and nondestructive measuring method of a lattice defect such as dislocation a causing of aged deterioration of strength of an austenitic stainless steel.例文帳に追加

小さい磁界強度での非破壊的な測定により、オーステナイト系ステンレス鋼の経年劣化をより正確かつ総合的に評価する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.例文帳に追加

転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate which forms a strain-relaxed SiGe layer having been lattice-relaxed or partially lattice-relaxed and thus makes dislocation defect small, and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

格子緩和又は一部格子緩和した歪緩和ＳｉＧｅ層の形成を可能にし、これによって転位欠陥を少なくするようにした半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。 - 特許庁

Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained.例文帳に追加

よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.例文帳に追加

格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain a threading dislocation density from occurring in a growth layer even in a case in which a board and the growth layer are different from each other in characteristics (lattice constant, thermal expansion coefficient) or a case in which a board such as a sapphire board intrinsically high in dislocation density must be used.例文帳に追加

基板と成長層との特性（格子定数、熱膨張係数）が異なるケースやサファイア基板のように転位密度が元々高い基板を使用しなければならないケースであっても、成長層での貫通転位密度の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁

To obtain a high quality SiGe crystal by suppressing dislocation in the vicinity of the oxide film interface of an SiGe layer and to enable the sufficient lattice relaxation of the SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層の酸化膜界面近傍における転位の発生を抑制して高品質のＳｉＧｅ結晶を得ることができ、且つＳｉＧｅ層の十分な格子緩和をはかる。 - 特許庁

By the progress of recrystallization by annealing, crystal grains grow to be large crystal grains, a grain boundary is reduced, and lattice defects such as atomic vacancies or dislocation are reduced as well.例文帳に追加

熱処理によって再結晶が進行することで、結晶粒が大結晶粒に成長して結晶粒界が低減するとともに、原子空孔、転位などの格子欠陥も低減される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device in which the occurrence of crystal defect or dislocation based on the mismatching of lattice constant or the difference of thermal expansion coefficient is suppressed as much as possible and the crystal can be cleaved.例文帳に追加

格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the generation of a crystal defect and dislocation caused by the mismatching of a lattice constant and the difference of thermal expansion coefficients are restrained to the utmost, and which can be cleaved.例文帳に追加

格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate of superior lattice constant of little dislocation or different polarity by forming fine unevenness in a substrate or forming a slender growth region in an inclined direction.例文帳に追加

基板への微小な凹凸の形成あるいは傾斜方向へ細長い成長領域を形成することで転位の少ない良好な格子定数または極性の異なる半導体多層基板を提供する。 - 特許庁

The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.例文帳に追加

第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁

To reduce the occurrence of crystal defect, i.e., dislocation in a compound semiconductor layer in a compound semiconductor wherein lattice mismatching between a substrate and the compound semiconductor layer formed on the substrate is ≥2%.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

To enable multilayer formation of a plurality of nitride compound semiconductor layers with lattice constant difference of a prescribed value or more in good crystallinity, and to restrain propagation of threading dislocation to an epitaxial growth direction.例文帳に追加

所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。 - 特許庁

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element.例文帳に追加

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor which has a base plate and a compound semiconductor layer formed on the base plate and has a lattice mismatch of 2% or higher between the base plate and the compound semiconductor layer, and which can reduce generation of crystalline defect or dislocation.例文帳に追加

基体と、この基体上に形成される化合物半導体層との格子不整合性が２％以上ある化合物半導体において、化合物半導体層における結晶欠陥すなわち転位の発生を低減する。 - 特許庁

Further, when the composition ratio of Al is reduced, lattice mismatching with the GaN substrate becomes small whereby the AlGaN layer can be formed so as to be thick without any problem of generation of crack or dislocation and optical oozing-out to the GaN substrate can also be restrained.例文帳に追加

また、Ａｌ組成比が小さくなると、ＧａＮ基板との格子不整合が小さくなるので、クラックや転移の発生の問題なくＡｌＧａＮ層を厚く形成でき、ＧａＮ基板への光滲み出しも抑制できる。 - 特許庁

A semiconductor device with an interface between lattice mismatching crystals is manufactured in an edge grown heteroepitaxy from a crystal having a small area to reduce distortion of the crystal due to a mismatching of the crystal, and a crystal reduced in defect of the dislocation in the crystal is realized.例文帳に追加

格子不整合結晶の界面を含む半導体デバイスが、小さな表面積を有する結晶からのエッジ成長ヘテロエピタキシによって製造されて、結晶不整合によるひずみを低減し、転位欠陥が低減された結晶を実現する。 - 特許庁

To suppress deterioration in crystal quality (surface planarity, orientation, dislocation density) of a thin film due to difference in lattice constant as much as possible in an AlN thin film as a buffer layer when III-V nitride semiconductor crystal is grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるＡｌＮ薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質（表面平坦性、配向性、転位密度）の劣化を極力抑止すること。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a gallium nitride crystal capable of suppressing a crystal defect or dislocation induced on a gallium nitride layer due to the lattice unconformity thereof with a substrate in the lamination of the gallium nitride layer having a practical substrate thickness on a different substrate, and also provide the gallium nitride crystal produced by the method.例文帳に追加

実用的な基板厚さの窒化ガリウム層を、異種基板に積層させる際、基板との格子不整合に起因して窒化ガリウム層に誘起される結晶欠陥もしくは転位を抑制することが可能な窒化ガリウム結晶の製造方法および、窒化ガリウム結晶を提供する。 - 特許庁

Accordingly, by using the layer B independent of the ground substrate side as a new crystal growth substrate, the high quality semiconductor crystal layer C (GaN single crystal) can be obtained without dislocation or crack coming up with a stress caused by the differences of lattice constant and thermal expansion coefficient between the layer C and the ground substrate side.例文帳に追加

したがって、下地基板側から独立したこの保護層Ｂを新たな結晶成長基板とすれば、下地基板側との格子定数差や熱膨張係数差等に起因する応力に伴う転位やクラックが発生せず、高品質な半導体結晶層Ｃ（ＧａＮ単結晶）が得られる。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor substrate having an SiGe layer in which the SiGe layer can be made thin and the density of threading dislocation in the SiGe layer incident to lattice mismatch of Si and SiGe can be reduced.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層を有する半導体基板の製造方法において、ＳｉＧｅ層の薄層化を図ることができ、かつ、ＳｉとＳｉＧｅとの格子不整合により発生するＳｉＧｅ層における貫通転位密度の低減化を図ることができる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To constrain the nitriding of the front surface of a substrate which is composed of a diboride single crystal with high lattice matching with a gallium nitride-based compound semiconductor, provide 2-dimensional stratified growth from an early phase of growth, and control polarization from the early phase of growth, thereby reducing failure and growing up a gallium nitride-based compound semiconductor with excellent planarity, high quality, and low dislocation.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体と格子整合性の高い二硼化物単結晶から成る基板の表面の窒化を抑制し、成長初期から２次元の層状成長を実現し、また成長初期から極性を制御して、欠陥が低減され、平坦性に優れた高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を成長させること。 - 特許庁

The AlGaN layers 16, 18, and 20 including an AlGaN light-emitting layer 18 are formed thus on the GaN substrate 10 having a lattice constant close to that of AlGaN, so that a threading dislocation density introduced into the AlGaN layers 16, 18, and 20 is reduced significantly, as compared with conventional methods which use a sapphire substrate.例文帳に追加

このように、ＡｌＧａＮの格子定数と近い格子定数を有するＧａＮ基板１０上に、内部にＡｌＧａＮ発光層１８を含むＡｌＧａＮ層１６，１８，２０を形成することで、サファイア基板を利用する従来の方法に比べて、ＡｌＧａＮ層１６，１８，２０の内部に導入される貫通転位密度が大幅に低減される。 - 特許庁