「low layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To form a film of good quality at a low temperature on a substrate having a resist layer or an amorphous carbon layer formed on its surface.例文帳に追加

レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。 - 特許庁

An inner diffusion layer 118 and a low carrier concentration semiconductor layer 119 are also formed on the light receiving surface side.例文帳に追加

また、受光面側にも、内部拡散層１１８及び低キャリア濃度半導体層１１９が形成される。 - 特許庁

In addition, the fluorescent material layer may also be of a lower refractive index than that of the low refractive index protection layer.例文帳に追加

また、前記蛍光体層は、前記低屈折率保護層よりも低屈折率であることも可能である。 - 特許庁

The first layer 14 is an active elastic layer having a low stiffness per unit area that can be electrically activated.例文帳に追加

第１の層１４は電気的に励起可能で単位面積あたりの剛性の小さい能動型弾性層である。 - 特許庁

It is possible to thermally seal the surface layer of the structure at a low temperature by fusion-bonding the surface layer to another member.例文帳に追加

該多層構造体の表面層を他の部材に融着させることで低温でのヒートシールが可能である。 - 特許庁

Either of the above heat insulating lining members wherein the dense ceramics layer is a low expanded or unexpanded ceramics layer.例文帳に追加

緻密セラミックス層が低発泡または非発泡のセラミックスである上記いずれかに記載の断熱ライニング部材。 - 特許庁

Each of DBRs 106, 112A, 112B includes a pair of high refractive index layer and a low refractive index layer, respectively.例文帳に追加

ＤＢＲ１０６、１１２Ａ、１１２Ｂは、高屈折率層と低屈折率層の対をそれぞれ含んでいる。 - 特許庁

A GaN layer 33 is epitaxially grown on a sapphire substrate 31 through a GaN low-temperature buffer layer 32.例文帳に追加

サファイア基板３１上に、ＧａＮ低温バッファ層３２を介してＧａＮ層３３をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a low-permittivity dielectric layer which is has satisfactory adhesive property to a conductive layer and is easy to processing.例文帳に追加

導電層への良好な接着性を有し、処理が容易な、低誘電率誘電体層を提供する。 - 特許庁

The interfacial dielectric layer and the ultralow dielectric constant material layer constitute the porous low dielectric constant material thin film.例文帳に追加

界面誘電層と超低誘電率材料層は多孔性低誘電率材料薄膜を構成している。 - 特許庁

To keep low the contact resistance between a chromium layer and an ITO layer etc., as elements of wiring for external connection.例文帳に追加

外部接続用配線の要素であるクロム層とＩＴＯ層等との間のコンタクト抵抗を低く維持する。 - 特許庁

The dielectric constant of the low dielectric constant material layer 10 is lower than that of liquid crystal constituting a liquid crystal layer 3.例文帳に追加

低誘電率物質層１０の誘電率は、液晶層３を構成する液晶の誘電率より低い。 - 特許庁

A low temperature GaN buffer layer 11 and a p-type GaN layer 12 are formed sequentially on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、低温ＧａＮバッファー層１１、ｐ型ＧａＮ層１２が順次に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate is constituted of forming an epitaxial layer of low concentration on the upper part of the high-concentration layer.例文帳に追加

ここで、半導体基板は、高濃度層の上部に低濃度のエピタキシャル層が形成された構成である。 - 特許庁

The coolant bath 11 comprises a liquid nitrogen layer 13 on the very low temperature side and a nitrogen gas layer 14 on the normal temperature side, adjoining each other.例文帳に追加

冷媒槽11には、極低温側に液体窒素層13、常温側に窒素ガス層14とを隣接して具える。 - 特許庁

A layer information filter part 2123 performs low pass filter processing to the interpolation layer information to output the degree of impact.例文帳に追加

レイヤ情報フィルタ部２１２３は、補間レイヤ情報にローパスフィルタ処理を施して影響度を出力する。 - 特許庁

This heat seal film is formed of a base material layer comprising a biaxially stretched film and an intermediate layer which contains a low- density polyethylene and a straight-chain low-density polyethylene in the ratio of 20 to 70 wt.% of the straight-chain low-density polyethylene to the total of both straight-chain low-density polyethylene and low-density polyethylene and a sealant layer.例文帳に追加

本発明は二軸延伸フィルムからなる基材層、低密度ポリエチレンと直鎖状低密度ポリエチレンを含有し、直鎖状低密度ポリエチレンが低密度ポリエチレンとの合計に対して２０重量％以上７０重量％以下である中間層およびシーラント層を有するヒートシールフィルムである。 - 特許庁

The antireflection film is constituted by layering an easy adhesion layer 2, a hard coat layer 3, a transparent conductive layer 4, a light absorbing layer 5 and the low refractive index layer 6 in this order on transparent base material film 1 or by layering the hard coat layer, a conductive light absorbing layer and the low refractive index layer in this order on the transparent base material film.例文帳に追加

透明基材フィルム１上に、易接着層２、ハードコート層３、透明導電層４、光吸収層５及び低屈折率層６をこの順で積層してなる反射防止フィルム、或いは、透明基材フィルム上に、ハードコート層、導電性光吸収層及び低屈折率層をこの順で積層してなる反射防止フィルム。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes: a substrate; a first electrode layer regularly patterned on the substrate; a low-refraction conductive layer arranged on the first electrode layer and including a conductive material with a refractive index smaller than that of an organic layer; the organic layer arranged on the low-refraction conductive layer; and a second electrode layer formed on the organic layer.例文帳に追加

基板と、基板上に規則的にパターニングされた第１電極層と、前記第１電極層上に配置され、有機層よりも屈折率が小さい導電性物質を含む低屈折導電層と、前記低屈折導電層上に配置される有機層と、前記有機層上に形成される第２電極層と、を備える有機発光素子。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

A surface layer of the base paper serves as a filler highly- contained layer; a backside layer serves as the base paper which is composed of a plurality of layers serving as filler low-contained layers; and the ink receiving layer is provided on the filler highly-contained layer of the base paper.例文帳に追加

原紙の表面層を高填料含有層とし、裏面層を低填料含有層とする複数層からなる原紙とし、この原紙の高填料含有層の上にインク受理層を設ける。 - 特許庁

The n-type DBR layer 12 is formed by alternately laminating an n-type InP layer 12a (first semiconductor layer) with low refractive index and an n-type InGaAs layer 12b (semiconductor layer) with high refractive index.例文帳に追加

ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。 - 特許庁

In this case, The mirror has a constitution wherein, in the multilayered film layer, an intermediate layer 4 is inserted only between the high refractive index layer 2 and the low refractive index layer 3 laminated on a surface side part of the multilayered film layer.例文帳に追加

その際、前記多層膜層には、該多層膜層の表面側部分に積層された前記高屈折率層２と前記低屈折率層３の間にのみ中間層４が挿入された構成とする。 - 特許庁

To enable release of a release-agent layer with low peel force and suppression of transfer of the release-agent layer to a pressure-sensitive adhesive layer, in a pressure-sensitive adhesive tape including the pressure-sensitive adhesive layer and the release-agent layer.例文帳に追加

粘着剤層と剥離剤層とを有する粘着テープにおいて、小さい剥離力で剥離剤層を剥離することができ、且つ粘着剤層への剥離剤層の移行を抑制すること。 - 特許庁

The layered optical transmission body is composed of a basic resin layer as the innermost part, a low refractive index resin layer outside of the innermost part, and a light reflecting layer as the outermost part.例文帳に追加

最内部が基本樹脂層、その外部が低屈折率樹脂層、最外部が光反射層で構成される積層状光伝送体。 - 特許庁

As for a method for forming the underlayer 2, the initial layer part is deposited at a low gas pressure, and the surface layer is deposited at a higher gas pressure than the initial layer part.例文帳に追加

下地層２の形成方法としては、初期層部分は低ガス圧で成膜し、表面層は初期層部分よりも高ガス圧で成膜する。 - 特許庁

A packet generated by a high-order layer processing device 111 is supplied to a low-order layer processing device 121 that processes a signal layer.例文帳に追加

上位層処理装置１１１において生成されたパケットは、単一の層の処理を行う下位層処理装置１２１に供給される。 - 特許庁

In this way, the low-density N type embedded drift layer 5 extending from the N+ type drift layer 11 to the bottom of the P type body layer 3 is ensured.例文帳に追加

これによりＮ＋型ドリフト層１１からＰ型ボディ層３底部まで延在する低濃度のＮ型埋め込みドリフト層５を確保する。 - 特許庁

The light source apparatus which can be applied to a backlight module is comprised of a cathode structure, an anode structure, a fluorescent layer, a secondary electron generating layer and a low pressure gas layer.例文帳に追加

バックライトモジュールに適用可能な光源装置は、カソード構造、アノード構造、蛍光層、二次電子生成層、および低圧ガス層を含む。 - 特許庁

A low refractive layer 4 in the range of 1.01-1.3 refractive index is provided on the light emitting layer 3 and its opposite side of the transparent conductive layer 2.例文帳に追加

透明導電層２の発光層３と反対側の面に屈折率が１．０１〜１．３の範囲である低屈折率層４を設ける。 - 特許庁

The group III nitride layer 27 is prepared between the low-temperature nucleation layer 23 and the gallium nitride buffer layer 25, and consists of a nitride containing aluminum.例文帳に追加

III族窒化物層２７は、低温核形成層２３と窒化ガリウムバッファ層２５との間に設けられており、アルミニウムを含む窒化物から成る。 - 特許庁

Because the bottom face layer is formed at a low pressure, it has a refractive index higher than that of the surface layer, even when the deposition is conducted at a tilt angle identical to that of the surface layer.例文帳に追加

底面層は低圧力で形成されるため、表面層と同じ傾斜角度で成膜した場合であっても屈折率が高い。 - 特許庁

In this case, the semi-permeable membrane 13 is made to be lamination structure in which a high refractive index layer (a), a low refractive index layer (b) and a metallic layer (c) are successively laminated.例文帳に追加

半透過膜１３は高屈折率層ａ、低屈折率層ｂおよび金属層ｃとを順次積層した積層構造である。 - 特許庁

The band gap of the carrier storage preventive layer 8 is set between that of the p-clad layer 6 and that of the low carrier concentration layer 9.例文帳に追加

キャリア蓄積防止層８のバンドギャップは、ｐ−クラッド層６のバンドギャップと低キャリア濃度層９のバンドギャップとの中間に設定される。 - 特許庁

Further, a multilayer film comprising a high-refractive index layer consisting of the zirconium oxide layer and a low-refractive index layer exhibits excellent antireflective effect.例文帳に追加

また、該酸化ジルコニウム層からなる高屈折率層と、低屈折率層とから構成される多層膜は優れた反射防止効果を発揮する。 - 特許庁

The resistive body 10 is obtained, by laminating a resistive alloy layer 11 and a low expansion alloy layer 12, having a lower thermal expansion coefficient than the resistive alloy layer.例文帳に追加

抵抗合金層１１と、該抵抗合金層よりも低い熱膨張係数の低膨張合金層１２とを積層した抵抗体１０。 - 特許庁

The flow passage layer 54a, the intermediate layer 54b and the membrane support layer 54c are successively formed in the anode side separator 34 by low pressure plasma spraying.例文帳に追加

流路層５４ａ、中間層５４ｂ及び膜支持層５４ｃは、減圧プラズマ溶射によりアノード側セパレータ３４に、順次、成形される。 - 特許庁

The antireflection film is formed by layering a hard coat layer, a middle refractive index layer and a low refractive index layer in this order on a triacetylcellulose film.例文帳に追加

反射防止フィルムは、トリアセチルセルロースフィルム上にハードコート層、中屈折率層及び低屈折率層の順に積層されて構成されている。 - 特許庁

The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.例文帳に追加

ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁

To provide an antireflection film with low reflection and exhibiting black tightness by making dense the arrangement of low refractive index particle contained in a low refractive index layer.例文帳に追加

低屈折率層に含まれる低屈折率粒子の配列を密にし、低反射化、及び黒の締まりのある反射防止フィルムを提供する。 - 特許庁

Then, at the projection portion 18a of the back surface reflection layer 18, a low reflection material film 22 is formed as a low reflection portion of low reflectivity.例文帳に追加

そして、その背面反射層１８の凸部１８ａには、反射率の低い低反射部として低反射材料被膜２２が形成されている。 - 特許庁

To provide a low refractive index composition which enables formation of a low-refraction-index low-reflection layer on a substrate and has excellent stability, an antireflection material and a display.例文帳に追加

基材に対して低屈折率低反射層を形成でき、安定性に優れた低屈折率組成物、反射防止材およびディスプレイを提供する。 - 特許庁

The contact structures are formed in the low dielectric constant material layer (low-k materials) using the dual damascene process, which provides the method of forming contact structures effectively.例文帳に追加

これよって、効果的なコンタクト構造形成方法を提供するデュアルダマシン工程を利用し、低誘電率物質層(low-k materials)内にコンタクト構造を形成する。 - 特許庁

The p-type silicon film 3 has a low-doped layer 31 to which p-type impurities are doped in a low concentration, a high-doped layer 32 to which p-type impurities are doped in a high concentration, and the low-doped layer 33 to which p-type impurities are doped in the low concentration successively from the i-type amorphous silicon film 2 side.例文帳に追加

ｐ型非晶質シリコン膜３は、ｉ型非晶質シリコン膜２側から順にｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３１、ｐ型不純物が高濃度にドープされた高ドープ層３２およびｐ型不純物が低濃度にドープされた低ドープ層３３を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit which has a low-loss and uniform grounding layer.例文帳に追加

低損失で一様な接地層を持つ半導体集積回路を提供する。 - 特許庁