「memory write」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance efficiency of access to a memory with slow write speed.例文帳に追加

書き込みの処理が遅いメモリに対するアクセスを効率化する。 - 特許庁

WRITE HEAD DRIVER CIRCUIT AND METHOD FOR WRITING TO MEMORY DISK例文帳に追加

書込ヘッドドライバ回路及びメモリディスクへの書込方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND ITS DATA WRITE/READ METHOD例文帳に追加

半導体記憶装置およびその記憶データ書き込み・読み出し方法 - 特許庁

A write circuit 26 writes data to the memory cells.例文帳に追加

書込回路２６は、メモリセルへのデータの書込みを行なう。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR GENERATING WRITE CURRENT FOR MAGNETIC MEMORY CELL例文帳に追加

磁気メモリセルのための書込み電流を生成するための装置および方法 - 特許庁

To provide a high speed ferroelectric memory device and its write method.例文帳に追加

高速強誘電体メモリ装置及びそれの書き込み方法を提供する。 - 特許庁

The image pickup device includes a control means (control circuit 2) which performs control to write image data in the first nonvolatile memory and to write management information including a write address of the image data in the first nonvolatile memory, in the second nonvolatile memory.例文帳に追加

また、画像データを第１の不揮発メモリに書き込み、画像データの第１の不揮発メモリの書き込みアドレスを含む管理情報を第２の不揮発メモリに書き込む制御を行う制御手段（制御回路２）を備える。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device comprising a nonvolatile memory cell which can write data electrically into a select memory cell by tunnel phenomenon in which write disturb phenomenon to a write disable nonselect memory cell can be suppressed or prevented.例文帳に追加

選択メモリセルにデータをトンネル現象によって電気的に書込むことが可能な不揮発性メモリセルを有する半導体装置において、書込み禁止の非選択メモリセルへの書込みディスターブ現象を抑制または防止する。 - 特許庁

In response to a write command, the write data and the parity data are sequentially written to the memory area of a write memory block being one of the memory blocks.例文帳に追加

書き込みコマンドに応答して、メモリブロックの１つである書き込みメモリブロックのメモリ領域に、書き込みデータおよびパリティデータが順に書き込まれる。 - 特許庁

This device is constituted of user memory region 10 in which a user can write arbitrary data, and a write information storing memory region 11 in which data write presence absence information performed for the user memory region 10 is stored.例文帳に追加

ユーザが任意のデータを書き込むことができるユーザメモリ領域１０と、ユーザメモリ領域１０に対して行ったデータ書き込み有無情報を格納する書込情報格納メモリ領域１１により構成される。 - 特許庁

It is determined whether write data and the flash memory initial value are equal to each other or not in write processing from the host, and data transfer to the flash memory is suppressed when the write data and the flash memory initial value are equal to each other.例文帳に追加

ホストからの書込み処理の際に、書込みデータとフラッシュメモリ初期値とが等しいかどうかを判断し、書込みデータがフラッシュメモリ初期値に等しい場合には、フラッシュメモリへのデータ転送を抑制する。 - 特許庁

IMAGE MEMORY, IMAGE PROCESSING APPARATUS, CONTROLLER DRIVER, AND IMAGE MEMORY WRITE METHOD例文帳に追加

画像メモリ，画像処理装置，コントローラドライバ，及び，画像メモリ書き込み方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory controller 2 and a semiconductor memory system 1 having an improved write speed.例文帳に追加

書き込み速度の速い半導体メモリコントローラ２、および半導体メモリシステム１を提供する。 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, AND DRIVING CIRCUIT OF PHASE CHANGE MEMORY WRITE OPERATION例文帳に追加

プログラミング方法、相変化メモリ装置、及び、相変化メモリ書込み動作の駆動回路 - 特許庁

To improve efficiency of write-back from a cache memory to another nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

キャッシュメモリから他の不揮発性半導体メモリへの書き戻しの効率化を図る。 - 特許庁

To provide stable memory cell characteristics by improving the write level of a memory cell.例文帳に追加

メモリセルの書き込みレベルを改善することによって、安定したメモリセル特性を持たせる。 - 特許庁

A CPU 24 can write data in a flash memory 22 and read written data in a flash memory 22.例文帳に追加

ＣＰＵ２４は、フラッシュメモリ２２にデータを書き込み、また、書き込んだデータを読み出すことができる。 - 特許庁

To reduce the time for write operation of a semiconductor memory having a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性のメモリセルを有する半導体メモリの書き込み動作時間を短縮する。 - 特許庁

WRITE DRIVER CIRCUIT FOR MAGNETIC MEMORY DEVICE, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND LAYOUT STRUCTURE THEREOF例文帳に追加

磁気メモリ装置のためのライトドライバー回路、磁気メモリ装置及びそのレイアウト構造 - 特許庁

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND WRITE-IN METHOD OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ及び磁気ランダムアクセスメモリの書き込み方法 - 特許庁

A cache memory 30 is managed using a tag memory 40, and utilized by a write-through method.例文帳に追加

キャッシュメモリ３０が、タグメモリ４０を用いて管理され、ライトスルー方式で運用される。 - 特許庁

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND WRITE-IN AND READ-OUT METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの書き込み及び読み取り方法 - 特許庁

To reduce a memory access delay caused by data write back operation from line buffers to a memory section.例文帳に追加

ラインバッファからメモリ部へのデータ書き戻し動作によるメモリアクセス遅延を削減する。 - 特許庁

WRITE-IN METHOD AND READ-OUT METHOD FOR FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, AND FERROELECTRIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

強誘電体メモリ装置の書き込み方法および読み出し方法ならびに強誘電体メモリ装置 - 特許庁

When supplied with the memory enable signal the nonvolatile memory 32 can write the data, etc.例文帳に追加

このメモリイネーブル信号が供給された不揮発性メモリ３２は、データの書き込み等が可能になる。 - 特許庁

The magnetic memory device has a plurality of write lines (14, 16) and a plurality of memory cells (12').例文帳に追加

磁気メモリデバイスは、複数の書込み線（１４，１６）と、複数のメモリセル（１２´）とを有する。 - 特許庁

NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE AND DATA WRITE METHOD FOR NONVOLATILE MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性磁気メモリ装置、及び、不揮発性磁気メモリ装置へのデータ書込方法 - 特許庁

To provide a magnetic memory device wherein write data can be accurately written to a selected memory cell.例文帳に追加

正確に書込データを選択メモリセルに書込むことのできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a memory controller that can write accurately data into flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリに対して正しくデータを書き込むことができるメモリコントローラを提供する。 - 特許庁

A memory controller comprises a read/write memory 109 to temporarily store address management information.例文帳に追加

メモリコントローラ１１０に読み書きメモリ１０９を設け、アドレス管理情報を一時記憶する。 - 特許庁

To obtain a cache memory circuit having an independent read bus and write bus regarding a cache memory circuit etc., used to provide short term, high speed storage for instruction words or data words.例文帳に追加

独立したリードバスおよびライトバスを有するキャッシュメモリ回路を得る。 - 特許庁

MEMORY DEVICE WITH WRITE-PROTECTABLE BUFFER MEMORY, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM INCLUDING SAME例文帳に追加

書き込み防止可能なバッファメモリを有するメモリ装置及びそれを含む情報処理システム - 特許庁

SELF ERASE/WRITE DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND SELF BURN-IN TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

半導体メモリのセルフイレース・ライト装置および半導体メモリのセルフバーンインテスト方法 - 特許庁

To give a stable memory cell property by improving a write-in level of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの書き込みレベルを改善することによって、安定したメモリセル特性を持たせる。 - 特許庁

SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING WRITE TO MEMORY CELL AND READ FROM MEMORY CELL例文帳に追加

メモリセルへの書き込みおよびメモリセルからの読み出しを行うためのシステムおよび方法 - 特許庁

To surely write back corrected data to a main memory in reading data from the main memory.例文帳に追加

メインメモリからの読み出しの際に訂正されたデータを確実に書き戻す。 - 特許庁

The write data hold circuit 13 holds the value to be stored in the memory cell of the memory circuit 9.例文帳に追加

書込データ保持回路１３がメモリ部９のメモリセルに記憶する値を保持する。 - 特許庁

The memory array can be used as a memory by adding a read/write circuit.例文帳に追加

読出し及び書込み回路を追加することにより、メモリアレイはメモリとして使用できる。 - 特許庁

To efficiently perform a data managing method for a removable memory device using an irreversible write memory.例文帳に追加

非可逆書き込みメモリを使用したリムーバブルなメモリ装置のデータ管理方法を効率良く行なう。 - 特許庁

A write task part 91 copies the data D of the first memory 131 to the second memory 132.例文帳に追加

書込みタスク部９１は、第１記憶部１３１のデータＤを第２記憶部１３２にコピーする。 - 特許庁

The memory transactions 33 include a plurality of memory write command types.例文帳に追加

メモリ・トランザクション３３は、複数のメモリ書き込みコマンド・タイプを含む。 - 特許庁

A write back task part 92 writes back the data D of the second memory 132 to the nonvolatile memory 55.例文帳に追加

書戻しタスク部９２は第２記憶部１３２のデータＤを不揮発性メモリー５５に書き戻す。 - 特許庁

The object address of the memory write and the progress situation of the memory copy are compared, and the memory write to an area where the memory copy is already performed is written to the computer of the memory copy destination as well by the data transfer device.例文帳に追加

メモリ書込みの対象アドレスと、メモリコピーの進捗状況を比較し、メモリコピー済の領域に対するメモリ書込みは、前記データ転送装置によってメモリコピー先の計算機にも書込む。 - 特許庁

To provide a memory device, a memory write-in device, a memory system and a memory write-in method which smoothes the reuse of a memory medium, while suppressing tampering and diffusion of a program.例文帳に追加

プログラムの改竄と拡散を抑制しながらメモリ媒体のリユースを円滑化できるメモリ装置、メモリ書込み装置、メモリシステムおよびメモリ書込み方法を提供する。 - 特許庁

The memory device includes a nonvolatile memory, a volatile memory as the buffer memory, a write-protection control circuit, and a control circuit.例文帳に追加

メモリ装置は不揮発性メモリ、バッファメモリとして揮発性メモリ、書き込み防止制御回路、及び制御回路を含む。 - 特許庁