「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The original substrate is removed, the n-type layer is exposed, and an additional layer and processing are added to the device.例文帳に追加

当初の基板を除去し、ｎ型層を露出させ、追加の層および処理をデバイスに追加する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 2 (resistive layer) is arranged along one side of the substrate 1 with an appropriate width.例文帳に追加

ｎ型半導体層２（抵抗層）は、適宜の幅で基板１の１辺側に沿って配置してある。 - 特許庁

The n-type multilayer reflection layer 12 is a multilayer reflection layer formed of laminated semiconductor layers with different refractive indices.例文帳に追加

ｎ型多層反射層１２は、屈折率の異なる半導体層を積層した多層反射層である。 - 特許庁

An n-type diffusion layer 110a is selectively formed just under the p-type diffusion layer 111a.例文帳に追加

前記Ｐ型拡散層１１１ａの真下にＮ型拡散層１１０ａを選択的に形成する。 - 特許庁

A second bonding electrode 62 is formed near one end of the n-type semiconductor layer 2 (resistive layer).例文帳に追加

ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍に第２ボンディング電極６２を形成してある。 - 特許庁

The n-side guide layer 14 and the p-side guide layer 18 comprise InGaP with a natural superlattice formed.例文帳に追加

ｎ側ガイド層１４及びｐ側ガイド層１８は、自然超格子が形成されたＩｎＧａＰからなる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a p-type diffusion layer 5 is formed on an n-type epitaxial layer 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型のエピタキシャル層３にＰ型の拡散層５が形成されている。 - 特許庁

A n^+ type source layer 5 is selectively formed on the surface portion of the p^- type base layer 4.例文帳に追加

このｐ型ベース層４の表面部分には、ｎ＋型ソース層５が選択的に形成されている。 - 特許庁

Pn junction J is formed by the second n-type semiconductor layer 19 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 - 特許庁

An n-type AlGaN buffer layer (12) is formed on an SiC substrate (11) as a buffer layer of the element.例文帳に追加

素子のバッファ層として、ＳｉＣ基板（１１）上にｎ型ＡｌＧａＮバッファ層（１２）を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer 17 is formed on an n^- epitaxial layer 2 formed on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上に形成されたＮ^-エピタキシャル層２の上には、半導体層１７が形成されている。 - 特許庁

The n-type channel cut layer 5 is separated from the p-type channel cut layer 6 through the second element separation 22.例文帳に追加

ｎ型チャネルカット層５とｐ型チャネルカット層６とは第２の素子分離２２により分離されている。 - 特許庁

N+ type embedded layers (6A and 6B) are formed while being superimposed on an N-type well area 2B and the bottom of an N-type collector layer 4 by the same process.例文帳に追加

Ｎ＋型埋め込み層（６Ａ、６Ｂ）は、同一工程にてＮ型ウエル領域２Ｂ及びＮ型コレクタ層４の底部に重畳して形成される。 - 特許庁

An n-type cathode area 6 and a p-type short area 8 adjacent to the n-type cathode area 6 are formed on the surface layer of the n-type diffusion area 4.例文帳に追加

ｎ形拡散領域４の表面層にｎ形カソード領域６とこのｎ形カソード領域６と隣接してｐ形ショート領域８を形成する。 - 特許庁

A deep N+ region 30 is formed on the N-type epitaxial layer 15b between the adjacent P regions 12, 14 and reaches a buried N+ region 20.例文帳に追加

隣接するｐ領域１２，１４の間におけるｎ型エピタキシャル層１５ｂにディープｎ^+ 領域３０が形成され、埋込ｎ^+ 領域２０に達している。 - 特許庁

P base regions 20 and 21, an n^+-source region 22, and an n^+-drain region 25 are formed on a surface portion on a principal plane 3a of an n^--silicon layer 3.例文帳に追加

Ｎ^-シリコン層３における主表面３ａでの表層部にＰベース領域２０，２１とＮ^+ソース領域２２とＮ^+ドレイン領域２５が形成されている。 - 特許庁

An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｐ−シリコン基板１とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｎ＋埋め込み拡散領域３が形成され、Ｎ＋埋め込み拡散領域３とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｐ＋埋め込み拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

The layer containing the semiconductor film formed on the substrate is formed so that the total stress of the layer may be -500 N/m or more and +50 N/m or less or preferably -150 N/m or more and 0 N/m or less after the heating.例文帳に追加

ガラス基板上に形成する半導体膜を含む層は、上記加熱後において全応力が−５００Ｎ／ｍ以上＋５０Ｎ／ｍ以下、好ましくは−１５０Ｎ／ｍ以上０Ｎ／ｍ以下となるような層を形成する。 - 特許庁

Since the high-reflectivity material layer is formed between the n^- electrode and a part of the region of n^- semiconductor layer below it, a reaching light is reflected to the substrate side, improving emission efficiency of the light emitting diode.例文帳に追加

このようにn-電極とその下部のn-半導体層の一部領域間に高反射率物質層を形成すると、到達する光を基板側へ反射でき、それによって発光ダイオードの発光効率を改善することができる。 - 特許庁

On the n^+-type GaN layer 4, a source electrode 15 forms an ohmic contact.例文帳に追加

ｎ^+型ＧａＮ層４には、ソース電極１５がオーミック接触している。 - 特許庁

Thereafter, an n-side contact layer 15 is grown from the crystal portion 11A.例文帳に追加

そののち、結晶部１１Ａからｎ側コンタクト層１５を成長させる。 - 特許庁

To provide a variable resistance random access memory element equipped with an n+ interface layer.例文帳に追加

ｎ＋界面層を備えた可変抵抗ランダムアクセスメモリ素子を提供する。 - 特許庁

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.例文帳に追加

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁

A source electrode 17 is in ohmic contact with the n^+-type GaN layer 6.例文帳に追加

ｎ^＋型ＧａＮ層６には、ソース電極１７がオーミック接触している。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

The first n-type semiconductor layer 13 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

第１のｎ型半導体層１３は基板１１上に設けられている。 - 特許庁

The N^+ dispersion layer 16 functions as a second electrode part of the capacitor.例文帳に追加

このＮ^＋拡散層１６は、コンデンサの第２の電極部として機能する。 - 特許庁

Further, the gate electrode 9 is wired on the N-type diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、ゲート電極９は、Ｎ型の拡散層７上に配線されている。 - 特許庁

The rate of content of N in the mixture layer is in the range of 1-20 wt.%.例文帳に追加

混在層中におけるＮの含有率は、１〜２０ｗｔ％である。 - 特許庁

In a trench type MOS gate structure, an N-type source layer is formed self-alignedly.例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳゲート構造で、Ｎ型ソース層をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

After that, an MOS structure is formed at the upper part of the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

その後、ｎ型シリコン層１２の上部に、ＭＯＳ構造を形成する。 - 特許庁

The fitness layer 16 contains N (nitrogen), H (hydrogen) and Si (silicon).例文帳に追加

なじみ層１６は、Ｎ（窒素）、Ｈ（水素）およびＳｉ（シリコン）を含有している。 - 特許庁

A refractive index of a layer between the light-emitting point and a light reflective electrode is denoted by n.例文帳に追加

ｎは発光点と光反射性電極の間の層の屈折率。 - 特許庁

Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁

The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

A p-type silicon carbide well region is provided on the n^- silicon carbide layer.例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。 - 特許庁

STRUCTURE OF LOW ELECTRICAL RESISTANCE N-TYPE CONTACT LAYER OF GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

窒化ガリウム系発光ダイオードの低電気抵抗ｎ型コンタクト層の構造 - 特許庁

A p-type impurity layer 2 is formed in an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１内には、ｐ型不純物層２が形成される。 - 特許庁

An annular deep trench 6 is formed in an N type epitaxial layer 5.例文帳に追加

Ｎ型のエピタキシャル層５に、環状のディープトレンチ６が形成されている。 - 特許庁

Further, an N+-type guard ring 9 etc., is formed which is connected to an end of the N+-type buried guard layer 2 and extends up to a surface of the epitaxial layer 3 etc.例文帳に追加

また該Ｎ＋型埋め込みガード層２の端部と接続し前記エピタキシャル層３等の表面まで延在するＮ＋型ガードリング９等を形成する。 - 特許庁

The diffusion region 6b of a first source-drain 6 comprises an n^+ type layer and the diffusion region 7b of a second source-drain 7 comprises an n^- type layer.例文帳に追加

第１のソース／ドレイン６の拡張領域６ｂはｎ^+型層により、第２のソース／ドレイン７の拡張領域７ｂはｎ^-型層により構成される。 - 特許庁

A section 112, directly above a connecting section in a p-type upper clad layer 15, is composed of the same conductivity type (an n-type) as that of an n-type lower clad layer 12.例文帳に追加

ｐ型の上部クラッド層１５のうち、接続部分の真上の部分１１２は、ｎ型の下部クラッド層１２と同じ導電形（ｎ型）で構成している。 - 特許庁

A first contact hole 9 is formed on an interlayer insulating film 8 covering the N+type source layer 7, and a part of the N+type source layer 7 is exposed.例文帳に追加

Ｎ＋型ソース層７上を被覆する層間絶縁膜８に第１のコンタクトホール９を形成し、Ｎ＋型ソース層７の一部を露出する。 - 特許庁

The surface state of the N-InP substrate 1 is restrained from being transmitted to an InGaAsP multi-quantum well layer 4 by the N-InP buffer layer 2.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，ｎ−ＩｎＰ基板１の表面の状態は，ＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４に伝達されることはない。 - 特許庁

A restriction trench 22 is formed in such a way that it passes the p-type base layer 12 so as to reach the n-type base layer 11 between the pair of n-type emitter layers 15.例文帳に追加

一対のｎ型エミッタ層１５の間で、ｐ型ベース層１２を貫きｎ型ベース層１１に達するように、絞りトレンチ２２が形成される。 - 特許庁