「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

In the p-type guide layer 16 and the n-type guide layer 15, In-compositions become larger as approaching the active layer 10, respectively.例文帳に追加

ｐ型ガイド層１６およびｎ型ガイド層１５は、それぞれ、活性層１０に近づくほどＩｎ組成が大きくなっている。 - 特許庁

N pieces of coils are each stored in the shape of two-layer winding consisting of an inner peripheral layer and an outer peripheral layer in each slot.例文帳に追加

ｎ個のコイルは各々のスロット内において内周層と外周層とからなる二層巻き状で収納されている。 - 特許庁

Over the entire surface of the N^+-type silicon layer 4 and the P^+-type silicon layer 12, a buried oxide film 5 and an SOI layer 6 are provided.例文帳に追加

また、Ｎ^＋型シリコン層４及びＰ^＋型シリコン層１２上の全面に、埋込酸化膜５及びＳＯＩ層６を設ける。 - 特許庁

The interface layer is formed by dipping the n-type charge transfer layer in a solution in which the interface layer is resolved.例文帳に追加

界面層は界面層を溶解した溶液中にｎ型の電荷輸送層を浸積させることによって形成している。 - 特許庁

Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。 - 特許庁

A P+ type contact layer 17 is embedded and formed in a P type base layer 13 just below a bottom face of an N+ type source layer 18.例文帳に追加

Ｐ＋型コンタクト層１７をＮ＋型ソース層１８の底面の直下のＰ型ベース層１３内に埋め込んで形成する。 - 特許庁

It is desirable that conductivity of each of the layer becomes higher as it goes from the first layer 20n through the n-th layer 20n.例文帳に追加

第１層２０ａから第ｎ層２０ｎにかけて、各層の導電率が高くなるようにすることが一層好ましい。 - 特許庁

The alternate hetero-junction layer 5 is constituted by alternatively joining a p-type lamellar layer 3 and an n-type lamellar layer 4.例文帳に追加

交互ヘテロ接合５は、ｐ型のラメラ層３とｎ型のラメラ層４とが交互に接合されることにより、構成されている。 - 特許庁

An FS layer 2a, a p^++-type collector layer 1a, and an n^++-type cathode layer 1b are previously formed before an MOS device is formed.例文帳に追加

ＭＯＳデバイス形成前に予めＦＳ層２ａやｐ^++型コレクタ層１ａおよびｎ^++型カソード層１ｂを形成する。 - 特許庁

An active layer 6 is formed on an n-type GaAs substrate 1 while a p-type AlGaInP clad layer 8 is formed on the active layer 6.例文帳に追加

Ｎ型GaAs基板１上に、活性層６を形成すると共に、活性層６上に、Ｐ型AlGaInPクラッド層８を形成する。 - 特許庁

An IGBT is provided with a p-type emitter layer 17 and a p-type base layer 12 which are arranged and installed by sandwiching an n-type base layer 11.例文帳に追加

ＩＧＢＴはｎ型ベース層１１を挟んで配設されたｐ型エミッタ層１７とｐ型ベース層１２とを有する。 - 特許庁

At least two of the plurality of active layers each include a multilayered laminate, an n-side barrier layer, a well layer, and a p-side barrier layer.例文帳に追加

複数の活性層の少なくとも２つは、多層積層体と、ｎ側障壁層と、井戸層と、ｐ側障壁層と、を含む。 - 特許庁

On the p-type diffusing layer 5, an n-type diffusing layer 7 as a source region and a p-type diffusing layer 6 are formed.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層５には、ソース領域としてのＮ型の拡散層７と、Ｐ型の拡散層６とが形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a part composed of the p^+-layers 15, the n^--layer 5, an FS layer 4 and a p^+-layer 3 has a pnp transistor structure.例文帳に追加

また、Ｐ＋層１５、Ｎ−層５、ＦＳ層４およびＰ＋層３からなる部分が、ＰＮＰトランジスタ構造になっている。 - 特許庁

An n layer (not illustrated), a light emitting layer (not illustrated) and a p layer (not illustrated) are stacked in sequence on the top surface 4b of the substrate 4.例文帳に追加

また、基板４の天面４ｂには、ｎ層（図示せず）、発光層（図示せず）、ｐ層（図示せず）が順に積層されている。 - 特許庁

It is also acceptable that the p-layer is formed on the entire top face and then the n^+-layer is formed in the island structure (in spots) on the p-layer.例文帳に追加

上面全体にｐ層を作成し、その上からｎ＋層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。 - 特許庁

The ESD layer 12 has pits 20, and the n-type cladding layer 13 and the light-emitting layer 14 are formed without filling the pits 20.例文帳に追加

ＥＳＤ層１２はピット２０を有し、このピット２０を埋めずにｎ型クラッド層１３、発光層１４が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 11, a non-doped gallium nitride layer 12 and an n-type gallium nitride active layer 13 are formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

サファイア基板１０上に、バッファ層１１、ノンドープの窒化ガリウム層１２及びｎ型窒化ガリウム活性層１３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser of a PN junction consists of the p-type base layer 13, the active layer 14 and the n-type base layer 15.例文帳に追加

ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からＰＮ接合型の半導体レーザ部分を構成する。 - 特許庁

The mesa region M is formed by a semiconductor laminate composed of an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4.例文帳に追加

メサ領域Ｍは、ｎ型ＧａＮ層２、活性層３、ｐ型ＧａＮ層４からなる半導体積層体で形成される。 - 特許庁

An n-type buried diffusion layer 9 is formed on a p-type buried diffusion layer 6 in the substrate 3 and the epitaxial layer 4.例文帳に追加

基板３とエピタキシャル層４には、Ｎ型の埋込拡散層９がＰ型の埋込拡散層６上に形成されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 6, intrinsic semiconductor layer, and p-type semiconductor layer 5 are continuously arranged in this order to form a pin diode structure.例文帳に追加

ｎ型半導体層６、真性半導体層およびｐ型半導体層５の順で連続したｐｉｎダイオード構造となる。 - 特許庁

This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer.例文帳に追加

このエッチング加工したマスク層は、Ｐ^+ 型ボディー拡散層、Ｎ^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。 - 特許庁

The solar cell having the reflective structure includes a front contact, a P layer, an I layer, an N layer, and a back contact that are stacked together.例文帳に追加

反射構造を有する太陽電池は、積み重ねられたフロント接点と、Ｐ層と、Ｉ層と、Ｎ層と、バック接点とを含む。 - 特許庁

An n-electrode layer 8 and the p-electrode layer 321 of the second layer 62 of the p-conductive type of the compensating diode 320 are connected.例文帳に追加

ｎ電極層８と補償ダイオード３２０のｐ伝導型の第２層６２のｐ電極層３２１とが接続されている。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor element (2) is provided with a p-type cladding layer (18), a waveguide layer (6) and a n-type cladding layer (4).例文帳に追加

本発明による導波路型半導体素子（２）は、ｐ型クラッド層（１８）、導波層（６）およびｎ型クラッド層（４）を備える。 - 特許庁

A P^+-type diffusion layer 7 is formed in the surface of the P^--type diffusion layer 5 adjacently to the N^+-type diffusion layer 6.例文帳に追加

Ｐ−型の半導体層５の表面にはＮ＋型の拡散層６に隣接してＰ＋型拡散層７が形成されている。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層３と素子分離領域４の上にＳｉ層とＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

An InAlGaN layer 19 is provided between a quantum well light emitting layer 13 and an n-type gallium nitride semiconductor layer 15.例文帳に追加

ＩｎＡｌＧａＮ層１９は量子井戸発光層１３とｎ型窒化ガリウム系半導体層１５との間に設けられる。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

A buffer layer 2, an n-AlGaInP clad layer 3, an active layer 4, a p-AlGaInP clad layer 5, a p-GaInP step-punching generation layer 6, and a p-GaInP ordered-structure formation layer (a spontaneous superlattice layer) 7, are epitaxially grown on an n-type GaAs substrate 1, and a mesa structure is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、バッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、活性層４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、ｐ−ＧａＩｎＰステップバンチング発生層６、ｐ−ＧａＩｎＰ秩序構造形成層（自然超格子層）７をエピタキシャル成長させ、メサ構造を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes an n-type clad layer 102 formed on a substrate 101, the active layer 105 which is formed on the n-type clad layer 102 and has a well layer and a barrier layer and a p-type clad layer 109 formed on the active layer 105.例文帳に追加

半導体発光装置は、基板１０１の上に形成されたｎ型クラッド層１０２と、ｎ型クラッド層１０２の上に形成され、井戸層及び障壁層を有する活性層１０５と、活性層１０５の上に形成されたｐ型クラッド層１０９とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁

An element separating and insulating film 3a is provided on an N well layer 2 while a first P+layer 4 and a second P+layer 5, apart from the first P+layer 4, are formed on the N well layer 2 surrounded by the element separating and insulating film 3a.例文帳に追加

Ｎウェル層２上に素子分離絶縁膜３ａを設け、素子分離絶縁膜３ａで囲まれたＮウェル層２上に第１のＰ＋層４と、第１のＰ＋層４と離間した第２のＰ＋層５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the P-type nitride SEMICONDUCTOR layer 4, the active layer 3, and the N-type nitride semiconductor layer 2 are partially etched to make the N-type nitride semiconductor layer 2 exposed so as to form a strip resonator where light is emitted from the active layer 3.例文帳に追加

さらに、ｐ型窒化物半導体層４、活性層３、およびｎ型窒化物半導体層２の一部をエッチングしてｎ型窒化物半導体層２を露出させ、活性層３より発光する帯状のレーザ共振器を形成する。 - 特許庁

A low temperature growth buffer layer 104 and a first n-type GaN layer 105 are then sequentially grown epitaxially on the AIN layer 103, and a mask layer 106 having an opening is formed on the first n-type GaN layer 105.例文帳に追加

次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

A channel doped layer (channel diffused layer) of an MOS transistor or CMOS transistor is e.g. such a p-type local doped layer 5 formed locally between an n-type source diffused layer 11 and an n-type drain diffused layer 12, as shown in Fig. 1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＣＭＯＳトランジスタのチャネルドープ層（チャネル拡散層）が、例えば図１に示すようなＰ型局所ドープ層５がＮ型ソース拡散層１１とＮ型ドレイン拡散層１２との間に局部的に形成される。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

The compound semiconductor device is provided with: a p-type GaN layer 2; an n-type GaN layer 3 formed on the p-type GaN layer 2 and depleted; and an undoped GaN layer 4 with thickness of ≥30 μm formed on the n-type GaN layer 3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層２上に形成され、空乏化されたｎ型ＧａＮ層３と、ｎ型ＧａＮ層３上に形成された厚さが３０μｍ以上のアンドープのＧａＮ層４と、が設けられている。 - 特許庁

An AlGaAs layer 1 of a P-N-P-N structure is formed on a GaAs substrate 2, the layer 1 is subjected to mesa etching, the layer 1 is partially removed, mesa etched parts 6 are formed in the layer 1, and the layer 1 is covered with an SiO2 insulating film 3 including the parts 6.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板２上にｐｎｐｎ構造のＡｌＧａＡｓ層１が形成され、メサエッチングされてＡｌＧａＡｓ層が一部除去されて、メサエッチング部６が形成され、ＳｉＯ_2 絶縁膜３で被覆されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device has a substrate 110, an n-type semiconductor layer located above the substrate 110, a semiconductor light emitting layer located above the n-type semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer located above the semiconductor light emitting layer.例文帳に追加

基板１１０と、基板１１０の上方に位置しているｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上方に位置している半導体発光層と、半導体発光層の上方に位置しているｐ型半導体層とを備えている。 - 特許庁

A p-type spacer layer 109, n-type current light confining layer 110, n-type current sealing layer 111 and p-type planarized layer 112 are provided on both the sides of the ridge part, in the direction of the width, and a p-type contact layer 113 is laminated thereon.例文帳に追加

リッジ部の幅方向両側に、ｐ型スペーサ層１０９、ｎ型電流光閉じ込め層１１０、ｎ型電流閉じ込め層１１１、ｐ型平坦化層１１２を備え、その上に、ｐ型コンタクト層１１３を積層する。 - 特許庁

The solar cell comprises a transparent electrode film 2 successively laminated onto a transparent substrate 1, a p-layer (p-type semiconductor layer) 3, a titanium oxide layer 4 where the oxidation number is controlled, an n layer (n-type semiconductor layer) 5, and an electrode film 6.例文帳に追加

この太陽電池は、透明基板１の上に順次に積層された透明電極膜２、ｐ層（ｐ型半導体層）３、酸化数が制御された酸化チタン層４、ｎ層（ｎ型半導体層）５及び電極膜６を有する。 - 特許庁