「n layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

It is advantageous that the first adhesive layer and the second adhesive layer have ≥1×10^5 N/m^2 storage elastic modulus and the third adhesive layer has ≤3×10^4 N/m^2.例文帳に追加

第一の粘着層と第二の粘着層は貯蔵弾性率を１×１０^5Ｎ／m^2以上とし、第三の粘着層は貯蔵弾性率を３×１０^4Ｎ／m^2以下とするのが有利である。 - 特許庁

A base region (P impurity layer 4) is formed on a surface of an epitaxial layer 2, an emitter region (N+ impurity layer 5) is formed on a surface of the P impurity layer 4, and a collector region comprising the epitaxial layer 2 and an N+ impurity layer 6 is formed.例文帳に追加

エピタキシャル層２の表面にベース領域（Ｐ不純物層４）が形成され、Ｐ不純物層４の表面にエミッタ領域（Ｎ＋不純物層５）が形成され、エピタキシャル層２とＮ＋不純物層６とから成るコレクタ領域が構成されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor light-emitting element 1 includes an n-type semiconductor layer 140 laminated on the base layer 130, a light-emitting layer 150 laminated on the n-type semiconductor layer 140, and a p-type semiconductor layer 160 laminated on the light-emitting layer 150.例文帳に追加

また、半導体発光素子１は、下地層１３０上に積層されるｎ型半導体層１４０と、ｎ型半導体層１４０上に積層される発光層１５０と、発光層１５０上に積層されるｐ型半導体層１６０とを備える。 - 特許庁

An n-type oxide layer 2, a barrier layer 3, and a p-type oxide layer 4 are laminated in order on an insulated substrate 1 such as glass, a metal electrode 5 of double-layer structure is formed on the p-type oxide layer 4, and a metal electrode 6 is formed on the n-type oxide layer 2.例文帳に追加

ガラス等の絶縁性基板１上にｎ型酸化物層２、バリア層３、ｐ型酸化物層４が順に積層され、ｐ型酸化物層４上には２層構造の金属電極５が、ｎ型酸化物層２上には金属電極６が形成されている。 - 特許庁

A MOS thyristor 100 comprises a p+ type anode layer (first semiconductor layer) 10, an n- type base region (second semiconductor layer) 14, a p+ type base region (third semiconductor layer) 16, and an n+ type impurity diffused layer (fourth semiconductor layer) 18 functioning as a source region.例文帳に追加

ＭＯＳサイリスタ１００は、ｐ^+型アノード層（第１半導体層）１０、ｎ^-型ベース領域（第２半導体層）１４、ｐ^-型ベース領域（第３半導体層）１６、およびソース領域として機能するｎ^+型不純物拡散層（第４半導体層）１８を有する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element which has an n-type layer, an active layer, and a p-type layer formed on a substrate is provided with a current stricture layer on the n-type layer side, and the current stricture layer is formed of p- or i-type AlxGa1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

基板上に形成されたｎ型層、活性層及びｐ型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、ｎ型層側に電流狭窄層を設け、該電流狭窄層をｐ型又はｉ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）とした。 - 特許庁

The thermoelectric module 1 is formed by laminating an N type thermoelectric thin film layer 3, an insulating thin film layer 5 and a P type thermoelectric thin film layer 7 successively, and also the N type thermoelectric thin film layer 3 is series-connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by an electrode thin film layer 9.例文帳に追加

熱電モジュール１は、Ｎ型熱電薄膜層３、絶縁薄膜層５、Ｐ型熱電薄膜層７が順次積層されるとともに、Ｎ型熱電薄膜層３とＰ型熱電薄膜７とが、電極薄膜層９により直列に接続されたものである。 - 特許庁

The semiconductor laser element 1 is formed by stacking, in a following sequence, an n-type semiconductor substrate 11, an n-type clad layer 12, an active layer 13, a p-type first clad layer 14, a current block layer 15, a p-type second clad layer 16, and a p-type contact layer 17.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１は、ｎ型半導体基板１１、ｎ型クラッド層１２、活性層１３、ｐ型第１クラッド層１４、電流ブロック層１５、ｐ型第２クラッド層１６、及びｐ型コンタクト層１７が、この順に積層されてなる。 - 特許庁

Other contact holes are opened in the insulation layer 9 on the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8, respectively, and a wiring layer 11 (an anode electrode) connecting the P^+-type diffusion layer 7 and the N^+-type diffusion layer 8 is formed through the respective other contact holes.例文帳に追加

Ｐ＋型の拡散層７及びＮ＋型の拡散層８上の絶縁膜９には、それぞれコンタクトホールが開口され、各コンタクトホールを通して、Ｐ＋型の拡散層７とＮ＋型の拡散層８とを接続する配線１１（アノード電極）が形成されている。 - 特許庁

A GaN buffer layer 12, an n-Al_xGa_1-xN layer 13, an n-Al_yGa_1-y layer 14, an In_z-Ga_1-zN layer 15, a p-Al_yGa_1-yN layer 16, and a p-GaN layer 17 are layered on a sapphire substrate 11 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層１２、ｎ−Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１３、ｎ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１４、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ層１５、ｐ−Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層１６およびｐ−ＧａＮ層１７をこの順に積層する。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

An i-GaN layer 5 (electron transit layer), an n-GaN layer 7 (compound semiconductor layer) formed over the i-GaN layer 5 (electron transit layer) and a source electrode 21s, a drain electrode 21d and a gate electrode 21g, which are formed over the n-GaN layer 7 (compound semiconductor layer), are installed.例文帳に追加

ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）と、ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）上方に形成されたｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）と、ｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）上方に形成されたソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びゲート電極２１ｇと、が設けられている。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

A PIN photocell is equipped with a transparent board, a front conductive layer formed on the board, a P-type layer formed on the front conductive layer, an amorphous silicon I layer, an N-type structure layer formed on the I layer and possessed of a wide band gap, and a rear contact layer formed on the N-type structure layer.例文帳に追加

ｐｉｎ光電池が、透明な基板、基板上に形成された前面導電層、前面導電層の上に形成されたｐ型層、ｐ型層の上に形成されたアモルファスシリコンのｉ層、ｉ層の上に形成された広い帯域ギャップを有するｎ型構造層、ｎ型構造層の上に形成された後面接点層を有する。 - 特許庁

A group III nitride light emitting device includes an n-type clad layer; an active layer and a p-type clad layer formed on the n-type clad layer in order; and a p-side electrode provided with a CuInO2 layer, a transparent conductive oxide layer, and a reflective metal layer formed on the p-type clad layer in order.例文帳に追加

本発明による３族窒化物発光素子は、ｎ型クラッド層と; 前記ｎ型クラッド層上に順次に形成された活性層及びｐ型クラッド層と; 前記ｐ型クラッド層上に順次形成されたＣｕＩｎＯ２層、透明伝導性酸化物層及び反射金属層を具備するｐ側電極を含む。 - 特許庁

An n-type buffer layer 102, n-type first clad layer 103, MQW active layer 104, p-type second clad layer 105, p-type etch stop layer 106 of energy band gap smaller than that of this second clad layer 105, p-type third clad layer 107 comprising the ridge part, and p-type protection layer 108 are provided on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型第１クラッド層１０３、ＭＱＷ活性層１０４、ｐ型第２クラッド層１０５、この第２クラッド層１０５よりもエネルギーバンドギャップの小さいｐ型エッチング停止層１０６、リッジ部を構成するｐ型第３クラッド層１０７、ｐ型保護層１０８を備える。 - 特許庁

While recessed sections are left on the upper surface of the n-type epitaxial layer in an alignment mark forming region 3, the recessed sections formed on the upper surface of the n-type epitaxial layer in a photodiode forming region 2 are removed by reducing the thickness of the n-type epitaxial layer by polishing.例文帳に追加

次に、フォトダイオード形成領域２におけるｐ型シリコン基板５の上面内にｐ型埋め込み分離領域８ａ〜８ｃを形成した後、ｐ型シリコン基板５の上面上にｎ型エピタキシャル層６を形成する。 - 特許庁

With this construction, an n^+-type emitter layer 4a in the main cell is mutually away from an n^+-type emitter layer 4b in the current detection cell, and with this construction, the n^+-type emitter layer is not arranged between the main cell and the current detection cell.例文帳に追加

メインセルにおけるＮ^+型エミッタ層４ａと電流検出セルにおけるＮ^+型エミッタ層４ｂとが互いに離間された構成とし、メインセルと電流検出セルとの間にはＮ^+型エミッタ層が配置されていない構成とする。 - 特許庁

When an n-type epitaxial layer 2 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1, the n-type epitaxial layer 2 is formed outside first and second grooves 4a, 4b, while the n-type epitaxial layer 2 is not formed on a projecting part 5 located between them.例文帳に追加

半導体基板１の表面にｎ型エピ層２を成膜すると、第１、第２の溝４ａ、４ｂの外側ではｎ型エピ層２が成膜されるが、これらの間となる突出部５の上にはｎ型エピ層２が成膜されない。 - 特許庁

A p^+ type gate region 4 is directly formed on the surface of an n^- type channel layer 2 so that a part away from the n^- type channel layer 2 becomes wide compared to a part contacting the n^- type channel layer 2 out of the p^+ type gate region 4.例文帳に追加

ｎ^-型チャネル層２の表面に直接ｐ^+型ゲート領域４を形成し、ｐ^+型ゲート領域４のうちｎ^-型チャネル層２と接する部分と比較して、ｎ^-型チャネル層２から離れた部分が幅広となるようにする。 - 特許庁

There is provided a light emitting device of a nitride based compound semiconductor including an n-electrode, an n-type compound semiconductor layer, an active layer, a p-type compound semiconductor layer, and a p-electrode, and having the ohmic contact characteristic with the n-electrode improved.例文帳に追加

ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。 - 特許庁

In an IGBT, an N--type epitaxial layer 3 is formed on a P+-type silicon substrate 1 via an N+-type silicon layer 2, and a P-type impurity diffusion region 4 and an N+-type impurity diffusion region 5 are formed in the surface layer part of the epitaxial layer 3.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、Ｐ^+ 型シリコン基板１の上にＮ^+ 型シリコン層２を介してＮ^- 型エピタキシャル層３が形成され、エピタキシャル層３の表層部にＰ型不純物拡散領域４およびＮ^+ 型不純物拡散領域５が形成されている。 - 特許庁

This element has a configuration in which a p-type electrode 8 is formed on the p-type layer 7 and an n-type electrode 9 is formed on the surface of a second n-type layer 4 exposed by removing a part of a multilayer structure from the p-type layer 7 to the second n-type layer 4.例文帳に追加

ｐ型層７の上にはｐ型電極８が形成され、ｐ型層７から第２のｎ型層４までの多層構造の一部が除去されて露出された第２のｎ型層４の表面にｎ型電極９が形成された構成となっている。 - 特許庁

In a radiation detector, a P layer is formed on a first surface of the I layer, an island-form N layer is formed on a second surface of the I layer, and an annular P ring is formed around the N layer to concentrate charges generated in the I layer with incoming radioactive rays on the N layer by potential gradient generated by voltages applied to the P layer and the P ring.例文帳に追加

Ｉ層の第１の面にＰ層が設けられ、Ｉ層の第２の面に島状のＮ層が設けられると共にＮ層を中心として環状のＰリングが形成され、放射線の入射によりＩ層で発生した電荷をＰ層およびＰリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層に集める放射線検出器に関する。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 102, n-AlGaInP clad layer 103, active layer 104, p-AlGaInP lower clad layer 105, p-AlGaInP etching stopper layer 106, p-AlGaInP upper clad layer 107, p-GaInP intermediate layer 108, and p-GaAs lower contact layer 109 and grown in sequence on an n-GaAs substrate 101.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、活性層１０４、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ上部クラッド層１０７、ｐ−ＧａＩｎＰ中間層１０８、ｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９をその順序で成長させる。 - 特許庁

In the thin-film semiconductor epitaxial substrate 1 having an n+GaAs layer 4 for composing a p-n junction, and a p+GaAs layer 8, an i-InGap layer 5 having a bandgap that is larger than that of the n+GaAs layer 4 is provided on a surface 4a of the n+GaAs layer 4, thus improving reverse withstand voltage characteristics.例文帳に追加

ｐｎ接合を構成するためのｎ^+ ＧａＡｓ層４とｐ^+ ＧａＡｓ層８とを備えた薄膜半導体エピタキシャル基板１において、ｎ^+ ＧａＡｓ層４の面４ａに、ｎ^+ ＧａＡｓ層４のバンドギャップ値よりも大きいバンドギャップ値を有するｉ−ＩｎＧａＰ層５を設けることにより、逆方向耐圧電圧特性を改善した。 - 特許庁

In the outer circumferential area of a semiconductor substrate 5, a trench 13 is formed to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2 and to separate the n^+-type and the p^+-type layers around a cell, and an n^--type layer 14 is formed on the inner wall surface of the trench 13.例文帳に追加

半導体基板５のうちの外周部領域には、Ｎ^＋型層４およびＰ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達し、かつ、セル部を囲むようにＮ^＋型層４およびＰ^＋型層３を分断するトレンチ１３が形成され、トレンチ１３の内壁面には、Ｎ^−型層１４が形成されるようにする。 - 特許庁

The junction FET 1 includes a n^- layer 11 in a drift region of the junction FET 1, formed on the main face of n^+ substrate 12 of silicon carbide, a p^+ layer 9 in a gate region, joined and formed onto the n^- layer 11 in the drift region, and a gate electrode 14 provided on the upper layer of the n^+ substrate 12.例文帳に追加

接合ＦＥＴ１は、炭化珪素からなるｎ^＋基板１２の主面に形成された接合ＦＥＴ１のドリフト領域のｎ^−層１１と、ドリフト領域のｎ^−層１１に接合して形成されたゲート領域のｐ^＋層９と、ｎ^＋基板１２の上層に設けられたゲート電極１４と、を有している。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition which forms an n-type diffusion layer at a specific part in a short time without forming an unnecessary n-type diffusion layer in the manufacturing process of a solar cell using a crystal silicon substrate, and to provide a method of forming an n-type diffusion layer, and a method of manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく、短時間で特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

A lamination structure from the n-type AlGaN drain layer 3 to the n-type GaN source layer 6 is etched from the n-type GaN source layer 6 to a depth where the n-type AlGaN drain layer 3 is exposed so that the section becomes nearly rectangular, the drain and source electrodes 8, 7 are manufactured, and electrode annealing treatment is performed.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３〜ｎ型ＧａＮソース層６に至る積層構造を、断面がほぼ矩形となるようにｎ型ＧａＮ層ソース層６からｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３が露出する深さまでエッチングして、ドレイン電極８とソース電極７とを作製し、電極アニール処理を行う。 - 特許庁

The solar cell is configured by laminating a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer on the surface of a glass substrate; a plurality of concave and convex parts are formed on the surface of the glass substrate to increase a surface area; and the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are laminated on the surface of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層を積層して構成した太陽電池であって、ガラス基板の表面には複数の凹凸が形成され表面積が増大されており、このガラス基板の表面にP型半導体層およびN型半導体層が積層されている。 - 特許庁

The nitride series semiconductor laser element 100 includes an n-type GaN substrate 1; an n-type cladding layer 3 formed on the n-type GaN substrate 1; an active layer 4c formed on the n-type cladding layer 3 for generating laser light; and light exit end surface 20a from which the laser light generated at the active layer 4c is emitted.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、レーザ光を生成する活性層４ｃと、活性層４ｃで生成されたレーザ光が出射される光出射端面２０ａとを備えている。 - 特許庁

To provide an n-type diffusion layer forming composition excellent in dispersion stability, capable of forming an n-type diffusion layer at a specific portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer, in a manufacturing process of a solar cell using a crystalline silicon substrate; a method for manufacturing an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar cell.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成可能で、分散安定性に優れるｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

An n+ drain layer D1 and a polycrystalline silicon film 16 are connected to an electrostatic protection circuit, and a vertical trench type MOS transistor TR1 is provided with the n+ polycrystalline silicon film 16 as a gate, the n+ drain layer D1 as a drain, a first n-well layer 11 as a source, and a first p-well layer 13 as a channel.例文帳に追加

静電保護回路には、Ｎ＋ドレイン層Ｄ１とＮ＋多結晶シリコン膜１６が接続され、Ｎ＋多結晶シリコン膜１６をゲート、Ｎ＋ドレイン層Ｄ１をドレイン、第１のＮウエル層１１をソース、第１のＰウエル層１３をチャネルとする縦型トレンチＭＯＳトランジスタＴＲ１が設けられている。 - 特許庁

An aluminum wire 10 is provided on the n-type layer 6 and the p-type layer 8, and the n-type layer 2 and the p-type layer 3' are connected to a GND terminal via the aluminum wire 10.例文帳に追加

ｎ型拡散層６とｐ型拡散層８の上にはアルミニウム配線１０が設けられていて、ｎ型埋め込み層２とｐ型埋め込み層３´は、アルミニウム配線１０を介してＧＮＤ端子に接続する。 - 特許庁

The high refractive index layer 5 which is higher in refractive index than an n-type clad layer is formed in the n-type clad layer, and the high refractive index layer 5 expands an oozing area of a light to minimize an FFP.例文帳に追加

ｎ型クラッド層中にｎ型クラッド層よりも高い屈折率を有する高屈折率層５が形成されており、この高屈折率層５の作用により光のしみ出す領域を拡大させてＦＦＰを小さくする。 - 特許庁

An end 14 inclining to a lower face of an n-type GaN layer 11 is formed in the n-type GaN layer 11, an active layer 12, and a p-type GaN layer 13 which form a GaN based light emitting diode 1.例文帳に追加

ＧａＮ系発光ダイオード１を形成するｎ型ＧａＮ層１１、活性層１２およびｐ型ＧａＮ層１３にｎ型ＧａＮ層１１の下面に対して傾斜している端面１４を形成する。 - 特許庁

In addition, a first photoresist layer 6 is formed by using the p-type well mask, and the polysilicon layer 5 is set to an n-type by implanting the ion of an n-type impurity, such as the arsenic etc., into the layer 5 by using the photoresist layer 6 as an ion implanting mask.例文帳に追加

そして、Ｐウエルマスクを用いて、第１のフォトレジスト層６を形成し、これをイオン注入マスクとして、ヒ素等のＮ型不純物をポリシリコン層５内にイオン注入し、これをＮ型化する。 - 特許庁

In a second region adjacent to the first region, a floating gate 10 insulated from the n+ type drain layer 3, the p-type semiconductor layer 4 and the n+ type source layer 5, and formed on the embedded oxidized layer 2 is formed.例文帳に追加

第１領域に隣接する第２領域には、ｎ＋型ドレイン層３、ｐ型半導体層４及びｎ＋型ソース層５と絶縁分離され、埋め込み酸化層２の上に形成されるフローティングゲート１０が形成される。 - 特許庁

The method of manufacturing the field-effect transistor 1 comprising a group III semiconductor includes laminating a p-type GaN layer 5 on an n-type GaN layer 4 and laminating an n-type GaN layer 6 on the p-type GaN layer 5.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ１の製造において、ｎ型ＧａＮ層４上にｐ型ＧａＮ層５を積層し、ｐ型ＧａＮ層５上にｎ型ＧａＮ層６を積層する。 - 特許庁

In a photodiode PD1, a resistor 15 consisting of a P diffusion layer (impurity diffusion layer) and a cathode 13 consisting of a N diffusion layer 12 are formed on the surface (light receiving surface) of the N diffusion layer 12 formed on a P substrate 1.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。 - 特許庁

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

In this semiconductor laser device, an n-type AlGaAs buffer layer 5 as an intermediate layer is formed between a stripe-like convex portion 3 and an n-type AlGaAs lower cladding layer 6 as a first clad layer.例文帳に追加

この半導体レーザ装置では、中間層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓバッファ層５がストライプ状の凸部３と第１クラッド層としてのＮ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層６との間に形成されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, an AlGaInAs optical absorption layer 4, a p-type InGaAsP optical waveguide layer 6, and a p-type InP clad layer 7 are laminated on an n-type InP substrate 1 in this order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＡｌＧａＩｎＡｓ光吸収層４、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ光導波路層６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層７が順に積層されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer (n-type contact layer 20) of one PIN structure and the p-type semiconductor layer (p-type contact layer 19) of the other PIN structure both come into contact with a connection portion 30 and are electrically connected.例文帳に追加

一方のＰＩＮ構造のｎ型半導体層（ｎ型コンタクト層２０）と他方のＰＩＮ構造のｐ型半導体層（ｐ型コンタクト層１９）とは共に、連結部３０と接すると共に電気的に接続されている。 - 特許庁