「non-programming」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a non-volatile semiconductor memory in which quick access can be performed at the time of read-out and write-in preventing that data is disturbed in a cell of a non-selection sector at the time of programming in a selection cell or the time of erasure.例文帳に追加

選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Storage of information represented by a multi-bit word in a single non-volatile memory cell is made possible by programming the threshold voltage of the non-volatile memory to a specific threshold level corresponding to the multi-bit word.例文帳に追加

マルチビットワードによって表される情報を１つの非揮発性メモリセルに格納することは、非揮発性メモリの閾値電圧をマルチビットワードに対応する特定の閾値レベルにプログラムすることによって可能になる。 - 特許庁

When the first set written during programming corresponds to a level being lower than a level of non-binary number, the first set is written in the first region and the second set is written in the second region (33, 34).例文帳に追加

プログラミング中に書込んだ第１セットがレベルの非バイナリ数より小に対応する時、第１セットは第１領域に、第２セットは第２領域に書込まれる(33,34)。 - 特許庁

To update data in less than all of the pages of a non-volatile memory block, by programming new data on unused pages of either the same block or other block.例文帳に追加

同じブロックまたは別のブロックのいずれかのブロックの未使用ページに新しいデータをプログラムすることにより、不揮発性メモリブロックのページのすべてよりも少ないページ数でデータを更新する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal.例文帳に追加

本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and a device for programming a non-volatile memory cell of which a current value of a current flowing in a cell is controlled through a current limiter coupled to a source node of a memory cell.例文帳に追加

セルの中を流れる電流の電流値が、メモリーセルのソース・ノードに結合した電流リミッターを通して制御される不揮発性メモリー・セルをプログラムするための方法と装置を提供する。 - 特許庁

A method of programming a NAND flash memory includes the steps of applying a program voltage to a selected word line; applying a pass voltage to an non-selected word line; and recovering the selected word line and the non-selected word line to a ground voltage, after lowering the selected word line to the pass voltage.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリのプログラム方法は、選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、選択ワードラインをパス電圧に低下させた後、選択ワードライン及び非選択ワードラインを接地電圧に復旧するステップと、を含む。 - 特許庁

To inexpensively provide an experience similar to VJ for a non-skilled consumer wanting to watch a snap photo without programming dedicated and expensive equipment and requiring much time for learning how to use.例文帳に追加

専門化され、かつ高価な機器をプログラムし、使用する方法を学習するために多大な時間を費やすことを必要とせずにスナップ写真を見ることを望む熟練していない顧客のために安価でＶＪに類似した体験を提供すること。 - 特許庁

To solve such a problem that operation is complicated and related information can not be simultaneously watched since it is necessary to switch the display of signal name and real address and the display/non-display of comment by the programming software of a PLC.例文帳に追加

ＰＬＣのプログラミングソフトウエアで信号名と実アドレスの表示切り替えおよびコメントの表示・非表示の切り替えをしなければならないために操作が煩雑であり、かつ関連する情報を同時に見ることができなかったという課題を解決する。 - 特許庁

The programming method for a nonvolatile memory device includes: a stage in which a channel of a memory cell selected by programmed data is floated; and a stage in which the word lines of the selected and non-selected memory cells are driven so as to cause gate-induced drain leakage between the selected memory cell and the non-selected memory cell.例文帳に追加

本発明は、プログラムされるデータによって選択されたメモリセルのチャンネルをフローティングさせる段階と、前記選択されたメモリセルと非選択されたメモリセルの間にゲート有機ドレーン漏れが発生するように前記選択された及び非選択されたメモリセルのワードラインを駆動する段階とを具備する不揮発性メモリ装置のプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The drive circuit includes: switching parts prepared in accordance with each of the the plurality of data lines in order to change over a current programming state in which gradation signals having currents responsive to gradations are being supplied to the data lines and a non-programming state in which the gradation signals are not being supplied; and a switching control part for supplying the switching parts with a control signal for controlling operation of the switching parts.例文帳に追加

駆動回路は、データ線上に階調に応じた電流値を有する階調信号が供給されている電流プログラミング状態と、階調信号が供給されていない非プログラミング状態とを切り替えるために、複数のデータ線のそれぞれに対応して設けられたスイッチ部と、スイッチ部の動作を制御するための制御信号をスイッチ部に供給するスイッチ制御部とを有する。 - 特許庁

With the translation file 104 created, non-global character strings are separated, and an updated source file 103 that can be processed in a programming environment B and a corresponding file 105 that holds correlation with the updated source file 103 are created.例文帳に追加

翻訳ファイル１０４が生成されることで国際化対応されていない文字列は分離されるとともに、プログラミング環境Ｂが処理できるソースファイル改１０３と、ソースファイル改１０３との対応関係を保持している対応ファイル１０５と、が生成される。 - 特許庁

The team 'connection contents' indicates an information resource, such as a web page accessed to the remote information storage device through bidirectional connection, and the team 'non-connection contents' depicts an information resource, such as a locally stored programming guide which does not need such a bidirectional connection above.例文帳に追加

用語「接続コンテンツ」とは、遠隔情報記憶装置に対して双方向接続を介してアクセスされる、ウェブ・ページのような情報資源を指し、用語「無接続コンテンツ」とは、このような双方向接続を要求しない、ローカルに格納されるプログラミング・ガイドのような情報資源を指す。 - 特許庁

In an FPGA, a non-volatile reprogrammable interconnection cell with a switch transistor and at least a second transistor for programming and sensing or a buried N+ region for the second transistor and a program for sensing applies a high voltage onto a common control gate for cell erasure operation.例文帳に追加

ＦＰＧＡおいて、スイッチトランジスタとプログラミング及びセンスのための少なくとも１つの第２トランジスタ、または、センスのための第２トランジスタ及びプログラムのための埋め込まれたＮ＋領域を有する不揮発性再プログラム可能相互接続セルがセル消去操作のために共通制御ゲート上に高電圧を印加する。 - 特許庁

In a method for controlling a non-volatile semiconductor memory, program pulses P1, P2,...Pn whose magnitude of voltage is gradually increased are inputted to the control terminal of a memory cell, the total of pulse width tpp of the program pulses Pn at the maximum voltage is made half the time tpgm required for programming a memory cell by using only the maximum voltage (-Vgend).例文帳に追加

この不揮発性半導体メモリの制御方法は、漸次電圧の大きさが増加する複数のプログラムパルスＰ_1,Ｐ_2,…Ｐｎをメモリセルの制御端子に入力し、最大電圧時のプログラムパルスＰｎのパルス幅ｔppの合計を、その最大電圧(−Ｖｇend)のみでメモリセルをプログラムするのに必要な時間ｔpgmの２分の１にする。 - 特許庁

The program configuration utility enables a non-programmer or a person with only elementary programming skills to configure a collection of one or more subprograms into a complete computer program without being limited to configuration of a user interface simply possessed by a certain program to an invisible functional program element.例文帳に追加

上記プログラム構成ユーティリティは、非プログラマ或いは初歩的なプログラミング技能しか持っていない人が、単に或るプログラムが持つユーザ・インタフェースを目に見えないファンクショナル・プログラム・エレメントに構成することに限定されること無く、一以上のサブプログラムの集成を完全なコンピュータ・プログラムに構成することができるようにする。 - 特許庁