「ohmic electrodes」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device includes a first group III-V nitride semiconductor layer 12 and a second group III-V nitride semiconductor layer 13 having a large bandgap relative to that of the first group III-V nitride semiconductor layer 12, a third group III-V nitride semiconductor layer 21 having a p-type conductivity, and first ohmic electrodes 14, all of which are sequentially formed on a substrate 11.例文帳に追加

半導体装置は、基板１１の上に順次形成された、第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層１２及び第１のIII−Ｖ族窒化物半導体１２と比べてバンドギャップが大きい第２のIII−Ｖ族窒化物半導体層１３と、ｐ型の導電型を有する第３のIII−Ｖ族窒化物半導体層２１と、第１のオーミック電極１４とを備えている。 - 特許庁

In this case, the source/drain electrode 10 of the thin-film transistor 3 are formed simultaneously of the same conductive material (molybdenum) on the same layer (bottom gate insulating film 31, including an ohmic contact layer 43), the conductor layers 34 and 35 including the source/drain electrodes of the thin-film transistors 21 and 22.例文帳に追加

この場合、薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０は、薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５と同一の層（オーミックコンチクト層４３を含むボトムゲート絶縁膜３１）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成されている。 - 特許庁

To provide an AlGaInP LED, which is of high brightness and capable of diffusing an operating current over the wide region of a light-emitting part, where the AlGaInP LED is equipped with a light-emitting layer, a III-V compound semiconductor layer, ohmic electrodes which are split and arranged, a light-transmitting window layer, and a wiring pedestal electrode.例文帳に追加

発光層、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤを提供する。 - 特許庁

The information recording medium is characterized by having the recording layer (2) containing molecules with a charge transfer property, molecules with a nonlinear optical property and optically functional molecules whose three-dimensional structure changes with light irradiation and a pair of transparent ohmic electrodes (3a, 3b) sandwiching the recording layer and having conductance which is reduced on light irradiation.例文帳に追加

前記情報記録媒体は、電荷輸送性を有する分子、非線形光学特性を有する分子及び光照射により立体構造が変化する光機能分子を含有する記録層（２）と、前記記録層を挟持する一対の透明オーミック電極（３ａ，３ｂ）とを有し、光照射時に伝導度が減少することを特徴とする。 - 特許庁

Ohmic electrodes 111, 112 and 113 are formed on the surfaces of the anode-electrode side heavily-doped, cathode-electrode side heavily- doped, and Schottky-electrode side heavily-doped semiconductor layers 105, 110 and 102, respectively, and at the same time, a Schottky electrode 115 is formed on the surface of the Schottky-electrode side lightly-doped semiconductor layer 103.例文帳に追加

アノード電極側高濃度半導体層１０５の表面およびカソード電極側高濃度半導体層１１０の表面、並びにオーミック電極側高濃度半導体層１０２の表面にそれぞれオーミック電極１１１，１１２，１１３を形成するとともに、ショットキー電極側低濃度半導体層１０３の表面にショットキー電極１１５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

On the active region 12A, there are formed a gate electrode 13 which has Schottky contact with the active region 12A, is extendingly formed on the insulating oxide film 12B and has a drawn portion 13a on the insulating oxide film 12B, and ohmic electrodes 14 which are spaced from both sides of the gate electrode 13 in a gate longitudinal direction to form a source electrode and a drain electrode, respectively.例文帳に追加

活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 - 特許庁

Since the dielectric layer 108 has a portion 109 tapered from the gate Schottky electrode 106 toward the drain ohmic electrode 107, the effect of relaxing concentration of electric field increases as the gate Schottky electrode 106 is approached, and a high breakdown voltage can be attained by making the electric field distribution uniform between the electrodes.例文帳に追加

さらに、誘電体層１０８はゲートショットキ電極１０６からドレインオーミック電極１０７に向かって先細の先細部１０９を有するので、ゲートショットキ電極１０６に近いほど電界の集中を緩和する効果が高くなり、特に、電極間の電界分布を均一化して高耐圧化を図れる。 - 特許庁

One electrode is provided on a group III-V compound semiconductor-made buffer layer containing boron(B) and phosphorus(P) or arsenic(As) having a smaller forbidden band width than a lower clad layer, and another electrode is provided on a group III nitride semiconductor layer to obtain a group III nitride semiconductor light emitting element having a high light emission intensity and electrodes displaying good Ohmic characteristics.例文帳に追加

一方の電極を下部クラッド層よりも禁止帯幅を小とする硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から構成される緩衝層上に設け、他方の電極をＩＩＩ族窒化物半導体層上に設けることにより、良好なオーミック特性を発揮する電極を備えた高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The semiconductor device (HFET) includes: a first nitride semiconductor layer 13 formed on a SiC substrate 11 through a buffer layer 12; a second nitride semiconductor layer 14 formed on the first nitride semiconductor layer 13 to generate a two-dimensional electronic gas layer on the upper part of the first nitride semiconductor layer 13; and electrodes 16, 17 selectively formed on the second nitride semiconductor layer 14 and having ohmic properties.例文帳に追加

半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。 - 特許庁

The diamond electron emitting element comprises a diamond substrate 1, a diamond n-type semiconductor layer 2 formed on the diamond substrate 1, a diamond p-type semiconductor layer 3 formed on the diamond n-type semiconductor layer 2, ohmic electrodes 4, 5 respectively formed on surfaces 2a, 3a of the diamond n-type semiconductor layer 2 and the diamond p-type semiconductor layer 3.例文帳に追加

ダイヤモンド下地基板１と、該ダイヤモンド下地基板１上に形成したダイヤモンドｎ型半導体膜２の層と、該ダイヤモンドｎ型半導体膜層上に形成したダイヤモンドｐ型半導体膜３の層と、前記ダイヤモンドｎ型半導体膜２の層及び前記ダイヤモンドｐ型半導体膜３の層のそれぞれの表面２ａ，３ａに形成したオーミック電極４，５とにより、ダイヤモンド電子放出素子を構成した。 - 特許庁